配合清洁填料的高分子聚合物组合物的制作方法

专利名称：配合清洁填料的高分子聚合物组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用水分产生量与有机系气体产生量均降低的清洁填料的高分子聚合物组合物、可适用于半导体制造装置的成型品、该成型品中使用的清洁填料及其制法。
背景技术：
一般，在高分子聚合物中配合各种无机填料作为其增强使用。配合这种填料的聚合物也作为清洁环境要求的半导体制造装置的各种部件用材料使用。
近年，随着半导体的高性能化，日趋要求其制造环境更高的清洁化，不仅要求排除称之为粒子的微粒子，而且要尽量降低半导体在制造过程中所产生的气体状的不纯物(一般称之为“不纯物发生气”)。
这种不纯物发生气体中，除了水以外还有邻苯二甲酸二辛酯(DOP)等有机系的气体，首先要设法降低高分子聚合物所产生的气体量。
此外，高分子聚合物材料含的填料比较多，必须高度重视清洁化，因此开发了首先进行特殊的洗涤，然后为了降低水分产生量，采用硅烷偶联剂将表面进行处理而减少表面羟基量的方法。
然而，采用这种方法虽然水分的发生量可降低很多，但有机系气体产生量只增加不减少，仍有改进的余地。
在填料的清洁化处理方面，本发明者们发现将填料的表面疏水化后在惰性气体气流下进行加热的方法，可提供不仅降低水分产生量，而且也降低有机系气体产生的填料，从而完成了本发明。
发明的公开即，本发明涉及在200℃下加热2小时的每单位表面积的重量减少率(以下，简称“重量减少率”)为2.5×10-5重量％/m2以下，优选2.0×10-5重量％/m2以下，更优选是1.5×10-5重量％/m2以下，且在200℃加热15分钟时的有机系气体的总发生量(以下，简称“有机系气体产生量”)是2.5ppm以下、优选是2.0ppm以下、更优选是1.8ppm以下的填料与高分子聚合物组成的高分子聚合物组合物。
作为高分子聚合物，优选交联性弹性体，例如交联性氟系弹性体，最优选交联性全氟弹性体。
若采用这种高分子聚合物组合物，则可提供采用以往的聚合物与填料处理法所不能达到的、在200℃、加热30分钟时的水分产生量(以下，简称水分产生量)是400ppm以下、且此时的有机系气体产生量是0.03ppm以下的成型品。
本发明成型品，尤其是弹性体的交联成型品，适合作为半导体制造装置的部件，尤其是作为用于密封半导体制造装置的密封材料使用。
本发明还涉及高度清洁化的上述特定的填料。
这种清洁化的填料通过将表面疏水化处理的填料在氮气等的惰性气体气流下，在100-300℃加热处理0.5-4小时而制得。
作为填料表面疏水化处理使用的处理剂，可优选使用甲硅烷基化试剂、硅油、硅烷偶联剂等。
实施发明的最佳方案作为本发明可优选使用的填料，从对被覆层用树脂的分散性或耐药品性、吸湿性、耐等离子体性、耐电磁波特性等的观点考虑，优选选择的材料，例如可列举金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属卤化物、金属硫化物、金属盐、金属氢氧化物等的金属系填料，炭黑、石墨化碳、石墨等碳系填料的至少1种。从耐等离子体性好的观点考虑，最优选金属系填料。
作为金属氧化物，例如，可列举氧化硅、氧化钡、氧化钛、氧化铝、氧化银、氧化铍、氧化铋、氧化铬、氧化硼、氧化镉、氧化铜、氧化铁、氧化镓、氧化锗、氧化铪、氧化铱、氧化镧、氧化锂、氧化镁、氧化锰、氧化钼、氧化铌、氧化钕、氧化镍、氧化铅、氧化镨、氧化铑、氧化锑、氧化钪、氧化锡、氧化锶、氧化钽、氧化钍、氧化钒、氧化钨、氧化锌、氧化锆等，从耐药品性，化学稳定性好的观点考虑，优选氧化硅、氧化钛、氧化铝。从增强性的观点考虑，最优选氧化硅。
作为金属氮化物，例如，可列举氮化锂、氮化钛、氮化铝、氮化硼、氮化钒、氮化锆等，从耐等离子体性，化学稳定性，工业上的通用性等好的观点考虑，优选氮化钛、氮化铝。
作为金属碳化物，例如，可列举碳化硼、碳化钙、碳化铁、碳化锰、碳化钛、碳化硅、碳化钒、碳化铝等，从耐药品性，化学稳定性好的观点考虑，优选碳化硅、碳化钛。
