专利名称：新型硅基蓝－紫光发光材料的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种新型硅基发光材料，尤其是一种新型硅基蓝一紫光发光材料。
目前，一般的硅基发光材料通常为发射长波长光波(如红光)的发光材料，但目前尚未有发射蓝一紫光的发光材料。
本实用新型的目的是为了提供一种性能稳定且发光效率较高的发射蓝一紫光的发光材料。
本实用新型的目的可通过如下措施来实现一种新型硅基蓝一紫光发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层，在发光层上设有薄膜保护层。
本实用新型相比现有技术具有如下优点1、本实用新型的发光层中的发光中心微区分布均匀，发光层参数可分别控制。
2、本实用新型的材料为发射蓝一紫光的新型硅基发光材料，具有透光保护层一发光层一硅基片层三明治结构，表面的透光保护层薄膜可保护发光层使其不易遭到损坏。
本实用新型的具体结构由以下附图给出
图1是本实用新型的结构示意
图1-单晶硅基片层2-发光层3-薄膜保护层本实用新型还将结合附图实施例作进一步详述参照
图1，一种新型硅基蓝一紫光发光材料是在单晶硅基片层1上设有发光层2，在发光层2上设有薄膜保护层3。
所述的发光层2为具有CxSiyO1-x-y的结构，其中x=0.005-0.92，y=0.02-0.45；发光层2厚度为0.05-4.0μm，发光中心微区面密度为1×109-1×1015cm-2，发光波长为370nm-470nm。
所述的薄膜保护层3具有类SiO2结构，厚度为0.08-2.0μm。
权利要求1.一种新型硅基蓝一紫光发光材料，其特征在于在单晶硅基片层(1)上设有发光层(2)，在发光层(2)上设有薄膜保护层(3)。
2.如权利要求1所述的新型硅基蓝一紫光发光材料，其特征在于所述的发光层(2)为CxSiyOl-x-y结构。
3.如权利要求1所述的新型硅基蓝一紫光发光材料，其特征在于所述的薄膜保护层(3)具有类SiO2结构。
4.如权利要求1所述的新型硅基蓝一紫光发光材料，其特征在于所述的薄膜保护层(3)的厚度为0.08-2.0μm，发光层(2)厚度为0.05-4.0μm，发光中心微区面密度为1×109-1×1015cm-2，发光波长为370nm-470nm。
专利摘要本实用新型步及一种新型硅基蓝－紫光发光材料,该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层,在发光层上设有薄膜保护层;本实用新型的性能稳定且发光效率较高,另本实用新型可发出蓝－紫光。
文档编号C09K11/00GK2455716SQ0026144
公开日2001年10月24日 申请日期2000年12月13日 优先权日2000年12月13日
发明者王志光, 金运范, 谢二庆 申请人:中国科学院近代物理研究所