技术特征：
1.式i化合物的无水多晶型物，2.根据权利要求1所述的无水多晶型物，其特征在于，所述无水多晶型物具有晶型d，所述晶型d符合下列情况中的至少一种：i.所述晶型d的xrpd谱图包含位于以下2θ值处的峰：5.3
±
0.2
°
、10.7
±
0.2
°
、13.5
±
0.2
°
、15.1
±
0.2
°
和21.3
±
0.2
°
；优选地，所述晶型d的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：12.0
±
0.2
°
、12.7
±
0.2
°
、14.8
±
0.2
°
、16.4
±
0.2
°
、17.3
±
0.2
°
、20.3
±
0.2
°
、24.2
±
0.2
°
和24.8
±
0.2
°
；更优选地，所述晶型d的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：19.7
±
0.2
°
、22.5
±
0.2
°
、23.1
±
0.2
°
、27.3
±
0.2
°
、28.5
±
0.2
°
、29.7
±
0.2
°
和32.3
±
0.2
°
；进一步优选地，所述晶型d的xrpd谱图基本上与图1一致；ii.所述晶型d的tga谱图在150
±
1℃下显示约1.6％的重量损失；优选地，所述晶型d的tga谱图基本上与图2一致；和iii.所述晶型d的dsc谱图在167
±
1℃下显示吸热；优选地，所述晶型d的dsc谱图基本上与图2一致。3.根据权利要求1所述的无水多晶型物，其特征在于，所述无水多晶型物具有晶型c，所述晶型c符合下列情况中的至少一种：i.所述晶型c的xrpd谱图包含位于以下2θ值处的峰：5.2
±
0.2
°
、10.4
±
0.2
°
、13.4
±
0.2
°
、15.0
±
0.2
°
、16.4
±
0.2
°
和29.1
±
0.2
°
；优选地，所述晶型c的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：19.6
±
0.2
°
、20.1
±
0.2
°
、22.8
±
0.2
°
和24.4
±
0.2
°
；更优选地，所述晶型c的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：11.9
±
0.2
°
、17.3
±
0.2
°
、23.6
±
0.2
°
、31.6
±
0.2
°
和34.1
±
0.2
°
；进一步优选地，所述晶型c的xrpd谱图基本上与图6一致；ii.所述晶型c的tga谱图在150
±
1℃下显示约1.6％的重量损失；优选地，所述晶型c的tga谱图基本上与图7一致；和iii.所述晶型c的dsc谱图在148
±
1℃、167
±
1℃和177
±
1℃下显示吸热；优选地，所述晶型c的dsc谱图基本上与图7一致。4.根据权利要求1所述的无水多晶型物，其特征在于，所述无水多晶型物具有晶型b，所述晶型b符合下列情况中的至少一种：i.所述晶型b的xrpd谱图包含位于以下2θ值处的峰：7.3
±
0.2
°
、9.9
±
0.2
°
、12.5
±
0.2
°
、16.5
±
0.2
°
和17.1
±
0.2
°
；优选地，所述晶型b的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：13.1
±
0.2
°
、20.3
±
0.2
°
、24.0
±
0.2
°
、25.2
±
0.2
°
和26.7
±
0.2
°
；
更优选地，所述晶型b的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：21.3
±
0.2
°
、27.8
±
0.2
°
、28.6
±
0.2
°
、29.5
±
0.2
°
和31.3
±
0.2
°
；进一步优选地，所述晶型b的xrpd谱图基本上与图8一致；ii.所述晶型b的tga谱图在150
±
1℃下显示约1.5％的重量损失；优选地，所述晶型b的tga谱图基本上与图9一致；和iii.所述晶型b的dsc谱图在177
±
1℃下显示吸热；优选地，所述晶型b的dsc谱图基本上与图9一致。5.根据权利要求1所述的无水多晶型物，其特征在于，所述无水多晶型物具有晶型a，所述晶型a符合下列情况中的至少一种：所述晶型a的xrpd谱图包含位于以下2θ值处的峰：9.0
±
0.2
°
、12.5
±
0.2
°
、15.7
±
0.2
°
、17.2
±
0.2
°
、18.1
±
0.2
°
和23.2
±
0.2
°
；优选地，所述晶型a的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：3.3
±
0.2
°
、7.5
±
0.2
°
、12.9
±
0.2
°
、15.2
±
0.2
°
、24.4
±
0.2
°
、28.4
±
0.2
°
和29.8
±
0.2
°
；更优选地，所述晶型a的xrpd谱图还包含位于以下2θ值处的峰：14.4
±
0.2
°
、17.7
±
0.2
°
、19.9
±
0.2
°
和21.8
±
0.2
°
；进一步优选地，所述晶型a的xrpd谱图基本上与图10一致；ii.所述晶型a的tga谱图在150
±
1℃下显示约1.0％的重量损失；优选地，所述晶型a的tga谱图基本上与图11一致；和iii.所述晶型a的dsc谱图在160
±
1℃和177
±
1℃下显示吸热，在162
±
1℃下显示放热；优选地，所述晶型a的dsc谱图基本上与图11一致。6.一种根据权利要求1所述的无水多晶型物的制备方法，其选自缓慢挥发法、缓慢降温法、气固扩散法、气液扩散法、高聚物诱导法、研磨法、悬浮搅拌法和反溶剂添加法。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述无水多晶型物具有晶型d时，所述制备方法选自缓慢挥发法、气固扩散法、气液扩散法、高聚物诱导法、研磨法和悬浮搅拌法，优选悬浮搅拌法。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述无水多晶型物具有晶型c时，所述制备方法选自缓慢挥发法、缓慢降温法、气固扩散法、气液扩散法、高聚物诱导法和反溶剂添加法，优选反溶剂添加法。9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述无水多晶型物具有晶型b或晶型a时，所述制备方法为反溶剂添加法。10.一种药物组合物，其包含根据权利要求1-5中任一项所述的无水多晶型物以及药学上可接受的赋形剂；优选地，在所述药物组合物中，所述无水多晶型物的重量百分比为1.0％-99.0％。11.根据权利要求1-5中任一项所述的无水多晶型物或根据权利要求10所述的药物组合物在制备用于预防、缓解和/或治疗雄激素受体活性相关疾病或病症的药物中的用途；优选地，所述雄激素受体活性相关疾病或病症选自前列腺癌、良性前列腺增生、痤疮、多毛症、皮脂过多和雄性脱发。
技术总结
本发明属于药物晶体化学技术领域，具体涉及雄激素受体拮抗剂的无水多晶型物及其制备方法和用途。具体而言，本发明提供了四种式I化合物的无水多晶型物(分别具有晶型A、B、C和D)，这些无水多晶型物各自的制备方法，包含这些无水多晶型物的药物组合物，以及在预防、缓解和/或治疗雄激素受体活性相关疾病或病症方面的用途。用途。用途。用途。
技术研发人员：童友之
受保护的技术使用者：苏州开拓药业股份有限公司
技术研发日：2021.03.23
技术公布日：2022/9/27