作为金属卤化物，例如，可列举氯化银、氟化银、氯化铝、氟化铝、氯化钡、氟化钡、氯化钙、氟化钙、氮化镉、氯化铬、氯化铯、氟化铯、氯化铜、氯化钾、氟化钾、氯化锂、氟化锂、氯化镁、氟化镁、氯化锰、氯化钠、氟化钠、氯化镍、氯化铅、氟化铅、氯化铷、氟化铷、氯化锡、氯化锶、氯化铊、氯化钒、氯化锌、氯化锆等的金属氯化物或金属氟化物，或这些的溴化物或碘化物，从吸湿性小，化学稳定性好的观点考虑，优选氟化铝、氟化钡。
金属盐是由式MnAm(M是金属，A是各种无机酸的残基，m与n由各自的价数适当地确定)所表示的化合物。例如，可列举各种金属的硫酸盐、碳酸盐、磷酸盐、钛酸盐、硅酸盐、硝酸盐等。作为具体例，例如，可列举硫酸铝、碳酸钡、硝酸银、硝酸钡、硫酸钡、钛酸钡、碳酸钙、硝酸钙、磷酸钙、硅酸钙、钛酸钙、硫酸镉、硫酸钴、硫酸铜、碳酸亚铁、硅酸铁、钛酸铁、硝酸钾、硫酸钾、硝酸锂、碳酸镁、硝酸镁、硅酸镁、钛酸镁、碳酸镁、硫酸锰、硅酸锰、碳酸钠、硝酸钠、硫酸钠、硅酸钠、钛酸钠、硫酸镍、碳酸铅、硫酸铅、碳酸锶、硫酸锶、钛酸锶、碳酸锌、硫酸锌、钛酸锌等，从耐等离子体或化学稳定性好的观点考虑，优选硫酸钡、硫酸铝。
作为金属氢氧化物，例如，可列举氢氧化钙、氢氧化镁等。
作为金属硫化物，可列举硫化银、硫化钙、硫化镉、硫化钴、硫化铜、硫化铁、硫化锰、二硫化钼、硫化铅、硫化锡、硫化锌、二硫化钨等。
从吸湿性小，耐药品性好的观点考虑，这些之中，一般优选金属系填料，最优选金属氧化物、金属氮化物与金属碳化物。
除了耐等离子体性的提高以外，最好还按照其他的要求特性适当地选择填料，例如，氧等离子体装置的密封材料那样的曝露于强氧等离子体时，优选氧化硅、氧化钛、氧化铝、氟化铝、硫酸钡等。曝露于氟等离子体中时，优选氧化铝、氟化铝、硫酸钡、氮化铝等。此外，在为了防止密封材料过度温升而在设除热结构的地方的密封材料等的要求传热性的情况下，优选石墨化炭黑、石墨等。而象旋转部分的动态密封这种要求低摩擦性的情况下，优选二硫化钼、碳化硼等，象微波导波体系内密封等这种曝露于高频电磁波的情况，优选氧化铝、氧化硅等的低介电常数、低介电正切且低介电损失的填料。另外，降低从成型品产生阴离子系气体的情况下，适合使用具有受酸作用的碳酸钙、氢氧化钙、氧化硅等。这些的填料也可以2种以上混合使用。
填料可以是粒子状，也可以是纤维状(或晶须状)。粒子状的情况下，没有特殊限制，但从均匀分散性，可成薄膜的观点考虑，优选5μm以下，更优选1μm以下，最优选0.5μm以下，下限取决于填料的种类。
该填料在本发明中表面被疏水化处理，使填料表面吸附的水分量大幅度地降低。表面疏水化处理采用疏水化处理剂进行。作为适合在本发明中使用的疏水化处理剂，例如，可列举甲硅烷基化试剂、硅油、硅烷偶联剂等。
作为甲硅烷基化试剂，优选式(1)表示的化合物。
式(1) (式中，R1可以相同或不同，均是C1-C4的烷基)。具体地可列举例如三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、六甲基二硅氨烷、N，O-二(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、N-三甲基甲硅烷基乙酰胺、N，N’-二(三甲基甲硅烷基)脲、N-三甲基甲硅烷基二乙胺、N-三甲基甲硅烷基咪唑、叔丁基二甲基氯硅烷等。
作为硅油，优选式(2)表示的化合物。
式(2) (式中，R2相同或不同，均是C1-C4的烷基或苯基，R3相同或不同，均是氢、C1-C4的烷基或苯基、n是1-10的整数)。作为具体例，例如可列举二甲基硅油等。
作为硅烷偶联剂，优选式(3)表示的化合物。
式(3)R4-Si-X3(式中，R4是乙烯基、缩水甘油基、甲基丙烯酰氧基、氨基、巯基等，X是烷氧基或卤素原子)。作为具体例，例如，可列举乙烯基三氯硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(环氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-(环氧丙氧基丙基)甲基二乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷等。
