一种包含稠芳基的化合物及其有机电致发光器件的制作方法

1.本发明涉及光电材料技术领域，具体的，涉及一种包含稠芳基的化合物以及在有机电致发光器件上的应用。


背景技术：

2.有机电致发光器件(organic light
‑
emitting diode，oled)是指ito玻璃透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，然后分别迁移到发光层，相遇形成激子使发光分子激发，后者经过辐射后发出可见光的现象。oled具有低工作电压、高亮度、高效率、高对比度、厚度薄、重量轻、可视视角宽、工作温度范围宽、工艺简单、可制作在柔性衬底上等诸多优点，oled与传统的lcd显示方式不同，其无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。随着oled技术的发展，oled可以广泛应用于各种便携式、壁挂式终端显示器，具有十分广阔的应用前景。
3.有机电致发光器件通常具有阳极、阴极及它们之间的有机物层的结构，各有机物层材料根据用途相互叠加在一起共同组成有机电致发光器件。其中有机物层可以包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和空穴注入层等。有机电致发光器件按照光从器件出射方向的不同，可以分为两种结构，一种是底发射型器件，另一种是顶发射型器件。由于顶发射型器件所发出的光是从器件的顶部出射，这就不受器件底部驱动面板的影响从而能有效的提高开口率，同时顶发射型器件还具有提高器件效率、窄化光谱和提高色纯度、提高折射率等诸多方面的优点，因此顶发射型器件具有非常良好的发展前景。应用于oled中的电子传输材料要求具有高的电子迁移率和大的电子亲和势，同时需要具有合适的homo和lumo能级，使电子具有最小的注入能垒。提高电子的注入效率和器件的发光效率。空穴阻挡材料色纯度较好、色度较稳定，使来自阳极的载流子被阻挡到有机功能层薄膜中，改善载流子的平衡，从而提高有机电致发光器件的效率。
4.目前，应用于oled中的空穴传输材料的空穴迁移率一般远大于电子传输材料的电子迁移率，导致空穴和电子不能很好地在发光层内复合，同时电子传输材料不具备空穴阻挡作用，导致载流子的注入不平衡，另一方面，由于光在器件界面处发生的全反射现象导致出光效率低等问题，从而影响了器件的发光效率；为了提高有机电致发光器件的发光效率、延长器件的寿命，因此设计出性能良好的电子传输材料、空穴阻挡材料以及覆盖层材料是亟待突破的问题。


技术实现要素：

5.针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种包含稠芳基的化合物以及在有机电致发光器件上的应用。本发明提供的化合物具有较高的三线态能级，较高的玻璃化转变温度，以及良好的成膜性、高出光率，所设计的化合物作为电子传输材料、空穴阻挡材料以及覆盖层材料用于有机电致发光器件中可显著提高器件的发光效率、延长使用寿命。
6.本发明的技术方案如下：
7.本发明提供了一种包含稠芳基的化合物，所述化合物具有如化学式1所示结构：
[0008][0009]
在化学式1中，所述a彼此相同或不同的选自无、取代或未取代的苯基，并且至少一个a选自取代或未取代的苯基；
[0010]
所述c选自化学式2表示的基团；
[0011]
所述b与c不相同，不为化学式2表示的基团，所述b选自取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基或其组合中的任意一种，
[0012]
所述x选自o、s中的任意一种；
[0013]
所述l0选自取代或未取代的c6～c30的亚芳基；
[0014]
所述l1、l2彼此相同或不同的选自单键、取代或未取代的c6～c30的亚芳基、取代或未取代的c2～c30的亚杂芳基中的任意一种；
[0015]
所述r0、r1、r2彼此相同或不同，独立的选自氢、氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基中的任意一种；
[0016]
所述n0独立的选自0、1、2、3或4，所述n1选自0、1、2、3、4或5，所述n2选自0、1、2或3，当n0、n1、n2大于1时，两个或多个r0、r1、r2彼此相同或不同，或相邻的两个r1之间可以连接形成取代或未取代的环。
[0017]
本发明还提供了一种有机电致发光器件，包含阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的有机物层、和/或位于阳极和阴极之外的覆盖层，所述有机物层或覆盖层中的至少一层包含本发明所述的稠芳基的化合物中的至少一种。
[0018]
有益效果
[0019]
本发明提供的包含稠芳基的化合物具备高电子迁移率，易于传输电子，可使空穴和电子的传输达到平衡，进而提高器件的发光效率；同时，本发明化合物具有高三线态能级和宽能隙，将本发明化合物应用于有机物层时，使激子向相邻的功能层的扩散最小化，能够改善有机电致发光器件的发光效率和寿命。
[0020]
另一方面，引入桥连基团l0后，提高了本发明化合物的玻璃化转变温度及折射率，提高了材料在蒸镀成膜后的成膜性与热稳定性，将其应用于有机电致发光材料的有机层时，器件寿命得到提升；将其应用于有机电致发光器件的覆盖层时，可提高器件的光取出效率，进而提高器件的发光效率。除此之外，应用于电子传输层或空穴阻挡层的本发明化合物具有不对称性，使得材料能更稳定的存在于无定型状态下，将其应用在有机电致发光器件中时，可以形成更为均一耐热的薄膜，延长器件的寿命。
[0021]
综上所述，本发明提供的包含稠芳基的化合物具有诸多优势，将其应用于有机电致发光器件，可实现高发光效率以及长寿命，具有良好的应用效果和产业化前景。
具体实施方式
[0022]
下面将结合本发明具体实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
[0023]
在本说明书中，意指与另一取代基连接的部分。可连接于所连接的基团/片段的任一可选位置。例如表示以此类推。
[0024]
本发明所述的卤素原子实例可包括氟、氯、溴和碘。
[0025]
本发明所述的烷基是指烷烃分子中去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为直链烷基或支链烷基，优选具有1至15个碳原子，更优选1至12个碳原子，特别优选1至6个碳原子。所述直链烷基包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、十一烷基、十二烷基等，但不限于此；所述支链烷基包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基的异构基团、正己基的异构基团、正庚基的异构基团、正辛基的异构基团、正壬基的异构基团、正癸基的异构基团等，但不限于此。
[0026]
本发明所述的环烷基是指环状烷烃分子中去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，优选具有3至18个碳原子，更优选3至12个碳原子，特别优选3至6个碳原子。所述环烷基包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基等，但不限于此。
[0027]
本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基、多环芳基或者稠环芳基，优选具有6至60个碳原子，更优选6至30个碳原子，特别优选6至18个碳原子，最优选6至12个碳原子。所述单环芳基是指分子中只有一个芳香环的芳基，例如，苯基等，但不限于此；所述多环芳基是指分子中含有两个或者两个以上独立芳香环的芳基，例如，联苯基、三联苯基、四联苯基、1
‑
苯基萘基、2
‑
苯基萘基等，但不限于此；所述稠环芳基是指分子中含有两个或者多个芳香环且彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的芳基，例如，萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、螺芴基等，但不限于此。上述芳基优选为苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、9,9
