一种电加热导电玻璃及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电加热导电玻璃镀膜技术领域，尤其涉及一种电加热导电玻璃及其制 作方法。
【背景技术】
[0002] 液晶显示近年来得到了快速的发展，但野外科研等复杂环境下环境温度、酸碱腐 蚀问题要求较高，对液晶显示产品温度特性、耐酸碱特性均提出了较高的要求。在_30°C的 低温状态下，液晶表现为结晶态，液晶的响应时间急剧增加，动态信息拖尾严重，这是由于 当温度发生变化时，液晶分子的活动能量发生变化，相应的液晶材料的粘滞系数发生变化； 当温度高时，液晶分子的活动能量高，粘滞系数小，液晶在电场驱动下能自由的高速按电场 方向扭曲排列，显示器的响应速度加快；同样，在低温的情况下液晶分子的活动能量减弱， 粘滞系数变大，在给液晶分子施加电场的时候，液晶分子受到的粘滞阻力较大，需要很长的 时间才能达到应有的扭曲角度，故显示器的响应速度变慢。为保证液晶显示屏能够正常使 用，一般会采用ITO导电玻璃对液晶显示屏进行加热处理。
[0003] 同时，野外使用时环境较为恶劣，导电层容易受到环境中酸、碱等影响，严重的会 造成掉膜，影响加热效果。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种电加热导电玻璃及其制作方法，以解决上述技术问 题。为保护ITO导电层，本发明在ITO层上覆盖一层SiO 2，同时使用遮挡板在四周边缘保 留3-5mm区域不覆盖，露出ITO导电层，用于后续制作电极；由于ITO膜层透过率随膜厚增 加成正弦分布，为保证加热效果，ITO电阻需低于5ohm，透光性需保证总体膜层透过率大于 8〇%，SiO2B着力彡册。
[0005] 本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
[0006] -种电加热导电玻璃，其特征在于：包括普通浮法玻璃、ITO导电层和SiO2膜层， 所述ITO导电层镀制在普通浮法玻璃的一侧表面，所述SiO 2膜层覆盖在ITO导电层表面， ITO导电层的边沿宽度3-5mm的区域内不被5102膜层覆盖，露出ITO导电层，该区域用于制 作电极。
[0007] ITO导电层与SiO2膜层的总体透光性为透过率大于80%，ITO导电层电阻低于 5ohm，SiO 2B着力彡 5H。
[0008] ITO导电层的膜厚为4300± 100A，3102膜层厚为700± 1〇〇 A。
[0009] -种电加热导电玻璃的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：
[0010] ⑴在普通浮法玻璃上镀制ITO导电层，膜层厚度4300± 100 Λ，基板温度 300-330 0C ；
[0011] ⑵将已镀制ITO导电层的玻璃再次进行清洗，清洗后在净化环境中将此玻璃放 置在背板上，背板与玻璃相同尺寸，厚度2mm，材质为不锈钢，背板边缘与玻璃不接触部分整 齐排列磁铁，用于固定玻璃前部遮挡框，遮挡框外边尺寸与玻璃相同，遮挡框边宽度3-5_， 遮挡框通过磁铁固定在玻璃镀膜面的边沿；
[0012] (3)镀制 SiOJ莫层，5102膜层厚度 700± 1〇〇 A，基板温度 180-220°C。
[0013] 本发明的有益效果是：
[0014] I) ITO导电膜层上制作一层SiO2膜层，保证ITO导电膜层不受使用环境影响，同 时膜层厚度搭配保证总体透过率多80% ;
[0015] 2)制作SiO2膜层时四周使用专用遮挡框阻挡，保证四周边缘3-5mm无 SiO 2沉积 覆盖，漏出边缘ITO导电膜层，用于后续制作引线。
【附图说明】
[0016] 图1为本发明的结构示意图；
[0017] 图2为电加热导电玻璃的透过率曲线图。
【具体实施方式】
[0018] 为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结 合具体实施例和附图，进一步阐述本发明，但下述实施例仅仅为本发明的优选实施例，并非 全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得 其它实施例，都属于本发明的保护范围。