采用甲硅烷基化试剂、硅油或硅烷偶联剂的表面疏水化处理可如下进行，作为稀释溶剂，例如使用水、醇(甲醇、乙醇、异丙醇等)、丙酮、甲苯等调制疏水化处理剂溶液，将填料浸渍在该溶液中，风干后，在惰性气体气流下进行加热处理。处理剂浓度，可由填料的比表面积算出为形成单分子膜所必需的处理剂量，由该量来确定。
本发明中优选的填料和表面疏水化处理法及处理剂的组合，可适当采用金属氧化物填料或云母使用甲硅烷基化试剂、硅油或硅烷偶联剂处理的任一种，对炭黑或石墨来讲，适合使用硅油或硅烷偶联剂处理。尤其是优选将二氧化硅等的氧化硅、氧化铝或氧化钛用甲硅烷基化试剂，硅油或硅烷偶联剂处理。
再者，经甲硅烷基化试剂或硅烷偶联剂进行表面处理后的填料已有市售。这些之中疏水性高的产品可作为本发明中表面疏水化处理填料使用。
本发明中，然后在惰性气体气流下将表面疏水化处理后的填料进行加热处理。该处理是为了解决只对表面进行疏水化处理时只能降低水分产生量、却因采用有机系的表面处理剂的处理引起的有机物残存在表面而使有机系气体产生量增大的新课题而完成的研究。
加热处理通过在惰性气体气流下，100-300℃的温度加热处理0.5-4小时进行。
作为惰性气体，可列举氮气、氦气、氩气等，优选氮气。由于该惰性气体被不纯物污染时，好不容易获得的清洁度变得徒劳，故使用半导体规格的惰性气体。惰性气体流速，没有特殊限制，但标准是使通过加热蒸发或变成分解气体状的化合物不停留在填料周围的速度。
加热温度与时间因被加热的表面疏水化处理填料的种类(填料自身及表面处理剂的种类)等而异，但通过在前述的100-300℃的范围内加热处理0.5-4小时，可大幅地降低有机系放出气体量。优选在100-250℃加热0.5-3小时，最优选在100-200℃加热0.5-2小时，加热温度过高时，甚至表面处理剂也分解变性，温度太低时，有时不能分解要分解除去的处理剂残渣。有关加热时间也同样。
这样获得的本发明的填料是，重量减少率是2.5×10-5重量％/m2以下，更优选是2.0×10-5重量％/m2以下，最优选是1.5×10-5重量％/m2以下，有机系放出气体量是2.5ppm以下，更优选是2.0ppm以下，最优选是1.8ppm以下的清洁的填料。
该重量减少率是成为作为放出气体原因的水分与有机系的易分解性化合物存在量指标的因素。其重量减少率愈小，在使用现场的放出气体(水分与有机化合物)发生量愈少。如前所述，以往的表面处理填料在水分产生量的方面虽然有相当大的改善，但有机系气体产生量比较多，如本发明所述，有机系放出气体量大幅度降低的填料不存在，本发明是最早提供的方法。
本发明清洁的填料与高分子聚合物组合，适合用作各种的组合物。组合的高分子聚合物没有特殊限制，可以使用各种的树脂或弹性体。
作为树脂，例如，可列举氟树脂，呋喃树脂、醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯树脂、偏氯乙烯树脂、聚丙烯腈、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚苯乙烯、聚酯、聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、环氧树脂、聚碳酸酯、甲基丙烯酸树脂、ABS树脂等。作为氟树脂，例如可列举聚四氟乙烯、四氟乙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚三氟一氯乙烯、聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物等。特别是在半导体制造领域用的四氟乙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物，聚三氟一氯乙烯最优选。
与这些的树脂组合后，可优选在各种成型品(例如密封圈、管、阀、旋塞、薄膜、板材等)或涂料等方面使用。成型法没有特殊限制，可从挤出成型、压缩成型、注射成型、吹塑成型、压延成型、传递成型等中适当地选定。