‑
二甲基芴基、9,9
‑
二苯基芴基、9
‑
甲基
‑9‑
苯基芴基、苯并芴基、三亚苯基、9,9
’‑
螺二芴基，但不限于此。
[0028]
本发明所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳原子被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮、硅或者磷原子，优选具有2至60个碳原子，更优选2至30个碳原子，特别优选2至18个碳原子，最优选2至12个碳原子。所述杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上，也可以位于成环杂原子上，所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或者稠环杂芳基。所述单环杂芳基包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、噻唑基、咪唑基等，但不限于此；所述多环杂芳基包括联吡啶基、联嘧啶基、苯基吡啶基、苯基嘧啶基等，但不限于此；所述稠环杂芳基包括喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、邻菲罗啉基、萘啶基、吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、二苯并噁唑基、二苯并咪唑基、二苯并噻唑基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、9,10
‑
二氢吖啶基、吩噁嗪
基、吩噻嗪基、吩噁噻基等，但不限于此。
[0029]
本发明所述的亚芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉两个氢原子后，剩下二价基团的总称，其可以为单环亚芳基、多环亚芳基或者稠环亚芳基，优选具有6至60个碳原子，更优选6至30个碳原子，特别优选6至18个碳原子，最优选6至12个碳原子。所述单环亚芳基包括亚苯基等，但不限于此；所述多环亚芳基包括亚联苯基、亚三联苯基、亚四联苯基、亚1
‑
苯基萘基、亚2
‑
苯基萘基等，但不限于此；所述稠环亚芳基包括亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚苝基、亚芴基、亚苯并芴基、亚三亚苯基、亚荧蒽基、亚螺芴基等，但不限于此。
[0030]
本发明所述的亚杂芳基是指亚芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或者磷原子。优选具有3至60个碳原子，更优选3至30个碳原子，特别优选3至18个碳原子，最优选3至12个碳原子。所述亚杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上，也可以位于成环杂原子上，所述亚杂芳基可以为单环亚杂芳基、多环亚杂芳基或者稠环亚杂芳基。所述单环亚杂芳基包括亚吡啶基、亚嘧啶基、亚三嗪基、亚呋喃基、亚噻吩基、亚吡咯基、亚噁唑基、亚噻唑基、亚咪唑基等，但不限于此；所述多环亚杂芳基包括亚联吡啶基、亚联嘧啶基、亚苯基吡啶基、亚苯基嘧啶基等，但不限于此；所述稠环亚杂芳基包括亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚苯并异喹啉基、亚喹唑啉基、亚喹喔啉基、亚苯并喹唑啉基、亚苯并喹喔啉基、亚萘啶基、亚吲哚基、亚苯并噻吩基、亚苯并呋喃基、亚苯并噁唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并噻唑基、亚二苯并呋喃基、亚苯并二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并二苯并噻吩基、亚二苯并噁唑基、亚二苯并咪唑基、亚二苯并噻唑基、亚咔唑基、亚苯并咔唑基、亚吖啶基、亚9,10
‑
二氢吖啶基、亚吩噁嗪基、亚吩噻嗪基、亚吩噁噻基等，但不限于此。
[0031]
本发明所述“取代的
……”
诸如“取代的烷基、取代的环烷基、取代的芳基、取代的亚芳基、取代的杂芳基、取代的亚杂芳基”是指独立的被下列基团单取代或多取代：氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的c1～c6烷基、取代或未取代的c3～c12环烷基、取代或未取代的c6～c30芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基、取代或未取代的c1～c6的烷氧基、取代或未取代的c1～c6烷硫基、取代或未取代的c1～c6烷胺基、取代或未取代的c6～c30的芳氧基、取代或未取代的c6～c30的芳胺基等，但不限于此。优选被下列基团单取代多取代：氘、氟、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苝基、芘基、苯甲基、9,9
‑
二甲基芴基、9,9
‑
二苯基芴基、9
‑
甲基
‑9‑
苯基芴基、9,9
’‑
螺二芴基、二苯胺基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、吖啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吲哚基。
[0032]
本发明所述的“连接形成环”是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例：
[0033][0034]
本发明中，连接形成的环可以为芳香族环系、脂肪族环系或二者稠和而形成的环系，连接所形成的环可以为三元环、四元环、五元环、六元环或者稠合环，例如苯、萘、环戊烯、环戊烷、环戊烷并苯、环己烯、环己烷、环己烷并苯、喹啉、异喹啉、二苯并噻吩、菲或芘，
但不限于此。
[0035]
本发明提供了一种包含稠芳基的化合物，所述化合物具有如化学式1所示结构：
[0036][0037]
在化学式1中，所述a彼此相同或不同的选自无、取代或未取代的苯基，并且至少一个a选自取代或未取代的苯基；
[0038]
所述c选自化学式2表示的基团；
[0039]
所述b与c不相同，不为化学式2表示的基团，所述b选自取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基或其组合中的任意一种，
[0040]
所述x选自o、s中的任意一种；
[0041]
所述l0选自取代或未取代的c6～c30的亚芳基；
[0042]
所述l1、l2彼此相同或不同的选自单键、取代或未取代的c6～c30的亚芳基、取代或未取代的c2～c30的亚杂芳基中的任意一种；
[0043]
所述r0、r1、r2彼此相同或不同，独立的选自氢、氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基中的任意一种；
[0044]
所述n0独立的选自0、1、2、3或4，所述n1选自0、1、2、3、4或5，所述n2选自0、1、2或3，当n0、n1、n2大于1时，两个或多个r0、r1、r2彼此相同或不同，或相邻的两个r1之间可以连接形成取代或未取代的环。
[0045]
优选的，所述化合物选自化学式1
‑
1～化学式1～3所示结构中的任意一种：
[0046][0047]
所述r0彼此相同或不同，独立的选自氢、氘、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的c1～c6的烷基、取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c2～c18的杂芳基中的任意一种；
[0048]
所述m1选自0、1、2、3或4，所述m2选自0、1、2或3，所述m3选自0、1或2。
[0049]
优选的，所述化合物选自下列基团中的任意一种：
[0050][0051]
