技术领域本发明涉及在元件基板的切割中使用的切割用粘着胶带以及使用了切割用粘着胶带的半导体芯片的制造方法。
背景技术：
以往，作为用于制作具有LED(发光二极管)等的半导体芯片的切割用粘着胶带，已知具有由丙烯酸系树脂构成的粘接剂层的粘着胶带(参照专利文献1)。此外，作为使用切割用粘着胶带来制作半导体芯片的方法，已知下述方法：将粘着胶带粘贴于形成有多个半导体元件的半导体元件基板的基板侧，通过切割机将半导体元件基板切断的方法(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-38408号公报专利文献2：日本特开2005-93503号公报
技术实现要素：
发明所要解决的课题另外，近年来，提出了下述技术：当通过切断半导体元件基板来制作半导体芯片时，将粘着胶带贴附于形成有密封半导体元件的密封树脂、设置于半导体元件上的透镜材料的一侧而不是半导体元件基板的基板侧，从而进行切割。这样，在对半导体元件基板从形成密封树脂、透镜材料的一侧贴附粘着胶带的情况下，有时因粘着力不足，会产生半导体芯片的飞溅等。本发明的目的在于，提供对于形成有多个半导体元件的元件基板具有良好的粘着性的切割用粘着胶带以及使用其的半导体芯片的制造方法。用于解决问题的方法基于这样的目的，本发明的切割用粘着胶带的特征在于，是在将形成有多个半导体元件且各个半导体元件由密封树脂密封的元件基板、或在各个半导体元件上形成有透镜材料的元件基板分割成多个半导体芯片时所使用的切割用粘着胶带，具备：基材、以及层叠于所述基材上且包含固化型有机硅系粘着剂和固化剂的粘着剂层。在此，可以使其特征在于，对所述元件基板，从由具有甲基和苯基中的一方或双方作为官能团的有机硅树脂形成的所述密封树脂侧或所述透镜材料侧贴附来使用。此外，可以使其特征在于，所述粘着剂层包含过氧化物固化型有机硅粘着剂、由过氧化物构成的引发剂。进而，可以使其特征在于，相对于所述过氧化物固化型有机硅系粘着剂100重量份，所述引发剂的含量为0.01重量份～15重量份的范围。再进一步，可以使其特征在于，所述粘着剂层包含加成反应型有机硅系粘着剂、交联剂和催化剂。此外，相对于所述加成反应型有机硅系粘着剂100重量份，所述交联剂的含量为0.05重量份～10重量份的范围。进而，若作为半导体芯片的制造方法来掌握本发明，本发明的半导体芯片的制造方法包含：被覆工序，用有机硅树脂覆盖在基板上形成有多个半导体元件的元件基板的该多个半导体元件；贴附工序，对所述元件基板，从所述有机硅树脂侧贴附具备基材以及包含固化型有机硅系粘着剂和固化剂的粘着剂层的粘着胶带；切断工序，将贴附有所述粘着胶带的所述元件基板切断成多个半导体芯片；剥离工序，从所述多个半导体芯片剥掉所述粘着胶带。发明效果根据本发明，能够提供对于形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板具有良好的粘着性的切割用粘着胶带以及使用其的半导体芯片的制造方法。附图说明图1为表示应用本实施方式的粘着胶带的构成的一个例子的图。图2(a)～(d)为表示使用了本实施方式的粘着胶带的半导体芯片的第一制造例的图。图3(a)～(d)为表示使用了本实施方式的粘着胶带的半导体芯片的第二制造例的图。符号说明1…粘着胶带、2…基材、3…粘着剂层具体实施方式以下，说明本发明的实施方式。[粘着胶带的构成]图1为表示应用本实施方式的粘着胶带1的构成的一个例子的图。本实施方式的粘着胶带1在形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的半导体元件基板、或在各个半导体元件上形成有透镜材料的半导体元件基板的切割用途中使用。具体地，本实施方式的粘着胶带1通过从由有机硅树脂形成的密封树脂侧或由有机硅树脂形成的透镜材料侧对半导体元件基板贴附来用于切割。予以说明的是，关于粘着胶带1的使用方法，在后段详细地说明。如图1所示，本实施方式的粘着胶带1具有基材2与粘着剂层3层叠而成的结构。予以说明的是，虽然省略图示，但粘着胶带1，可根据需要，在基材2和粘着剂层3之间具备粘底涂层(anchorcoatlayer)。此外，也可以对基材2的表面(与对置于粘着剂层3的面相反侧的面)施加表面处理。进而，也可以使粘着剂层3的表面(与对置于基材2的面相反侧的面)具备剥离衬垫。＜基材＞在本实施方式的粘着胶带1中使用的基材2的材料，没有特别限定，可使用例如金属制、塑料制等。具体地，作为基材2，可使用例如不锈钢、软质铝等金属箔、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、双轴拉伸聚丙烯、聚酰亚胺、芳族聚酰胺、聚环烯烃、氟系树脂等树脂膜。