作为弹性体，优选交联性的弹性体，例如可列举含氟弹性体，聚硅氧烷系弹性体，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物橡胶，丁二烯橡胶，氯丁二烯橡胶，丁基橡胶，异戊二烯橡胶，苯乙烯-丁二烯共聚物橡胶，丁腈橡胶等。
交联性弹性体组合物由交联性弹性体和前述清洁化的本发明的填料，如果需要，还有交联剂、交联助剂等组成。用紫外线或电子束进行交联时，不需要交联剂等。
填料的配合量，例如从增强性方面考虑可适当地选定，而相对于含氟弹性体100重量份，通常是1-50重量份、优选是2-30重量份。
本发明的交联性弹性体组合物，根据交联性弹性体的种类，交联剂的种类等可采用各种的交联方式交联成型。交联成型条件没有特殊的规定，可在以往的条件范围内适当地选定。
这样制得的本发明的成型品，是水分产生量为400ppm以下，更优选是200ppm以下，有机系气体产生量为0.03ppm以下，更优选是0.02ppm以下的大幅度降低气体产生量的制品。以往掺混填料的成型品，没有水分与有机系气体产生量这样大幅度降低的情况，是本发明首先提供了这样一种成型品。
这些的交联性弹性体之中，作为半导体制造装置用的密封材料的制造原料使用时，优选氟系弹性体与聚硅氧烷系弹性体。
作为氟系弹性体，例如可列举以下的聚合物。
(i)四氟乙烯40-90摩尔％，式(4)表示的全氟乙烯基醚10-60摩尔％与赋予硬化部位的单体0-5摩尔％组成的全氟系弹性体。
式(4)CF2＝CF-ORf(式中，Rf是C1-C5的全氟烷基、或C3-C12且含1-3个氧原子的全氟烷基(多)醚基)。
(ii)由1，1-二氟乙烯(偏氟乙烯)30-90摩尔％、六氟丙烯15-40摩尔％、四氟乙烯0-30摩尔％组成的偏氟乙烯系弹性体。
(iii)具有弹性含氟聚合物链段与非弹性含氟聚合物链段的含氟多元链段化聚合物，弹性含氟聚合物链段由四氟乙烯40-90摩尔％、式(5)表示的全氟乙烯基醚10-60摩尔％及赋予硬化部位的单体0-5摩尔％组成，式(5)CF2＝CF-ORf(式中，Rf是G1-C5的全氟烷基、或C3-C12且含1-3个氧原子的全氟烷基(多)醚基)。非弹性含氟聚合物链段由四氟乙烯85-100摩尔％、式(6)0-15摩尔％组成，是全氟系热塑性弹性体。
式(6)CF2＝CF-Rif
(式中，R1f是CF3或ORf2(R2f是C1-C5的全氟烷基))。
(iv)具有弹性含氟聚合物链段与非弹性含氟聚合物链段的含氟多元链段化聚合物，弹性含氟聚合物链段含有由偏氟乙烯45-85摩尔％和与该偏氟乙烯可共聚的至少一种的其他单体分别衍生的重复单元，是非全氟系热塑性弹性体。这里，作为其他的单体，可列举六氟丙烯、四氟乙烯、三氟一氯乙烯、三氟乙烯、三氟丙烯、四氟丙烯、五氟丙烯、三氟丁烯、四氟异丁烯、全氟(烷基乙烯基醚)、氟乙烯、乙烯、丙烯、烷基乙烯基醚等。
(v)由在二碘化合物的存在下采用自由基聚合制得的、含碘氟化乙烯基醚单元0.005-1.5摩尔％，偏氟乙烯单元40-90摩尔％及全氟(甲基乙烯基醚)3-35摩尔％(根据情况也可以含有25摩尔％以下的六氟丙烯单元和/或40摩尔％以下的四氟乙烯单元)组成的耐寒性含氟弹性体(特开平8-15753号公报)(vi)四氟乙烯与丙烯的共聚物(美国专利第3,467,635号说明书)等。
作为硅氧烷系弹性体，例如优选硅橡胶，氟化硅橡胶等。
弹性体组合物按所希望的制品形状进行交联成型。交联方法一般是过氧化物交联，其他公知的交联方法，例如有使用引入氰基作为交联点的含氟弹性体、使用有机锡化合物形成三嗪环的三嗪交联体系(例如参考特开昭58-152041号公报)，同样，使用引入氰基作为交联点的含氟弹性体、采用二氨基苯酚形成噁唑环的噁唑交联体系(例如参考特开昭59-109546号公报)、采用四胺化合物形成咪唑环的咪唑交联体系(例如参考特开昭59-109546号公报)、采用二氨基苯硫酚形成噻唑环的噻唑交联体系(例如参考特开平8-104789号公报)等的方法。另外，也可以用放射线交联，电子束交联等的方法。
