一种单晶炉加热丝及一种单晶炉的制作方法

本技术涉及单晶的温区领域，更具体地说，涉及一种单晶炉加热丝及一种单晶炉。

背景技术：

1、单晶炉的加热丝大多为环形螺旋加热丝，如附图1所示，在附图1中，环形螺旋加热丝沿着轴向分为a、b、c、d4个温区。4个温区的温度仅能够整体升高或者降低。但是，在实际的使用中，单晶生长时因结晶潜热、pbn坩埚传热不均、石英支撑管导热不均等因素会导致同一个温区在周向上的温度存在差异，而同一个温区的温度只能够整体升高或者降低，因此无法消除同一个温区在周向上的温度差异，如此便会造成单晶较高的位错，大大降低单晶的成晶率和成晶质量。另外，当环形螺旋加热丝老化熔断后只能报废处理，从而提高了单晶生长成本。

2、因此，如何消除单晶炉加热丝同一个温区在周向上的温度差异，从而消除单晶较高的位错，提高单晶的成晶率和成晶质量，同时降低单晶生长成本，是本领域技术人员亟待解决的关键性问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是消除同一个温区在周向上的温度差异，从而消除单晶较高的位错，提高单晶的成晶率和成晶质量，同时降低单晶生长成本。为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

2、一种单晶炉加热丝，所述单晶炉加热丝由多个加热丝单体绕着所述单晶炉加热丝的轴线围绕而成，沿着所述单晶炉加热丝的轴线所述加热丝单体被划分为多个温区，所有的所述加热丝单体中的相同温区围绕所述单晶炉加热丝的轴线布置。

3、优选地，所述加热丝单体包括绕着所述单晶炉加热丝的周向延伸的弧部，所述弧部为沿着所述单晶炉加热丝的轴向排布的多个，相邻的两个所述弧部之间通过轴向连接部连接，且在所述单晶炉加热丝的轴向上相邻的两个所述轴向连接部交替布置在所述弧部的两端。

4、优选地，所述加热丝单体中每个温区连接有一个控温热电偶。

5、优选地，相邻的两个所述加热丝单体之间具有预设距离。

6、优选地，所述单晶炉加热丝由三个所述加热丝单体绕着轴线围绕而成。

7、优选地，所述单晶炉加热丝沿着轴向分为四个温区，每个温区连接有一个控温热电偶。

8、优选地，每个所述加热丝单体所对应的圆弧角相等。

9、本实用新型还提供了一种单晶炉，包括上述任意一种单晶炉加热丝，还包括设置于所述单晶炉加热丝内部的石英管支撑管、设置于所述石英支撑管上的石英管、位于所述石英管内的坩埚。

10、从上述技术方案可以看出：所有加热丝单体中的相同温区构成了整个单晶炉加热丝的一个温区，可以通过对应的加热丝单体上的对应温区来调节单晶炉加热丝的同一个温区的周向不同位置处的温度，从而消除单晶炉加热丝同一个温区在周向上的温度差异，进而消除单晶较高的位错，提高单晶的成晶率和成晶质量。

11、另外，如果单晶炉加热丝中的某个加热丝单体老化熔断，可以单独更换某个加热丝单体，而不必更换整个单晶炉加热丝，从而降低了单晶生长成本。

技术特征：

1.一种单晶炉加热丝，其特征在于，所述单晶炉加热丝由多个加热丝单体(1)绕着所述单晶炉加热丝的轴线围绕而成，沿着所述单晶炉加热丝的轴线所述加热丝单体(1)被划分为多个温区，所有的所述加热丝单体(1)中的相同温区围绕所述单晶炉加热丝的轴线布置。

2.根据权利要求1所述的单晶炉加热丝，其特征在于，所述加热丝单体(1)包括绕着所述单晶炉加热丝的周向延伸的弧部(11)，所述弧部(11)为沿着所述单晶炉加热丝的轴向排布的多个，相邻的两个所述弧部(11)之间通过轴向连接部(12)连接，且在所述单晶炉加热丝的轴向上相邻的两个所述轴向连接部(12)交替布置在所述弧部(11)的两端。

3.根据权利要求1所述的单晶炉加热丝，其特征在于，所述加热丝单体(1)中每个温区连接有一个控温热电偶(2)。

4.根据权利要求1所述的单晶炉加热丝，其特征在于，相邻的两个所述加热丝单体(1)之间具有预设距离。

5.根据权利要求1所述的单晶炉加热丝，其特征在于，所述单晶炉加热丝由三个所述加热丝单体(1)绕着轴线围绕而成。

6.根据权利要求5所述的单晶炉加热丝，其特征在于，所述单晶炉加热丝沿着轴向分为四个温区，每个温区连接有一个控温热电偶(2)。

7.根据权利要求1所述的单晶炉加热丝，其特征在于，每个所述加热丝单体(1)所对应的圆弧角相等。

8.一种单晶炉，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述的单晶炉加热丝，还包括设置于所述单晶炉加热丝内部的石英管支撑管(3)、设置于所述石英管支撑管(3)上的石英管(4)、位于所述石英管(4)内的坩埚(5)。

技术总结
本技术公开了一种单晶炉加热丝及一种单晶炉，单晶炉加热丝由多个加热丝单体绕着单晶炉加热丝的轴线围绕而成，沿着单晶炉加热丝的轴线加热丝单体被划分为多个温区，所有的加热丝单体中的相同温区围绕所述单晶炉加热丝的轴线布置。所有加热丝单体中的相同温区构成了整个单晶炉加热丝的一个温区，可以通过对应的加热丝单体上的对应温区来调节单晶炉加热丝的同一个温区的周向不同位置处的温度，从而消除单晶炉加热丝同一个温区在周向上的温度差异，进而消除单晶较高的位错，提高单晶的成晶率和成晶质量。另外，如果单晶炉加热丝中的某个加热丝单体老化熔断，可以单独更换某个加热丝单体，而不必更换整个单晶炉加热丝，从而降低了单晶生长成本。

技术研发人员：李勤财,刘建忠,高鹏飞,易明辉
受保护的技术使用者：广东先导微电子科技有限公司
技术研发日：20221226
技术公布日：2024/1/12