此外，根据用途，可以对基材2使用例如将铝箔和树脂膜层压的复合膜，在树脂膜的表面上形成有氧化铝、二氧化硅等金属氧化物薄膜的复合膜，以及将这些复合膜进一步与树脂膜层压的复合膜等。其中，作为基材2，优选使用以聚对苯二甲酸乙二醇酯为主成分的材料。＜粘着剂层＞本实施方式的粘着剂层3包含固化型有机硅系粘着剂和用于固化该有机硅系粘着剂的固化剂而构成。此外，粘着剂层3还可以根据需要包含着色剂等。粘着剂层3的厚度优选为5μm～50μm的范围，更优选为20μm～40μm的范围。粘着剂层3的厚度小于5μm的情况下，粘着剂层3所包含的有机硅系粘着剂变薄，因而粘着胶带1的粘着力容易降低。另一方面，粘着剂层3的厚度厚于50μm的情况下，容易产生粘着剂层3的凝集破坏，而在使用这样的粘着胶带1的情况下，当剥掉粘着胶带1时，容易产生粘着剂在附着于被粘物的状态下残留的残胶。在此，本实施方式的粘着剂层3中，作为固化型有机硅系粘着剂，可使用过氧化固化型有机硅系粘着剂或加成反应型有机硅系粘着剂。以下，将使用过氧化物固化型有机硅系粘着剂的情况作为粘着剂层3的第一方式、将对使用加成反应型有机硅系粘着剂的情况作为粘着剂层3的第二方式，依次进行说明。〔第一方式〕第一方式的粘着剂层3包含过氧化物固化型有机硅系粘着剂和由过氧化物构成的引发剂(固化剂)而构成。过氧化物固化型有机硅系粘着剂过氧化物固化型有机硅系粘着剂例如是以将聚二甲基硅氧烷等有机聚硅氧烷与有机聚硅氧烷共聚物树脂进行混合而得到的有机聚硅氧烷混合物为主剂的粘着剂。作为过氧化物固化型有机硅系粘着剂，没有特别限定，可使用例如信越化学工业株式会社制的KR-100、KR-101-10、KR-130、迈图高新材料公司制的YR3340、YR3286、PSA610-SM、XR37-B6722、东丽道康宁株式会社制的SH4280等。添加剂(改性剂)过氧化物固化型有机硅系粘着剂可以包含改性剂作为添加剂。作为用于过氧化物固化型有机硅系粘着剂中的添加剂(改性剂)，使用例如与上述的不同种类的聚二甲基硅氧烷等有机聚硅氧烷、有机聚硅氧烷共聚物树脂、或者将这些混合而得到的有机聚硅氧烷混合物等。作为这样的添加剂(改性剂)，没有特别限定，可使用例如东丽道康宁株式会社制的SD-7292、BY15-701A、SD-7226、SE-1886A/B、信越化学工业株式会社制的X-92-128、X-41-3003等。除此之外，对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂，即使混合后述的加成反应型有机硅系粘着剂作为添加剂，也能够得到与使用上述添加剂(改性剂)时同样的改性效果。作为加成反应型有机硅系粘着剂，没有特别限定，可使用例如信越化学工业株式会社制的KR-3700、KR-3701、X-40-3237-1、X-40-3240、X-40-3291-1、X-40-3229、X-40-3270、X-40-3306、迈图高新材料社制的TSR1512、TSR1516、XR37-B9204、东丽道康宁株式会社制的SD4580、SD4584、SD4585、SD4586、SD4587、SD4560、SD4570、SD4600PFC、SD4593、DC7651ADHESIVE等。引发剂作为由过氧化物构成的引发剂，使用有机过氧化物。对作为引发剂而使用的有机过氧化物，没有特别限定，可举出例如过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷、1,1’-二-叔丁基过氧化-3,3,5-三亚甲基己烷、1,3-二-(叔丁基过氧化)-二异丙基苯等，作为市售产品，可举出例如日油株式会社制的NYPERK40等。含量在此，第一方式的粘着剂层3中的引发剂(有机过氧化物)的含量，相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂100重量份，优选为0.01重量份～15重量份的范围，更优选为0.05重量份～10重量份的范围，进一步优选为0.05重量份～3.5重量份的范围。此外，第一方式的粘着剂层3中的添加剂(改性剂)的含量，相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂100重量份，优选为0重量份～50重量份的范围，更优选为0重量份～30重量份的范围。通过将引发剂和改性剂的含量相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂设为上述范围，能够将粘着剂层3的粘着力和保持力设为作为切割用粘着胶带1而优选的范围。