作为最优选的交联剂，可列举具有多个3-氨基-4-羟基苯基、3-氨基-4-巯基苯基或3，4-二氨基苯基的化合物，具体地，例如是2，2-二(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷(一般名二(氨基苯酚)AF)、2，2-二(3-氨基-4-巯基苯基)六氟丙烷、四氨基苯、二-3，4-二氨基苯基甲烷、二-3，4-二氨基苯基醚、2，2-二(3，4-二氨基苯基)六氟丙烷等。
交联剂的配合量，相对于弹性体100重量份，优选是0.1-10重量份。
进行过氧化物交联时，作为有机过氧化物，可以是类似在硫化温度条件下产生过氧自由基的公知有机过氧化物，优选的有机过氧化物是二叔丁基过氧化物、二异丙苯过氧化物、2，5-二甲基-2，5-二(过氧化苯甲酰)己烷、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧)己烷、1，1-二(叔丁基过氧)-3，5，5-三甲基环己烷、2，5-二甲基己烷-2，5-二羟基过氧化物、叔丁基异丙苯过氧化物、α、α’-二(叔丁基过氧化)-对-二异丙基苯、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧化)己炔-3，过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化苯、叔丁基过氧化马来酸、叔丁基过氧化异丙基碳酸酯等。
每100重量份的氟系弹性体的有机过氧化物含量通常为0.05-10重量份，优选1-5重量份。有机过氧化物的含量低于0.05重量份时，氟系弹性体交联不充分，而超过10重量份时，使交联物的物性恶化。
在这样的过氧化物交联中，可以采用多官能性共交联剂等的交联助剂。作为使用的多官能性共交联剂，可使用氟系弹性体的过氧化物交联中与有机过氧化物一起使用的多官能性共交联剂，例如，可列举三烯丙基氰脲酸酯、三甲基烯丙基异氰脲酸酯、三烯丙基异氰脲酸酯、三烯丙基甲缩醛、三烯丙基磷酸酯、三烯丙基偏苯三酸酯、N，N’-间亚苯基双马来酰亚胺，二炔丙基对苯二甲酸酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、四烯丙基对甲酰胺苯甲酸、三(二烯丙基胺)-S-三嗪、亚磷酸三烯丙酯、N，N-二烯丙基丙烯酰胺、1，6-二乙烯基十二氟己烷所代表的二烯烃等。
另外，可适当列举将三烯丙基异氰脲酸酯的3个烯丙基中的氢原子的一部分置换成耐热性更高的氟原子的含氟三烯丙基异氰脲酸酯等(参考美国专利第4,320,216号说明书，WO98/00407说明书，Klenovic h.S.V等，Zh.Prikl，Khim(Leningrad)(1987，60(3)，656-8))。
交联助剂的含量，每100重量份氟系弹性体，通常是0.1-10重量份，优选是0.5-5重量份。
此外，也可以添加加工助剂，内添型脱模剂等。过氧化物交联可采用常法进行，不产生以往的交联障碍。
例如，按照采用WO99/49997号说明书所述的特殊洗涤法、即用超纯水洗涤的方法，在洗涤温度下用液状清洁的有机化合物或无机水溶液进行洗涤的方法、按照干式蚀刻洗涤的方法、萃取洗涤的方法进行处理，可使本发明的成型品大幅度降低粒子数或金属含量，极高地清洁化，而且可得到放出气体量少、耐等离子体性好的半导体制造装置用的成型品。
本发明的添加填料的成型品可适合用于各种的成型品，尤其是由于放出气体量大幅度地降低，故极适合用于半导体制造装置用的各种部件。
尤其是含氟弹性体成型品，可优选在要求高度清洁度的半导体制造装置密封用的密封材料的制造中使用，作为密封材料可列举O形环、角形环、密封圈、衬垫、油封、轴承密封、唇形密封等。
此外，也可以作为各种的弹性体制品，例如隔膜、管、软管、各种橡胶辊等使用。还可以作为涂料用材料、衬里用材料。
再者，本发明中所说的半导体制造装置，不只限定于制造半导体用的装置，广泛地包括制造液晶板或等离子体板用的装置等，在要求高度清洁度的半导体领域中使用的全部制造装置。
