本发明涉及电磁材料领域，具体涉及用于隔磁导磁场景的低能量损耗的导磁薄膜，尤其涉及一种低能量损耗的柔性导磁薄膜及其制备方法。。
背景技术：
近场通讯(nfc)、无线充电(wpc)、抗金属电子标签等场景，均需要运用导磁材料实现对磁场的聚焦和磁场能量的均匀分布，同时起到磁屏蔽作用。例如nfc是基于13.56mhz的射频识别系统，使用磁场作为载波。然而，当环形天线接近于金属箱、屏蔽箱、电路板的底部表面或片材表面如电池外壳时，可能不能够获得所设计的通讯范围，因为金属表面上感生的涡电流在与载波相反的方向上建立磁场，出现载波的衰减。此时需要可以屏蔽来自金属表面的载波的导磁材料。如具有通式为niazn1-afe2o4的ni-zn铁氧体等烧结铁氧体材料、铁硅铝复合材料等。
发明专利pct/cn2012/070178公布了一种烧结铁氧体片材、天线隔离体和天线模块，用于nfc天线隔磁导磁；发明专利wo2014/088954公布了一种铁氧体复合材料片材以及导电环形天线模块，用于射频识别和nfc功能，解决金属干扰问题。在无线充电中，导磁材料一方面是为电磁感应的线圈耦合提供高磁导率的通道，提高充电效率，第二方面是使感应线圈的交变磁场带来的磁力线，对其他电子部件不产生干扰，起到屏蔽作用；第三方面是起到平均和稳定磁场的作用。常用的为功率型铁氧体材料、铁硅铝软磁块材料、非晶材料和纳米晶材料。如发明专利cn104900383a公布了一种无线充电导磁片及其制备方法，采用了多层纳米晶结构复合制成隔磁导磁片材；发明专利cn10685299a公布了一种用于无线充电装置的磁屏蔽装置及其制造的方法，将铁硅铝合金压制成屏蔽块，并将发射线圈嵌于其中，起到导磁屏蔽作用。然而铁氧体和非晶、纳米晶、铁硅铝压制材料易碎不易裁切，对加工和使用造成困难，难以用于柔性器件，同时工作频率低，随频率升高磁导率迅速下降。在频率提高到100mhz以上时，几乎失去导磁性能，不适用于组合天线。
发明专利pct/jp2014/060220公布了一种软磁性树脂组合物、软磁性粘接薄膜、软磁性薄膜层叠电路基板，将片状铁硅铝合金粉末复合到高分子树脂中形成薄膜材料，得到的材料具有很好的磁导率，同时是柔性的，解决了材料硬脆难加工、不适用于柔性器件的问题，铁硅铝合金材料也可以在很高的工作频率下工作，工作频率宽，但存在着磁损耗高、介电损耗高的问题，如应用在无线充电则会降低充电效率。
技术实现要素：
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种具有低介电损耗、低磁损耗且工作频率宽、应用于无线充电场景能够有效保障充电效率且能够同时用于nfc隔磁导磁场景的柔性的薄膜导磁材料及其制备方法。
第一方面，本发明提供了一种低能量损耗的柔性导磁薄膜，所述柔性导磁薄膜为扁平状软磁粉末均匀分散在聚烯烃中形成的复合薄膜，所述聚烯烃中重均分子量与数均分子量之比大于1小于2.5。
根据本发明，所述扁平状软磁粉末为作为软磁性颗粒的软磁性材料，可以是铁硅铝(fe-si-al)合金、fe-cr-al-si合金、fe-si-cr合金、坡莫合金(fe-ni合金)、fe-si合金、铁硅铜(fe-cu-si合金)、fe-si-b-cu-nb合金、fe-si-cr-ni合金或fe-si-al-ni-cr合金中的至少一种。
根据本发明，所述扁平状软磁粉末优选为fe-si-al合金，进一步优选为si的质量含量为8-16％的fe-si-al合金。采用上述优选的合金，可以使薄膜的磁导率更高、介电损耗和磁损耗更低。
根据本发明，所述扁平状软磁粉末的扁平率为10以上、70以下，优选为20以上，65以下；例如可以是10、20、30、40、50、60或70，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。
