有机发光二极管的制作方法

有机发光二极管的制作方法
【专利摘要】在本申请中，公开了一种有机发光二极管，其包括：阳极；阴极；在阳极和阴极之间提供的发光层；与阳极相邻且掺杂p-型掺杂剂的第一有机产物层；以及与阴极相邻且掺杂p-型掺杂剂的第二有机产物层。
【专利说明】有机发光二极管

【技术领域】
[0001] 本说明书涉及一种有机电致发光器件。
[0002] 本申请要求于2012年5月31日向韩国专利局提交的韩国专利申请第 10-2012-0058946号的优先权，其全部公开内容在此通过引证的方式纳入本说明书。

【背景技术】
[0003] -种有机电致发光器件，通过将两电极中的电子和空穴注入有机材料层中而将电 流转换成可见光。所述有机电致发光器件可具有包含两层或多层有机材料层的多层结构。 如果有必要的话，除发光层之外，有机电致发光器件可还包含电子或空穴注入层，电子或空 穴阻挡层或电子或空穴传输层。
[0004] 近年来，随着有机电致发光器件的用途多样化，已积极进行关于可以改进有机电 致发光器件性能的材料的研究。


【发明内容】

[0005] 技术问题
[0006] 本说明书描述了 一种具有新型结构的有机电致发光器件。
[0007] 技术方案
[0008] 根据本说明书的一个示例性实施方案，有机电致发光器件包括：阳极；阴极；在阳 极和阴极之间提供的发光层；与阳极连接且掺杂P-型掺杂剂的第一有机材料层；以及与阴 极连接且掺杂P-型掺杂剂的第二有机材料层，其中，第一有机材料层中的P-型掺杂剂的含 量占第一有机材料层的50重量％或以上且小于100重量％。
[0009] 根据本说明书的另一个示例性实施方案，当第一有机材料层中的p_型掺杂剂的 浓度为A重量％且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量％时，可满足A-B > B。
[0010] 根据本说明书的又一个示例性实施方案，当第一有机材料层中的P-型掺杂剂 的浓度为A重量％且第二有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度为B重量％时，可满足 A-B 彡 1. 5B。
[0011] 根据本说明书的又一个示例性实施方案，当第一有机材料层中的P-型掺杂剂的 浓度为A重量％且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量％时，可满足A-B > 2B。
[0012] 有益效果
[0013] 根据本说明书的示例性实施方案可提供一种有机电致发光器件，通过使与阳极连 接的有机材料层及与阴极连接的有机材料层包含P-型掺杂剂，并设定与阳极连接的有机 材料层中的P-型掺杂剂的浓度为50重量％或以上，使该器件具有低驱动电压、高亮度及优 异的发光效率。具体而言，当与阳极连接的有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度及与阴极连 接的有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度控制在特定的范围内时，可进一步改进所述器件 的上述性能。

【专利附图】

【附图说明】
[0014] 图1说明了本说明书一个示例性实施方案的有机电致发光器件的有机材料层的 堆叠结构。
[0015] 图2说明了本说明书另一个示例性实施方案的有机电致发光器件的有机材料层 的堆叠结构。
[0016] 图3说明了在图1中所阐述的有机电致发光器件中的第二有机材料层和阴极之间 的电荷移动。
[0017] 图4说明了在图2中所阐述的有机电致发光器件中的电子注入层或电子传输层、 第二有机材料层以及阴极之间的电荷移动。
[0018] 图5是表明根据P-型掺杂剂浓度的有机薄膜粗糙度的图表。

【具体实施方式】
[0019] 在下文中将详细描述本说明书中所示范的示例性实施方案。
