超高分子量聚硅氧烷脱挥装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及聚硅氧烷的脱挥发份的装置，特别涉及一种超高分子量聚硅氧烷脱挥装置。
【背景技术】
[0002]聚硅氧烷的生产一般采取催化平衡工艺，所用设备为聚合釜。同时反应又是平衡反应，中间存在大量的低聚物和单体(即挥发份)，需要脱去。在反应釜中由于聚硅氧烷集中，厚度大，随着聚硅氧烷的分子量变大，聚硅氧烷粘度变大，使得脱去挥发份变得困难，同时也需要更长的时间和更大的功率来脱去挥发份，且挥发份量一般大于1.0%，尤其对于超高分子量聚娃氧烧。
【实用新型内容】
[0003]为了解决现有超高分子量聚硅氧烷脱挥装置挥发份脱去速度慢、时间长、能耗高且挥发份脱去率低的技术问题，本实用新型提供一种挥发份脱去速度快、时间短、能耗低且挥发份脱去率高的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置。
[0004]本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置包括罐体、多孔板、进料口、出料口及支撑结构，所述进料口及所述出料口分别设于所述罐体两端，连通所述罐体，所述多孔板设于所述罐体内部，近所述进料口一端，所述支撑结构设于所述罐体内部，一端固定于所述罐体近所述出料口一端，另一端与所述多孔板连接。
[0005]在本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置的一种较佳实施例中，所述支撑结构包括支撑板及支撑拄，所述支撑板固定于所述罐体近所述出料口一端，所述支撑柱设于所述罐体中心轴位置，两端分别连接所述多孔板及所述支撑板。
[0006]在本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置的一种较佳实施例中，所述超高分子量聚硅氧烷脱挥装置还包括锥面体，所述锥面体包括孔，所述锥面体设于所述支撑结构上。
[0007]在本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置的一种较佳实施例中，所述锥面体包括正面锥面体及反面锥面体，所述正面锥面体设于所述反面锥面体的垂直上方，且所述正面锥面体大小比所述反面锥面体小。
[0008]在本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置的一种较佳实施例中，所述正面锥面体及所述反面锥面体数量均为两个。
[0009]在本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置的一种较佳实施例中，所述超高分子量聚硅氧烷脱挥装置还包括真空口，所述真空口设于所述罐体中部位置，连同所述罐体。
[0010]在本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置的一种较佳实施例中，所述多孔板上的孔为50-80个。
[0011]本实用新型的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置1具有如下有益效果:
[0012]—、采用一种新型的超高分子量聚硅氧烷脱挥发份的装置，使得超高分子量聚硅氧烷中挥发份脱去能相对快速，时间短，且能耗低，超高分子量聚硅氧烷在2-3小时，即可脱去挥发份，挥发份可达到0.8 %以下，并且经过此装置后，超高分子量聚硅氧烷的均匀性得到改善。
[0013]二、所述多孔板及所述锥面体采用孔设计，把超高分子量聚硅氧烷分割成很多带状的胶体流下，增大其表面积，使其在脱挥发装置中能更加快速的脱去挥发份。
[0014]三、所述罐体上设置有所述真空口，可使所述罐体处于真空状态，以利于挥发份的脱去。
[0015]四、所述正面锥面体及所述反面锥面体的设置，延长了超高分子量聚硅氧烷在罐体中的停留时间，使得脱挥的时间更长一些，同时使得超高分子量聚硅氧烷在该装置中有一个混合的过程，使得超高分子量聚硅氧烷具有更好的均匀性。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中:
[0017]图1是本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置一较佳实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0019]请参阅图1，是本实用新型提供的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置一较佳实施例的结构示意图。
[0020]所述超高分子量聚硅氧烷脱挥装置1包括罐体11、多孔板12、进料口 13、出料口14、锥面体15、真空口 16及支撑结构17。
