技术特征：
1.一种提升晶体炉换热效率的冷却屏，包括安装为一体的内导热筒体、外导热筒体，所述内导热筒体与外导热筒体之间设有冷却通道，其特征在于，所述内导热筒体的内周面设有若干凹状结构，同时所述内导热筒体的内周面设有至少覆盖凹状结构表面的减反射层，通过减反射层提高所述凹状结构所接收的热辐射率，用于增加所述内导热筒体的热辐射吸收量。2.根据权利要求1所述的冷却屏，其特征在于，所述内导热筒体采用金属材质，所述减反射层采用通过在所述内导热筒体的内周面进行qpq工艺处理后得到的发黑复合渗层。3.根据权利要求1所述的冷却屏，其特征在于，所述凹状结构的深度不低于内导热筒体厚度的三分之一。4.根据权利要求1或3所述的冷却屏，其特征在于，所述内导热筒体的厚度范围为10-80mm；所述减反射层的厚度为0.01-0.5mm。5.根据权利要求1所述的冷却屏，其特征在于，所述凹状结构的截面包括位于底部的第一凹口，以及位于顶部的第二凹口，所述第一凹口的口径小于所述第二凹口的口径；和/或，所述凹状结构的截面呈锥型形状或v型形状。6.根据权利要求1或5所述的冷却屏，其特征在于，所述凹状结构包括在内导热筒体内周面横向上或纵向上呈连续分布的凹槽，和/或呈间断分布的凹孔。7.根据权利要求1所述的冷却屏，其特征在于，非凹状结构处的内导热筒体内周面呈平面状或锥面凸起状。8.根据权利要求1或7所述的冷却屏，其特征在于，非凹状结构处的内导热筒体内周面设有若干金字塔结构，其中，所述金字塔结构包括至少2个呈上下分布的锥面层，位于上方的锥面层面积小于下方的锥面层面积，且各锥面层之间通过沟槽连接。9.根据权利要求1所述的冷却屏，其特征在于，所述冷却通道包括分别连接进液管和出液管的螺旋状冷却液管道，所述螺旋状冷却液管道采用不锈钢管或铜管或翅片铜管或加工冷却液通道。10.一种晶体炉，包括晶体炉体、晶体坩埚以及冷却屏，其特征在于，所述冷却屏采用如权利要求1-9之一所述的冷却屏。
技术总结
本实用新型公开了一种提升晶体炉换热效率的冷却屏以及晶体炉，包括安装为一体的内导热筒体、外导热筒体，所述内导热筒体与外导热筒体之间设有冷却通道，所述内导热筒体的内周面设有若干凹状结构，同时所述内导热筒体的内周面设有至少覆盖凹状结构表面的减反射层，通过减反射层提高所述凹状结构所接收的热辐射率，用于增加所述内导热筒体的热辐射吸收量；本实用新型增加了内导热筒体的热辐射吸收量，最终提高了晶棒的生长效率。最终提高了晶棒的生长效率。最终提高了晶棒的生长效率。
技术研发人员：张恒 李达 丁创贤
受保护的技术使用者：李达
技术研发日：2022.05.17
技术公布日：2023/3/20