一种含邻菲啰啉化合物及其制备方法及应用与流程

本发明涉及有机电致发光，特别是涉及一种含邻菲啰啉化合物以及包含其的有机电致发光器件、显示器件。

背景技术：

1、有机电致发光器件(organic light emitting device，oled)是一种利用施加电场后从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子复合能引起物质发光这一原理的自发光器件。相比于传统的无机电致发光器件，oled器件具有响应快、发光效率高、自发光、视角宽、超薄、温度适应性好、生产工艺简单以及能耗低等优点，被逐步应用于柔性显示、平板显示、固态照明和车载显示中，并且具有极大的潜力来替代主流的液晶显示器。

2、传统的oled器件具有犹如三明治的构型，并且包括电极材料膜层以及夹在不同电极材料膜层之间的有机功能材料，各种不同的功能材料根据用途相互叠加在一起共同构成oled器件。近年来，随着有机电致发光技术的不断革新，oled器件从初始的三明治构型逐渐发展为由多种功能层构成的复杂结构。以经典的有机电致发光器件为例，其层叠结构包括阴极、阳极和位于阴极与阳极之间的有机膜层，有机膜层之间包含发光层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层和电子注入层等。

3、相较于普通的oled器件，串联式oled(简称：tandem oled)器件具有长寿命、窄半峰宽(用以实现高色域)、低功耗的特点。tandem oled器件中，发光材料之间通过cgl(电荷产生层)层连接，在电场作用下，cgl层发生电荷分离，电子与空穴分别向不同的发光材料层传输，在相同的电流密度下，实现数倍于单层oled器件的发光效率，然而，现有的tandemoled中cgl层中产生的空穴会被阴极层的电子影响，进而影响到发光材料层的发光效率。

4、总之，不论是经典oled还是串联式oled，其器件效率和寿命均有待进一步提升。

5、高效率的有机电致发光器件要求具备低的驱动电压、高的电流效率、高的外部量子效率以及相对良好的稳定性。驱动电压低，使得器件具有较低的注入势垒；电流效率越高，使得器件在单位电流下产生的亮度越高；外部量子效率越高，器件性能越好。然而，在有机半导体材料中，空穴的迁移率通常比电子迁移率高很多(一般电子迁移率比空穴的迁移率低2-3个数量级)，这将导致oled器件的电子和空穴在发光层中的注入不平衡，而且由于电子和空穴的迁移率差距较大，容易使得发光区域靠近迁移率较小的电子传输层和阴极一侧而引起激子的猝灭，从而使oled器件的效率和亮度下降，影响器件的驱动电压、电流效率、外部量子效率等综合使用性能。因此，如何提高电子传输材料的电子迁移率是本领域亟待解决的问题。

6、同时，有机电致发光器件在高温下被驱动时通常会出现驱动电压上升、发光效率降低和寿命缩短等问题，从而导致有机电致发光器件的性能下降。

7、因此，为了制备高性能的oled器件，要求各种有机功能材料具有良好的光电性能。例如，要求电荷注入传输材料具有良好的载流子迁移率和高玻璃化转化温度等，并且要求主体发光材料具有良好的双极性、以及适当的homo/lumo能阶等。

8、针对目前oled器件的产业应用要求、以及oled器件的不同功能膜层和器件的光电特性需求，必须选择更合适、性能更高的oled功能材料或功能材料的组合，才能实现oled器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前oled照明产业的实际需求而言，目前的oled材料的发展远远不够，落后于面板制造企业的需求，因而各种功能层材料的开发依然是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、发明目的：本发明提供一种通式i的化合物，一方面，本发明的通式i的化合物作为电子传输层材料，应用于oled器件中，具有较小的电压、较大的电流效率、较高的功率效率、较大的blue index值、较长的使用寿命。另一方面本发明的通式i的化合物作为n型掺杂层材料，应用于tandem oled器件中，具有较小的电压、较大的电流效率、较高的功率效率、较大的blue index值、较长的使用寿命，极大扩展了tandem oled在车载显示中的应用。

2、技术方案：一种通式i的化合物：

3、

4、其中，ar1和ar2各自独立地表示含有1-16(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16)个碳原子的烷基、含有6-30(例如，可以是6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30)个碳原子的芳基、或含有3-30(例如，可以是3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30)个碳原子的杂芳基，其中，所述含有1-16个碳原子的烷基中的一个或不相邻的两个以上的-ch2-可分别独立地被可被-o-、-ch＝ch-、-c≡c-、-co-、-co-o-或-o-co-取代，所述含有6-30个碳原子的芳基、或含有3-30个碳原子的杂芳基中的一个或更多个-h可分别独立地被-f、-cl、-cn、含有1-10(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10)个碳原子的烷基、或含有1-9(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9)个碳原子的烷氧基取代，一个或更多个环中-ch＝可被-n＝替代；