具体地，可列举如下的半导体制造装置。
(1)蚀刻装置干式蚀刻装置等离子体蚀刻装置反应性离子蚀刻装置反应性离子束蚀刻装置溅射蚀刻装置离子束蚀刻装置湿式蚀刻装置抛光装置(2)洗涤装置干式蚀刻洗涤装置UV/O3洗涤装置离子束洗涤装置激光束洗涤装置等离子体洗涤装置气体蚀刻洗涤装置萃取洗涤装置索氏萃取洗涤装置高温高压萃取洗涤装置微波萃取洗涤装置超临界萃取洗涤装置(3)曝光装置分档器涂布显影器(4)研磨装置CMP装置(5)成膜装置CVD装置溅射装置(6)扩散、离子注入装置氧化扩散装置离子注入装置以下列举实施例说明本发明，但本发明不限于这些实施例。实施例1(清洁化填料的制造)使用作为甲硅烷基化试剂的六甲基二硅氨烷，将市售的热解法氧化硅(キヤボットスペシヤリティ化学公司制的Cab-O-Sil M-7D。平均粒径0.02μm，比表面积200m2/g)进行疏水化处理，把处理过的填料20g在氮气气流(流速20升/分)、200℃温度下加热2小时，制得本发明的清洁化填料。
用以下的方法测定所得加热处理后的清洁化填料的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。
(重量减少率的测定)把试样(填料)1.0g加到铝制容器中，在氮气流，200℃下加热2小时，测定加热后的重量(g)。把该加热后的重量代入下式，算出每单位表面积的重量减少率(重量％/m2)。 (有机系放出气体量)把试样(填料)0.1g封入玻璃制的密闭管中，在200℃加热15分钟。把产生的气体收集在用液氮冷却到-40℃的凝汽管中，然后迅速加热送入气体色谱仪(岛津制作所公司制的GC-14A。谱柱岛津制作所公司制的UA-15)进行分析，由所得图的峰面积算出有机系气体量(ppm)。实施例2(清洁化填料的制造)使用作为硅油的聚二甲基硅氧烷，把市售的热解法氧化硅(Cab-O-Sil M-7D，平均粒径0.02μm，比表面积200m2/g)进行疏水化处理，把处理后的填料20g在氮气气流(流速20升/分)、200℃下加热2小时，制得本发明的清洁化填料。
与实施例1同样测定所得加热处理后的清洁化填料的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。实施例3(清洁化填料的制造)使用作为甲硅烷基化试剂的六甲基二硅氨烷，把市售的氧化铝微粒子(住友化学工业公司制的AKP-G008。平均粒径0.02μm，比表面积150m2/g)进行疏水处理，把处理后的填料20g在氮气气流(流速20升/分)、200℃下加热2小时，制得本发明的清洁化填料。
与实施例1同样地测定所得加热处理后的清洁化填料的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。比较例1与实施例1同样地测定采用作为甲硅烷基化试剂的六甲基二硅氨烷进行疏水化表面处理的实施例1的热解法氧化硅加热处理前的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。比较例2与实施例1同样地测定采用作为硅油的聚二甲基硅氧烷进行疏水化表面处理的实施例2的热解法氧化硅加热处理前的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。比较例3与实施例1同样地测定采用作为甲硅烷基化试剂的六甲基二硅氨烷进行疏水化表面处理的实施例3的氧化铝微粒子加热处理前的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。比较例4与实施例1同样地测定不进行疏水化表面处理及加热处理的热解法氧化硅(キヤボット·スペシヤリティ化学公司制的Cab-O-Sil。平均粒径0.02μm，比表面积200m2/g)的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。比较例5与实施例1同样地测定不进行疏水化表面处理及加热处理的氧化铝微粒子(住友化学工业公司制的AKP-G008。平均粒径0.02μm，比表面积150m2/g)的重量减少率与有机系气体产生量。将结果示于表1。
