专利名称：:超低温烧成陶瓷组合物的制作方法本发明所涉及到介电陶瓷组合物，它具有高的介电常数(K)，比如大约高于12000;低的耗散因素(DF)，如大约低于3%;高的绝缘电阻(R)和电容(C)的乘积(RC)，比如在25℃时大约高于20000，在85℃时大约高于2000;超低烧成温度，如大约低于1000℃，并且可以在无须对外界气氛进行控制时进行烧成。由于本发明的陶瓷组合物具有高的介电常数和低的耗散因数，所以它们适用于制造在下文中被称之MLC，具有高电容和小的实际尺寸的多层陶瓷电容器。由于本发明的陶瓷组合物的超低烧成温度，适于制造使用较低熔点的金属及其合金，如100%的银的金属内部电极的MLC。这种较低熔点的金属大大地低廉于通常用于制造这种电极的贵金属。因为本发明的陶瓷组合物无须对外部气氛进行控制而可以烧结，所以它们适于用简单的窑炉设备制造MLC。除了上述的优点之外，本发明的陶瓷组合物可以以简化的制造工艺和较低的制造成本生产高性能的，高容积效率的MLC。制造MLC的最普通的材料是添加了诸如SrZrO3，CaZrO3，BaZrO3，CaTiO3等改性剂的BaTiO3，SrTiO3。这些材料所具有的介电常数最高大约为11000，然而，这些材料必须在高于1250℃的温度下烧成。如此高的烧成温度需要使用诸如Pt，Pd，Au等具有高熔点的贵金属及其合金作为内部电极，方可避免在烧成过程中气化或电极材料的其他损失。由于贵金属的价格不断上涨，使用大量内部电极层的高电容MLC的制造成本将受到限制。可用于烧成MLC介电层的一种现有技术方法中，为了降低普通陶瓷组合物的烧成温度，需要使用诸如Pbo;Bi2O3;ZnO;B2O3;Al2O3;和SiO2这样一些助熔剂。由于这一工艺方法已经取得烧成温度低达1150℃以下，因而可以使用如70%的Ag和30%的Pb这样的不太昂贵的电极材料。然而已发现这些组合物所具有的介电常数低于6500，这是因为助熔剂通常把一种低介电常数的相带入陶瓷介电体系中。另一种现有技术的工艺方法包括在还原性气氛，如在Co/Co2的混合气体中烧制陶瓷组合物，因此在MLC之中可以使用Ni之类的便宜的基体金属电极。然而，这些组合物的介电常数还要低，如低于6000。为了防止陶瓷氧化物或电极金属氧化，同样必须严格控制该陶瓷组合物烧结条件，如温度/气氛。还有在另一种现有工艺方法中，诸如上述所论及的这些陶瓷组合物，首先在强还原性气氛，如一种N2/H2的混合气体中不带电极地进行烧成，以便促进陶瓷中的半导体化和大晶粒的生长，例如达到20微米以上。这种大的半导体晶粒随后在二次气体烧成过程中通过如PbO，Bi2O3，B2O3等绝缘氧化物的扩散而绝缘化。这些组合物通常具有高于20000的很高的介电常数。然而这些组合物主要是为制造用于低工作电压的园盘状或管状陶瓷电容器而设计的。由于这种大的晶粒尺寸要求每一个介电层的厚度至少为60微米才能承受住所要求的工作电压，因此在MLC中使用这些陶瓷组合物是不实际的。这种高介电常数的优点由于其厚度的极限而减少，这是因为随着制造MLC的工艺的发展趋势，可以制造出更小的和更好的，达到具有较低的K值，如6000，而有较薄的介电厚度，如20微米这一相同目标的介电材料。在另一种现有技术的工艺方法中，铅的钙钛矿化合物，通常作为松弛化合物而广为人所知，如Pb(FeNb)O3，Pb(FeW)O3已被用来制备具有15000以上介电常数的陶瓷组合物。然而当这些组合物用于MLC时却具有下列缺陷中的一种或几种。(a)耗散因数一般高。(b)特别是在较高的温度下绝缘电阻低。(c)烧结温度比1150℃低不了多少。