[0021]所述进料口 13及所述出料口 14分别设于所述罐体11两端，连通所述罐体11，所述多孔板12设于所述罐体11内部，近所述进料口 13 —端，所述支撑结构17设于所述罐体11内部，一端固定于所述罐体11近所述出料口 14 一端，另一端与所述多孔板12连接。所述锥面体15包括孔，所述锥面体15设于所述支撑结构17上。所述真空口 16设于所述罐体11中部位置，连同所述罐体11。所述多孔板12上的孔为50-80个
[0022]所述支撑结构17包括支撑板171及支撑拄172。所述支撑板171固定于所述罐体11近所述出料口 14 一端，所述支撑柱172设于所述罐体11中心轴位置，两端分别连接所述多孔板12及所述支撑板172。
[0023]所述锥面体15包括正面锥面体151及反面锥面体152。所述正面锥面体151设于所述反面锥面体152的垂直上方，且所述正面锥面体151大小比所述反面锥面体152小。所述正面锥面体151及所述反面锥面体152数量均为两个。
[0024]本实用新型的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置1具有如下有益效果:
[0025]—、采用一种新型的超高分子量聚硅氧烷脱挥发份的装置，使得超高分子量聚硅氧烷中挥发份脱去能相对快速，时间短，且能耗低，超高分子量聚硅氧烷在2-3小时，即可脱去挥发份，挥发份可达到0.8 %以下，并且经过此装置后，超高分子量聚硅氧烷的均匀性得到改善。
[0026]二、所述多孔板12及所述锥面体15采用孔设计，把超高分子量聚硅氧烷分割成很多带状的胶体流下，增大其表面积，使其在脱挥发装置中能更加快速的脱去挥发份。
[0027]三、所述罐体11上设置有所述真空口 16，可使所述罐体11处于真空状态，以利于挥发份的脱去。
[0028]四、所述正面锥面体151及所述反面锥面体152的设置，延长了超高分子量聚硅氧烷在罐体9中的停留时间，使得脱挥的时间更长一些，同时使得超高分子量聚硅氧烷在该装置中有一个混合的过程，使得超高分子量聚硅氧烷具有更好的一致性。
[0029]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种超高分子量聚硅氧烷脱挥装置，其特征在于，包括罐体、多孔板、进料口、出料口及支撑结构，所述进料口及所述出料口分别设于所述罐体两端，连通所述罐体，所述多孔板设于所述罐体内部，近所述进料口一端，所述支撑结构设于所述罐体内部，一端固定于所述罐体近所述出料口一端，另一端与所述多孔板连接。2.根据权利要求1所述的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置，其特征在于，所述支撑结构包括支撑板及支撑拄，所述支撑板固定于所述罐体近所述出料口一端，所述支撑柱设于所述罐体中心轴位置，两端分别连接所述多孔板及所述支撑板。3.根据权利要求1所述的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置，其特征在于，所述超高分子量聚硅氧烷脱挥装置还包括锥面体，所述锥面体包括孔，所述锥面体设于所述支撑结构上。4.根据权利要求3所述的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置，其特征在于，所述锥面体包括正面锥面体及反面锥面体，所述正面锥面体设于所述反面锥面体的垂直上方，且所述正面锥面体大小比所述反面锥面体小。5.根据权利要求4所述的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置，其特征在于，所述正面锥面体及所述反面锥面体数量均为两个。6.根据权利要求1所述的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置，其特征在于，所述超高分子量聚硅氧烷脱挥装置还包括真空口，所述真空口设于所述罐体中部位置，连同所述罐体。7.根据权利要求1所述的超高分子量聚硅氧烷脱挥装置，其特征在于，所述多孔板上的孔为50-80个。
【专利摘要】本实用新型提供一种超高分子量聚硅氧烷脱挥装置。所述超高分子量聚硅氧烷脱挥装置包括罐体、多孔板、进料口、出料口及支撑结构，所述进料口及所述出料口分别设于所述罐体两端，连通所述罐体，所述多孔板设于所述罐体内部，近所述进料口一端，所述支撑结构设于所述罐体内部，一端固定于所述罐体近所述出料口一端，另一端与所述多孔板连接。本实用新型采用一种新型的超高分子量聚硅氧烷脱挥发份的装置，使得超高分子量聚硅氧烷中挥发份脱去能相对快速，时间短，且能耗低，且脱挥发份后超高分子量聚硅氧烷的挥发份可达到0.8％以下。
【IPC分类】C08G77/34
【公开号】CN205115352
【申请号】CN201520830448
【发明人】成述华, 张清梅
【申请人】成都思立可科技有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年10月23日