专利名称：半导体芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体芯片。
背景技术：
形成集成电路的晶圆，由于由半导体形成，所以具有容易破裂的特点。因此，由晶圆切割得到的半导体芯片，由于本来就容易破裂，所以如果在其表面上形成凹凸则更容易破裂。在此，在半导体芯片的表面形成凹凸时，希望不易破裂。
发明内容
本发明的目的在于在半导体芯片表面上形成凹凸时不易破裂。
(1)有关本发明的半导体芯片，包括半导体基板，包括相互反向朝向且平行的第1以及第2面，和连接所述第1以及第2面的周边的多个侧面；集成电路，其在所述半导体基板的所述第1面上形成；和电极，其在所述半导体基板的所述第1面上形成；所述多个侧面的至少一个是对所述第1以及第2面倾斜的面；在所述倾斜面上形成槽；所述槽，对与第1以及第2面平行的平面交差的方向上延伸，同时在与第1以及第2面垂直的平面交差的方向上延伸。
根据本发明，通过形成槽，能够在半导体基板的侧面上形成凹凸。通过凹凸的形成，可得到散热性的提高和粘接剂的密接性的提高。另外，槽，由于与半导体基板的易破裂方向交差并延伸，所以半导体芯片不易破裂。
(2)在该半导体芯片中，也可以是，所述第1面与所述倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧形成锐角。
(3)在该半导体芯片中，也可以是，所述第1面与所述倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧形成钝角。
(4)在该半导体芯片中，也可以是，邻接的一对所述侧面是第1以及第2倾斜面。
(5)在该半导体芯片中，也可以是，所述第1面与所述第1倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧为锐角；所述第1面与所述第2倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧为钝角。
(6)在该半导体芯片中，也可以是，所述第2面成为矩形；在所述第2面上，形成在所述矩形的所有边上交差的方向上延伸的槽。
图1表示有关本发明第1实施方式的半导体装置图。
图2表示有关本发明第1实施方式的半导体芯片的概略立体图。
图3表示有关本发明第1实施方式的半导体芯片的概略平面图。
图4表示有关本发明第2实施方式的半导体装置图。
图5表示有关本发明第2实施方式的半导体芯片的概略俯视图。
图6表示有关本发明第2实施方式的半导体芯片的概略仰视图。
图7表示有关本发明实施方式的半导体芯片的变形例的平面图。
图8表示有关本发明实施方式的半导体芯片的变形例的平面图。
图9表示有关本发明实施方式的半导体芯片的变形例的平面图。
图10表示有关本发明实施方式的半导体芯片的变形例的平面图。
图11表示应用有关本实施方式的半导体装置的电路基板图。
图12表示包括有关本实施方式的半导体装置的电子设备图。
图13表示包括有关本实施方式的半导体装置的电子设备图。
图中10…半导体芯片，12…半导体基板，14…第1面，16…第2面，18…集成电路，20…电极，21～24…侧面，26…槽，28…槽，30…基板，32…布线图案，36…粘接剂，38…外部端子，39…连接盘，40…半导体芯片，42…半导体基板，44…第1面，46…第2面，48…集成电路，50…电极，51～54…侧面，56…槽，58…槽，60…基板，62…布线图案，64…导线，66…粘接剂，68…外部端子。
具体实施例方式
下面，参照
本发明的各实施方式。
第1实施方式图1表示有关本发明第1实施方式的半导体装置图。半导体装置，包括半导体芯片10。图2表示有关本发明第1实施方式的半导体芯片的概略立体图，图3表示有关本发明第1实施方式的半导体芯片的概略平面图。
半导体芯片10，包括半导体基板12。半导体基板12，由硅等的半导体的结晶构成。半导体基板12，包括相互反向朝向且平行的第1以及第2面14、16。第1以及第2面14、16的至少一方(仅一方或者两方)也可以是矩形。第1面14比第2面16大。第2面16的整体按照与第1面14重叠那样设置。
在第1面14上，形成集成电路18。在第1面14上，形成多个电极20。电极20，电连接在半导体基板12的内部。所有的电极20或者不是所有的多个电极20，在集成电路18中电连接。
半导体基板12，包括连接第1以及第2面14，16的周边的多个侧面21～24。多个侧面21～24的至少一个(本实施方式中是全部)是对第1以及第2面14、16的倾斜面。至少一个(本实施方式中是全部)的侧面(倾斜面)21～24和第1面形成的角α，在半导体基板12的内部侧为锐角。反过来，至少一个(在本实施方式中是全部)的侧面(倾斜面)21～24和第2面16形成的角β，在半导体基板12的内部侧为锐角。邻接的一对侧面21和22(或者22和23、23和24、24和21)，任一个都倾斜，也可以将邻接的一对侧面定义为第1以及第2倾斜面。
在本实施方式中，侧面21～24的至少一个(在本实施方式中是全部)上，形成槽26。在一个侧面21、22、23或者24上，也可以形成多个槽26。此时，也可以平行形成多个槽26。槽26，在对第1以及第2面14、16和平行的平面P1(参照图2)交差的方向上延伸。槽26，对与第1以及第2面14、16垂直的至少一个(在本实施方式中是全部)平面P2、P3(参照图2)交差的方向上延伸。