[0020] 在本说明书中，n-型意味着n-型半导体特性。换言之，n-型有机材料层为具有在 LUM0能级注入或传输电子的特性的有机材料层，及具有电子迁移率大于空穴迁移率的材料 的特性的有机材料层。相反，P-型意味着P-型半导体特性。换言之，P-型有机材料层为 具有在最高占据分子轨道（the highest occupied molecular orbital,HOMO)能级注入或 传输空穴的特性的有机材料层，及具有空穴迁移率大于电子迁移率的材料的特性的有机材 料层。"在H0M0能级传输电荷的有机材料层"和p-型有机材料层可具有相同含义。此外， "在LUM0能级传输电荷的有机材料层"和n-型有机材料层可具有相同含义。
[0021] 在本说明书中，P-型掺杂剂意指电子受体材料。
[0022] 在本说明书中，能级意指能量大小。因此，即使当能级表示为真空能级的负（_)方 向时，该能级理解为意指相应能量值的绝对值。例如，所述H0M0能级意指真空能级到最高 占据分子轨道之间的距离。此外，所述LUM0能级意指真空能级到最低未占分子轨道（the lowest unoccupied molecular orbital)之间的距离。
[0023] 在本说明书中，电荷意指电子或空穴。
[0024] 在本说明书中，"与阳极连接的有机材料层"指基于发光层设置为与阴极相比更靠 近阳极的有机材料层，且"与阴极连接的有机材料层"指基于发光层设置为与阳极相比更靠 近阴极的有机材料层，此时，与阳极或阴极连接的有机材料层可包含与阳极或阴极物理接 触的有机材料层。然而，在本说明书描述的示例性实施方案中，不完全排除在与阳极或阴极 连接的有机材料层和阳极或阴极之间提供额外层的情况。
[0025] 在本说明书中，所述p-型掺杂剂是指相对接收在含p-型掺杂剂的有机材料层中 的主材料的电子的材料。相反地，在含P-型掺杂剂的有机材料层中的主材料是指相对地给 予p-型掺杂剂电子的材料。
[0026] 根据本说明书的示例性实施方案的有机电致发光器件包括：阳极；阴极；在阳极 和阴极之间提供的发光层；与阳极连接且掺杂P-型掺杂剂的第一有机材料层；以及与阴极 连接且掺杂P-型掺杂剂的第二有机材料层。换言之，所述有机电致发光器件包括在与阳极 连接的有机材料层和与阴极连接的有机材料层中的P-型掺杂剂。如上所述，即使当通过包 含在其两侧上含有大量的P-型掺杂剂的有机材料层而形成厚有机材料层时，驱动电压仍 可保持在低水平。
[0027] 在所述示例性实施方案中，第一有机材料层中的p-型掺杂剂的含量为50重量％ 或以上且低于100重量％。在所述范围内选择第一有机材料层中的P-型掺杂剂浓度可表 现出降低驱动电压的作用且有利于所述器件的稳定性和电特性。具体而言，在将下面描述 的式1的化合物用作第一有机材料层的P-型掺杂剂的情况下，当第一有机材料中的式1化 合物的含量为50重量％或以上时，可使降低驱动电压并改进器件稳定性的效果最大化。
[0028] 同时，当在第二有机材料层中的p_型掺杂剂的含量低时，通过第二有机材料层的 其它材料而产生粗糙度，且可显示出光散射效果，因此显示出光提取作用。例如，当下述式1 的化合物用作第二有机材料层的P-型掺杂剂，且芳香胺化合物，特别是NPB用作在第二有 机材料层中待掺杂的材料时，第二有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度必须低于第一有机 材料层中的P-型掺杂剂的浓度。
[0029] 根据本说明书的另一个示例性实施方案，当第一有机材料层中的p_型掺杂剂的 浓度为A重量％且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量％时，可满足A-B > B。
[0030] 根据本说明书的又一个示例性实施方案，当第一有机材料层中的p-型掺杂剂 的浓度为A重量％且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量％时，可满足 A-B 彡 1. 5B。
[0031] 根据本说明书的又另一个示例性实施方案，当第一有机材料层中的P-型掺杂 剂的浓度为A重量％且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量％时，可满足 A-B 彡 2B。