另一方面，在相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂的引发剂的含量过小的情况下，有时在粘着剂层3中过氧化物固化型有机硅系粘着剂固化得不充分，无法得到所期望的粘着力。此外，在过氧化物固化型有机硅系粘着剂没有充分固化的情况下，容易在粘着剂层3中产生凝集破坏。其结果是，在将粘着胶带1用于半导体元件基板的切割后，从所得到的半导体芯片剥掉粘着胶带1时，容易产生残胶。在相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂的引发剂的含量过大的情况下，由于过氧化物固化型有机硅系粘着剂的固化反应过度地进行，从而粘着剂层3变硬，粘着胶带1的粘着力容易降低。并且，在将该粘着胶带1用于切割的情况下，当切断半导体元件基板时，作为切断片的半导体芯片容易从粘着胶带1剥落并飞溅。〔第二方式〕接着，第二方式的粘着剂层3包含加成反应型有机硅系粘着剂作为有机硅系粘着剂并包含交联剂和催化剂作为固化剂而构成。此外，第二方式的粘着剂层3还可包含用于抑制加成反应型有机硅系粘着剂进行急剧的加成反应的反应控制材料而构成。加成反应型有机硅系粘着剂加成反应型有机硅系粘着剂是以在1个聚二甲基硅氧烷分子中至少含有2个与硅原子结合的烯基的聚二甲基硅氧烷等有机聚硅氧烷为主剂的粘着剂。予以说明的是，作为加成反应型有机硅系粘着剂所含有的有机聚硅氧烷的分子结构，可例示例如直链状、具有一部分分支的直链状、支链状、网状。此外，作为在加成反应型有机硅系粘着剂所包含的有机聚硅氧烷中所含有的烯基，可以例示例如乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基，特别优选为乙烯基。作为加成反应型有机硅系粘着剂，没有特别限定，可举出例如信越化学工业株式会社制的KR3700、KR3701、X-40-3237-1、X-40-3240、X-40-3291-1、X-40-3229、X-40-3270、X-40-3306、迈图高新材料公司制的TSR1512、TSR1516、XR37-B9204、东丽道康宁株式会社制的SD4580、SD4584、SD4585、SD4586、SD4587、SD4560、SD4570、SD4600PFC、SD4593、DC7651ADHESIVE等。添加剂(改性剂)加成反应型有机硅系粘着剂可包含改性剂作为添加剂。作为用于加成反应型有机硅系粘着剂的添加剂(改性剂)，使用例如与上述的不同种类的聚二甲基硅氧烷等有机聚硅氧烷、有机聚硅氧烷共聚物树脂、或者将这些混合而得到的有机聚硅氧烷混合物等。作为这样的添加剂(改性剂)，没有特别限定，可使用例如东丽道康宁株式会社制的SD-7292、BY15-701A、SD7226、SE1886A/B、信越化学工业株式会社制的X-92-128、X-41-3003等。除此之外，对于加成反应型有机硅系粘着剂，即使混合前述的过氧化物固化型有机硅系粘着剂作为添加剂，也能够得到与使用上述添加剂(改性剂)时同样的改性效果。作为过氧化物固化型有机硅系粘着剂，没有特别限定，可使用例如信越化学工业株式会社制的KR-100、KR-101-10、KR-130、迈图高新材料公司制的YR3340、YR3286、PSA610-SM、XR37-B6722、东丽道康宁株式会社制的SH4280等。交联剂在加成反应型有机硅系粘着剂的反应中，使用有机聚硅氧烷作为交联剂，所述有机聚硅氧烷在1个有机聚硅氧烷分子中至少具有2个与硅原子结合的氢原子。作为用作交联剂的有机聚硅氧烷的分子结构，可例示例如直链状、具有一部分支的直链状、支链状、环状、网状。作为用于加成反应型有机硅系粘着剂的反应的交联剂，没有特别限定，可举出例如信越化学株式会社制的X-92-122、东丽道康宁株式会社制的BY24-741等。催化剂对于加成反应型有机硅系粘着剂的反应使用催化剂，所述催化剂用于促进由加成反应型有机硅系粘着剂与交联剂的加成反应(氢化硅烷化)而引起的固化。作为催化剂，使用铂系催化剂、铑系催化剂、钯系催化剂等公知的氢化硅烷化反应用催化剂。这些催化剂中，特别是铂微粉末、铂黑、铂载持二氧化硅微粉末、铂载持活性炭、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂的烯烃络合物、铂的烯基硅氧烷络合物等铂系催化剂反应速度良好，因此优选。作为在加成反应型有机硅系粘着剂的反应中使用的催化剂，没有特别限定，可举出例如信越化学工业株式会社制的CAT-PL-50T、东丽道康宁株式会社制的SRX-212Cat、NC-25等。反应控制剂作为在第二方式的粘着剂层3中根据需要使用的反应控制剂，没有特别限定，可举出例如信越化学工业株式会社制的CAT-PLR-2、东丽道康宁株式会社制的BY24-808等。