由表1可以看出，不进行疏水化表面处理与加热处理的填料(比较例4与5)重量减少率(水分产生量的指标)大，且有机系产生气体量也多。进行疏水化表面处理的填料(比较例1-3)显然重量减少率大幅度降低，但有机体系气体产生量增加。而在惰性气体气流下加热处理的本发明的填料，虽然重量减少率与疏水化表面处理的填料相同，但有机系气体产生量比不进行疏水化表面处理的填料大幅减少，达到了高度清洁化。
表1

实施例4(弹性体交联物的制造)在没有着火源的内容积6升的不锈钢制高压釜中，加入纯水2升与作为乳化剂的C7F15COONH420g、作为pH调节剂的磷酸氢二钠十二水合物0.18g，用氮气充分置换体系内脱气后，边以600rpm转速搅拌边升温到50℃，加入四氟乙烯(TFE)与全氟(甲基乙烯基醚)(PMVE)的混合气(TFE/PMVE＝20/80摩尔比)，使内压达到1.18MPa·G。然后用氮气压入浓度为186mg/ml的过硫酸铵(APS)的水溶液2ml，开始反应。
随着聚合的进行，在内压降到1.08MPa·G时，用氮气压入二碘化物I(CF2)4I 4.0g。然后用柱塞泵压入TFE与PMVE的混合气(摩尔比19/23)，在1.08-1.18MPa·G之间反复进行升压、降压。
在TFE与PMVE的合计进料量分别达到430g、511g及596g时，压入ICH2CF2CF2OCF＝CF21.5g，同时从反应开始后每12小时用氮气压入35mg/ml的APS水溶液2ml，继续进行聚合反应，从反应开始35小时后停止聚合。
在干冰/甲醇中使该水性乳浊液冻结进行凝析、解冻后，将凝析物进行水洗、真空干燥制得弹性体状共聚物。该聚合物的门尼粘度ML1+10(100℃)是63。
由该共聚物的19F-NMR分析的结果看出，该共聚物的单体单元组成是TFE/PMVE＝59.2/40.8摩尔％，由元素分析得出的碘含量是0.03重量％。
在该四氟乙烯/全氟(甲基乙烯基醚)共聚物弹性体100g中，混炼实施例1-3与比较例1-5分别制造的填料10g和2，5-二甲基-二(叔丁基过氧化)己烷(日本油脂公司制的パ一ヘキサ2.5B)1.0g及三烯丙基异氰脲酸酯(TAIC)(日本化成公司制)3.0g，调制本发明的弹性体组合物。然后通过160℃×15分钟的压缩成型将该组合物进行加压交联(一次交联)制得O形环(AS-568A-214)。
然后采用大量的H2SO4/H2O2(6/4，重量比)把该O形环在100℃充分搅拌15分钟进行洗涤，然后用5％HF在25℃洗涤15分钟，再用纯水在100℃煮沸洗涤2小时后，在氮气气流，200℃下加热交联(二次交联)24小时，然后干燥制得作为试样的O形环。
用以下的方法对所得的O形环测水分产生量(ppm)与有机系气体产生量(ppm)。将结果示于表2。
(水分产生量的测定)在200℃，氮气环境气氛下把试样的O形环加热30分钟，用卡尔-费休水分测定装置(平沼产业公司制)测定产生的水分。
(有机系气体产生量的测定)在实施例1采用的测定法中，除了试样使用O形环(AS-568A-214)以外，其他同样地进行测定。
表2

由表2可看出，掺混不疏水化表面处理的填料的弹性体交联物(比较实验4-4与4-5)，有机系气体产生量是低水平，但水分产生量大。掺混进行过疏水化表面处理的填料的弹性体交联物(比较实验4-1—4-3)水分产生量虽大幅度减少，但有机系气体产生量增加了。而掺混在惰性气体气流下进行加热处理的本发明的填料的交联物，使掺混疏水化表面处理的填料的交联物的有机系气体产生量降到了掺混不进行疏水化表面处理的填料的交联物的水平，可提供高度清洁化的弹性体交联物。实施例5(耐等离子体性)此外，半导体的制造常用等离子体处理，但在该等离子体处理工序中存在O形环等的密封材料产生重量减少或产生微粒的问题。
因此，对将上述分别制造的O形环(AS-568A-214)放入玻璃制的壳体中，在氮气环境气氛下150℃加热60分钟所制作的样品，用下述的方法测定在等离子体处理工序中的重量减少率与产生微粒数。将结果示于表3。