[0032] 图1说明了根据示例性实施方案的有机电致发光器件的有机材料层的堆叠顺序。 根据图1，在基板上依序堆叠阳极、第一有机材料层、发光层、第二有机材料层及阴极。图1 说明了在基板上提供阳极的实例，但在基板上提供阴极的情况也包含在本说明书所述的示 例性实施方案范围内。例如，本说明书所述的有机电致发光器件可具有在基板上依序堆叠 阴极、第二有机材料层、发光层、第一有机材料层、以及阳极的结构。
[0033] -般而言，在有机电致发光器件中，从阴极向发光层注入并传输电子，从阳极向发 光层注入并传输空穴。因此，在相关技术的有机电致发光器件中，通过LUM0能级注入或传 输电子的n-型有机材料层设置在阴极和发光层之间。
[0034]与已在有机电致发光器件领域中想到的技术相反的是，将包含p-型掺杂剂的有 机材料层设置为与阴极连接的有机材料层。然而，根据本说明书的描述，将包含P-型掺杂 剂的第二有机材料层设置为与阴极连接的有机材料层。
[0035] 在图1所说明的器件中，在阴极和与阴极连接的第二有机材料层之间注入电荷的 方法将在下文中更详细地描述。
[0036] 在含n_型有机材料层作为与阴极连接的有机材料层的相关技术中的有机电致发 光器件中，从阴极中注入电子的障碍是阴极的功函数与n-型有机材料层的LUM0能级之间 的差。在相关技术的有机电致发光器件中，电子为了从阴极的功函数移动到n-型有机材料 层的LUM0能级，需要克服电子注入障碍，其相当于阴极的功函数与n-型有机材料层的LUM0 能级之间的差。因此，在相关技术的有机电致发光器件结构中，为减少电子注入障碍，引入 电子注入层（例如LiF层），电子传输层用碱金属或碱土金属掺杂，或使用具有低功函数的 金属作为阴极材料。
[0037] 然而，根据本说明书所述的示例性实施方案，空穴通过上述含p_型掺杂剂的第二 有机材料层的HOMO能级移向阴极。图3说明了在本说明书所述的有机电致发光器件（例 如在图1中所阐述的有机电致发光器件）中的阴极和含P-型掺杂剂的第二有机材料层之 间的电荷移动不意图。根据图3,传输至包含p-型掺杂剂的第二有机材料层的HOMO能级的 空穴与阴极的电子相遇并湮灭。因此，在阴极和第二有机材料层之间并不存在电子注入障 碍。因此，在本说明书中所述的有机电致发光器件中，不需要致力于降低阴极至有机材料层 的电子注入障碍。
[0038]因此，根据本说明书的描述，可从具有各种功函数的材料中选择阴极材料。
[0039] 图1说明了阳极、第一有机材料层、发光层、第二有机材料层及阴极彼此直接接触 的结构。然而，在阳极和第一有机材料层之间、在第一有机材料层和发光层之间、在发光层 和第二有机材料层之间或在第二有机材料层和阴极之间可额外提供有机材料层。例如，当 在阳极与第一有机材料层或阴极与第二有机材料层之间提供额外有机材料层时，可包括 P-型有机材料层。P-型有机材料层可包含在阳极和第一有机材料层之间，或第一有机材料 层和发光层之间，且其可用作空穴注入层或空穴传输层。
[0040] 根据本说明书的又另一个示例性实施方案，可在发光层和第二有机材料层之间提 供电子注入层或电子传输层。在此，电子注入层或电子传输层包括电子注入层、电子传输层 或同时注入或传输电子的层。可提供n-型有机材料层作为电子注入层或电子传输层。为 了区别本说明书的额外的n-型有机材料层，在发光层与第二有机材料层之间提供的并与 第二有机材料层接触的n-型有机材料层称为第一 n-型有机材料层。
[0041] 图2说明了包含电子注入层或电子传输层的有机电致发光器件的实例。图2说明 了电子注入层或电子传输层与发光层接触，但可在这些层之间提供额外有机材料层。
[0042] 在图2所说明的器件中，在阴极、与阴极连接的第二有机材料层、第一 n-型有机材 料层、及发光层之间注入电荷的方法将在下文中更详细地描述。