再优选的，所述r0彼此相同或不同，独立的选自氢、氘、氰基、c1～c6的烷基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、未被取代或被氘、氰基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、吡啶基取代的下列基团中的任意一种：苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基。
[0052]
优选的，所述l0选自下列基团中的任意一种：
[0053][0054][0055]
所述rn各自独立的选自氢、氘、氰基、c1～c4的烷基、c3～c12的环烷基、c6～c12的芳基、c2～c12的杂芳基中的任意一种；
[0056]
所述b1选自0、1、2、3或4，所述b2选自0、1、2或3，所述b3选自0、1或2，所述b4选自0、1、2、3、4或5。
[0057]
再优选的，所述rn各自独立的选自氢、氘、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、降冰片烷基、金刚烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基中的任意一种。
[0058]
优选的，所述b选自下列基团中的任意一种：
[0059][0060]
所述y选自c(rm)或n原子，且c
‑
1至c
‑
6的每个基团中至少有一个y选自n原子；
[0061]
所述x1选自o、s、c(ry)2中的任意一种；
[0062]
所述ry独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基中的任意一种，或相邻的两个ry之间可以连接形成取代或未取代的环；
[0063]
所述rm各自独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基中的任意一种，或相邻的两个rm之间可以连接形成取代或未取代的环；
[0064]
所述a1选自0、1、2、3、4或5，所述a2选自0、1、2、3或4，所述a3选自0、1、2、3、4、5、6或7，所述a4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，所述a5选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11。
[0065]
优选的，c
‑
1至c
‑
6的每个基团中至少有两个y选自n原子，或者至少有三个y选自n原子，或者至少有四个y选自n原子。优选的，c
‑
1至c
‑
6的每个基团中最多有六个y选自n原子，或者最多有五个y选自n原子。
[0066]
优选的，c
‑
1至c
‑
6的每个基团中，每个六元芳环上最多有三个y选自n原子，或者最多有两个y选自n原子，或者最多有一个y选自n原子。
[0067]
再优选的，所述b选自下列基团中的任意一种：
[0068]
[0069][0070]
优选的，所述l1、l2彼此相同或不同的选自单键或下列基团中的任意一种：
[0071][0072]
所述z各自独立的选自c(rz)或n原子；与键合的z为c原子；
[0073]
所述x2选自o原子、s原子或c(rx)2中的任意一种；
[0074]
所述rz独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基中的任意一种，或相邻的两个rz之间可以连接形成取代或未取代的环；
[0075]
所述rx彼此相同或不同的选自氢、氘、取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c3～c12的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基中的任意一种，或两个rx之间可以连接形成取代或未取代的环。
[0076]
再优选的，所述l1、l2彼此相同或不同的选自单键或下列基团中的任意一种：
[0077]
[0078][0079]
优选的，所述c选自下列基团中的任意一种：
[0080][0081]
最优选的，所述化合物选自下列结构中的任意一种：
[0082]
[0083]
[0084]
[0085]
[0086]
[0087]
[0088]
[0089]
[0090]
[0091]
[0092][0093]
以上列举了本发明所述的化合物的一些具体结构形式，但本发明并不局限于所列这些化学结构，凡是以化学式1所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。
[0094]
本发明还提供了一种化学式1表示的化合物的制备方法，但本发明的制备方法不限于此。化学式1化合物的核心结构可由下列所示反应路线进行制备，取代基可以经过本领域已知的方法键合，并且取代基的种类和位置或取代基的数量可以根据本领域已知的技术改变。
[0095]
[化学式1化合物合成路线]
[0096][0097]
xa～xd独立的选自i、br、cl中的任意一种，本发明涉及的反应类型为suzuki反应及miyaura硼酸酯化反应。
[0098]
本发明还提供了一种有机电致发光器件，包含阳极、阴极、位于阳极与阴极之间的有机物层、和/或位于阳极与阴极中的至少一个电极的外侧的覆盖层，所述有机物层或覆盖层中的至少一层包含本发明所述的化合物中的至少一种。
[0099]
作为本发明所述的有机物层，位于所述阳极与阴极之间，作为本发明所述的覆盖层，位于所述阳极与阴极中的至少一个电极的外侧。所述有机物层可以依次包含空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层，所述有机物层可以根据实际需要相应的增加或减少。
[0100]
作为本发明的有机物层，其可以具有如下结构：1)单层结构，其包括含有单种材料的单个层；或包括含有多种材料的单个层；2)多层结构，其包括含有多种材料的多个层。具体的，所述空穴传输层可以包含第一空穴传输层及第二空穴传输层，所述电子传输层可以包含第一电子传输层及第二电子传输层。
[0101]
优选的，所述有机物层包含电子传输层或空穴阻挡层中的至少一层，所述电子传输层或空穴阻挡层中的至少一层包含本发明所述的化合物。
[0102]
优选的，所述覆盖层位于所述阴极的外侧，所述覆盖层包含本发明所述的化合物。
[0103]
优选的，所述覆盖层包含本发明化合物293～化合物321所示结构。
[0104]
在根据本发明一个实施例的有机电致发光器件中，在下文中示出除化学式1的化合物之外的材料，然而，该些材料仅用于说明目的而并非用于限制本技术案的范围，并且可由本领域已知的材料代替。
[0105]
作为本发明所述的阳极材料，优选具有高功函数的材料。阳极可以是透射电极、反射电极或半透射电极。当阳极是透射电极时，用于形成阳极的材料可以选自氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或它们的任意组合；当阳极是半透射电极或反射电极时，用于形成阳极的材料可以选自镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝
‑
锂(al
‑
li)、钙(ca)、镁
‑
铟(mg
‑
in)、镁
‑
银(mg
‑
ag)或它们的任意组合。阳极可以具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构，例如，阳极可以具有al的单层结构或ito/ag/ito的三层结构，但是阳极的结构不限于此。
[0106]
作为本发明所述的空穴注入层材料，优选具有高功函数的材料，可选自下列结构中的任意一种或一种以上：金属卟啉、低聚噻吩、芳基胺衍生物、苝衍生物、六腈六氮杂苯并
菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
[0107]
作为本发明所述的空穴传输层材料，优选具有高空穴迁移率的材料，可选自下列结构中的任意一种或一种以上：咔唑衍生物、三芳胺衍生物、联苯二胺衍生物、芴衍生物、二苯乙烯衍生物、酞菁类化合物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯咔唑等，但不限于此。
