细胞凝集块的制造方法与流程

文档序号:31699947发布日期:2022-10-01 07:37阅读:来源:国知局

技术特征:
1.细胞凝集块制造用基板,其在具有抑制细胞附着的能力的基板上具备由下述聚合物形成的多个斑点,斑点的总面积相对于基板的表面积的比例为30%以上,且各斑点的直径为50~5000μm,斑点间的间隔为30~1000μm,所述聚合物包含由下述式(i)表示的单体衍生的重复单元,[化学式20]式(i)中,u
a1
及u
a2
各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a1
表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a2
表示碳原子数1至5的直链或支链亚烷基。2.如权利要求1所述的细胞凝集块制造用基板,其细胞利用效率为90%以上。3.如权利要求1或2所述的细胞凝集块制造用基板,其中,所述细胞为干细胞。4.如权利要求1~3中任一项所述的细胞凝集块制造用基板,其中,所述聚合物还包含由式(ii)表示的单体衍生的重复单元,[化学式21]式(ii)中,r
b
表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基。5.如权利要求1~4中任一项所述的细胞凝集块制造用基板,其中,所述聚合物还包含由下述式(iii)表示的单体衍生的结构单元,[化学式22]式(iii)中,r
c
及r
d
各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
e
表示碳原子数1至5的直链或支链亚烷基,n表示1~50的数字。6.如权利要求1~5中任一项所述的细胞凝集块制造用基板,其中,所述具有抑制细胞
附着的能力的基板在所述基板表面的至少一部分上含有包含下述共聚物(p)的涂覆膜,所述共聚物(p)包含含有下述式(a)表示的基团的重复单元、和含有下述式(b)表示的基团的重复单元,[化学式23]式中,u
a11
、u
a12
、u
b11
、u
b12
及u
b13
各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,an-表示选自由卤化物离子、无机酸根离子、氢氧化物离子及异硫氰酸根离子组成的组中的阴离子。7.细胞凝集块制造用基板的制造方法,其包括将下述聚合物以多个点状涂布于具有抑制细胞附着的能力的基板上且接着进行干燥的工序,此处斑点的总面积相对于基板的表面积为30%以上,且各斑点的直径为50~5000μm,斑点间的间隔为30~1000μm,所述聚合物包含由下述式(i)表示的单体衍生的重复单元,[化学式24]式(i)中,u
a1
及u
a2
各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a1
表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a2
表示碳原子数1至5的直链或支链亚烷基。8.如权利要求7所述的细胞凝集块制造用基板的制造方法,其细胞利用效率为90%以上。9.如权利要求7或8所述的细胞凝集块制造用基板的制造方法,其中,利用喷墨方式进行所述涂布工序。10.细胞凝集块的制造方法,其包括:将下述聚合物以多个点状涂布于具有抑制细胞附着的能力的基板上的工序;接着接种细胞的工序,此处斑点的总面积相对于基板的表面积为30%以上,且各斑点的直径为50~5000μm,斑点间的间隔为30~1000μm,所述聚合物包含由下述式(i)表示的单体衍生的重复单元,
[化学式25]式(i)中,u
a1
及u
a2
各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a1
表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a2
表示碳原子数1至5的直链或支链亚烷基。11.如权利要求10所述的细胞凝集块的制造方法,其细胞利用效率为90%以上。12.方法,其是通过将下述聚合物以多个点状涂布于具有抑制细胞附着的能力的基板上从而使制造细胞凝集块时的细胞利用效率提高的方法,此处斑点的总面积相对于基板的表面积为30%以上,且各斑点的直径为50~5000μm,斑点间的间隔为30~1000μm,所述聚合物包含由下述式(i)表示的单体衍生的重复单元,[化学式26]式(i)中,u
a1
及u
a2
各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a1
表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,r
a2
表示碳原子数1至5的直链或支链亚烷基。

技术总结
提供细胞凝集块制造用基板、其制造方法、细胞凝集块的制造方法、及使制造细胞凝集块时的细胞利用效率提高的方法。提供细胞凝集块制造用基板、其制造方法、以及使用该基板的细胞凝集块的制造方法及使制造细胞凝集块时的细胞利用效率提高的方法,所述细胞凝集块制造用基板在具有抑制细胞附着的能力的基板上具备由下述聚合物形成的多个斑点,斑点的总面积相对于基板的表面积的比例为30%以上,且各斑点的直径为50~5000μm,斑点间的间隔为30~1000μm,所述聚合物包含由下述式(I)表示的单体衍生的重复单元,式中,U


技术研发人员:铃木康平 广井佳臣 岩井良辅
受保护的技术使用者:学校法人加计学园
技术研发日:2021.02.19
技术公布日:2022/9/30
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