[0043] 根据图2,第一n-型有机材料层配置于第二有机材料层和发光层之间。在此，在包 含P-型掺杂剂的第二有机材料层和第一 n-型有机材料层之间可产生电荷。在第二有机材 料层和第一 n-型有机材料层之间产生的电荷中，空穴通过第二有机材料层的HOMO能级移 向阴极。通过第二有机材料层的H0M0能级所移动的空穴在阴极的方向上逃逸。此外，在第 二有机材料层和第一 n-型有机材料层之间产生的电荷中，电子通过第一 n-型有机材料层 的LUM0能级移向发光层。
[0044] 在如图2所说明的结构中，在上述包含p-型掺杂剂的第二有机材料层和第一 n-型有机材料层之间产生电荷，且所产生的电荷中的空穴通过第二有机材料层的H0M0能 级移向阴极。图4说明了在图2所述结构中的电荷移动不意图。
[0045] 同时，有机电致发光器件中的发光特性是该器件的一个重要特性。为了在有机电 致发光器件中有效地发光，在发光区域实现电荷平衡是重要的。为此，从阴极传输的电子和 从阳极传输的空穴需要达到定量平衡，且在电子和空穴彼此相遇形成激子（extion)的点 必须位于发光区域之内。
[0046] 同时，在所述的有机电致发光器件中，可使用根据发光颜色控制该器件的共振腔 (cavity)的方法作为提高发光效率的方法之一。通过控制该器件的共振腔，可进一步提高 发光效率，以便其适合于发光颜色的波长。在此，所述器件的共振腔是指在该器件内可共 振的光的长度。在一个实例中，当上电极（upper electrode)为透明电极，下电极（lower electrode)为反射电极时，所述器件的共振腔可指从上电极的顶部到下电极的顶部之间的 长度。
[0047] 此外，在所述有机电致发光器件中，从发光层到阴极之间的距离也可通过表面电 楽（surface plasmon)、金属、波导模式（waveguide mode)、基板模式（substrate mode)、外 偶合模式（out-coupled mode)等等影响光损失。因此,可能有必要调节发光层至阴极的距 离。
[0048] 为了控制上述器件的共振腔或发光层至其阴极的距离，在相关技术中的有机电致 发光器件的结构中，当与阴极连接的n-型有机材料层的厚度（例如电子传输层）增加时， 可造成电荷失衡。然而，根据本说明书的描述，在所述有机电致发光器件中，可以控制与阴 极连接的第二有机材料层的厚度。即控制第二有机材料层的厚度可用于控制所述器件的共 振腔或发光层与阴极之间的距离。在本说明书的示例性实施方案中，到达发光层的电子不 是从阴极传输的，而是在第二有机材料层和第一 n-型有机材料层之间产生的。因此，控制 第二有机材料层的厚度并不影响发光层中的电荷平衡。此外，在本说明书的示例性实施方 案中，当控制第二有机材料层的厚度时，可将相关技术的结构中的问题最小化，驱动电压随 着电子传输层（其为n-型有机材料层）的厚度的增加而增加。
[0049] 在相关技术的结构中，当控制阴极至发光层的距离（D)时，可影响发光层中的电 荷平衡。原因是当控制n-型有机材料层（例如电子注入层或电子传输层）的厚度时改变 了到达发光层的电子的数量。图4说明了在如图2所述的根据本说明书的示例性实施方案 的有机电致发光器件的结构中从阴极至发光层的结构。在本说明书的示例性实施方案的 结构中，当控制与阴极连接的第二有机材料层的厚度Dh时，可影响控制发光层的发光点到 阴极的距离，所述距离与所述器件的共振腔有关，但因为与电子数量有关的长度De不受影 响，因此不影响电荷平衡。在此，发光层中的发光点是指根据电子和空穴的平衡而实际发光 的点。发光点可根据发光层的材料而改变。在本发明涉及的技术中，发光层的中心点或发 光层和其它层之间的界面可设定为发光点。
[0050] 例如，当阴极用作反射板时，可将从发光层中的发光点到阴极的距离D控制为[所 述有机材料层的折射率* A/4]的整数倍。此时，A为发光层所发出的光的波长。因为具 有不同颜色的光具有不同的波长，可根据发光层所发出的光的颜色而区别性地控制发光层 中的发光点到阴极之间的距离D。此外，又可根据有机材料层的折射率而区别性地控制发光 层中的发光点到阴极的距离D。此时，当有机材料层由两层或多层组成时，有机材料层的折 射率可通过获得每一层的折射率及然后获得的总折射率而计算。