[0108]
作为本发明所述的发光层材料，可使用红色、绿色或蓝色发光材料，通常含有客体(掺杂)材料及主体材料，客体材料可为单纯的荧光材料或者磷光材料，或者由荧光和磷光材料搭配组合而成。发光层的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输性质，同时需要恰当的能级，将激发能量有效地传递到客体发光材料，这一类的材料可以举出二苯乙烯基芳基衍生物、均二苯乙烯衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物、蒽衍生物及芘衍生物等。客体材料可以选自下列结构中的任意一种或几种：金属配合物(例如铱配合物、铂配合物、锇配合物、铑配合物等)、蒽衍生物、芘衍生物、苝衍生物等，但不限于此。
[0109]
作为本发明所述的空穴阻挡层材料，通常优选能够有效阻挡空穴的材料，除了可使用本发明提供的包含稠芳基的化合物外，还可选自下列结构中的任意一种或几种：菲咯啉类衍生物、稀土类衍生物、噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物等，但不限于此。
[0110]
作为本发明所述的电子传输层材料，优选具有高电子迁移率的材料，除了可使用本发明提供的包含稠芳基的化合物外，还可选自下列结构中的任意一种或几种：金属螯合物、氧杂噁唑衍生物、噻唑衍生物、二氮唑衍生物、氮杂苯衍生物、二氮蒽衍生物、含硅杂环类化合物、含硼杂环类化合物、氰基类化合物、喹啉衍生物、菲罗啉衍生物、苯并咪唑衍生物等，但不限于此。
[0111]
作为本发明所述的电子注入层材料，优选具有低功函数的材料，具体实例可包含：碱金属化合物(例如氧化锂、氟化锂、碳酸铯、8
‑
羟基喹啉铯、8羟基喹啉铝)、金属配合物等，还可使用电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成，有机金属盐例如可以包括金属乙酸盐、金属苯酸盐或金属硬脂酸盐，但不限于此。
[0112]
作为本发明所述的阴极材料，优选具有低功函数的材料，阴极可以选自透射电极、半反射电极或反射电极。当阴极极为透射电极，用于形成阴极的材料可选自透明金属氧化物(例如，ito、izo、等)；当阴极为半反射电极或反射电极，用于形成阴极的材料可选自ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、包括它们的化合物或它们的混合物(例如，ag和mg的混合物)，但不限于与此。
[0113]
作为本发明所述的覆盖层，除了可使用本发明提供的包含稠芳基的化合物外，还可选自下列结构中的任意一种或一种以上：无机化合物(例如金属氧化物、金属氮化物、金属氟化物等)、有机化合物(芳基胺衍生物、咔唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、三氮唑衍生物等)，或可由无机化合物与有机化合物混合形成，但不限于此。
[0114]
原料、试剂以及表征设备的说明：
[0115]
本发明对以下实施例中所采用的原料以及试剂来源没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
[0116]
质谱使用英国沃特斯g2
‑
si四极杆串联飞行时间高分辨质谱仪，氯仿为溶剂；
[0117]
元素分析使用德国elementar公司的vario el cube型有机元素分析仪，样品质量为5～10mg；
[0118]
[合成实施例1]化合物1的合成
[0119][0120]
中间体1
‑
1的制备：
[0121]
氮气保护下，将a
‑
1(302.60mmol，92.96g)，b
‑
1(300.00mmol，46.91g)，pd(pph3)4(2.30mmol，2.66g)和900ml甲苯、300ml乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将300ml浓度为2m的k2co3水溶液通过注射器注入到上述溶液中，回流反应2小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝10：3重结晶，得到中间体1
‑
1(83.35g，收率82％)；hplc纯度≥99.46％。质谱m/z：338.0873(理论值：338.0862)。
[0122]
中间体1
‑
2的制备：
[0123]
氮气保护下，将中间体1
‑
1(220.00mmol，74.54g)，d
‑
1(230.00mmol，58.41g)和koac(450.00mmol，44.16g)溶于无水二氧六环(1600ml)中，氮气置换后，加入pd(dppf)cl2(3.00mmol，2.20g)加热回流3.5小时。反应结束后，冷却至室温，混合物倾入水中，用二氯甲烷萃取，有机层用无水mgso4干燥，旋蒸后粗产物用乙酸乙酯进行重结晶。干燥得到中间体1
‑
2(79.53g，收率84％)；hplc纯度≥99.54％。质谱m/z：430.2112(理论值：430.2104)。
[0124]
中间体1
‑
3的制备：
[0125]
氮气保护下，将中间体1
‑
2(183.40mmol，78.93g)，e
‑
1(180.00mmol，57.12g)，pd(pph3)4(3.40mmol，3.93g)和510ml甲苯、170ml乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将170ml浓度为2m的k2co3水溶液通过注射器注入到上述溶液中，回流反应3.5小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝5：1重结晶，得到中间体1
‑
3(71.11g，收率80％)；hplc纯度≥99.38％。质谱m/z：492.0268(理论值：492.0280)。
[0126]
中间体1
‑
4的制备：
[0127]
氮气保护下，将中间体1
‑
3(140.00mmol，69.14g)，d
‑
1(147.00mmol，37.33g)和koac(420.00mmol，41.22g)溶于无水二氧六环(1120ml)中，氮气置换后，加入pd(dppf)cl2(2.10mmol，1.54g)加热回流4小时。反应结束后，冷却至室温，混合物倾入水中，用二氯甲烷萃取，有机层用无水mgso4干燥，旋蒸后粗产物用乙酸乙酯进行重结晶。干燥得到中间体1
‑
4(59.07g，收率78％)；hplc纯度≥99.44％。质谱m/z：540.2015(理论值：540.2027)。
[0128]
中间体1
‑
5的制备：
[0129]
氮气保护下，将中间体1
‑
4(102.00mmol，55.17g)，c
‑
1(100.00mmol，15.70g)，pd(dppf)cl2(1.00mmol，0.73g)、和300ml甲苯、100ml乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将100ml浓度为2m的k2co3水溶液通过注射器注入到上述溶液中，回流反应4小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝10：1重结晶，得
到中间体1
‑
5(36.34g，收率74％)；hplc纯度≥99.67％。质谱m/z：490.1478(理论值：490.1488)。
[0130]
中间体1
‑
6的制备：
[0131]
氮气保护下，将中间体1
‑
5(60.00mmol，29.46g)，d
‑
1(63.50mmol，16.13g)和koac(120.00mmol，11.78g)溶于无水二氧六环(500ml)中，氮气置换后，加入pd(dppf)cl2(1.05mmol，0.77g)加热回流5小时。反应结束后，冷却至室温，混合物倾入水中，用二氯甲烷萃取，有机层用无水mgso4干燥，旋蒸后粗产物用乙酸乙酯进行重结晶。干燥得到中间体1
‑
6(26.21g，收率75％)；hplc纯度≥99.72％。质谱m/z：582.2743(理论值：582.2730)。
[0132]
化合物1的制备：
[0133]