含量在此，相对于加成反应型有机硅系粘着剂100重量份，第二方式的粘着剂层3中的交联剂的含量优选为0.05重量份～10重量份的范围，更优选为0.1重量部～7重量份的范围，进一步优选为0.1重量份～2重量份的范围。此外，相对于加成反应型有机硅系粘着剂100重量份，第二方式的粘着剂层3中的添加剂(改性剂)的含量优选为0重量份～50重量份的范围，更优选为0重量份～30重量份的范围。通过将交联剂和改性剂的相对于加成反应型有机硅系粘着剂的含量设为上述范围，能够将粘着剂层3的粘着力和保持力设为作为切割用粘着胶带1而优选的范围。另一方面，在交联剂相对于加成反应型有机硅系粘着剂的含量过小的情况下，有时粘着剂层3中的交联反应进行得不充分，无法得到所期望的粘着力。此外，加成反应型有机硅系粘着剂的交联反应没有充分进行的情况下，容易在粘着剂层3中产生凝集破坏。其结果是，将粘着胶带1用于半导体元件基板的切割后，从所得到的半导体芯片剥掉粘着胶带1时，容易产生残胶。进而，在交联剂相对于加成反应型有机硅系粘着剂的含量过大的情况下，由于加成反应型有机硅系粘着剂的交联反应过度地进行，从而粘着剂层3变硬，粘着胶带1的粘着力容易降低。并且，在将该粘着胶带1用于切割的情况下，当切断半导体元件基板时，作为切断片的半导体芯片容易从粘着胶带1剥落并飞溅。此外，第二方式的粘着剂层3中的催化剂含量没有特别限定，例如相对于要加成反应型有机硅系粘着剂100重量份，可设为0.01重量份～5重量份左右。＜粘底涂层＞如上所述，在本实施方式的粘着胶带1中，可根据粘着胶带1的制造条件、制造后的粘着胶带1的使用条件等，在基材2与粘着剂层3之间设置与基材种类匹配的粘底涂层，或施加电晕处理等表面处理。由此，能够改善基材2与粘着剂层3的密合力。＜表面处理＞对基材2的表面(与对置于粘着剂层3的面相反侧的面)，可施加剥离性改良处理等表面处理。用于基材2的表面处理的处理剂，没有特别限定，可使用例如长链烷基乙烯基单体聚合物、氟化烷基乙烯基单体聚合物、聚乙烯醇氨基甲酸酯、氨基醇酸系树脂等非有机硅系的剥离处理剂等。作为这样的非有机硅系的剥离处理剂，可举出例如一方社油脂工业株式会社制的PEELOIL1050、PEELOIL1200等。＜剥离衬垫＞此外，对粘着剂层3的表面(与对置于基材2的面相反侧的面)，可根据需要设置剥离衬垫。作为剥离衬垫，可使用如下剥离衬垫：在纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等膜上，施加用于提高与粘着剂层3中所包含的有机硅系粘着剂的脱模性的剥离处理。作为在剥离衬垫的剥离处理中所使用的材料，没有特别限定，可使用例如氟硅酮、长链烷基乙烯基单体聚合物、氨基醇酸系树脂等材料。＜粘着胶带的厚度＞具有如上所说明的构成的粘着胶带1，作为其整体厚度，优选为20μm～200μm的范围。在粘着胶带1的厚度薄于20μm的情况下，当将粘着胶带1用于半导体元件基板的切割时，有时难以从粘着胶带1剥取所形成的半导体芯片。此外，在粘着胶带1的厚度厚于200μm的情况下，当从半导体元件基板的密封树脂侧贴附粘着胶带1时，粘着胶带1难以追随密封树脂的凹凸。其结果是，粘着胶带1与密封树脂的粘接面积变小，有可能切割时半导体芯片容易飞溅。[粘着胶带的制造方法]接着，对本实施方式的粘着胶带1的制造方法进行说明。予以说明的是，具有包含上述第一方式的过氧化物固化型有机硅系粘着剂的粘着剂层3的粘着胶带1和具有包含第二方式的加成反应型有机硅系粘着剂的粘着剂层3的粘着胶带1，可以通过同样的制造方法制造。制造粘着胶带1时，首先，在甲苯、乙酸乙酯等通用的有机溶剂中溶解固化型有机硅系粘着剂和固化剂，得到粘着剂溶液。接着，使用缺角轮涂布机等将该粘着剂溶液涂布于根据需要进行了表面处理、粘底涂层形成的基材2的表面上，以使其成为预定的厚度。然后，在60℃～160℃的温度下，将涂布有粘着剂溶液的基材2加热数分～数十分左右，从而使粘着剂溶液固化，形成粘着剂层3。通过以上工序，能够得到如图1所示的在基材2上层叠有粘着剂层3的粘着胶带1。[粘着胶带的使用方法]如上所述，本实施方式的粘着胶带1用于半导体元件基板的切割。在此，半导体元件基板是指在树脂等基板上形成有多个LED(发光二极管)等半导体元件的材料。予以说明的是，这样的半导体元件基板中，通常，为了保护半导体元件不受温度、湿度等外部环境的变化的影响，设置密封树脂以覆盖半导体元件。此外，这样的半导体元件基板中，为了有效地提取由LED等半导体元件射出的光，有时在各个半导体元件上设置透镜材料。作为切断半导体元件基板来得到多个半导体芯片的方法，以往已知例如如下的方法。