[0051] 此外，当向阴极进行的光到达阴极的表面并反射时，光的穿透深度（penetration cbpth)根据阴极材料的类型而变化。因此，阴极材料的类型引起从阴极表面反射的光的相 的变化。此时，考虑到相位差的改变，需要控制发光层中的发光点到阴极的距离D。因此，阴 极材料也可影响发光层至阴极的距离。
[0052] 当产生与从发光层到阴极所进行的光匹配的相位且光从所述阴极反射时，发生结 构干涉（constructive interference),并因此可产生强光，且相反，当光之间不产生匹配 的相位时，发生相消干扰（destructive interference)，并因此煙灭一部分光。根据如上所 述的相位匹配和相位不匹配现象，根据发光层至阴极的距离，发射光的亮度以正弦曲线的 形式显示。
[0053] 根据本说明书的一个示例性实施方案，在根据发光层至阴极的距离而显示的所述 器件的发光亮度的正弦曲线中，在光亮度为最大的点处的x轴的值可设定为发光层至阴极 的距离。
[0054] 根据本说明书的一个示例性实施方案，可以控制第二有机材料层和第一n_型有 机材料层之间的边界至发光层的距离及阳极至发光层的距离，使得发光层中空穴的数量与 其中的电子的数量平衡。在本文中，空穴的数量和电子的数量之间的平衡是指注入发光层 的空穴与电子在发光层中彼此结合并因此有效地形成用于光发射的激子，且将包含形成激 子的空穴和电子的损失减至最小。例如，当器件中空穴的数量大于其中的电子的数量时，除 由于过多的空穴而包含在激子中的空穴外，产生不发射光且被湮灭的空穴，因此在所述器 件中造成量子效率损失。相反，当电子的数量大于空穴的数量时，可造成电子损失。因此， 可通过实现注入空穴和电子的定量平衡而企图降低在对发射光没有贡献的情况下湮灭的 空穴和电子的数量。
[0055] 例如，在发光层中空穴和电子之间实现定量平衡的方法中，控制空穴和电子的移 动速率也是重要的。当发光层中过多地存在空穴时，可通过增加电子的注入速率而在发光 层中取得空穴和电子之间的平衡。一般而言，在阳极和发光层之间所提供的材料的空穴迁 移率（即在第二电荷传输途径与传输空穴中）比在阴极和发光层之间提供的材料的电子迁 移率（即在第一电荷传输途径与传输电子中）快。例如，NPB的空穴迁移率为8. 8*l(T4Cm2/ Vs，然而，Alq3的电子迁移率为6. 7*10_5cm2/Vs。
[0056] 因此，为了提高所述器件的发光效率，增加电子迁移率是重要的，且当增加且利用 阴极到发光层的距离时，可有效增加第二有机材料层的厚度而非第一n-型有机材料层的 厚度。
[0057] 因此，根据一个实例，第二有机材料层和第一n-型有机材料层之间的边界到发光 层的距离可设置为短于阳极到发光层的距离。在一个具体的实例中，第二有机材料层和第 一 n-型有机材料层之间的边界到发光层的距离可设置为1〇〇A至500在另一个具体 实例中，阳极到发光层的距离可设置为5G0A至5000 A。然而，可根据发光层的特性或 用户不同地控制比值。
[0058] 根据本说明书的一个示例性实施方案，为了保持所述器件的稳定性，可控制第二 有机材料层的厚度。当增加第二有机材料层的厚度时，可进一步改进所述器件的稳定性而 不会影响到所述器件的电荷平衡或使电压增加。
[0059] 在本文中，所述器件的稳定性是指当所述器件薄时可避免由于阳极与阴极之间接 触而产生的短路现象的程度。一般而言，当增加在阴极和发光层之间提供的n-型有机材料 层的厚度时，可改善所述器件的稳定性，但其驱动电压会快速地增加，因此会降低其功率效 率。为了解决相关技术中的问题，已尝试增加阴极与发光层之间提供的n-型有机材料层的 厚度，且并用金属掺杂有机材料层，但存在产生增加光吸收效率和减少使用寿命的问题，且 其方法也变得复杂。
[0060] 然而，根据本说明书的描述，可通过控制第二有机材料层的厚度（其并不影响电 荷平衡或电压的增加）而非控制阴极和发光层之间提供的n-型有机材料层的厚度来增加 发光层和阴极之间的距离。因此，改进了所述器件的稳定性，使驱动电压的增加最小化，从 而增加了功率效率。