氮气保护下，将中间体1
‑
6(40.80mmol，23.77g)，f
‑
1(40.00mmol，7.92g)，pd2(dba)3(0.40mmol，0.37g)，p(t
‑
bu)3(3.20mmol，0.65g)，k2co3(80.00mmol，11.06g)和四氢呋喃200ml加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，回流反应5小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，最后将滤饼用甲苯重结晶，得到化合物1(16.52g，收率72％)；hplc纯度≥99.85％。质谱m/z：573.2086(理论值：573.2093)。理论元素含量(％)c
43
h
27
no：c,90.03；h,4.74；n,2.44。实测元素含量(％)：c,90.07；h,4.72；n,2.43。
[0134]
[合成实施例2]化合物33的合成
[0135][0136]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
33，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
33，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物33(17.30g)；hplc纯度≥99.78％。质谱m/z：600.2214(理论值：600.2202)。理论元素含量(％)c
44
h
28
n2o：c,87.97；h,4.70；n,4.66。实测元素含量(％)：c,87.92；h,4.72；n,4.67。
[0137]
[合成实施例3]化合物73的合成
[0138][0139]
将合成实施例1中的中间体1
‑
2替换为等摩尔的中间体73
‑
2，e
‑
1替换为等摩尔的e
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
73，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物73(17.96g)；hplc纯度≥99.79％。质谱m/z：623.2259(理论值：623.2249)。理论元素含量(％)c
47
h
29
no：c,90.50；h,4.69；n,2.25。实测元素含量(％)：c,90.55；h,4.67；n,2.24。
[0140]
[合成实施例4]化合物79的合成
[0141][0142]
将合成实施例1中的b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
79，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物79(20.35g)；hplc纯度≥99.83％。质谱m/z：726.2664(理论值：726.2671)。理论元素含量(％)c
54
h
34
n2o：c,89.23；h,4.71；n,3.85。实测元素含量(％)：c,89.21；h,4.75；n,3.84。
[0143]
[合成实施例5]化合物96的合成
[0144][0145]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
33，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
96，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物96(17.09g)；hplc纯度≥99.82％。质谱m/z：601.2166(理论值：601.2154)。理论元素含量(％)c
43
h
27
n3o：c,85.83；h,4.52；n,6.98。实测元素含量(％)：c,85.87；h,4.49；n,6.72。
[0146]
[合成实施例6]化合物101的合成
[0147][0148]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
33，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
101，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物101(21.19g)；hplc纯度≥99.87％。质谱m/z：767.2589(理论值：767.2573)。理论元素含量(％)c
55
h
33
n3o2：c,86.03；h,4.33；n,5.47。实测元素含量(％)：c,86.05；h,4.34；n,5.42。
[0149]
[合成实施例7]化合物112的合成
[0150][0151]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
112，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
112，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
112，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物112(20.59g)；hplc纯度≥99.65％。质谱m/z：756.3087(理论值：756.3079)。理论元素含量(％)c
56
h
32
d4n2o：c,88.86；h,5.33；n,3.70。实测元素含量(％)：c,88.81；h,5.35；n,3.72。
[0152]
[合成实施例8]化合物123的合成
[0153][0154]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
123，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
123，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
123，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物123(20.09g)；hplc纯度≥99.84％。质谱m/z：727.2637(理论值：727.2624)。理论元素含量(％)c
53
h
33
n3o：c,87.46；h,4.57；n,5.77。实测元素含量(％)：c,87.40；h,4.59；n,5.78。
[0155]
[合成实施例9]化合物127的合成
[0156][0157]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
127，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
127，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物127(17.99g)；hplc纯度≥99.79％。质谱m/z：624.2210(理论值：624.2202)。理论元素含量(％)c
46
h
28
n2o：c,88.44；h,4.52；n,4.48。实测元素含量(％)：c,88.46；h,4.53；n,4.44。
[0158]
[合成实施例10]化合物140的合成
[0159][0160]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
140，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
140，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物140(20.06g)；hplc纯度≥99.85％。质谱m/z：726.2684(理论值：726.2671)。理论元素含量(％)c
54
h
34
n2o：c,89.23；h,4.71；n,3.85。实测元素含量(％)：c,89.25；h,4.72；n,3.81。