5、ar3表示其中*表示所键结的结构中的连接位点，所述中的一个或更多个-h可分别独立地被-f、-cl、-cn、或rno取代，一个或更多个环中-ch＝可被-n＝替代，其中，no表示大于3的正整数(例如，可以是3、5、8、9、31、52、53、61、63、72、81、82、或91)；

6、z1、z2和z3各自独立地表示-ch＝或-n＝；

7、r1、r2和rno各自独立地表示含有1-16(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16)个碳原子的烷基、含有1-15(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15)个碳原子的烷氧基、含有3-30(例如，可以是3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30)个碳原子的环烷基或含有3-30(例如，可以是3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30)个碳原子的芳基，其中，所述含有3-30个碳原子的芳基中的一个或更多个-h可分别独立地被-f、-cl、-cn、含有1-10(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10)个碳原子的烷基、或含有1-9(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9)个碳原子的烷氧基取代，一个或更多个环中-ch＝可被-n＝替代；所述含有3-30个碳原子的环烷基中的一个或更多个-ch2-可被-o-替代；并且

8、当r1和r2各自独立地表示含有1-16(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16)个碳原子的烷基、或含有1-15(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15)个碳原子的烷氧基时，r1和r2可键结成环。

9、本发明中，直线划过环中的键表示该横线可与环上任意位置的碳原子相连，如表示

10、本发明中，示例性地，r1和r2可键结成环的意思是当r1为r2为时，r1和r2可键结成

11、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物选自如下化合物组成的组：

12、

13、以及

14、

15、其中，n1表示0-7的整数，例如，可以是0、1、2、3、4、5、6、或7。

16、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物选自如下化合物组成的组：

17、

18、

19、

20、以及

21、

22、其中，r3、r5、r8、r9、r31、r61、r81、r91、r52、r72、r82、r53以及r63各自独立地表示含有1-8(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8)个碳原子的烷基、含有1-8(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8)个碳原子的烷氧基、含有3-20(例如，可以是3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20)个碳原子的环烷基或含有3-20(例如，可以是3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20)个碳原子的芳基，其中，所述含有3-20个碳原子的芳基中的一个或更多个-h可分别独立地被-f、-cl、-cn、含有1-5(例如，可以是1、2、3、4、5)个碳原子的烷基、或含有1-5(例如，可以是1、2、3、4、5)个碳原子的烷氧基取代，一个或更多个环中-ch＝可被-n＝替代；所述含有3-20个碳原子的环烷基中的一个或更多个-ch2-可被-o-替代。

23、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物选自由通式i-1-1的化合物、通式i-1-2的化合物、通式i-1-4的化合物、通式i-2-1的化合物、通式i-3-1的化合物、通式i-3-2的化合物、通式i-3-3的化合物、通式i-4-1的化合物组成的组。

24、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物选自如下化合物组成的组：

25、

26、

27、

28、

29、

30、

31、

32、

33、

34、

35、其中，ar1和ar2各自独立地表示含有含有6-18(例如，可以是6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18)个碳原子的芳基、或含有3-18(例如，可以是3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18)个碳原子的杂芳基，其中，所述含有6-18个碳原子的芳基、或含有3-18个碳原子的杂芳基中的一个或更多个-h可分别独立地被-f、-cl、-cn、含有1-5(例如，可以是1、2、3、4、5)个碳原子的烷基、或含有1-5(例如，可以是1、2、3、4、5)个碳原子的烷氧基取代，一个或更多个环中-ch＝可被-n＝替代，以及

36、r3、r5、r8、r9、r31、r61、r81、r91、r52、r72、r82、r53以及r63各自独立地表示含有1-5(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8)个碳原子的烷基、或含有1-8(例如，可以是1、2、3、4、5、6、7、8)个碳原子的烷氧基。

37、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物选自由通式i-1-1-1的化合物、通式i-1-1-3的化合物、通式i-1-2-1的化合物、通式i-1-4-1的化合物、通式i-2-1-1的化合物、通式i-3-1-1的化合物、通式i-3-2-1的化合物、通式i-3-2-6的化合物、通式i-3-3-1的化合物、通式i-4-1-1的化合物组成的组。