[0061] 根据一个实例，在考虑所述器件的稳定性时，阴极到发光层的距离可设置为长于 阳极到发光层的距离。不像相关领域，即使在所述设置中，电荷平衡或电压的增加不会受影 响。在一个具体的实例中，第二有机材料层的厚度可控制为5nm或以上，且当第二有机材料 层变厚时，可提高所述器件的稳定性。第二有机材料层厚度的上限没有特别地限制，可由本 领域技术人员来确定。例如，在考虑方法的容易度时，第二有机材料层的厚度可选自500nm 或以下。
[0062] 根据本说明书的另一个示例性实施方案，可控制第二有机材料层的厚度使得所述 有机电致发光器件的共振腔长度是发光层发出的光的波长的整数倍。通过将所述有机电致 发光器件的共振腔长度控制为上述光波长的整数倍，可改善由光的结构干涉所造成的发光 效率。
[0063] 根据本说明书的另一个示例性实施方案，可控制第二有机材料层和第一n_型有 机材料层之间的边界至发光层的距离和阳极至发光层的距离，使得发光层中的空穴数量与 其中的电子数量平衡，且可控制第二有机材料层的厚度使得所述有机电致发光器件的共振 腔长度是发光层所发出的光的波长的整数倍。
[0064] 根据本说明书的又另一个示例性实施方案，可控制电子从第二有机材料层和第一 n_型有机材料层之间的边界至发光层的移动时间及空穴从阳极至发光层的移动时间，使得 所述器件的空穴和电子在发光层中达到定量平衡，并控制第二有机材料层的厚度，使得所 述有机电致发光器件的共振腔长度是发光层所发出的光的波长的整数倍。
[0065] 根据本说明书的另一个实施方案，第二有机材料层的HOMO能级和第一n-型有机 材料层的LUM0能级之差为2eV或以下。根据本说明书的一个示例性实施方案，第二有机材 料层的HOMO能级和第一n-型有机材料层的LUM0能级之差可高于OeV且为2eV以下，或高 于OeV且为0. 5eV以下。根据本说明书的另一个不例性实施方案，第二有机材料层和第一 n_型有机材料层的材料可选择成使得第二有机材料层的H0M0能级和第一n-型有机材料层 的LUM0能级之差为0.OleV至2eV的材料。
[0066] 在第二有机材料层的H0M0能级和第一n-型有机材料层的LUM0能级之间的能量 差为2eV或以下的情况下，当第二有机材料层和第一n-型有机材料层彼此接触时，在其间 可容易地产生NP结。在此情况下，可降低注入电子的驱动电压。
[0067]当第二有机材料层与第一n-型有机材料层接触时，在第二有机材料层和第一 n_型有机材料层之间形成NP结。当NP结形成时，降低了第二有机材料层的H0M0能级和第 一n-型有机材料层的LUM0能级之间的差。因此，当对其施加外电压时，容易由NP结形成 空穴和电子。
[0068] 根据本说明书的一个示例性实施方案，阴极功函数的值可等于或小于第二有机材 料层的H0M0能级。
[0069] 当阴极的功函数的值等于或小于第二有机材料层的H0M0能级时，当电子从阴极 向第二有机材料层的H0M0能级注入时，不存在注入障碍。
[0070] 根据本说明书的一个示例性实施方案，阴极和第二有机材料层可互相接触。当阴 极和第二有机材料层相互接触且阴极的功函数等于或大于第二有机材料层的H0M0能级 时，即使阴极的功函数与第二有机材料层的HOMO能级之差大，电子也会容易地从阴极注入 第一P-型有机材料层的HOMO能级。这是因为由第二有机材料层和第一 n-型有机材料层 之间的NP结所产生的空穴沿着第二有机材料层向阴极移动。一般而言，当电子从低能级移 动至高能级时，没有障碍。此外，当空穴从高能级移动至低能级时，没有产生障碍。因此，电 子在没有能量位垒的情况下可从阴极向第二有机材料层的HOMO能级移动。
[0071] 在阴极和第二有机材料层之间可额外地提供额外层。在此情况下，所述额外层的 HOMO能级可与阴极的功函数或第二有机材料层的HOMO能级相等，或可在阴极的功函数或 第二有机材料层的HOMO能级之间。
