1.多晶碳化硅烧结材料，其由中值当量直径为1至10微米的碳化硅晶粒组成，所述材料的总孔隙率小于所述材料体积的2％，并且除游离碳外的碳化硅(sic)质量含量为至少99％，其中在所述材料中具有β型(β)晶型的sic含量与具有α型(α)晶型的sic含量的质量比小于2，所述材料具有以下按质量计的元素组成：
2.根据前一项权利要求所述的材料，其中所述材料包含相对于所述材料中的晶相的总质量计大于1％的β晶型sic。
3.根据权利要求1或2所述的材料，其中按除了其孔隙率以外的所述材料的体积计，晶粒的超过90％具有1至10微米的当量直径。
4.根据前述权利要求中任一项所述的材料，其中按所述材料的质量计：
5.根据前述权利要求中任一项所述的材料，其中按所述材料的重量计，硼(b)的质量含量大于0.1％且小于0.7％。
6.根据前述权利要求中任一项所述的材料，其中所述材料中β晶型(β)的sic含量与α晶型(α)sic的sic含量的质量比小于1。
7.根据前述权利要求中任一项所述的材料，其中所述碳化硅晶粒占所述材料质量的至少98％，优选99％，其余部分由残余晶粒间相组成，所述残余晶粒间相包含元素si和c，优选基本上由元素si和c组成。
8.根据前述权利要求中任一项所述的材料，其中α晶型碳化硅晶粒的超过90体积％具有小于10微米的当量直径。
9.制造根据前述权利要求中任一项所述的多晶碳化硅烧结材料的方法，其包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述碳化硅颗粒粉末中游离碳的质量含量小于2％。
11.根据权利要求9或10中任一项所述的方法，其中所述碳化硅颗粒粉末中游离二氧化硅的质量含量小于1％。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述碳化硅颗粒粉末中游离硅的质量含量小于0.5％。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法，其中所述碳化硅颗粒粉末的质量含量中，铝(al)、碱金属、碱土金属和包含至少一种选自sc、y、la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb和lu的元素的稀土金属的元素含量之和小于0.5％。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其中所述烧结添加剂中包含的元素是硼。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的方法，其中所述预成型件的固相烧结步骤通过sps(“火花等离子体烧结”)进行。
16.包含根据权利要求1至9中任一项所述的材料的装置，所述装置选自：涡轮机、泵、阀门或流体管线系统、热交换器；太阳能吸收器或用于回收热量或反射光的装置、熔炉耐火涂层、烹饪表面、用于金属熔化的坩埚、磨损保护部件、切削工具、刹车片或刹车盘、天线罩、用于热化学处理的涂层或支撑件、或用于光学和/或电子工业的活性层沉积的基底；加热元件或电阻器；温度或压力传感器；点火器；磁感受器。