[0161]
[合成实施例11]化合物160的合成
[0162][0163]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
160，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
73，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
160，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物160(18.45g)；hplc纯度≥99.81％。质谱m/z：649.2418(理论值：649.2406)。理论元素含量(％)c
49
h
31
no：c,90.57；h,4.81；n,2.16。实测元素含量(％)：c,90.52；h,4.83；n,2.17。
[0164]
[合成实施例12]化合物177的合成
[0165][0166]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
123，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
177，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
177，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
160，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物177(20.48g)；hplc纯度≥99.79％。质谱m/z：752.2837(理论值：752.2828)。理论元素含量(％)c
56
h
36
n2o：c,89.33；h,4.82；n,3.72。实测元素含量(％)：c,89.29；h,4.84；n,3.73。
[0167]
[合成实施例13]化合物206的合成
[0168][0169]
将合成实施例1中的b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
206，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
206，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物206(20.82g)；hplc纯度≥99.86％。质谱m/z：
776.2836(理论值：776.2828)。理论元素含量(％)c
58
h
36
n2o：c,89.66；h,4.67；n,3.61。实测元素含量(％)：c,89.60；h,4.69；n,3.62。
[0170]
[合成实施例14]化合物242的合成
[0171][0172]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
242，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
242，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
242，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
123，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物242(19.91g)；hplc纯度≥99.89％。质谱m/z：731.2997(理论值：731.2985)。理论元素含量(％)c
54
h
29
d5n2o：c,88.62；h,5.37；n,3.83。实测元素含量(％)：c,88.65；h,5.39；n,3.79。
[0173]
[合成实施例15]化合物248的合成
[0174][0175]
将合成实施例1中的b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
248，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
248，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物248(21.53g)；hplc纯度≥99.89％。质谱m/z：827.2948(理论值：827.2937)。理论元素含量(％)c
61
h
37
n3o：c,88.49；h,4.50；n,5.08。实测元素含量(％)：c,88.47；h,4.55；n,5.07。
[0176]
[合成实施例16]化合物272的合成
[0177][0178]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
33，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
272，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
272，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物272(19.65g)；hplc纯度≥99.83％。质谱m/z：701.2479(理论值：701.2467)。理论元素含量(％)c
51
h
31
n3o：c,87.28；h,4.45；n,5.99。实测元素含量(％)：c,87.29；h,4.47；n,5.95。
[0179]
[合成实施例17]化合物287的合成
[0180][0181]
将合成实施例1中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
287，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
287，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
287，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物287(20.36g)；hplc纯度≥99.82％。质谱m/z：716.2809(理论值：716.2828)。理论元素含量(％)c53h36n2o：c,88.80；h,5.06；n,3.91。实测元素含量(％)：c,88.85；h,5.03；n,3.93。
[0182]
[合成实施例18]化合物293的合成
[0183][0184]
中间体1
‑
1的制备：
[0185]
氮气保护下，将原料a
‑
1(346.80mmol，94.37g)，b
‑
1(340.00mmol，65.09g)，pd(pph3)4(3.40mmol，3.93g)和1020ml甲苯、340ml乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将340ml浓度为2m的k2co3水溶液通过注射器注入到上述溶液中，回流反应2小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝10：3重结晶，得到中间体1
‑
1(102.53g，收率89％)；hplc纯度≥99.16％。质谱m/z：338.0873(理论值：338.0862)。
[0186]
中间体1
‑
2的制备：
[0187]
将中间体1
‑
1(280.00mmol，94.87g)，d
‑
1(294.00mmol，74.66g)和koac(840.00mmol，82.44g)溶于无水二氧六环(2240ml)中，氮气置换后，加入pd(dppf)cl2(4.20mmol，3.07g)加热回流4小时。反应结束后，冷却至室温，混合物倾入水中，用二氯甲烷萃取，有机层用无水mgso4干燥，旋蒸后粗产物用乙酸乙酯进行重结晶。干燥得到中间体1
‑
2(106.04g，收率88％)；hplc纯度≥99.25％。质谱m/z：430.2112(理论值：430.2104)。
[0188]
中间体293