在本发明中扁平率是指：将软磁粉末颗粒50％粒径(d50)的粒径值除以软磁粉末颗粒的平均厚度得到的长径比。
根据本发明，所述聚烯烃为聚乙烯、聚丙烯、聚1-丁烯、聚1-戊烯、聚1-己烯、聚1-辛烯、聚4-甲基-1-戊烯或环烯烃的单体聚合物中的任意一种；也可以是乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯或4-甲基-1-戊烯中至少两种的共聚物。
根据本发明，所述聚烯烃中重均分子量与数均分子量之比须大于1小于2.5，优选地为大于1.8小于2.2；例如可以是1、1.2、1.5、1.8、2.0、2.3或2.5，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。
控制聚烯烃中重均分子量与数均分子量之比在上述范围内，能够保证一定的支化度的情况下，分子量分布窄、更有利于分子聚集，从而更有利于扁平状软磁粉末的排列。同时聚烯烃含有的羟基、氨基、羧基、酯基等极性基团含有比率极低，几乎不含有，因此对交变电磁场的消耗能量低，对电磁场与磁粉的作用影响极小。
第二方面，本发明提供了一种如第一方面所述的低能量损耗的柔性导磁薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将重均分子量与数均分子量之比大于1小于2.5的聚烯烃固体研磨成粉末；
(2)将步骤(1)得到的聚烯烃粉末与扁平状软磁粉末进行剪切混合，得到熔融浆料；
(3)将步骤(2)得到的熔融浆料挤出成为片状物；
(4)将步骤(3)得到的片状物进行压延，得到片材，并在空气中自然冷却收卷，得到所述导磁薄膜。
根据本发明，步骤(2)所述聚烯烃粉末与扁平状软磁粉末以质量比为1:(3-5)的比例进行剪切混合，所述质量比可以是1:3、1:3.5、1:4、1:4.5或1:5，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。
当聚烯烃粉末和扁平状软磁粉末的质量比过低时(＜1.3)，所得产品的导磁性大幅下降，薄膜几乎丧失了磁性。当二者的质量比过高时(＞1.5)，所得薄膜初始磁导率降低、磁导率随频率升高的下降幅度增大、电磁损耗增加。
上述聚烯烃粉末和扁平状软磁粉末的质量比优选为1:4，这样的比例在结合了优选聚烯烃分子量分布比例后，在保证材料磁导率的同时，可以使磁导率随频率的升高而下降的程度缓慢，使材料可以在展宽至3ghz及以上的频率继续发挥工作效能，有效传导和隔离电磁场。
根据本发明，步骤(2)中优选地用双螺杆挤出机，特别是两个料筒进料的双螺杆挤出机进行所述扁平状软磁粉末与聚烯烃粉末剪切混合的操作，通过进料速度的配比调节，使聚烯烃粉末与扁平状软磁粉末的进料质量之比始终维持在1:(3-5)。这样的进料方法能够保证磁粉的高密度规整排列，且聚烯烃和磁粉混入的空气少、不容易被氧化，保证电磁损耗低，同时使聚烯烃发生热裂解的量降到最低，不影响优选分子量的分布。
根据本发明，步骤(2)所述剪切混合在能够使所述聚烯烃粉末熔融的温度下进行。
根据本发明，步骤(3)中用片材模头将熔融浆料挤出，得到厚度为0.5-3mm的片状物。
根据本发明，步骤(4)中将片状物连续送入70-100℃的加温三辊中进行压延。
根据本发明，步骤(4)中得到的片材的厚度为0.2-1mm。
作为优选的技术方案，本发明按照以下方法制备步骤(1)所述重均分子量与数均分子量之比大于1小于2.5的聚烯烃固体，所述方法为：采用氯化茂金属zr配合物以及有机铝化合物为催化剂，加入聚合物单体进行聚合反应，分离得到重均分子量与数均分子量之比大于1小于2.5的聚烯烃固体。