(d)这种组合物经常要求一种以上的铅钙钛矿化合物和/或多种掺杂化合物，并且由此使制造工艺复杂化，以及成本上升。(e)为保持理想的配比，该组合物要求严密控制铅蒸气压。因而，制造成本是高的。本发明的陶瓷组合物是为了改善如上述的现有技术组合物的功能。特别是它们具有一个高介电常数，低的耗散因数，高的介电绝缘电阻并且可以在空气中低温烧结。它们还可以通过简化的工艺，并以低得多的成本制造高容量的MLC。本发明的一个目的是生产一种在25℃时介电常数为大于12000，耗散因数小于3%的陶瓷组合物。本发明还有一个目的，就是可以在低于1000℃的温度下烧成，并在25℃时介电常数为大于12000，而耗散因数小于3%的陶瓷组合物，因此该陶瓷组合物可以和含银量大于70%(重量)的银-钯合金烧结在一起，用于制造多层陶瓷电容器。本发明另一个目的是生产具有上述优点的陶瓷组合物，并且可以在敞开的空气气氛中烧制，而无须建立饱和铅蒸气的保护气氛，从而可进一步地降低陶瓷电容器的制造成本。通过本发明可以达到上述的一些目的和另外的一些目的，本发明的目的在于由两种成分制成的超低温度烧成陶瓷组合物，即，含有陶瓷基料的主要成分和含有一种氧化物助熔剂或烧结辅剂的次要成分。更为特别重要的是在形成本发明的介电陶瓷组合物中，主要成分占介电陶瓷组合物重量百分比大约为95.0至81.5，而次要成分占此组合物的重量百分比大约为5.0至18.5。该陶瓷组合物的主要成分是含有氧化镁(Mgo)，五氧化二铌(Nb2O5)，氧化铅(PbO)，钛酸铅(PbTiO3)和金属态银(Ag)，或它们的组分氧化物或氧化物母体的陶瓷氧化物为陶瓷基料，陶瓷基料的成分范围，若以氧化物表示，(均以重量%表示)，约65.0至约71.6的氧化铅;约4.2至4.9的氧化镁;约25.5至约27.0的五氧化二铌;约0至约4.5的钛酸铅;以及约0至约1的银。该陶瓷组合物的次要成分是含有氧化铅的一种陶瓷氧化物助熔剂或烧结辅助剂。氧化铅助熔剂与陶瓷基料重量比大约为0.05至大约0.185。本发明的陶瓷组合物，当制成多层电容器时具有的典型的介电常数值是在1仟赫兹，1VRMS时12000以上;典型的耗散因数值是在1VRMS时低于百分之三;而典型的绝缘电阻-电容积;在25℃，100伏直流电压/密耳(VDC/mil)时大于40000;在85℃时大于2000;在125℃时大于200。该电容器可以通过超低温度烧成，如大约低于1000℃，而最好是在900℃和950℃之间的温度烧制而成。在一个特别优选的实施例中，该介电陶瓷组合物由重量百分比为88的陶瓷基料和重量百分比为12的氧化物助熔剂或烧结辅助剂组成的混合物组成。该陶瓷基料中含有65.56%的PbO，4.62%的MgO，25.36%的Nb2O5和4.46%的PbTiO3(以上均为重量百分比)，而氧化物助熔剂式烧结辅助剂主要是PbO。如在后面所述，本发明的介电陶瓷组合物具有某些优点，这些优点在不牺牲所期望的物理和电学的特性的前提下，降低了它的基本成本。本发明提供了一种具有高12000介电常数的新的介电陶瓷组合物，该介电陶瓷组合物可在不超过1000℃的高温下，通过把组分氧化物或氧化物母体进行烧成而制得。这种组合物与现有技术中所谈及的那些组合物所期望的介电特性有很大的不同，如较高的介电常数，在现有技术中要得到可在这样较低的温度下制备成的材料就要牺牲高的介电常数。由于现有技术的材料所具有的介电常数在多层电容器的实际应用中是太低了，所以一直需要使用在高于1100℃的温度下烧制成的材料。在如此高的温度下，必需采用含有高百分比的贵重金属，如钯或铂的电极。本发明的陶瓷组合物的较低的烧制温度允许采用熔点较低的金属，如含有70%以上的银和少于30%的钯的银-钯电极在多层电容器中的作为导电层。