首先，从半导体元件基板的基板侧贴附切割用粘着胶带，并且利用切割机等从与贴附了粘着胶带的一侧相反的一侧，即形成有半导体元件的一侧，切断半导体元件基板。然后，将通过切断而形成的各个半导体芯片从粘着胶带剥取，从而得到多个半导体芯片。然而，这样从半导体元件基板的基板侧贴附切割用粘着胶带并切断半导体元件基板的情况下，存在在切断面(半导体芯片的基板侧面)产生脱落的所谓塌边(ダレ)的产生，或切断面变粗糙等课题。于是，近年来，为了解决这样的课题，提出了下述方法：对半导体元件基板，将切割用粘着胶带从形成半导体元件的一侧即形成密封半导体元件的密封树脂、透镜材料的一侧贴附，而不是从基板侧贴附，并切断半导体元件基板。在此，以往，作为用于切断半导体元件基板的切割用粘着胶带，使用例如具有由丙烯酸树脂构成的粘着剂层的材料。然而，若将这样的以往的粘着胶带从半导体元件基板的形成半导体元件的一侧(密封树脂侧、透镜材料侧)贴附来进行半导体元件基板的切割，则当例如密封树脂与粘着胶带的粘着力、透镜材料与粘着胶带的粘着力不充分时，有可能产生在切割时半导体芯片飞溅等问题。以往，利用电特性、耐热性优异的环氧树脂作为半导体元件用密封树脂，但环氧树脂存在当用于短波长的LED、高输出的LED时容易变色等问题。因此，作为LED等半导体元件用的密封树脂，近年来，使用有机硅树脂的情况多。作为用作半导体元件用密封树脂的有机硅树脂，可举出含有甲基和苯基的双方或一方作为官能团的有机硅树脂，即，含有甲基作为官能团的有机硅树脂、含有甲基和苯基双方的有机硅树脂、以及含有苯基的有机硅树脂。含有甲基和苯基的双方或一方作为官能团的有机硅树脂，对波长400nm～800nm的光的光透过率为88％以上，折射率为1.41以上，这两者都高。因此，当将其用作LED等半导体元件用密封树脂时，能够有效地将由半导体元件射出的光提取至封装的外部，提高光提取效率。这些有机硅树脂中，通过使用含有苯基作为官能团的有机硅树脂，与使用仅含有甲基的有机硅树脂时相比，更加提高由半导体元件的光提取效率。作为含有甲基的有机硅树脂，没有特别限定，可举出例如信越化学工业株式会社制的KER-2300、KER-2460、KER-2500N、KER-2600、KER-2700、KER-2900、X-32-2528、迈图高新材料公司制的IVS4312、IVS4312、XE14-C2042、IVS4542、IVS4546、IVS4622、IVS4632、IVS4742、IVS4752、IVSG3445、IVSG0810、IVSG5778、XE13-C2479、IVSM4500、东丽道康宁株式会社制的OE-6351、OE-6336、OE-6301等。作为含有甲基和苯基的双方的有机硅树脂，没有特别限定，可举出例如信越化学工业株式会社制的KER-6075、KER-6150、KER-6020等。作为含有苯基的有机硅树脂，没有特别限定，可举出例如信越化学工业株式会社制的KER-6110、KER-6000、KER-6200、ASP-1111、ASP-1060、ASP-1120、ASP-1050P、迈图高新材料公司制的XE14-C2508、东丽道康宁株式会社制的OE-6520、OE-6550、OE-6631、OE-6636、OE-6635、OE-6630等。此外，如上所述，半导体元件基板中，有时以提高由半导体元件射出的光的提取效率等为目的，在各个半导体元件上设置由上述有机硅树脂形成的透镜材料。作为在半导体元件上设置透镜材料的方法，可举出下述方法：例如，将由上述有机硅树脂形成且覆盖各个半导体元件的密封树脂成型为透镜形状，或将由上述有机硅树脂形成的透镜材料进一步安装在密封各个半导体元件的密封树脂上等。另外，有机硅树脂具有例如与环氧树脂等相比脱模性高的性质。因此，对使用有机硅树脂作为密封树脂的半导体元件基板、形成有由有机硅树脂形成的透镜材料的半导体元件基板，例如从形成有密封树脂或透镜材料的一侧贴附丙烯酸树脂系的粘着胶带时，作为密封树脂或透镜材料的有机硅树脂与粘着胶带的粘着力容易变小。其结果是，在半导体元件基板的切断时，更容易产生上述半导体芯片的飞溅等问题。相对于此，本实施方式的粘着胶带1中，如上所述，粘着剂层3包含固化型有机硅系粘着剂和固化剂而构成，从而进行半导体元件基板的切割时，即使在通过从形成有密封树脂或透镜材料的一侧贴附来使用的情况下，也能够良好地保持与半导体元件基板的密封树脂的粘接力。并且，与以往的粘着胶带相比，在进行半导体元件基板的切割时，能够抑制半导体芯片的飞溅等的产生。以下，对本实施方式的粘着胶带1的使用方法、以及使用了本实施方式的粘着胶带1的半导体芯片的制造方法，进行详细说明。