本发明按照上述方法制备得到的重均分子量与数均分子量之比大于1小于2.5的聚烯烃固体，较其他方法得到的聚烯烃固体而言，分子量分布更窄，分子间作用力和链密度更大，综合性能更佳。
根据本发明，所述氯化茂金属zr配合物可以是(bucp)2zrcl2、(mecp)2zrcl2、indcpzrcl2、(c5h11cp)2zrcl2或(ind)2zrcl2中的任意一种；优选为indcpzrcl2或(mecp)2zrcl2，进一步优选为indcpzrcl2。采用优选的配合物进行催化合成，可以得到分子量分布更窄的聚烯烃。
根据本发明，所述有机铝化合物可以是甲基铝氧烷或三乙基铝，优选为三甲基铝的水解产物，特别是具有(ch3)2al-o-al-o-al-oal(ch3)2结构单元的，由冰点下降法测得的分子量在1000-1500g/mol的齐聚物混合物。
根据本发明，所述氯化茂金属zr配合物中的zr与有机铝化合物中的al的质量比为1:(0.03-67)，例如可以是1:0.03、1:0.1、1:0.5、1:1、1:5、1:10、1:20、1:30、1:40、1:50、1:60或1:67，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。
根据本发明，所述聚合物单体为乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯或4-甲基-1-戊烯中的至少一种，通过单体的聚合反应，可以得到聚乙烯、聚丙烯、聚1-丁烯、聚1-戊烯、聚1-己烯、聚1-辛烯、聚4-甲基-1-戊烯或环烯烃的单体聚合物中的任意一种或乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯或4-甲基-1-戊烯中至少两种形成的共聚物。
根据本发明，所述聚合反应的压力为8-15mpa，例如可以是8mpa、9mpa、10mpa、11mpa、12mpa、13mpa、14mpa或15mpa，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。
根据本发明，所述聚合反应的温度为70-120℃，例如可以是70℃、80℃、90℃、100℃、110℃或120℃，以及上述数值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举。
作为优选的技术方案，本发明所述低能量损耗的柔性导磁薄膜的制备方法包括以下步骤：
(1)采用氯化茂金属zr配合物以及有机铝化合物为催化剂，控制zr和al的质量比为1:(0.03-67)，加入聚合物单体，在8-15mpa、70-120℃的条件下进行聚合反应，分离得到重均分子量与数均分子量之比大于1小于2.5的聚烯烃固体；所述氯化茂金属zr配合物为(bucp)2zrcl2、(mecp)2zrcl2、indcpzrcl2、(c5h11cp)2zrcl2或(ind)2zrcl2中的任意一种；所述有机铝化合物为甲基铝氧烷或三乙基铝，其为具有(ch3)2al-o-al-o-al-oal(ch3)2结构单元的，由冰点下降法测得的分子量在1000-1500g/mol的齐聚物混合物；所述聚合物单体为乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯或4-甲基-1-戊烯中的至少一种；
(2)将步骤(1)得到的聚烯烃固体破碎研磨成粉末；
(3)将步骤(2)得到的聚烯烃粉末与扁平状软磁粉末以质量比为1:(3-5)的比例进行剪切混合，得到熔融浆料；