‑
3的制备：
[0189]
氮气保护下，将中间体1
‑
2(204.00mmol，87.79g)，e
‑
293(100.00mmol，27.03g)，pd(dppf)cl2(4.00mmol，2.93g)、和600ml甲苯、200ml乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将200ml浓度为2m的k2co3水溶液通过注射器注入到上述溶液中，回流温度下反应8小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯进行重结晶，得到中间体293
‑
3(58.82g，收率82％)；hplc纯度≥99.42％。质谱m/z：716.2283(理论值：716.2271)。
[0190]
中间体293
‑
4的制备：
[0191]
将中间体293
‑
3(70.00mmol，34.37g)，d
‑
1(73.50mmol，18.66g)和koac
(210.00mmol，20.61g)溶于无水二氧六环(560ml)中，氮气置换后，加入pd(dppf)cl2(1.05mmol，0.77g)加热回流5小时。反应结束后，冷却至室温，混合物倾入水中，用二氯甲烷萃取，有机层用无水mgso4干燥，旋蒸后粗产物用乙酸乙酯进行重结晶。干燥得到中间体293
‑
4(42.46g，收率75％)；hplc纯度≥99.69％。质谱m/z：808.3524(理论值：808.3513)。
[0192]
化合物293的制备：
[0193]
氮气保护下，将中间体293
‑
4(40.80mmol，33.00g)，f
‑
1(40.00mmol，7.92g)，pd2(dba)3(0.40mmol，0.37g)、p(t
‑
bu)3(3.20mmol，0.65g)，k2co3(80.00mmol，11.06g)和四氢呋喃200ml，加入到反应烧瓶中，搅拌混合物后进行回流，回流反应5小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，最后将滤饼用甲苯重结晶，得到化合物293(22.08g，收率69％)；hplc纯度≥99.82％。质谱m/z：799.2862(理论值：799.2875)。理论元素含量(％)c
61
h
37
no：c,91.59；h,4.66；n,1.75。实测元素含量(％)：c,91.60；h,4.62；n,1.74。
[0194]
[合成实施例19]化合物304的合成
[0195][0196]
将合成实施例18中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
33，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
112，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例23相同的制备方法，得到化合物304(21.01g)；hplc纯度≥99.86％。质谱m/z：783.3365(理论值：783.3377)。理论元素含量(％)c59h29d8no：c,90.39；h,5.78；n,1.79。实测元素含量(％)：c,90.42；h,5.74；n,1.83。
[0197]
[合成实施例20]化合物305的合成
[0198][0199]
将合成实施例23中的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
123，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
33，按照与合成实施例23相同的制备方法，得到化合物305(20.80g)；hplc纯度≥99.88％。质谱m/z：775.2863(理论值：775.2875)。理论元素含量(％)c
59
h
37
no：c,91.33；h,4.81；n,1.81。实测元素含量(％)：c,91.37；h,4.80；n,1.80。
[0200]
[合成实施例21]化合物328的合成
[0201][0202]
将合成实施例1中的b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
328，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
328，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
328，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物328(20.86g)；hplc纯度≥99.85％。质谱m/z：766.2457(理论值：766.2443)。理论元素含量(％)c
56
h
34
n2s：c,87.70；h,4.47；n,3.65。实测元素含量(％)：c,87.75；h,4.45；n,3.64。
[0203]
[合成实施例22]化合物346的合成
[0204][0205]
将合成实施例1中的的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
238，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
73，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
346，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
328，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物346(21.32g)；hplc纯度≥99.89％。质谱m/z：819.2719(理论值：819.2708)。理论元素含量(％)c
59
h
37
n3s：c,86.42；h,4.55；n,5.12。实测元素含量(％)：c,86.44；h,4.50；n,5.13。
[0206]
[合成实施例23]化合物354的合成
[0207][0208]
将合成实施例1中的的a
‑
1替换为等摩尔的a
‑
33，b
‑
1替换为等摩尔的b
‑
264，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
354，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
328，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物354(20.89g)；hplc纯度≥99.87％。质谱m/z：767.2405(理论值：767.2395)。理论元素含量(％)c
55
h
33
n3s：c,86.02；h,4.33；n,5.47。实测元素含量(％)：c,86.04；h,4.34；n,5.42。
[0209]
[合成实施例24]化合物363的合成
[0210][0211]
将合成实施例1中的的中间体1
‑
4替换为等摩尔的中间体73
‑
4，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
287，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
363，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物363(17.74g)；hplc纯度≥99.78％。质谱m/z：624.2215(理论值：624.2202)。理论元素含量(％)
c
46
h
28
n2o：c,88.44；h,4.52；n,4.48。实测元素含量(％)：c,88.40；h,4.53；n,4.49。
[0212]
[合成实施例25]化合物374的合成
[0213][0214]
将合成实施例1中的的中间体1
‑
4替换为等摩尔的中间体101
‑
4，c
‑
1替换为等摩尔的c
‑
73，f
‑
1替换为等摩尔的f
‑