在此，首先，对第一制造例进行说明，其中，通过对用密封树脂一并密封多个半导体元件的半导体元件基板进行分割来制造半导体芯片。图2(a)～(d)为表示使用了本实施方式的粘着胶带的半导体芯片的第一制造例的图。本实施方式中，首先，在例如由树脂材料等形成的基板101上，积载多个半导体元件102，制备半导体元件基板100。予以说明的是，半导体元件102为例如LED元件，虽省略图示，但例如包含通过通电而发光的发光层等多个半导体层层叠而构成，在上部形成有电极。其次，用由有机硅树脂形成的密封树脂103将形成在半导体元件基板100的基板101上的多个半导体元件102一并密封(密封工序)。予以说明的是，在该例子中，通过密封树脂103，一并密封多个半导体元件102，但也可以通过密封树脂103分别密封各个半导体元件102。予以说明的是，在该例子中，密封工序对应于用有机硅树脂覆盖半导体元件102的被覆工序。接着，如图2(a)所示，以使粘着胶带1的粘着剂层3与半导体元件基板100的密封树脂103对置的方式，将粘着胶带1与半导体元件基板100贴合(贴附工序)。其次，如图2(b)、(c)所示，在粘着胶带1与半导体元件基板100的密封树脂103贴合的状态下，利用切割机等将半导体元件基板100沿着切断预定线X切断(切断工序)。在该例子中，从基板101侧切断贴附有粘着胶带1的半导体元件基板100。此外，如图2(c)所示，在该例子中，进行了将半导体元件基板100全部切入的所谓的全切(fullcut)。接着，将通过切断半导体元件基板100而形成的半导体芯片200从粘着胶带1剥取(拾取(pickup))，从而如图2(d)所示那样能够得到经单片化的半导体芯片200(剥离工序)。接着，对第二制造例进行说明，其中，通过对在多个半导体元件的各自上形成透镜材料的半导体元件基板进行分割来制造半导体芯片。图3(a)～(d)为表示使用了本实施方式的粘着胶带的半导体芯片的第二制造例的图。予以说明的是，关于与图2(a)～(d)所示的第一制造例同样的工序，在此省略说明。半导体芯片的第二制造例中，如图3(a)所示，在形成于半导体元件基板100的基板101上的多个半导体元件102的各自上，形成由有机硅树脂形成的透镜材料104(透镜形成工序)。予以说明的是，在该例子中，透镜形成工序对应于用有机硅树脂覆盖半导体元件102的覆盖工序。作为形成透镜材料104的方法，可举出下述方法：将由有机硅树脂形成且覆盖各个半导体元件102的密封树脂成型为透镜形状，制成透镜材料104的方法、在覆盖各个半导体元件102的密封树脂上安装由有机硅树脂形成的透镜材料104的方法等。在此，将覆盖半导体元件102的密封树脂成型为透镜形状来制成透镜材料104的方法，没有特别限定，可举出例如压缩成型、射出成型、传递成型、印刷成型等。此外，作为在覆盖各自的半导体元件102的密封树脂上安装透镜材料104的方法，没有特别限定，可举出例如点胶(dispense)法等。接着，如图3(a)所示，以粘着胶带1的粘着剂层3与形成于半导体元件基板100的各个透镜材料104对置的方式，将粘着胶带1与半导体元件基板100贴合(贴附工序)。接着，如图3(b)、(c)所示，在粘着胶带1与半导体元件基板100的透镜材料104贴合的状态下，利用切割机等将半导体元件基板100沿切断预定线X切断(切断工序)。在该例子中，将切断预定线X设定于在邻接的半导体元件102上形成的透镜材料104彼此之间的区域。接着，将通过切断半导体元件基板100而形成的半导体芯片200从粘着胶带1剥取(拾取)，从而如图3(d)所示，能够得到经单片化且在各自上形成有透镜材料104的半导体芯片200(剥离工序)。如上所述，本实施方式的粘着胶带1中，粘着剂层3包含固化型有机硅系粘着剂和固化剂而构成。由此，在将粘着胶带1用于切割的情况下，即使在从半导体元件基板100的形成有密封树脂103或透镜材料104的一侧贴附时，也能够良好地保持半导体元件基板100与粘着胶带1的粘接力。特别是，近年来，作为密封半导体元件102的密封树脂103、在半导体元件102上设置的透镜材料104，使用脱模性高的有机硅树脂的情况多。对此，本实施方式的粘着胶带1中，由于具有上述构成，从而对由有机硅树脂形成的密封树脂103、透镜材料104也具有良好的粘接力。其结果是，本实施方式的粘着胶带1在用于半导体元件基板100的切割时，能够抑制半导体芯片200的飞溅。特别是，如图3(a)～(d)所示，通常，透镜材料104的外表面由球面、非球面等形成，从透镜材料104侧贴附粘着胶带1的情况下，粘着胶带1的被粘面呈曲面。通常，在粘着胶带1的被粘面呈曲面的情况下，与被粘面呈平面的情况相比，粘着胶带1与被粘面的粘接力容易变低。