(4)将步骤(3)得到的熔融浆料用片材模头挤出，得到厚度为0.5-3mm的片状物；
(5)将步骤(4)得到的片状物连续送入70-100℃的加温三辊中进行压延，得到厚度为0.2-1mm片材，并在空气中自然冷却收卷，得到所述导磁薄膜。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
(1)本发明采用具有特定重均分子量与数均分子量比值的聚烯烃为基质，将扁平状软磁粉末均匀分散在其中，制成导磁薄膜。由于这样的聚烯烃分子量分布窄，分子间作用力大，排列整齐、链密度大，因此容易诱导扁平状软磁粉末规整排列，从而提升磁导率、降低电磁场的无谓抵消；分子链上极性集团少，不易造成电磁场的震荡损耗，从而获得低的磁损耗和极低的介电损耗，同时对100mhz以上的高频电场影响小，从而获得展宽的有效工作频率。适当的磁粉填充比例，即保证了薄膜的良好的机械性能，又保证了薄膜在工作条件下损耗始终处于极低的水平。
(2)此经过本发明限定的制备方法得到的聚烯烃与其他方法得到的聚烯烃相比，分子量分布更窄，分子间作用力和链密度更大，综合性能更佳，相应的制得的导磁薄膜具有更高的磁导率以及更低的磁损耗和介电损耗。
(3)本发明通过限定的基质磁粉组合及加工工艺，制得了电阻高、柔性好、低能量损耗的柔性导磁薄膜，适合各种裁切加工场景，极大地方便了薄膜的使用，具有良好的应用前景。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供了一种低能量损耗的导磁薄膜，通过如下步骤制得：
(1)采用indcpzrcl2以及三乙基铝为催化剂，以己烷为反应介质，使体系中zr的质量百分数为0.35％，al的质量百分数为17.2％，以1-己烯为共聚单体，在乙烯压力为10mpa、聚合温度为85℃条件下合成聚烯烃，并分离得到重均分子量为183000且重均分子量与数均分子量之比为2.08的聚烯烃固体；
(2)将步骤(1)得到的聚烯烃固体破碎研磨成粉末；
(3)将步骤(2)得到的聚烯烃粉末与扁平度为50、si含量为9.5％的扁平状fe-si-al软磁粉末放于双螺杆挤出机的两个定量下料料斗内，料斗顺序为聚烯烃粉末先进入螺杆内(离模头远)，软磁粉末之后进入已有熔融聚烯烃的螺杆腔内(离模头近)。调节双螺杆腔内温度为180℃，达到预热温度后，控制下料速度，使聚烯烃粉末与软磁粉末以质量比为1:4的比例连续下料使二者在双螺杆腔内均匀剪切混合，得到熔融浆料；
(4)将步骤(3)得到的熔融浆料用片材模头挤出成为0.5mm厚的片状物；
(5)将步骤(4)得到的片状物连续送入上辊、中辊温度为85℃且下辊温度为60℃的三辊中压延，出上中两辊后进入中下两辊之间，然后出辊。调节辊压力使得到的出辊片材厚度为0.3mm，将得到的片材在空气中自然冷却并收卷，制得低介电损耗、低磁损耗且适用频率宽的导磁薄膜卷材。
将本实施例得到的导磁薄膜卷材裁成同心圆，并在是德e4991b阻抗分析仪上测试复磁导率和复介电常数。测得复磁导率实部为μ’＝25@1mhz，μ’＝12@1ghz；复磁导率虚部为μ”＝3@1mhz，μ”＝5.5@1ghz。复介电常数实部ε’＝5，复介电常数虚部ε”＝0.1。
进而用额定功率为5w的qi标准无线充电模组测定材料的隔磁导磁效果：将模组的发射器部分连接到数显电压源上，并将输出电压设置为5v。将实施例1中得到的材料裁剪成能覆盖匹配接收线圈的圆形，并覆盖在接收线圈上。用连接电压源的发射端对覆盖材料的匹配接收端线圈进行充电。充电时将接收端连接到负载仪上，并通过调节负载仪电阻，使接收功率为5w左右。记录数显电压源上的电流示数及实际功率示数，并用接收功率除以输出电压和输出电流的乘积，得到充电转化效率。进而取下覆盖接收线圈的材料，以同样的方法测定充电效率。当不覆盖材料时，充电效率为58％，而覆盖材料后，充电效率提高到了72％。说明实施例1中得到的材料电磁损耗低，具有很好的隔磁导磁能力。