[0072] 在本说明书中，只要所述p-型掺杂剂为电子受体材料，则第一有机材料层和第二 有机材料层中所包含的P-型掺杂剂可在没有特别限制的情况下使用。然而，当下式1的化 合物用作P-型掺杂剂时，驱动电压降低并在第一有机材料层中造成光散射效应，其有利于 提_光提取效果。
[0073] [式 1]
[0074]

【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，其包括： 阳极； 阴极； 在阳极和阴极之间提供的发光层； 与阳极连接且掺杂p-型掺杂剂的第一有机材料层； 与阴极连接且掺杂P-型掺杂剂的第二有机材料层； 其中，第一有机材料层中的P-型掺杂剂的含量占第一有机材料层的50重量％或以上 且低于1〇〇重量％。
2. 权利要求1的有机电致发光器件，其中当第一有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度为 A重量％且第二有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度为B重量％时，A-B彡B。
3. 权利要求1的有机电致发光器件，其中当第一有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度为 A重量％且第二有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度为B重量％时，A-B彡I. 5B。
4. 权利要求1的有机电致发光器件，其中当第一有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度为 A重量％且第二有机材料层中的P-型掺杂剂的浓度为B重量％时，A-B彡2B。
5. 权利要求1的有机电致发光器件，其中第一有机材料层的p_型掺杂剂与第二有机材 料层的P-型掺杂剂为下式1的化合物：
在式1中，Rlb至R6b各自为氢、卤素原子、腈基（-CN)、硝基-N02、磺酰基（-SO 2R)、亚 砜基（-S0R)、磺胺基（_S02NR)、磺酸酯基（_S03R)、三氟甲基（_CF 3)、酯基（-C00R)、酰胺基 (-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直链或支链C1至C12烷氧基、取代或未取代的直链或 支链C1至C12烷基、取代或未取代的直链或支链C2至C12烯基、取代或未取代的芳族或非芳 香族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单或二芳基胺、或取代或未取代的芳烷基 胺，其中R和R'各自为取代或未取代的C1至C6tl烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取 代的5-至7-元杂环。
6. 权利要求1的有机电致发光器件，其中在第一有机材料层和第二有机材料层中，掺 杂P-型掺杂剂的有机材料为下式2的化合物：
在式2中，Ar^ Ar2和Ar3各自独立为氢或经基。
7. 权利要求6的有机电致发光器件，其中在第二有机材料层中的p-型掺杂剂为下式1 的化合物，且下式1的化合物与上式2的化合物的重量比为1 :9至5 :5
在式1中，Rlb至R6b各自为氢、卤素原子、腈基（-CN)、硝基（-NO2)、磺酰基（-SO 2R)、亚 砜基（-S0R)、磺胺基（_S02NR)、磺酸酯基（_S03R)、三氟甲基（_CF 3)、酯基（-C00R)、酰胺基 (-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直链或支链C1至C12烷氧基、取代或未取代的直链 或支链C1至C12烷基、取代或未取代的直链或支链C2至C12烯基、取代或未取代的芳族或非 芳族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单或二芳基胺、或取代或未取代的芳烷基 胺，其中R和R'各为取代或未取代的C1至C6tl烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代 的5-至7-元杂环。