这是非常优越的，因为钯是一种比银昂贵得多的贵金属。因此，在多层电容器中使用本发明陶瓷组合物就可带有价格较低电极金属，因而明显地节约成本。本发明还提供一种新的，介电常数高于12000的介电陶瓷组合物，该陶瓷组合物可将组分氧化物或氧化物母体在不超过1000℃的温度下，在空气中进行烧成而制备。这种组合物与在现有技术中所谈及的那些组合物有明显的不同，在现有技术中，所期望的介电特性，如较高的介电常数只能通过将某些复杂的陶瓷产物母体组合物结合在一起，並在一种严格控制的气氛中进行烧成而获得。这种作法大大地提高了多层陶瓷电容器的制造成本。本发明的陶瓷烧成体是通过在烧制该陶瓷基料的介电氧化物组份在烧成过程中进行反应而生产的。陶瓷基料中含有氧化铅，氧化镁，和五氧化二铌，带有或不带有少量的钛酸铅或金属态的银以及一种含有氧化铅的氧化物助熔剂。在制备用于本发明的陶瓷基料时，将氧化镁和五氧化二铌以在前面所述的比例在水中放在一起制成浆料。经干燥后，可以粉碎混合物，並煅烧形成铌酸镁。铌酸镁和氧化铅，以在前面所提及的比例再次在水中混成浆料。经干燥后，将该混合物经过研磨，并经再次煅烧形成形成Pb(MgNb)O3陶瓷基料组合物。将陶瓷基料随后可以和氧化铅的助熔剂一起进行混合、制成浆料，研磨至所要求的颗粒尺寸。这种陶瓷基料和氧化物助熔剂相结合成的混合物可以用标准的方法浇成薄片，并且形成具有内部电极的多层电容器结构，该内部电极具有大于70%的银和少于30%的钯，然后此电容器结构在约900℃至1000℃之间烧成约3小时。本发明的超低温烧成介电组合物的绝缘电阻电容乘积(RC)在25℃和100V直流电压/密耳时大于40000欧姆-法粒;在85℃，100VDC/mil时大于2000欧姆-法拉;在125℃100VDC/mil时大于100欧姆-法拉。典型的介电常数为在1千赫兹和1伏特有效值时为14000±2000;而典型的耗散因数为在一千赫兹和1伏特有效值时小于百分之三。本发明将通过下列实施例作进一步的说明，但是本发明的内容决不局限于这些实施例。作为例子中所给出的数值受到基于已知技术的系数的影响。例如，就这里的实施例1-26而论，通过粉碎，研磨，均匀分散，或用其它的压研方法将原料制成很细的颗粒，可以使介电常数大大地提高，而大大降低耗散因数。这种在制造陶瓷电容器的过程中一般实行的实际作法，在实施例1-26中的制备中没有在整个范围内使用。另外，烧成条件的变化，试样厚度和制备以及测量误差都可能导致在同样的组合物中出现可以观察到的偏差值。这样，取决于制造技术及稍许考虑颗粒尺寸，使用在实施例1-26中所给定的陶瓷组合物的性能可以随给定的值而变化;如介电常数可能变化于±1000;耗散因数可能变化±0.2%;而随温度的电容变更值与25℃时的电容值之比可能变化±1.5%。本发明的最佳实施例的细节在下面的实施例中作进一步的叙述。实施例1-5以示于表1的量的MgO和Nb2O5经称重后，再与30毫升蒸馏水相混合。该混合物在一台由Spex新泽西工业有限公司制造的高速Spex800-2型颜料混合器中进行彻底的混合10分钟。将这种湿的浆料干燥成饼块，然后碾碎並通过30目的金属筛子进行筛选。然后将这种粉状混合物在从950℃至1050℃的温度下煅烧3至5小时。这种煅烧过的粉末用X-射线衍射技术进行分析。其结果示于表1，它们表明除实施例4-5之外-它们显示出一些未鉴定的相，即表明完全反应并形成不带有任何过量的Nb2O5和MgO的MgNb2O6。例如实施例4和5是超出本发明的范围之外的，将在其后标以“＊”。