38、在本发明中，当通式i的化合物中n取代增加(即含氮量增加)时，oled材料的电子迁移率通常会提高。这是因为氮原子的电负性较高，能够形成较强的共价键，从而提高材料的电子亲和力，使电子更容易在材料中传输。然而，含氮量的增加也会带来一些负面影响，例如，当含氮量过高时，材料的热稳定性可能会降低，从而影响器件的性能和寿命。此外，含氮量的增加还可能使材料的带隙减小，从而降低器件的亮度和效率。

39、同时，氮原子的位置也会对材料的性质产生影响，当氮原子位于材料的导电通道中时，可以提高材料的电子迁移率，当氮原子位于材料的π-π共轭体系中时，可以增加材料的光学吸收和发光效率，从而提高器件的亮度和效率。但是，氮原子的位置不当，也会削弱材料的热稳定性，从而影响器件的性能和寿命。

40、因此，在设计和制备oled材料时，需要综合考虑含氮量和材料的电子迁移率、热稳定性和带隙等因素，以找到最佳的材料结构和配方。

41、在本发明中，所述烷基和烷氧基，可以各自独立地为支链或直链。

42、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物选自如下化合物组成的组：

43、

44、

45、

46、

47、

48、

49、

50、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物选自由化合物4(通式i-1-1-1-4的化合物)、化合物7(通式i-1-1-1-6的化合物)、化合物12(通式i-1-1-1-11的化合物)、化合物18(通式i-1-2-1-6的化合物)、化合物22(通式i-1-1-3-2的化合物)、化合物25(通式i-3-1-1-3的化合物)、化合物30(通式i-3-2-1-2的化合物)、化合物31(通式i-3-2-1-3的化合物)、化合物36(通式i-3-2-6-1的化合物)、化合物38(通式i-3-3-1-2的化合物)、化合物40(通式i-1-4-1-2的化合物)、化合物42(通式i-1-4-1-3的化合物)、化合物48(通式i-2-1-1-2的化合物)、化合物49(通式i-4-1-1-1的化合物)、化合物50(通式i-4-1-1-2的化合物)组成的组。

51、在本发明的一些实施方案中，通式i的化合物的合成方法如下：

52、

53、1.中间体c的化合物的合成

54、将通式a的化合物，通式b的化合物和碳酸钾加入到三口烧瓶中，再加入甲苯，乙醇和去离子水的混合溶剂，氮气保护下加入二三苯基膦氯化钯，回流反应，冷却分液，有机相浓缩干，粗品柱色谱分离，石油醚/dcm洗脱，得到通式c的化合物的白色产物。

55、2.中间体d的化合物的合成

56、将中间体c的化合物溶于dcm中，冰浴条件下滴加液溴，升温至室温搅拌反应，用氢氧化钠水溶液淬灭反应到中性，分液，有机相干燥，浓缩至约剩余20ml溶剂，析出固体，过滤，乙醇淋洗，滤饼再用甲苯重结晶，烘干得到化合物d的白色固体。

57、3.中间体f的化合物的合成

58、将中间体d的化合物，联硼酸频哪酯，无水醋酸钾和无水甲苯加入到三口烧瓶中，氮气保护下加入二三苯基膦氯化钯，回流反应后，趁热过薄层硅胶，除掉无机盐，滤液浓缩至约10ml，析出固体，过滤，乙醇淋洗，得到化合物f的白色固体。

59、4.通式i的化合物的合成

60、将化合物g，中间体f的化合物和碳酸钾加入到三口烧瓶中，再加入甲苯，乙醇和去离子水，氮气保护下加入二三苯基膦氯化钯，回流反应，分液，有机相浓缩干，粗品柱色谱分离，洗脱剂为pe/dcm(1/1,v/v)至dcm/甲醇(20/1,v/v)，得到化合物i的白色固体。

61、本发明中，发明人将通式i的化合物作为一种电子传输材料应用于oled器件中，使得oled器件具有较小的电压、较大的电流效率、较大的功率效率、较大的blue index以及较长的使用寿命。在此基础上，发明人将通式i的化合物作为n-型掺杂材料应用于串联式oled器件中的cgl层中，制备出bi(blue index)效率超过340的深蓝荧光oled器件，且具有较长的使用寿命，兼顾较小的电压、较大的电流效率、较大的功率效率，克服了现有技术中存在的问题。

62、另一方面，本发明提供一种oled器件，由下到上，依次包括基板/阳极层、有机物层、以及阴极层，其中，有机物层包含至少一种通式i的化合物。

63、在本发明的一些实施方案中，有机物层可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、空穴注入-空穴传输功能层(兼具空穴注入及空穴传输功能层)、电子阻挡层(ebl)、空穴阻挡层(hbl)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)、电子传输-电子注入功能层(即兼具电子传输及电子注入功能)、以及电荷产生层中的一种或至少两种的组合，其中，电子传输层和电荷产生层各自独立地包含至少一种通式i的化合物。

