共聚物、射出成型用树脂组合物、成型品、以及共聚物的制造方法与流程

本发明涉及含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元的共聚物、含有该共聚物的射出成型用树脂组合物、以及由该树脂组合物成型得到的成型体。

背景技术：

1、含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元的共聚物因具有优异的耐化学性、刚性、成型性等各种性质而广泛应用于多个领域。作为这些共聚物的制造方法，可采用乳液聚合、悬浮聚合、本体聚合、溶液聚合等各种聚合法进行制造。但是由于在乳液聚合时要使用乳化剂，在悬浮聚合时要使用分散剂等，所以在聚合产物的透明性、着色变色等外观品质上存在问题。因此，从品质、成本、环境等方面考虑，大多采用非水系的本体聚合或溶液聚合。

2、在工业生产规模上，连续进行本体聚合或溶液聚合时，利用蒸发潜热，即利用气相部与聚合液的气液界面的蒸发带来的散热，或者根据需要使用反应槽外部的冷凝器对蒸发的溶剂和未反应单体进行冷却并向反应槽内回流而能够有效散热，因此可实现高转化速度的聚合，常用作工业生产规模的聚合物法。

3、已经公开的方法有：调整从聚合器的冷凝器回流的冷凝液的浓度，将其喷回至聚合器的气相部的方法(专利文献1)；以及使用喷雾喷嘴等将原料液散布于反应槽的上部气相部，将从冷凝器回流的冷凝液与原料液混合而供给至聚合器的方法(专利文献2)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2000-226417号公报

7、专利文献2：日本特开2004-262987号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、近年来包括透明性、强度和色相等在内的物性不断提高，要求降低在这种观点之下的不良品的产生率，但是采用上述技术得到的共聚物无法得到令人满意的结果。

3、因此，本发明的课题在于提供含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元的共聚物以及含有该共聚物的射出成型用树脂，其在制成成型品时，强度、耐化学性以及色相和透明性优异。

4、解决课题的手段

5、本发明人等为了解决上述课题进行了反复深入的研究，结果发现当含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元的共聚物关于共聚物的分子量分布满足以下构成时，所得成型品的强度、耐化学性以及色相和透明性优异，从而完成了本发明。

6、即、本发明涉及如下内容。

7、(1)一种共聚物，其含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元，将采用凝胶渗透色谱法使用示差折光检测器求出的共聚物的重均分子量mwri的半峰宽中以uv254nm检测到的峰值强度设为p(uv)，将mwri的半峰宽中采用示差折光检测器检测到的峰值强度设为p(ri)时，p(uv)/p(ri)的最大值与最小值之差为0.15以下。

8、(2)如(1)所述的共聚物，其中，将芳香族乙烯基单体单元与氰基系单体单元的合计设为100质量％时，含有所述芳香族乙烯基单体单元50～90质量％以及所述氰基系单体单元10～50质量％。

9、(3)如(1)或(2)所述的共聚物，其中，所述芳香族乙烯基单体单元为苯乙烯单体单元，所述氰基系单体单元为丙烯腈单体单元。

10、(4)一种射出成型用树脂组合物，其含有(1)～(3)中任一项所述的共聚物。

11、(5)一种成型品，其由(4)所述的射出成型用树脂组合物成型而得到。

12、(6)一种共聚物的制造方法，该共聚物含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元，该制造方法包括：将含有芳香族乙烯基单体和氰基系单体的供给液向反应槽内的聚合液的液相供给的工序；以及使用所述反应槽外的热交换器将所述反应槽内产生的蒸发气体冷凝，将得到的冷凝液返回至所述反应槽的液相的工序。

13、发明效果

14、根据本发明，提供一种制成成型品时强度、耐化学性以及色相和透明性优异的共聚物。本发明所涉及的树脂组合物可适用于对设计性要求高的化妆品等容器、文具等杂货。

技术特征：

1.一种共聚物，其含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元，

2.如权利要求1所述的共聚物，其中，

3.如权利要求1或2所述的共聚物，其中，

4.一种射出成型用树脂组合物，其含有权利要求1至3中任一项所述的共聚物。

5.一种成型品，其由权利要求4所述的射出成型用树脂组合物成型得到。

6.一种共聚物的制造方法，所述共聚物含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元，所述制造方法包括：

技术总结
本发明提供一种制成成型品时强度和耐化学性优异、色相和透明性优异的含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元的共聚物以及含有该共聚物的射出成型用树脂。提供一种共聚物，其含有芳香族乙烯基单体单元和氰基系单体单元，采用凝胶渗透色谱法使用示差折光检测器求出的共聚物的重均分子量MwRI的半峰宽中以UV254nm检测到的峰值强度设为P(UV)，将MwRI的半峰宽中使用示差折光检测器检测到的峰值强度设为P(RI)时，P(UV)/P(RI)的最大值与最小值之差为0.15以下。

技术研发人员：渡边亘,西野广平
受保护的技术使用者：电化株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16