相对于此，本实施方式的粘着胶带1对构成透镜材料104的有机硅树脂具有良好的粘接力，因此即使在从呈曲面的透镜材料104侧贴附粘着胶带1的情况下，也能够抑制半导体芯片200的飞溅。进而，本实施方式的粘着胶带1的粘着剂层3所包含的固化型有机硅系粘着剂，如上所述与密封树脂103、透镜材料104具有良好的粘着力，另一方面，具有脱模性高的性质。由此，本实施方式中，在将通过切割半导体元件基板100而得到的半导体芯片200从粘着胶带1剥掉时，能够抑制粘着剂附着于半导体芯片200的所谓残胶的产生。通常，例如将由丙烯酸系的粘着剂构成粘着剂层的粘着胶带用于半导体元件基板切割的情况下，当从粘着胶带剥取切断后的半导体芯片时，需要预先对粘着胶带照射紫外线，使粘着剂层失去粘着性。但，本实施方式的粘着胶带1的情况下，可以不进行照射紫外线的工序而从粘着胶带1剥掉半导体芯片200。因此，通过将本实施方式的粘着胶带1用于半导体元件基板100的切割，能够使半导体芯片200的制造工序简易化。予以说明的是，在图2(a)～(d)和图3(a)～(d)中所说明的方法是使用粘着胶带1的半导体芯片的制造方法的一个例子，粘着胶带1的使用方法不限于上述方法。即，本实施方式的粘着胶带1，只要是在切割时，能够贴附于具有用密封树脂密封的多个半导体元件的半导体元件基板、或在各自上形成有透镜材料的多个半导体元件的半导体元件基板，就可以不限于上述方法而使用。实施例接着，使用实施例和比较例进一步具体地说明本发明。予以说明的是，本发明不限于以下实施例。本发明人，分别对使用过氧化物固化型有机硅系粘着剂作为粘着剂层3的第一方式以及使用加成反应型有机硅系粘着剂作为粘着剂层3的第二方式，用不同的固化剂(引发剂、交联剂)的添加量来制作粘着胶带1，对所制作的粘着胶带1进行评价。以下，对各实施例和各比较例进行详细说明。1.粘着胶带1的制作(实施例1～实施例4)在甲苯中，溶解由有机聚硅氧烷形成的过氧化物固化型有机硅系粘着剂(信越化学工业株式会社制KR101-1)和由甲基过氧化苯甲酰构成的引发剂(日油株式会社制NYPERK40)，调节粘着剂溶液。予以说明的是，过氧化物硬化型有机硅系粘着剂和引发剂的含量如表1所示那样调节。接着，将该粘着剂溶液涂布于厚度75μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜形成的基材2上，然后用160度的温度加热3分钟，从而形成厚度30μm的粘着剂层3，得到总厚度105μm的粘着胶带1。(实施例5～8)在甲苯中，溶解由在分子内具有乙烯基硅基(ビニルシリル基)的有机聚硅氧烷形成的加成反应型有机硅系粘着剂(信越化学工业株式会社制X-40-3237-1)、铂金族系催化剂(信越化学工业株式会社制CAT-PL-50T)、由在分子内具有氢化硅烷基(ヒドロシリル基)的有机聚硅氧烷构成的交联剂(信越化学工业株式会社制X-92-122)，调节粘着剂溶液。予以说明的是，加成反应型有机硅系粘着剂、催化剂和交联剂的含量如表1所示那样调节。接着，将该粘着剂溶液涂布于厚度75μm的由PET膜形成的基材2上，然后用120度的温度加热3分钟，从而形成厚度30μm的粘着剂层3，得到总厚度105μm的粘着胶带1。(比较例1)除了将粘着剂层3中的引发剂的含量设为0以外，与实施例1～实施例4同样地操作，得到粘着胶带1。(比较例2)除了将粘着剂层3中的交联剂的含量设为0以外，与实施例5～实施例8同样地操作，得到粘着胶带1。(比较例3)除了使用丙烯酸系的粘着剂作为粘着剂层3以外，与实施例1～8同样地操作，得到粘着胶带1。2.评价方法接着，对粘着胶带1的评价方法进行说明。(1)对研磨SUS的粘着力试验通过上述方法制作的粘着胶带1，依照JISZ0237(2000)中所记载的方法，进行对研磨SUS的粘着力试验(拉离粘着力试验)。具体地，将粘着胶带1贴附于经耐水研磨纸研磨的不锈钢板(SUS304)，使质量2000g的辊以5mm/s的速度往复1次，进行压接。接着，放置20～40分钟后，使用拉伸试验机，以5mm/s的速度朝与不锈钢板呈180°的方向拉离，测定对研磨SUS板的粘着力。(2)保持力试验对所制作的粘着胶带1，进行保持力试验。具体地，将粘着胶带1贴附于经耐水研磨纸研磨的不锈钢板(SUS304)，在安装有预定的重物的状态下，测定在40℃的条件下保持24小时时的错移量(mm)。在此，作为切割用粘着胶带，在保持力试验所测定的错移量优选为25mm以下。此外，粘着胶带1在到达24小时之前从不锈钢板剥离而掉落的情况下，测定从测定开始到粘着胶带1剥离为止的经过时间(分)。予以说明的是，表1中保持力试验的“↓”的标示，是指粘着胶带1在到达24小时之前从不锈钢板错移而掉落。