[0019] -种电加热导电玻璃及其制作方法，
[0020] 如图1所示，电加热导电玻璃包括普通浮法玻璃1、ITO导电层2和SiO2膜层3， ITO导电层2镀制在普通浮法玻璃1的表面，SiO2膜层3覆盖在ITO导电层2表面，ITO导 电层2的边沿宽度3-5mm的区域内不被SiOJ莫层3覆盖，露出ITO导电层2,该区域用于制 作电极。
[0021] 电加热导电玻璃的制作方法，
[0022] 1)先在浮法玻璃上制作一层ITO导电层，再在已镀制ITO导电层的表面上镀制一 层SiO 2膜层，按照ITO导电膜层4300± 100A，SiO2膜厚700± 1〇〇 A进行设计并镀制， 此时透过率能够达到多80%要求，同时SiO2附着力、屏蔽性均能满足要求，其中ITO镀膜时 基板温度300-330°C，SiOj^膜时基板温度180-220°C
[0023] 2)制作SiOJ莫层时，为使四周边缘3-5mm不被SiO2覆盖，须在四周边缘使用专用 边框（遮挡框）阻挡，保证四周边缘无 SiO2沉积，漏出ITO导电层用于后续制作引线。
[0024] 如图2所示，本发明的电加热导电玻璃550nm处透过率可以达到80%以上。
[0025] 以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术 人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明 的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种 变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所 附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1. 一种电加热导电玻璃，其特征在于：包括普通浮法玻璃、ITO导电层和SiO J莫层，所 述ITO导电层镀制在普通浮法玻璃的一侧表面，所述SiO2膜层覆盖在ITO导电层表面，ITO 导电层的边沿宽度3-5mm的区域内不被SiOJ莫层覆盖，露出ITO导电层，该区域用于制作 电极。
2. 根据权利要求1所述的电加热导电玻璃，其特征在于：ΙΤ0导电层与SiO 2膜层的总 体透光性为透过率大于80%，ITO导电层电阻低于5ohm，SiO2B着力彡5Η。
3. 根据权利要求1所述的电加热导电玻璃，其特征在于：ΙΤ0导电层的膜厚为 43〇o±1〇oA，SiO^层厚为 700±10〇 Α。
4. 一种权利要求1所述的电加热导电玻璃的制作方法，其特征在于，具体步骤如下： ⑴在普通浮法玻璃上镀制ITO导电层，膜层厚度4300± 100 Α，基板温度 300-330 0C ； (2) 将已镀制ITO导电层的玻璃再次进行清洗，清洗后在净化环境中将此玻璃放置在 背板上，背板与玻璃相同尺寸，厚度2mm，材质为不锈钢，背板边缘与玻璃不接触部分整齐排 列磁铁，用于固定玻璃前部遮挡框，遮挡框外边尺寸与玻璃相同，遮挡框边宽度3-5_，遮挡 框通过磁铁固定在玻璃镀膜面的边沿； (3) 镀制51〇2膜层，5比2膜层厚度700±100>\，基板温度180-220°〇。
【专利摘要】本发明提供一种电加热导电玻璃及其制作方法，涉及电加热导电玻璃镀膜技术领域，包括普通浮法玻璃、ITO导电层和SiO2膜层，所述ITO导电层镀制在普通浮法玻璃的一侧表面，所述SiO2膜层覆盖在ITO导电层表面，ITO导电层的边沿宽度3-5mm的区域内不被SiO2膜层覆盖，露出ITO导电层，该区域用于制作电极。本发明在ITO导电膜层上制作一层SiO2膜层,保证ITO导电膜层不受使用环境影响，同时膜层厚度搭配保证总体透过率≥80％；制作SiO2膜层时四周使用专用遮挡框阻挡，保证四周边缘3-5mm无SiO2沉积覆盖，漏出边缘ITO导电膜层，用于后续制作引线。
【IPC分类】C03C17-34
【公开号】CN104860549
【申请号】CN201510188665
【发明人】胡超川, 傅强, 李加海, 朱磊, 江雪峰
【申请人】安徽立光电子材料股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年4月20日