实施例2
本实施例提供了一种低能量损耗的导磁薄膜，通过如下步骤制得：
(1)将市售的重均分子量与数均分子量之比为2.3的聚烯烃固体(聚1-丁烯)破碎研磨成粉末；
(2)将步骤(1)得到的聚烯烃粉末与扁平度为65、si含量为10.2％的扁平状fe-cr-al-si合金软磁粉末放于双螺杆挤出机的两个定量下料料斗内，料斗顺序为聚烯烃粉末先进入螺杆内(离模头远)，软磁粉末之后进入已有熔融聚烯烃的螺杆腔内(离模头近)。调节双螺杆腔内温度为185℃，达到预热温度后，控制下料速度，使聚烯烃粉末与软磁粉末以质量比为1:3.5的比例连续下料使二者在双螺杆腔内均匀剪切混合，得到熔融浆料；
(3)将步骤(2)得到的熔融浆料用片材模头挤出成为1mm厚的片状物；
(4)将步骤(3)得到的片状物连续送入上辊、中辊温度为85℃且下辊温度为60℃的三辊中压延，出上中两辊后进入中下两辊之间，然后出辊。调节辊压力使得到的出辊片材厚度为0.5mm，将得到的片材在空气中自然冷却并收卷，制得低介电损耗、低磁损耗且适用频率宽的导磁薄膜卷材。
将本实施例得到的导磁薄膜卷材裁成同心圆，并在是德e4991b阻抗分析仪上测试复磁导率和复介电常数。测得复磁导率实部为μ’＝20@1mhz，μ’＝8@1ghz；复磁导率虚部为μ”＝4@1mhz，μ”＝7.5@1ghz。复介电常数实部ε’＝5，复介电常数虚部ε”＝0.2。
进而用额定功率为5w的qi标准无线充电模组测定材料的隔磁导磁效果，测试方法同实施例1。结果显示，当不覆盖材料时，充电效率为58％，而覆盖材料后，充电效率提高到了67％。
实施例3
本实施例提供了一种低能量损耗的导磁薄膜，通过如下步骤制得：
(1)将市售的重均分子量与数均分子量之比为1.86的聚烯烃固体(丙烯-乙烯共聚物)破碎研磨成粉末；
(2)将步骤(1)得到的聚烯烃粉末与扁平度为30、si含量为9％的扁平状fe-cu-si合金软磁粉末放于双螺杆挤出机的两个定量下料料斗内，料斗顺序为聚烯烃粉末先进入螺杆内(离模头远)，软磁粉末之后进入已有熔融聚烯烃的螺杆腔内(离模头近)。调节双螺杆腔内温度为180℃，达到预热温度后，控制下料速度，使聚烯烃粉末与软磁粉末以质量比为1:5的比例连续下料使二者在双螺杆腔内均匀剪切混合，得到熔融浆料；
(3)将步骤(2)得到的熔融浆料用片材模头挤出成为3mm厚的片状物；
(4)将步骤(3)得到的片状物连续送入上辊、中辊温度为88℃且下辊温度为65℃的三辊中压延，出上中两辊后进入中下两辊之间，然后出辊。调节辊压力使得到的出辊片材厚度为0.7mm，将得到的片材在空气中自然冷却并收卷，制得低介电损耗、低磁损耗且适用频率宽的导磁薄膜卷材。
将本实施例得到的导磁薄膜卷材裁成同心圆，并在是德e4991b阻抗分析仪上测试复磁导率和复介电常数。测得复磁导率实部为μ’＝21@1mhz，μ’＝9@1ghz；复磁导率虚部为μ”＝3.5@1mhz，μ”＝7@1ghz。复介电常数实部ε’＝5，复介电常数虚部ε”＝0.25。
用额定功率为5w的qi标准无线充电模组测定材料的隔磁导磁效果，测试方法同实施例1。结果显示，当不覆盖材料时，充电效率为58％，而覆盖材料后，充电效率提高到了66％。
对比例1
采用普通聚乙烯(此处使用由燕山石化公司生产的聚乙烯1f7b)作为基质，制备导磁薄膜。测得此种聚乙烯的重均分子量为101950，重均分子量与数均分子量的比值为6.8。采用与实施例1相同的方法合成导磁薄膜，具体步骤如下：