8. 权利要求1的有机电致发光器件，其中在第二有机材料层和发光层之间提供电子注 入层或电子传输层。
9. 权利要求8的有机电致发光器件，其中电子注入层或电子传输层为与第二有机材料 层接触的第一 n-型有机材料层。
10. 权利要求9的有机电致发光器件，其中第一 n-型有机材料层由下式1的化合物构 成
在式1中，Rlb至R6b各自为氢、卤素原子、腈基（-CN)、硝基（-NO2)、磺酰基（-SO 2R)、亚 砜基（-S0R)、磺胺基（_S02NR)、磺酸酯基（_S03R)、三氟甲基（_CF 3)、酯基（-C00R)、酰胺基 (-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直链或支链C1至C12烷氧基、取代或未取代的直链 或支链C1至C12烷基、取代或未取代的直链或支链C2至C12烯基、取代或未取代的芳族或非 芳族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单或二芳基胺、或取代或未取代的芳烷基 胺，其中R和R'各自为取代或未取代的C1至C6tl烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取 代的5-至7-元杂环。
11. 权利要求9的有机电致发光器件，其中第一有机材料层的p-型掺杂剂、第二有机材 料层的P-型掺杂剂以及第一 n-型有机材料层的材料彼此相同。
12. 权利要求11的有机电致发光器件，其中第一有机材料层的p-型掺杂剂、第二有机 材料层的P-型掺杂剂以及第一 n-型有机材料层的材料为下式1的化合物：
在式1中，Rlb至R6b各自为氢、卤素原子、腈基（-CN)、硝基（-NO2)、磺酰基（-SO 2R)、亚 砜基（-S0R)、磺胺基（_S02NR)、磺酸酯基（_S03R)、三氟甲基（_CF 3)、酯基（-C00R)、酰胺基 (-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直链或支链C1至C12烷氧基、取代或未取代的直链 或支链C1至C12烷基、取代或未取代的直链或支链C2至C12烯基、取代或未取代的芳族或非 芳族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单或二芳基胺、或取代或未取代的芳烷基 胺，其中R和R'各为取代或未取代的C1至C6tl烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代 的5-至7-元杂环。
13. 权利要求9的有机电致发光器件，其中在第一 n-型有机材料层和发光层之间提供 第二n-型有机材料层。
14. 权利要求13的有机电致发光器件，其中第二n-型有机材料层为n-型掺杂的。
15. 权利要求14的有机电致发光器件，其中在第二n-型有机材料层和发光层之间提供 第三n-型有机材料层。
16. 权利要求1的有机电致发光器件，其中在第一有机材料层和阳极之间提供第四 n-型有机材料层。
17. 权利要求1至16中任一项的有机电致发光器件，还包括： 基板，其提供于与提供有机材料层的阳极或阴极的表面相对的表面上；以及 光提取层，其提供于阴极或阳极与基板之间，或与提供阳极或阴极的基板的表面相对 的表面上。
18. 权利要求1至16中任一项的有机电致发光器件，其中所述有机电致发光器件为柔 性有机电致发光器件。
19. 包含权利要求1至16中任一项的有机电致发光器件的显示器。
20. 包含权利要求1至16中任一项的有机电致发光器件的照明设备。
【文档编号】C09K11/06GK104335379SQ201380026815
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2013年5月31日 优先权日:2012年5月31日
【发明者】朱文奎, 姜旼秀, 文济民, 咸允慧, 张星守, 刘珍雅, 李在仁 申请人:株式会社Lg化学