技术特征：
1.一种超快时间响应的zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的制备方法，超快zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的制备过程如下：1)首先，制备zno:ga纳米晶粉体；将一定摩尔质量(0.01mol/l～0.5mol/l)的ga(no3)3·
xh2o与zn(no3)
·
6h2o和c6h
12
n
14
分别溶于去离子水中，混合均匀形成反应物溶液，把混合溶液导入水热反应釜中，然后把反应釜放入保温箱中，加热一定温度(95～120℃)和时间(6～20小时)，制备出zno:ga单晶纳米棒；2)然后，zno:ga纳米晶粉体闪烁性能优化：共两步，第一步，把水热反应法制备好的zno:ga单晶纳米棒在空气中高温(500～1000℃)退火若干小时(5～30小时)；第二步，把空气退火后的zno:ga单晶纳米棒放入氢氩混合气中退火(500～1000℃)退火小时(1～5小时)，提高其超快成分(近带边)发光，降低其慢成分(缺陷)发光；3)最后，先把甲基丙烯酸甲酯与过氧化苯甲酰以质量比例是17.8:1混合，利用油浴锅将两者混合均匀，再将闪烁性能优异的zno:ga单晶纳米棒粉体加入其中后利用真空干燥箱去除混合物中的气泡，最后把混合液导入不同直径的模具中，放入干燥箱中，50度温度固化3-5小时，制备出zno:ga-pmma聚合物闪烁体；把制备好的zno:ga-pmma聚合物闪烁体利用线切割机切割，获得不同厚度的zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏。2.根据权利要求1所述的超快zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的制备方法，其特征在于通过对水热生长参数的调控，以及氢气退火处理，实现对转换屏闪烁性能、结构和形貌的优化。3.根据权利要求1所述的超快zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的的制备方法，其特征在于步骤1)中所述的水热反应过程。4.根据权利要求1所述的超快zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的的制备方法，其特征在于步骤2)中所述的空气退火和氢气退火过程。5.根据权利要求1所述的超快zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的的制备方法，其特征在于步骤3)中所述的甲基丙烯酸甲酯与过氧化苯甲酰以质量比例是17.8:1混合。6.根据权利要求1所述的超快zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的的制备方法，其特征在于步骤3)中所述的利用真空干燥箱去除混合物中的气泡这一方法。7.根据权利要求1所述的超快zno:ga-pmma聚合物闪烁转换屏的的制备方法，其特征在于步骤3)中所述的在干燥箱中一定温度固化若干时间。
技术总结
本发明属于闪烁探测与成像领域，涉及一种超快时间响应的ZnO:Ga-PMMA聚合物闪烁转换屏的制备方法。本发明利用水热反应法制备ZnO:Ga纳米晶或微米晶，然后通过与PMMA的结合，制备ZnO:Ga-PMMA聚合物闪烁体，然后利用线切割机闪烁体切割成薄片闪烁转换屏，即可克服ZnO:Ga自身的自吸收问题，并再加以抛光，获得ZnO:Ga-PMMA聚合物闪烁转换屏。ZnO:Ga-PMMA聚合物闪烁转换屏不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。本发明具有很高的推广应用价值，创造经济价值的潜力巨大。潜力巨大。潜力巨大。
技术研发人员：李乾利 张志军
受保护的技术使用者：泰州市闪烁科技有限公司
技术研发日：2022.05.20
技术公布日：2022/10/3