(1)将1f7b聚乙烯颗粒破碎并研磨成粉状；
(2)将步骤(1)得到的1f7b粉末与扁平度为50、si含量为9.5％的扁平状fe-si-al软磁粉末放于双螺杆挤出机的两个定量下料料斗内，料斗顺序为聚烯烃粉末先进入螺杆内(离模头远)、软磁粉末之后进入已有熔融聚烯烃的螺杆腔内(离模头近)。调节双螺杆腔内温度为180℃，达到预热温度后，控制下料速度，使聚烯烃粉末与软磁粉末以质量比为1:4的比例连续下料使二者在双螺杆腔内均匀剪切混合，得到熔融浆料；
(3)将步骤(2)得到的熔融浆料用片材模头挤出成为0.5mm厚的片状物；
(4)将步骤(3)得到的片状物连续送入上辊、中辊温度为85℃且下辊温度为60℃的三辊中压延，出上中两辊后进入中下两辊之间，然后出辊。调节辊压力使得到的出辊片材厚度为0.3mm，将得到的片材在空气中自然冷却并收卷，制得导磁薄膜卷材。
用是德e4991b阻抗分析仪测试所得材料的复磁导率和复介电常数，测试方法与实施例1完全相同。测得复磁导率实部为μ’＝15@1mhz，μ’＝4@1ghz；复磁导率虚部为μ”＝5@1mhz，μ”＝8@1ghz；复介电常数实部ε’＝5，复介电常数虚部ε”＝0.8。其介电损耗是实施例1所得材料的8倍，同时磁导率实部@1mhz仅为实施例1所得材料的60％，而在1ghz频率下，其磁导率大幅降低、损耗值升高。
对比例2
采用实施例1的制备方法，除了将聚烯烃粉末与软磁粉末的质量比变为1:6外，保持其它步骤和条件不变，制备得到薄膜。即步骤(3)中将聚烯烃粉末与软磁粉末以质量比为1:6的比例连续下料至双螺杆腔中。制得的材料表面有少许磁粉脱落，且测得复磁导率实部μ’＝18@1mhz，μ’＝3@1ghz；复磁导率虚部为μ”＝7@1mhz，μ”＝15@1ghz。由于磁粉不能规整排列，其初始磁导率降低、磁导率随频率升高的下降幅度增大、电磁损耗增加。
性能测试
测试实施例1中所得导磁薄膜卷材与对比例1中所得导磁薄膜卷材的rfid抗金属识别能力。用13.56mhz标准射频读卡器读取85.6mm*54mm的标准rfid卡，测得读卡距离为7cm。将rfid卡放在不锈钢板上用读卡去读取，此时卡片无法被读取，即读卡距离为0。将实施例1与对比例1中得到的材料分别裁切成85.6mm*54mm*0.3mm尺寸，使其恰好能覆盖rfid卡。将实施例1中得到的材料贴在rfid卡上，并和卡一起放在不锈钢板上，使材料处于不锈钢板与rfid卡之间，此时rfid卡恢复为可被读卡器成功读取的状态，测得读卡距离为4.5cm。进而将实施例1所得材料取下，将对比例1中得到的材料以相同方式贴在rfid卡上，并以相同方式将贴有材料的卡放在不锈钢板上，使材料处于不锈钢板与rfid卡之间。此时rfid卡同样恢复为可被读卡器成功读取的状态，而此时的读卡距离仅为2.5cm，这样不利于用户的使用，大大降低了应用体验。事实上，用硬脆的铁氧体片材测试抗金属读卡距离，相同场景下能恢复的最大读卡距离也仅为4.5厘米，相比来讲，铁氧体等材料硬脆而不易裁切。
通过上述实施例和对比例可以看出，采用本发明中具有特定重均分子量与数均分子量比值的聚烯烃为基质，将扁平状软磁粉末按比例均匀分散在其中，并经本发明中限定的制备方法制成的导磁薄膜，在有相当磁导率的基础上，磁损耗和介电损耗小、磁导率随频率的升高下降速度慢，从而获得展宽的有效工作频率。可以应用在无线充电、rfid抗金属识别等多种场景，并由于展宽的工作频率，可以应用在不同工作频率组合的复合线圈上。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。