一般都知道MgO很容易吸水或者吸收湿气生成Mg(OH)2因而，在完全反应并形成单相MgNb2O6之处的MgO和Nb2O5的标称重量之比，在很大程度上取决于所用的原料MgO的水份的实际灼失量。在实际生产过程中MgO可能水化而生成Mg(OH)2，或在与Nb2O5进行反应之前经热处理将水气蒸发掉。而在其它的工艺方法中将MgCO3作为原料使用。在实施例1至5中所制备的15克的MgNbO2与同样在实施例1-5中所述的方法制备的PbO328克相混合。将该粉状混合物从700℃至900℃煅烧4小时。再用X射线衍射法分析煅烧粉末的晶体结构。除了超出本发明范围的实施例1之外，示于表Ⅰ的结果表明了完全反应并形成Pb(MgNb)O3。实施例1的晶体结构是由近似于80%的Pb(MgNb)O3和20%的Pb2Nb4O13组成(以上指重量百分比)。这后一种结晶相是已知的烧绿石，它有损于本发明的陶瓷组合物的介电特性是已为人知的。实施例6-14大约614克MgNbO2用93克MgO，512克的Nb2O5和900毫升的蒸馏水湿混搅拌约2小时而制得。将该湿的浆料干燥成饼块、研磨并在1050℃下煅烧4小时。把188.3克这种粉末和411.8克PbO，7克DAVAN“C”1分散剂一起加入衬以橡胶的装有二氧化锆中间物的研磨罐中。将此浆料研磨16小时，干燥，再次研磨。该粉末混合物随后在约860℃的温度下煅烧5小时形成Pb(MgNb)O3。将这种经煅烧的粉末研碎，将570克的这种粉末和370毫升的蒸馏水5.5克的DAVAN“C”分散剂一起加入到衬有橡胶并装有二氧化锆中间物的研磨罐中。(注1)将此浆料加以研磨直到粉末的平均颗粒尺寸小于1.2微米，然后干燥再次研磨，以得到陶瓷基料组合物。根据示于表Ⅱ的数据，将0.3克至4.1克的PbO和10毫升至15毫升的蒸馏水加到30克或20克的上述的陶瓷基料组合物中。将这种浆料在一个高速Spex颜料混合器中充分混合10分钟。然后将所得到的浆料干燥成饼块，再用研钵和杵捣粉碎。重量百分含量为26%的水，26%的丙二醇和48%的玉米糖浆的粘接剂2.4毫升或1.5毫升混入置于研罐中的陶瓷粉末中，随后通过40目尼龙筛子粒化。所得到的混合物的薄片的直径为1.27厘米，厚度为0.1至0.15厘米，它们是用已知的技术，如挤压成形而制成的，该混合物是在38000磅/时2的压力下，在一个不锈钢模中压制而成的。将该薄片放置在一个经稳定化处理过的二氧化锆放置器上，并在900℃至1000℃的温度中烧制3小时。冷却后将银电极喷涂在薄片上，随后在815℃的温度中加以烧成以便把薄片烧结在电极上。电容(C)耗散因数(DF)和随温度变化的电容改变量(TC)与25℃时的电容值的比值用ESI2110A型电容电桥，以1千赫兹的测量频率，以10℃的温度间隔从-55℃至+125℃进行测量。每一个样品的介电常数由基本的电容方程式计算出来。方程式是K=5.66×C1/(D2)C1/(D2)此处K＝样品的介电常数I＝薄片的厚度，单位吋D＝薄片的直径，单位吋C＝薄片的电容，单位微微法拉表Ⅱ实例Pb(MgNb)O3PbOPbO/Pb(MgNb)O3(克)(克)重量比＊6300.30.017300.60.028301.50.059302.10.0710303.00.1011303.60.1212304.50.151317.93.30.185＊1417.94.10.23如在表Ⅲ中所统计的实施例6-14的介电特性表明当PbO和Pb(MgNb)O3陶瓷基料至少以约0.05的重量比均匀混合时，本发明的陶瓷组合物可以在低于950℃的温度下在敞开的空气中烧结。这样被烧结成的陶瓷薄片样品的介电常数(K)高于8500而耗散因数(DF)低于0.5%。