(3)对有机硅树脂的粘着力试验对所制作的粘着胶带1，依照上述粘着力试验的方法，进行对有机硅树脂粘着力试验。具体地，将粘着胶带1贴附于涂布有有机硅树脂的板(试验片)上，使质量2000g的辊以5mm/s的速度往复1次，进行压接。接着，放置20～40分钟后，使用拉伸试验机，以5mm/s的速度将有机硅树脂朝与经涂布的板呈180°的方向拉离，测定对有机硅树脂的粘着力。予以说明的是，本试验中，作为在贴附粘着胶带1的板上涂布的有机硅树脂，使用LED密封剂用的有机硅树脂。具体地，作为有机硅树脂A，使用作为LED设备用有机硅材料的、含有甲基的有机硅树脂(信越化学工业制的KER-2500N)。试验片如下制作。即，以混合比1：1来混合KER-2500N的A剂和B剂，制备混合液。接着，对不锈钢板(SUS304)涂布混合液，在100℃加热1小时后，在150℃加热2小时，从而进行固化。由此，得到在不锈钢板上形成有有机硅树脂A的试验片。此外，作为有机硅树脂B，使用作为LED设备用有机硅材料的、含有苯基的有机硅树脂(信越化学工业制的KER-6110)。试验片如下制作。即，以混合比3：7来混合KER-6110的A剂和B剂，制备混合液。接着，对不锈钢板(SUS304)涂布混合液，在100℃加热2小时后，在150℃加热5小时，从而进行固化。由此，得到在不锈钢板上形成有有机硅树脂B的试验片。3.评价结果关于对实施例1～实施例8和比较例1～比较例3的粘着胶带1的评价结果，在表1中示出。表1*在比较例3中，对粘着剂层使用了丙烯酸系粘着剂。如表1所示，确认了在使粘着剂层3包含固化型有机硅系粘着剂和固化剂而构成的情况下(实施例1～实施例8)，粘着胶带1对研磨SUS板的粘着力、保持力、对有机硅树脂A的粘着力以及对有机硅树脂B的粘着力全部在优选的范围内。由此，确认了包含固化型有机硅系粘着剂和固化剂来构成粘着剂层3的粘着胶带1，作为从半导体元件基板的形成有密封树脂或透镜材料的一侧贴附并用于切割的切割用粘着胶带是有用的。接着，实施例1～实施例8中，将使用过氧化物固化型有机硅系粘着剂作为有机硅系粘着剂的情况(实施例1～实施例4)进行比较，结果确认了在相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂100重量份，由过氧化物构成的引发剂的含量为0.05重量份～10重量份的情况下(实施例1～实施例3)，粘着胶带1的保持力更加良好。进而，在相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂100重量份，引发剂的含量为0.05重量份～3.5重量份的情况下(实施例1、实施例2)，粘着胶带1对有机硅树脂A的粘着力和对有机硅树脂B的粘着力更加良好。因此，在使用过氧化物固化型有机硅系粘着剂作为有机硅系粘着剂的情况下，相对于过氧化物固化型有机硅系粘着剂100重量份，由过氧化物构成的引发剂的含量优选为0.05重量份～10重量份的范围，进一步优选0.05重量份～3.5重量份的范围。进而，实施例1～实施例8中，将使用加成反应型有机硅系粘着剂作为有机硅系粘着剂的情况(实施例5～实施例8)进行比较，结果确认了在相对于加成反应型有机硅系粘着剂100重量份，交联剂的含量为0.1重量份～7重量份的情况下(实施例5～实施例7)，粘着胶带1对研磨SUS板的粘着力、对有机硅树脂A的粘着力以及对有机硅树脂B的粘着力更高，0.1重量份～2重量份的情况下(实施例5、实施例6)，粘着胶带1对研磨SUS板的粘着力、对有机硅树脂A的粘着力以及对有机硅树脂B的粘着力进一步高。因此，确认了使用加成反应型有机硅系粘着剂作为有机硅系粘着剂的情况下，相对于加成反应型有机硅系粘着剂100重量份，交联剂的含量更优选为0.1重量份～7重量份的范围，进一步优选为0.1重量份～2重量份的范围。相对于此，确认了在粘着剂层3不含固化剂(引发剂或交联剂)的情况下(比较例1、比较例2)，粘着胶带1的保持力显著低。可认为这是因为在粘着剂层3不含固化剂的情况下，有机硅系粘着剂没有固化。并且，可预测将这样的粘着胶带1用作切割用粘着胶带的情况下，在半导体元件基板的切割中使用粘着胶带1后，在从所得到的半导体芯片剥掉粘着胶带1时，容易产生残胶。此外，确认了使用丙烯酸系的粘着剂作为粘着剂层3的情况下(比较例3)，虽然粘着胶带1的对研磨SUS板的粘着力以及保持力良好，但半导体元件的对作为密封树脂使用的有机硅树脂A的粘着力以及对有机硅树脂B的粘着力显著低。可预测在将这样的粘着胶带1作为切割用粘着胶带并从半导体元件基板的密封树脂侧贴附来使用的情况下，在进行切割时，半导体元件基板、半导体芯片变得容易从粘着胶带1剥落，变得容易产生半导体芯片的飞溅。