374，按照与合成实施例1相同的制备方法，得到化合物374(18.95g)；hplc纯度≥99.82％。质谱m/z：676.2528(理论值：676.2515)。理论元素含量(％)c
50
h
32
n2o：c,88.73；h,4.77；n,4.14。实测元素含量(％)：c,88.75；h,4.78；n,4.10。
[0215]
通过上述制备方法，本发明还合成了以下化合物，所得最终产物的结构表征如下表所示：
[0216][0217]
[实施例33]三线态能级测试
[0218]
测试样品：本发明合成实施例制备的化合物以及对比化合物1
‑
3。
[0219]
测试仪器：荧光分光光度计(日立f
‑
4600)。
[0220]
测试条件：甲苯为溶剂，浓度为2
×
10
‑5mol/l，温度为
‑
78℃。通过计算得到三线态能级(t1)，计算结果如表1所示：
[0221]
[实施例34]玻璃化转变温度测试
[0222]
测试样品：本发明合成实施例制备的化合物以及对比化合物1
‑
4。
[0223]
测试仪器：dsc 25型差示扫描量热仪(美国ta公司)；
[0224]
测试条件：测试气氛为氮气，氮气的流速为50ml/min；升温速率为为10℃/min，温度范围为50～350℃。玻璃化转变温度(tg)测试结果如表1所示：
[0225]
表1：
[0226][0227]
通过表1可知，本发明化合物与对比化合物1、对比化合物2以及对比化合物4相比，具有较高的玻璃化转变温度，材料的热稳定性与成膜性有所提高，将其应用于有机电致发光器件中，可延长器件的使用寿命；另一方面，与对比化合物1～3相比，本发明化合物具有较高的三线态能级，可将激子有效的阻挡在发光层内，将其应用于有机电致发光器件中，尤其作为电子传输层或空穴阻挡层时，可有效提高器件的发光效率，并延长器件的寿命。
[0228]
[对比实施例1]
[0229]
将蒸镀有ito的玻璃基板作为阳极，由5％的玻璃清洗液超声清洗2次，每次20分钟，再由去离子水超声清洗2次，每次10分钟。依次使用丙酮和异丙酮超声清洗20分钟，120℃烘干，然后将基板转移至蒸镀机中。
[0230]
在ito玻璃基板上依次蒸镀下列化合物以制备有机电致发光器件，蒸镀化合物m
‑
mtdata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm，然后蒸镀化合物npb作为第一空穴传输层，蒸镀厚度为95nm，蒸镀ht
‑
2作为第二空穴传输层，蒸镀厚度为15nm，将α，β
‑
adn作为主体，bd
‑
1作为掺杂材料，两者的掺杂比为98:2形成厚度为22nm的发光层，然后将对比化合物1与liq以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成30nm厚的电子传输层，然后蒸镀liq作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm，然后再蒸镀al作为阴极，蒸镀厚度为120nm。
[0231][0232]
[对比实施例2～3]
[0233]
用对比化合物2、对比化合物3替代对比实施例1中的对比化合物1作为电子传输层，按照与对比实施例1相同的制备方式制备有机电致发光器件。
[0234]
[器件实施例1～20]
[0235]
用本发明化合物1、化合物33、化合物73、化合物96、化合物101、化合物112、化合物123、化合物127、化合物140、化合物160、化合物177、化合物206、化合物242、化合物248、化合物272、化合物287、化合物328、化合物346、化合物354、化合物363替代对比实施例1中的对比化合物1作为电子传输层，按照与对比实施例1相同的制备方式制备有机电致发光器件。
[0236]
[对比实施例4]
[0237]
在ito玻璃基板上依次蒸镀下列化合物以制备有机电致发光器件，蒸镀化合物m
‑
mtdata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm，然后蒸镀化合物npb作为第一空穴传输层，蒸镀厚度为95nm，蒸镀ht
‑
2作为第二空穴传输层，蒸镀厚度为15nm，将α，β
‑
adn作为主体，bd
‑
1作为掺杂材料，两者的掺杂比为98:2形成厚度为22nm的发光层，然后蒸镀对比化合物1作为空穴阻挡层，蒸镀厚度为5nm，然后将et
‑
1与liq以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成30nm厚的电子传输层，然后蒸镀liq作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm，然后再蒸镀al作为阴极，蒸镀厚度为120nm。
[0238]
[对比实施例5]
[0239]
用对比化合物2替代对比实施例4中的对比化合物1作为空穴阻挡层，按照与对比实施例4相同的制备方式制备有机电致发光器件。
[0240]
[器件实施例21～35]
[0241]
用本发明化合物1、化合物73、化合物79、化合物101、化合物112、化合物123、化合物127、化合物140、化合物177、化合物206、化合物248、化合物272、化合物328化合物354、化合物374替代对比实施例4中的对比化合物1作为空穴阻挡层，按照与对比实施例4相同的制
备方式制备有机电致发光器件。所得有机电致发光器件的发光特性测试结果见表2所示。
[0242]
将测试软件、计算机、美国keithley公司生产的k2400数字源表和美国photo research公司的pr788光谱扫描亮度计组成一个联合ivl测试系统来测试有机电致发光器件的发光效率。寿命的测试采用mcscience公司的m6000 oled寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。所得有机电致发光器件的发光特性测试结果见表2所示。
[0243]
表2：
[0244]
[0245][0246]
根据表2数据可知，将本发明化合物应用于有机电致发光器件中时，可提高器件的发光效率，延长器件的寿命，尤其是当本发明化合物中具有扭曲结构时，发光效率及寿命得到进一步提升。
[0247]
[对比实施例6]
[0248]
在ito/ag/ito玻璃基板上依次蒸镀下列化合物以制备有机电致发光器件，蒸镀化合物m
‑
mtdata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm，然后蒸镀化合物npb作为第一空穴传输层，蒸镀厚度为95nm，蒸镀ht
‑
2作为第二空穴传输层，蒸镀厚度为15nm，将α，β
‑
adn作为主体，bd
‑
1作为掺杂材料，两者的掺杂比为98:2形成厚度为22nm的发光层，然后将对比化合物1与liq以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成30nm厚的电子传输层，然后蒸镀liq作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm，然后将镁(mg)和银(ag)以1:9的蒸镀速率混合，真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为13nm的阴极，然后再蒸镀对比化合物5作为覆盖层，蒸镀厚度为70nm。
[0249]
[器件实施例36～45]
[0250]
用本发明化合物293、化合物296、化合物301、化合物304、化合物305、化合物307、化合物310、化合物312、化合物313、化合物315替换对比实施例6中的对比化合物4作为覆盖层，按照与对比实施例6相同的制备方式制备有机电致发光器件。按照如上方法测试所得有机电致发光器件的发光特性，结果见表3所示。
[0251]
表3：
[0252][0253]
根据表3可知，将本发明化合物应用于有机电致发光器件的覆盖层时，由于本发明化合物相较于对比化合物4具有更高的折射率以及玻璃化转变温度，蒸镀成膜时具有良好的热稳定性、成膜性以及出光率，可有效提高器件的光取出效率，进而提高器件的发光效率。
[0254]
应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明的保护范围内。