当PbO与Pb(MgNb)O3的重量比约小于0.05时，如实施例6和7那样，该陶瓷组合物就不能在低于1000℃的温度中烧结。根据现有的文献，如实施例6和7中的陶瓷组合物必须在很高的温度，如在高于1200℃的温度中，在饱和的Pb介质中烧结可能会得到一个有用的陶瓷。当PbO和Pb(MgNb)O3的重量比高于0.19时，如在实施例14中那样，却观察不到介电性能有任何进一步的改进。如果介电陶瓷组合物中存在过量的PbO，通常导致降低老化性能。示于实施例8到13的陶瓷薄片组合物的介电特性表明这些组合物由于它们有高的介电常数和低的耗散因数，适于作为在制造具有高容量多层陶瓷电容器(MLC)的介电陶瓷材料使用。这些陶瓷组合物由于可在低于1000℃的温度下烧成，可以使用较便宜的含有高含量的银的电极材料，如Ag∶Pd＝80∶20至百分之百的银电极材料。这些组合物的其它的优点包括用简单的窑炉设备在空气中烧结。实施例15-20根据表Ⅳ，将MgNb2O6和PbO相混合，煅烧及研磨至颗粒的平均尺寸小于1.2微米。使用以实施例6至14中所述的相同技术，制备大约600克Pb(MgNb)O3/PbO陶瓷基料组合物。然后将520克这种陶瓷基料和624克PbO即12%(重量)的PbO在水浆料中均匀地混合，干燥，然后通过一个40目的尼龙筛过筛。所得的这种陶瓷粉末500克和粘接剂溶液240克一起加入到一个装有1/2吋的氧化铝介质的球磨机中，其中粘接剂溶液是将186克邻苯二甲酸二辛酯，90克NuostableV-1444(注2)，597毫升乙醇和270毫升甲苯及372克ButvarB-76(注3)乙烯基树脂均匀混合溶解而制成的。将这种浆料研磨16小时后出料並通过44微米的筛子过滤。将这种粘度约为1500-3000厘泊的浆料按标准工艺脱气，然后浇铸成厚度为1.5密耳的带状物。借助于工业上熟知的传统工艺将此带状物转化成具有70%的银和30%的钯或100%的银的电极的多层陶瓷电容器。将此电容器予热48小时至260℃，放置在经稳定化处理的二氧化锆放置器上在900℃至960℃的温度中烧结3小时。烧结好的电容器具有10个有效介电层，介电层的厚度范围从0.85至1.10密耳。将Dupont银涂料No.4822-这是在粘合剂中的银和玻璃块混合物一的端部电极应用于此多层电容器相对的端点，以便将交替的电极层接合在一起，并且将此电容器放在隧道式炉子中在815℃的温度下烧成。介电常数(K)，耗散因数(DF)，绝缘电阻(R)和电容(C)在25℃，85℃，和125℃的乘积(RC)以及电容随温度变化的变更值(TC)均以在实施例6-14中所述的同样的方法进行测量，其结果示于表Ⅴ。再以10℃的间隔从-55℃至125℃进行这种测量。表Ⅳ和Ⅴ的数据表明实施例15至20的组合物具有超过12000的介电常数，还具有低的耗散因数DF与高的RC积。这些混合物可以在空气中，在低到920℃的，可以将纯银用于MLC电极的温度下烧制。实施例21-26将下列的MgNb2O6、PbO、PbTiO3制成大约600克的陶瓷基料组合物，然后与金属态的银混合，焙烧、研磨至小于1.2微米的平均颗粒尺寸(用在实施例6至14中所述的相同的工艺)。然后将520克的这种陶瓷基料与62.4克的PbO，即12%(重量)的PbO在一种含水浆料中均匀混合、干燥，再通过40目尼龙筛过筛。再用与实施例15至20中所述的工艺相同的方法把500克的上述的陶瓷予制品和70%Ag/30%Pb或100%Ag的内部电极一起用来制造MLC件。该组合物和制成的MLC件的介电特性统计于表Ⅵ和表Ⅶ。