(重量减少)在以下的条件下进行等离子体照射处理，测定照射前后的重量减少(重量％)，了解重量变化。
使用等离子体照射装置(株)サムコィンタ一ナショナル研究所制的PX-1000照射条件氧(O2)等离子体照射处理气体流量200sccmRF输出功率400W压力300毫乇照射时间3小时频率13.56MHzCF4等离子体照射处理气体流量200sccmRF输出功率400W
压力300毫乇照射时间3小时频率13.56MHz照射操作为了使等离子体照射装置腔内的环境气氛稳定，作为腔预处理，进行实际气体空放电5分钟。然后把装有样品的壳体配置在RF电极的中心，在上述的条件下进行照射。
重量测定使用Sartorius·GMBH公司制的电子分析天秤2006MPE，测定到0.01mg，将0.01mg的位数四舍五入。
每1种使用3个样品，用平均值进行评价。
(产生微粒数)使用サムコィンタ一ナショナル研究所制的等离子体dry cleanerPX-1000型，在真空压力50毫乇、氧或CF4流量200cc/分、功率400W、频率13.56MHz的条件下产生氧等离子体或CF4等离子体。在反应性离子蚀刻(RIE)条件下对试样(O形环)照射3小时。照射后，在25℃超纯水中将试样进行超声波处理1小时，把游离的微粒取出放入水中，使用微粒子测定器法(使光对准流入传感器部分的含微粒子的超纯水，用液中粒子计数器电测定其透过光或散射光的量的方法)测定粒径0.2μm以上的微粒子数(个/升)。
由表3看出，进行本发明处理的填料，在等离子体处理工序中，与未处理或只疏水化表面处理的填料不同，没有因等离子体而受大的影响。
表3

产业上利用的可能性本发明的疏水化表面处理后加热处理过的填料，水分产生量与有机系气体产生量均降低，是极清洁填料，可提供适用的弹性体组合物与成型品作为半导体制造装置用的成型品材料。
权利要求
1.高分子聚合物组合物，其特征在于，由在200℃加热2小时的每单位表面积的重量减少率是2.5×10-5重量％/m2以下、且200℃加热15分钟时的有机系气体的总产生量是2.5ppm以下的填料与高分子聚合物组成。
2.权利要求1所述的组合物，其特征在于高分子聚合物是交联性弹性体。
3.权利要求2所述的组合物，其特征在于交联性弹性体是交联性氟系弹性体。
4.权利要求3所述的组合物，其特征在于交联性氟系弹性体是交联性全氟弹性体。
5.一种成型品，其是权利要求1-4的任一项所述的高分子聚合物组合物的成型品，在200℃加热30分钟时的水分产生量是400ppm以下，且此时的有机系气体的总发生量是O.03ppm以下。
6.权利要求5所述的成型品，其特征在于，用于半导体制造装置的部件。
7.权利要求6所述的成型品，其特征在于，是为密封半导体制造装置而使用的密封材料。
8.填料，其特征在于，在200℃加热2小时的每单位表面积的重量减少率是2.5×10-5重量％/m2以下，且在200℃加热15分钟时的有机系气体的总产生量是2.5ppm以下。
9.权利要求8所述的填料，其特征在于每单位表面积的重量减少率是1.5×10-5重量％/m2以下。
10.权利要求8或9所述的填料，其特征在于，有机系气体的总产生量是1.8ppm以下。
11.权利要求8-10的任一项所述的填料的制法，其特征在于，将表面疏水化处理的填料在惰性气体气流下，100-300℃加热处理0.5-4小时。
12.权利要求11所述的制法，其特征在于，用甲硅烷基化试剂、硅油及硅烷偶联剂中选出的疏水化处理剂进行填料的疏水化处理。
13.权利要求11或12所述的制法，其特征在于，惰性气体是氮气。
全文摘要
本发明提供作为使用水分产生量与有机系气体产生量均降低的清洁填料的半导体制造装置用的成型品材料适用的弹性体组合物与成型品，本发明的填料在200℃加热2小时的每单位表面积的重量减少率是2.5×10
文档编号C08F214/18GK1427874SQ01809115
公开日2003年7月2日 申请日期2001年4月27日 优先权日2000年5月9日
发明者东野克彦, 田中宏幸, 山外隆文, 野口刚 申请人:大金工业株式会社