玻璃基板去静电设备及玻璃基板去静电方法与流程

本发明涉及显示器件，尤其涉及玻璃基板去静电设备及玻璃基板去静电方法。

背景技术：

1、平板显示屏幕内电路结构制造过程就是在玻璃基板上电路图形化的过程，屏幕内部电路线宽与线距基准不一。以电视为例，其显示屏线路的线距与线宽通常为5μm以上，而以手机为代表的视网膜屏幕，其显示屏线路的线距与线宽一般在3μm以内，更有甚者一些ar(augmented reality，增强现实)屏幕与vr(virtual reality，虚拟现实技术)屏幕，其显示屏线路的线距与线宽会达到1μm左右。电路图形化过程中，产品搬运、制程工艺都会在产品表面形成大量静电，电路线宽与线距越小，静电对产品良率所造成的影响也就越大，当静电积累到一定程度时(一般情况为150v以上)，即可能对玻璃基板上已经完成的器件结构产生不可逆的静电击伤。

2、玻璃基板上静电形成原因一般为摩擦引起的电荷重新排布或电荷相互吸引引起重新排布。基于上述原理，目前工业量产解决静电的主要方法为：1、减少摩擦；2、摩擦后及时采用静电消除装置或静电导出装置进行消除；3、通过控制环境湿度等条件减少环境静电荷。方法3一般作为辅助条件，不作为静电控制的核心要素。方法1与方法2为本行业技术人员重点解决方向。

3、在现有技术中，以cn111556638a为例，其采用去静电离子棒对玻璃基板表面进行作用，从而达到降低玻璃基板表面静电值的目的。以cn215418222u为例，其通过对摩擦部件进行接地处理，从而达到摩擦后的静电导出的目的。但是在玻璃基板的搬运过程或工艺制程中，摩擦静电与工艺制程静电无法从根源消除，极短的时间就能达到几百伏甚至上千伏静电电压，上述两种示例中虽然能有效降低产品表面静电值，但是由于高压静电产生的过程非常迅速，上述示例中容易出现在未对静电进行导出时，高压静电迅速积累进而对玻璃基板上的表面器件结构的瞬间静电击伤现象，尤其是更细线距与线宽的器件对静电更敏感。

4、因此，亟需发明玻璃基板去静电设备及玻璃基板去静电方法，以解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供玻璃基板去静电设备及玻璃基板去静电方法，以降低静电在玻璃基板上的静电放电电压，提高对玻璃基板上的表面器件结构与表面电路的保护。

2、为达此目的，本发明采用以下技术方案：

3、玻璃基板去静电设备，包括：

4、传输装置，所述传输装置内设置有多条传输辊，每条所述传输辊的外周壁上均设置有螺纹，玻璃基板的非工艺面搭接在所述传输辊上；

5、粗化装置，所述传输辊能够将所述玻璃基板由上料位转运至所述粗化装置处，刻蚀药剂容置在所述粗化装置中，位于所述粗化装置上方的所述传输辊的下端浸没在所述刻蚀药剂中，所述刻蚀药剂能够利用表面张力由所述粗化装置中转移至对应设置的所述传输辊与所述玻璃基板之间，所述刻蚀药剂用于刻蚀所述玻璃基板的非工艺面，完成刻蚀后的所述玻璃基板非工艺面粗糙度rq＝1nm～2nm；

6、清洗装置，位于所述粗化装置的下游，所述传输辊还能够将完成粗化处理的所述玻璃基板转运至所述清洗装置处，所述清洗装置能够清洗所述玻璃基板残留的所述刻蚀药剂；以及

7、干燥装置，位于所述清洗装置的下游，所述传输辊能够将完成清洗的所述玻璃基板转运至所述干燥装置处，所述干燥装置能够干燥完成清洗的所述玻璃基板，所述传输辊还能够将完成干燥的所述玻璃基板转运至下料位。

8、作为优选方案，所述清洗装置包括：

9、置换清洗组件，所述置换清洗组件位于所述粗化装置的下游，所述传输辊能够将完成粗化处理的所述玻璃基板转运至所述置换清洗组件处，所述置换清洗组件用于清洗所述玻璃基板非工艺面上残留的所述刻蚀药剂；以及