从实施例21至23可以看出，当将PbTiO3煅烧成Pb(MgNb)O3陶瓷基料组合物时，与实施例15相比，介电常数提高了，并且通常用“居里温度”或“松弛峰值”描述的，产生介电常数最大值处的温度转变成更高的温度。这样，可以将陶瓷的介电特性加以改变以适应特殊的MLC的用途，然而，在所试验的混合物中的PbTiO3与Pb(MgNb)O3的重量比高于0.05时，如在实施例23中那样，则耗散因数就变得高于3%。从实施例24至26中还可以看到当金属态的银被煅烧成Pb(MgNb)O3的陶瓷基料组合物时，绝缘电阻以及由此产生的MLC电容器的RC积，与实施例15相比有显著提高。还可以看到，当采用带有较高的含银量的内部电极时，如在实施例15和21中所示的那样，绝缘电阻也有同样的提高。然而，像实施例26那样Ag和Pb(MgNb)O3的重量比超过0.01时，就看不到有任何进一步的改进。进一步在这种混合组中掺入Ag，则只会提高这种介电陶瓷组合物的制造成本。由实施例15-20中所统计的组合物和物理特性数据列于下面的表Ⅵ和表Ⅶ注1DAVANC是一种无水碱性离子分散剂，含有聚电解质，氨和硫的混合物，该混合物可从康涅狄克州的W.P.Vnnder-bilt公司获得。)注2NuostableV-1444是一种可以从新泽西Nuostabe有限公司获得的碱离子不含有机溶剂的分散剂。注3ButvarB-76是一种可以Monsanto公司获得的粘合剂，它含有聚乙烯醇缩丁醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇。权利要求1.一种超低温烧结组合物，含有大约81.5～95%(重量)的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3和大约5～18.5%(重量)的氧化铅2.一种超低温烧结组合物，包括大约为81.5～95%(重量)的主要成份和大约为5～18.5%(重量)的氧化铅，该主要成份含有氧化镁(MgO)，五氧化二铌，氧化铅，钛酸铅以及金属态的银，或者它们的组分氧化物或氧化物母体。3.权利要求2的组合物，其中该主要成分含有从大约65.0至大约71.6%(重量)的氧化铅;大约4.2至大约49%(重量)的氧化镁;大约25.2至大约27.0%(重量)的五氧化二铌大约0至4.5%(重量)的钛酸铅;和大约0至1%(重量)的银。4.权利要求2的组合物，其中该主要成分含有大约88%的(重量)的该组合物，并且是一种大约为65.56%(重量)的Pbo;含有4.62%(重量)的MgO;25.36%(重量)的Nb2O5;和4.46%(重量)的PbTiO3的混合物。5.一种具有大约低于1000℃的烧结温度的组合物，用于制造具有在1千赫兹，1VRMS时大约高于12000的介电常数，大约低于3%的耗散因数，和在25℃时大约高于20000的绝缘电阻和电容的乘积，並且在85℃该乘积大约高于2000的陶瓷，该组合物含有大约81.5～95%(重量)的Pb(MgNb)O2;和大约5～18.5%(重量)的氧化铅。6.一种具有大约低于1000℃的烧结温度的组合物，用于制造具有在1千赫兹，1VRMS时大约高于12000的介电常数，大约低于3%的耗散因数，和在25℃时高于20000的绝缘电阻和电容的乘积，并且在85℃时该乘积大约高于2000的陶瓷，该组合物含有大约81.5～95%(重量)的含有氧化镁，五氧化二铌;氧化铅，钛酸铅和金属态银或它们的组分氧化物或氧化物母体的主要成分;和含有大约5～18.5%(重量)的氧化铅的次要成分。7.在权利要求6中所述的组合物，其中该主要成分含有大约从65.0至71.6%(重量)的氧化铅;大约从4.2至4.9%(重量)的氧化镁，大约25.5至大约27.0%(重量)的五氧化二铌，大约0至4.5%(重量)的钛酸铅;和大约从0至约1%(重量)的银。