技术特征：
1.一种含有三嗪结构的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，r1表示为通式(2)或通式(3)所示结构；通式(2)、通式(3)中，x表示为c-h或者n原子；ar1和ar2独立的表示为取代或者未取代的c6～c
30
的芳基、取代或者未取代的c2～c
30
的杂芳基；ar3独立的表示为取代或者未取代的c6～c
30
的芳基、取代或者未取代的c3～c
30
的杂芳基；取代基任选自氘、氚、氰基、卤素、c1～c
10
烷基、c3～c
10
环烷基、c6～c
30
芳基、c2～c
30
杂芳基中的任意一种；所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮原子中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的含有三嗪结构的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物表示为通式(a)～通式(d)所示结构中的一种；通式(a)-通式(d)中，x表示为c-h或者n原子；
x0表示为-o-、-s-、-c(r
a
)(r
b
)-、-n(r
c
)；其中r
a-r
c
分别表示为取代或未被取代的c1～c
10
烷基、取代或未被取代的c6～c
18
芳基；通式(a)-通式(b)中，ar3独立的表示为取代或者未取代的c6～c
30
的芳基、取代或者未取代的c3～c
30
的杂芳基；通式(c)-通式(d)中，ar1和ar2独立的表示为取代或者未取代的c6～c
30
的芳基、取代或者未取代的c2～c
30
的杂芳基；取代基任选自氘、氚、氰基、卤素、c1～c
10
烷基、c3～c
10
环烷基、c6～c
30
芳基、c2～c
30
杂芳基中的任意一种；所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮原子中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的含有三嗪结构的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物表示为通式(1-2)～(1-3)所示结构中的一种；通式(1-2)、通式(1-3)中，x表示为c-h或者n原子；ar1和ar2独立的表示为取代或者未取代的苯基、取代或者未取代的联苯基、取代或者未取代的三联苯基、取代或者未取代的萘基、取代或者未取代的菲基、取代或者未取代的吡啶基、取代或者未取代的咔唑基、取代或者未取代的n-苯基咔唑基、取代或者未取代的二苯并呋喃基、取代或者未取代的二苯并噻吩基或者取代或者未取代的三亚苯基，ar3表示为取代或者未取代的苯基、取代或者未取代的联苯基、取代或者未取代的三联苯基、取代或者未取代的萘基、取代或者未取代的菲基、取代或者未取代的吡啶基、取代或者未取代的苯并噁唑基、取代或者未取代的苯并噻唑基、取代或者未取代的n-苯基苯并咪唑基、咔唑基、取代或者未取代的n-苯基咔唑基、取代或者未取代的二苯并呋喃基、取代或者未取代的二苯并噻吩基或者取代或者未取代的三亚苯基；取代基任选自氘、氚、氰基、氟原子、金刚烷中的任意一种。4.根据权利要求1所述的含有三嗪结构的有机化合物，其特征在于，所述ar1和ar2独立的表示为取代或者未取代的苯基、取代或者未取代的萘基、取代或者未取代的咔唑基或取代或者未取代的二苯并呋喃基；ar3表示为取代或者未取代的苯基、取代或者未取代的萘基、取代或者未取代的三联苯基、取代或者未取代的吡啶基、取代或者未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或者未取代的苯并噁唑基或取代或者未取代的二苯并呋喃基。5.根据权利要求1所述的含有三嗪结构的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物表示为通式(1-4)～(1-11)所示结构中的一种：
通式(1-4)～(1-11)中涉及到的符号具有权1中所定义的含义。6.根据权利要求1所述的含有三嗪结构的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的具体结构为以下结构中的任一种：
7.一种有机电致发光器件，其包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的多层有机薄膜层，其特征在于，至少一层有机薄膜层含有一种或多种权利要求1～6任一项所述的有机化合物。8.根据权利要求7所述有机电致发光器件，其特征在于，其中有机薄膜层包括发光层以
及空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。9.根据权利要求8所述有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层包含一种或多种权利要求1～6任一项所述的有机化合物。10.根据权利要求9所述有机电致发光器件，其特征在于，电子传输层还包含其他电子传输材料，优选还包括化合物8-羟基喹啉锂。
技术总结
本发明公开了一种含有三嗪结构的有机化合物及有机电致发光器件，属于半导体材料技术领域。本发明有机化合物以三嗪为核心，通过桥连结构连接有氮杂稠环，具有较高的玻璃化转变温度和分子热稳定性、良好的电子迁移率、较低的蒸镀温度和合适的HOMO/LUMO能级、高效的电子注入传输能力和电子高耐久性等特点。本发明化合物作为有机电致发光器件的材料使用时，器件的驱动电压、电流效率、寿命均得到显著改善。寿命均得到显著改善。寿命均得到显著改善。
技术研发人员：叶中华 唐丹丹 李崇 张兆超
受保护的技术使用者：江苏三月科技股份有限公司
技术研发日：2020.12.09
技术公布日：2022/6/14