64、在本发明的一些实施方案中，有机物层包含至少一个电子传输层，电子传输层可以起到促进电子传输的作用，电子传输层中使用的材料是有利地接收来自阴极的电子并将电子传输至发光层的材料，电子传输材料可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的，可以使用掺杂来增强导电性。

65、在本发明的一些实施方案中，基板/阳极优选具有高逸出功能的材料。例如，ag、pt、au、氧化铟锌(izo)、或氧化锡铟(ito)。

66、在本发明的一些实施方案中，空穴注入层的厚度为1-30nm(包含之间的任何值及子范围)，例如，1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、26nm、27nm、28nm、29nm、30nm。

67、在本发明的一些实施方案中，空穴注入层的材料为如下化合物中的一种或至少两种的组合：

68、

69、在本发明的一些实施方案中，在空穴注入层中，ht与p-dopant的质量比为1:(0.001～1)，例如，可以是1:0.001、1:0.005、1:0.01、1:0.02、1:0.03、1:0.04、1:0.05、1:0.06、1:0.08、1:0.1、1:0.2、1:0.4、1:0.6、1:0.8、1:1。

70、在本发明中，空穴传输层的材料是能够接收基板/阳极层或空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的材料。

71、在本发明的一些实施方案中，空穴传输层的材料为如下化合物中的一种或至少两种的组合：

72、

73、在本发明的一些实施方案中，空穴传输层的厚度为1-55nm(包含之间的任何值及子范围)，例如，1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、26nm、27nm、28nm、29nm、30nm、31nm、32nm、33nm、34nm、35nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm、41nm、42nm、43nm、44nm、45nm、46nm、47nm、48nm、49nm、50nm、51nm、52nm、53nm、54nm、或55nm。

74、在本发明中，发光层的材料是一种通过接收来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子，并将所接收的空穴和电子结合而能发出可见光的材料，发光层材料分为主体材料和客体材料，主体材料和客体材料的质量比为1:(0.001～1)，例如，可以是1:0.001、1:0.005、1:0.01、1:0.02、1:0.03、1:0.04、1:0.05、1:0.06、1:0.08、1:0.1、1:0.2、1:0.4、1:0.6、1:0.8、1:1。

75、在本发明的一些实施方案中，发光层的主体材料为如下化合物中的一种或至少两种的组合：

76、以及

77、在本发明的一些实施方案中，发光层的客体材料为如下化合物：

78、以及

79、在本发明的一些实施方案中，发光层的厚度为1-55nm(包含之间的任何值及子范围)，例如，1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、26nm、27nm、28nm、29nm、30nm、31nm、32nm、33nm、34nm、35nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm、41nm、42nm、43nm、44nm、45nm、46nm、47nm、48nm、49nm、50nm、51nm、52nm、53nm、54nm、或55nm。在本发明的一些实施方案中，发光层的厚度优选为5-55nm。

80、在本发明中，电子注入层是注入来自电极的电子的层，优选具有传输电子的能力，具有来自阴极的电子注入效果、对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果，防止发光层中所产生的激子向空穴注入层迁移，而且薄膜形成能力优异。

81、在本发明的一些实施方案中，电子注入层材料可以为lio2、libo2、yb中的一种或至少两种的组合。

82、在本发明的一些实施方案中，电子注入层的厚度为0.1-10nm，例如，可以是0.1nm、1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm。

83、在本发明中，电子阻挡层的材料可以设置在空穴传输层与发光层之间，阻止电子由发光层中进入空穴传输层中，以免造成器件发光效率的降低。

84、在本发明的一些实施方案中，电子阻挡层的材料为如下的化合物

85、

86、在本发明的一些实施方案中，电子阻挡层的厚度可以为0.5-20nm，例如，可以是0.5nm、1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm。

87、在本发明中，阴极通常优选具有小功函数的材料，使得电子顺利地注入有机材料层，可以为ag:mg、lif/al或lio2/al。

88、在本发明的一些实施方案中，阴极的厚度可以为0.5-20nm，例如，可以是0.5nm、1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm。

89、在本发明的一些实施方案中，本发明提供的一种oled器件，由下到上，依次包括基板/阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、以及阴极层，其中，电子传输层包含至少一种通式i的化合物。