8.在权利要求6中所述的组合物，其中该主要成份含有88%(重量)的这种组合物，并且是一种约为65.56%(重量)的氧化铅;4.62%(重量)的氧化镁;25.36%(重量)的五氧化二铌;和4.46%(重量)的钛酸铅的混合物。9.一种用于制造具有大约低于1000℃的烧结温度，在1千赫兹，1VRMS时大约高于12000的介电常数，大约低于3%的耗散因数，在25℃时大约高于20000而在85℃时大约高于2000的绝缘电阻和电容的乘积的陶瓷组合物的方法，该方法包括的步骤将大约为81.5～95%(重量)的Pb()O3和大约为5～18.5%(重量)的氧化铅进行混合。10.一种用于制造具有大约低于1000℃的烧结温度，在1千赫兹，1VRMS时大约高于12000的介电常数，大约低于3%的耗散因数，在25℃时大约高于20000而在85℃时大约高于2000的绝缘电阻和电容的乘积的陶瓷组合物的方法，该方法包括的步骤是混合大约为81.5～95%(重量)的主要成分，该主要成份含有氧化镁，五氧化二铌，氧化铅，钛酸铅和金属态银或它们的组分氧化物或氧化物母体。将此混合物进行反应形成Pb(MgNb)O3;并且将此反应了的混合物和大约5～18.5%(重量)的氧化铅相结合。11.在权利要求10中所述的方法，其中该主要成份含有大约从65.0至71.6%(重量)的氧化铅;大约从4.2至4.9%(重量)的氧化镁;大约从25.5至大约27.0%(重量)的五氧化二铌;大约从0至4.5%(重量)的钛酸铅;和大约0至1%(重量)的银。12.权利要求10中所说的方法，其中该主要成份含有88%(重量)的该组合物，并且是一种大约65.56%(重量)的氧化铅;4.62%(重量)的氧化镁;约25.36%(重量)的五氧化二铌;约4.46%(重量)的钛酸铅。13.一种制造陶瓷电容器的方法包括a)通过将大约81.5%～95%(重量)的Pb(MgNb)O3和大约5～18.5%(重量)的氧化铅进行混合形成许多介电层;b)将该混合物进行压制，并在低于1000℃的温度下烧制;并且c)在介电层之间形成电极。14.一种制造陶瓷电容器的方法包括a)通过将81.5～95%(重量)的，含有氧化镁，氧化铌，氧化铅，钛酸铅和金属态银或它们的组分氧化物或氧化物母体的主要成分进行反应，形成Pb(MgNb)O3和大约5～18.5%(重量)的氧化铅混合以形成多层介电层;b)将该混合物进行压制，并在低于1000℃的温度中烧制，并且c)在介电层之间形成电极。15.在权利要求14中所述的方法，其中该主要成分含有从大约65.0至大约71.6%(重量)的氧化铅;从大约4.2至4.9%(重量)的氧化镁;从大约25.5至大约27.0%(重量)的五氧化二铌;从大约0至大约4.5%(重量)的钛酸铅;和从大约0至大约1%(重量)的银。16.权利要求14中所述的方法，其中该主要成分含有大约88%(重量)的该组合物并且是一种大约为65.56%(重量)的氧化铅;4.62%(重量)的氧化镁;25.36%(重量)的五氧化二铌;和4.46%(重量)的钛酸铅的混合物。17.一种多层电容器用权利要求13所述的工艺生产。专利摘要本发明主题在于陶瓷组合物，该陶瓷组合物含有大约81.5～95％(重量)的Pb(Mg文档编号H01B3/12GK86103814SQ86103814公开日1987年3月4日申请日期1986年4月25日发明者迈克·S·H·朱,查尔斯·E·霍奇金斯申请人:谭氏陶器有限公司导出引文BiBTeX,EndNote,RefMan