10、净水清洗组件，所述净水清洗组件位于所述置换清洗组件的下游并位于所述干燥装置的上游，所述传输辊能够将完成置换清洗的所述玻璃基板转运至所述净水清洗组件处，所述净水清洗组件能够用于完全清洗所述玻璃基板。

11、作为优选方案，所述清洗装置还包括：

12、阻挡组件，所述阻挡组件设置在置换清洗组件的上游与所述粗化装置的下游之间，所述阻挡组件能够防止所述置换清洗组件内的清洗液溅射至所述粗化装置中。

13、作为优选方案，所述阻挡组件包括：

14、吹气件；

15、吹气口，与所述吹气件相导通，所述吹气口的开口朝向所述置换清洗组件，气体能够沿所述吹气口吹出并将所述置换清洗组件溅射的所述清洗液吹向所述置换清洗组件。

16、作为优选方案，所述刻蚀药剂由40％浓度的氢氟酸、氟化氢铵以及纯水混合而成。

17、作为优选方案，所述刻蚀药剂中所述40％浓度的氢氟酸的含量为60g/l～150g/l，所述氟化氢铵的含量为500g/l～600g/l。

18、作为优选方案，所述玻璃基板在所述传输辊上的移动速度为6m/min，所述玻璃基板的刻蚀时间为20s～30s。

19、作为优选方案，每个所述传输辊上的所述螺纹的螺距p＝0.4mm～1.5mm，螺纹齿高h＝0.5mm～1.2mm，牙型角β＝15°～90°。

20、作为优选方案，干燥装置内设置有两组吹气组件，两组吹气组件分别位于对应设置的所述传输辊的上方和下方，位于所述传输辊上方的吹气组件能够向下吹气，位于所述传输辊下方的所述吹气组件能够向上吹气。

21、玻璃基板去静电方法，应用于如上所述的玻璃基板去静电设备，包括如下步骤：

22、将所述玻璃基板的非工艺面搭接在所述上料位处的所述传输辊上；

23、由所述传输辊将所述玻璃基板从所述上料位转运至所述粗化装置处，当所述玻璃基板进入所述粗化装置后，所述粗化装置内的所述刻蚀药剂转移至所述玻璃基板的非工艺面上进行刻蚀；

24、由所述传输辊将完成粗化处理的所述玻璃基板转运至所述清洗装置处进行清洗处理；

25、由所述传输辊将完成清洗的所述玻璃基板转运至所述干燥装置处进行干燥处理；

26、由所述传输辊将完成干燥的所述玻璃基板转运至所述下料位，并由外部拾取装置将所述玻璃基板从所述下料位取走。

27、本发明的有益效果：

28、本发明提供的玻璃基板去静电设备，通过设置传输装置以及沿产线依次排布的粗化装置、清洗装置以及干燥装置，将玻璃基板搭接在传输装置内的传输辊上，由传输辊将玻璃基板从上料位依次转运至粗化装置处进行粗化处理、转运至清洗装置处进行清洗处理以及转运至干燥装置处进行干燥处理，最终转运至下料位，实现对玻璃基板非工艺面的刻蚀粗化、清洗以及干燥，保证玻璃基板非工艺面的粗糙度rq＝1nm～2nm，能够在玻璃基板非工艺面上形成肉眼不可见的微型凸起结构，该微型凸起结构不仅不会影响玻璃基板的光学特性，而且该微型凸起结构还能够对静电进行整面分散，避免静电在局部位置的累积，由于静电分散后微型凸起结构放电的电压较小，不会对玻璃基板上表面器件结构造成损伤，进而到达从降低静电在玻璃基板上的静电放电电压的效果，去静电效果好，提高对玻璃基板上的表面器件结构与表面电路的保护。

29、本发明还提供了玻璃基板去静电方法，通过应用于上述玻璃基板去静电设备，实现对玻璃基板非工艺面的刻蚀粗化、清洗以及干燥，保证玻璃基板非工艺面的粗糙度rq＝1nm～2nm，能够在玻璃基板非工艺面上形成肉眼不可见的微型凸起结构，该微型凸起结构不仅不会影响玻璃基板的光学特性，而且该微型凸起结构还能够对静电进行整面分散，避免静电在局部位置累积，由于静电分散后微型凸起结构放电的电压较小，不会对玻璃基板上的表面器件结构造成损伤，进而到达从降低静电在玻璃基板上的静电放电电压的效果，去静电效果好，提高对玻璃基板上的表面器件结构与表面电路的保护。