90、在本发明的一些实施方案中，电子传输层的材料包含至少一种通式i的化合物，优选地，为liq掺杂的通式i的化合物，通式i的化合物与liq的掺杂质量比为(1～2)：(1～2)，例如，可以是1:1、1:1.5、1:2、1.5:1、2:1，其中，liq为如下的化合物：

91、

92、在本发明的一些实施方案中，电子传输层的厚度为1-80nm(包含之间的任何值及子范围)，例如，1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、26nm、27nm、28nm、29nm、30nm、31nm、32nm、33nm、34nm、35nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm、41nm、42nm、43nm、44nm、45nm、46nm、47nm、48nm、49nm、50nm、51nm、52nm、53nm、54nm、55nm、56nm、57nm、58nm、59nm、60nm、61nm、62nm、63nm、64nm、65nm、66nm、67nm、68nm、69nm、70nm、71nm、72nm、73nm、74nm、75nm、76nm、77nm、78nm、79nm、80nm。

93、在本发明的一些实施方案中，在发光层与电子传输层之间，还可以含有空穴阻挡层。

94、在本发明的一些实施方案中，本发明提供一种oled器件，由下到上，依次包括基板/阳极层、空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层、以及阴极层，上述oled器件又可称为tandem oled，所述电荷产生层包含至少一种通式i的化合物。

95、在本发明的一些实施方案中，电荷产生层由下到上依次包括n型掺杂层、间隔层以及p型掺杂层。

96、在本发明的一些实施方案中，本发明的tandem oled器件可以含有多个(例如，三个或四个)由电荷产生层串联的发光层，示例性地，由下到上，依次包括基板/阳极层、空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二发光层、第三空穴传输层、电荷产生层、第三发光层、第三电子阻挡层、第二电子传输层、电子注入层、以及阴极层。

97、在本发明的一些实施方案中，本发明的tandem oled器件，由下到上，依次包括基板/阳极层、空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、第一电子传输层、n型掺杂层、间隔层、p型掺杂层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层、以及阴极层，所述n型掺杂层包含至少一种通式i的化合物。

98、在本发明的一些实施方案中，n型掺杂层进一步包含至少一种掺杂剂，优选地，掺杂剂为yb。

99、在本发明的一些实施方案中，n型掺杂层的材料中，通式i的化合物与掺杂剂的质量比为(90～100)：(1～10)，例如，可以是：90:10、91:9、92:8、93:7、94:6、95:5、96:4、97:3、98:2、99:1。

100、在本发明的一些实施方案中，n型掺杂层的厚度可以为0.5-20nm，例如，可以是0.5nm、1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm。

101、在本发明的一些实施方案中，由于间隔层设置在发光层之间，电子传输能力和空穴传输能力兼具的材料即可使用，示例性地，间隔层可以为ag，间隔层的厚度可以为0.5-20nm，例如，可以是0.5nm、1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm。

102、在本发明的一些实施方案中，p型掺杂层的材料可以是如下化合物中的一种或至少两种的组合：

103、

104、在本发明的一些实施方案中，在p型掺杂层中，ht与p-dopant的质量比为1:(0.001～1)，例如，可以是1:0.001、1:0.005、1:0.01、1:0.02、1:0.03、1:0.04、1:0.05、1:0.06、1:0.08、1:0.1、1:0.2、1:0.4、1:0.6、1:0.8、1:1。

105、在本发明的一些实施方案中，p型掺杂层的厚度可以为0.5-20nm，例如，可以是0.5nm、1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm。

106、在本发明的一些实施方案中，在tandem oled器件中，电子传输层材料包含如下化合物中的一种或至少两种的组合：

107、

108、在本发明的一些实施方案中，在tandem oled器件中，在电子传输层材料中，et与liq的质量比为(2～1):(1～2)，例如可以是：2:1、2:1.5、1:1.5、1:1、1:2。

109、再一方面，本发明提供一种通式i的化合物组为n型掺杂剂在tandem oled器件中的应用。

110、有益效果：本发明提供一种通式i的化合物，一方面，本发明的通式i的化合物作为电子传输层材料，应用于oled器件中，具有较小的电压、较大的电流效率、较高的功率效率、较大的blue index值、较长的使用寿命。另一方面本发明的通式i的化合物作为n型掺杂层材料，应用于tandem oled器件中，具有较小的电压、较大的电流效率、较高的功率效率、较大的blue index值、较长的使用寿命，极大扩展了tandem oled在大尺寸屏幕和车载显示中的应用。还提供了通式i的化合作为n型掺杂材料在tandem oled器件中的应用。