根据本实施方式，通过形成槽26，能够在半导体基板12的侧面21～24的至少一个(在本实施方式中是全部)中形成凹凸。通过凹凸的形成，可得到半导体基板12的散热性的提高和粘接剂的密接性的提高。另外，槽26，由于与半导体基板12的易破裂的方向交差并延伸，所以半导体芯片不易破裂。
在本实施方式中，在第2面16中也形成槽28。也可以在第2面16上形成多个槽28，此时，多个槽28也可以平行排列。第2面16形成矩形时，槽28也可以在矩形的所有边交差的方向上延伸。通过形成槽28，也能够在半导体基板12的第2面16上形成凹凸。通过凹凸的形成，可得到半导体基板12的散热性的提高和粘接剂的密接性的提高。另外，槽28，由于与半导体基板12的易破裂的方向交差并延伸，所以半导体芯片不易破裂。
如图1所示，半导体装置包括基板30。在基板30上，形成布线图案32。在基板30上搭载半导体芯片10。半导体芯片10的第1面14面向基板30。半导体芯片10和基板30，通过粘接剂36粘接。粘接剂36的至少一部分，在半导体芯片10和基板30之间设置并粘接两者。粘接剂36的一部分，也可以粘接在半导体芯片10的侧面21～24上。侧面21～24，由于通过槽26形成凹凸，所以与粘接剂36的粘接性较高。电极20(或者在其上设置的凸出34)与布线图案32也可以面对。电极20和布线图案32电连接。电连接，也可通过电极20(或者在其上设置的凸块34)和布线图案32的金属粘接进行。如果粘接剂36是包括导电粒子的各向异性导电材料(各向异性导电膜或者各向异性导电胶)，那么在电极20(或者在其上设置的凸块34)和布线图案32间也可以通过导电粒子电连接。
半导体装置，也可以包括外部端子(比如焊锡球)38。外部端子38，在与基板30的半导体芯片10相反的侧中设置。外部端子38，也可以在与形成基板30的布线图案32面相反的面上所形成的连接盘39上设置。连接盘39，通过在基板30上形成的通孔(图中没有画出)等与布线图案32电连接。有关本实施方式的半导体装置的制造方法，包括能够根据上述构成导出的内容。
有关本实施方式的半导体芯片10的制造方法，包括形成了上述槽26的半导体基板12。比如，也可以从半导体晶圆，按照包括平坦侧面21～24那样切断半导体基板12，在此之后，形成槽26。在槽26的形成中，也可以应用划线或者研磨。或者，在从半导体晶圆切断半导体基板12时，也可以在成为其切断面的侧面21～24上形成槽26。另外，槽28，在半导体晶圆或者切断该晶圆得到的半导体基板12的第2面16上，也可以应用划线或者研磨等形成。
第2实施方式图4表示有关本发明第2实施方式的半导体装置的图。半导体装置，包括半导体芯片40。图5表示有关本发明第2实施方式的半导体芯片的概略俯视图，图6是有关本发明第2实施方式的半导体芯片的概略仰视图。
半导体芯片40，包括半导体基板42。半导体基板42，由硅等的半导体的结晶构成。半导体基板42，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面44、46。第1以及第2面44、46的至少一方(仅一方或者两方)也可以是矩形。第1面44比第2面46小。第1面44的整体按照与第2面46重叠那样设置。
在第1面44上，形成集成电路48。在第1面44上，形成多个电极50。电极50，在半导体基板42的内部电连接。所有的电极50或者不是所有的多个电极50，在集成电路48上电连接。
半导体基板42，包括连接第1以及第2面44、46的周边的多个侧面51～54。多个侧面51～54的至少一个(本实施方式中是全部)是对第1以及第2面44、46倾斜的面。至少一个(本实施方式中是全部)的侧面(倾斜面)51～54与第1面44形成的角α2，在半导体基板42的内部侧为钝角。反过来，至少一个(本实施方式中是全部)的侧面(倾斜面)51～54与第2面46形成的角β2，在半导体基板42的内部侧为锐角。邻接的一对侧面51和52(或者52和53、53和54、54和51)，任何一个都倾斜，也可以将邻接的一对侧面定义为第1以及第2倾斜面。
在本实施方式中，在侧面51～54的至少一个(本实施方式中是全部)上形成槽56。在1个侧面51、52、53或者54上，也可以形成多个槽56。此时，也可以平行形成多个槽56。槽56，在对与第1以及第2面44、46平行的平面交差的方向上延伸。槽56，在对与第1以及第2面44、46垂直的至少一个(本实施方式中是全部)的平面交差的方向上延伸。
根据本实施方式，通过形成槽56，能够在半导体基板42的侧面51～54的至少一个(本实施方式中是全部)上形成凹凸。通过凹凸的形成，可得到半导体基板42的散热性的提高或者与粘接剂的密接性的提高。另外，槽56，由于在与半导体基板42的易破裂方向交差并延伸，所以半导体芯片不易破裂。
在本实施方式中，在第2面46上也形成槽58。也可以在第2面46上形成多个槽58，此时，多个槽58也可以平行排列。第2面46形成矩形时，槽58也可以与矩形的所有的边交差的方向上延伸。通过形成槽58，在半导体基板42的第2面46上也能形成凹凸。通过凹凸的形成，可得到半导体基板42的散热性的提高或者与粘接剂或者封止材料的密接性的提高。另外，槽58，由于在与半导体基板42的易破裂方向交差并延伸，所以半导体芯片不易破裂。
如图4所示，半导体装置包括基板60。在基板60上，形成布线图案62。在基板60上搭载半导体芯片40。半导体芯片40的第2面46面向基板60。半导体芯片40和基板60，通过粘接剂66粘接。粘接剂66的至少一部分，在半导体芯片40和基板60间设置并粘接两者。半导体芯片40的第2面46，由于通过槽58形成凹凸，所以与粘接剂66的密接性较高。粘接剂66的一部分，也可以在半导体芯片40的侧面51～54上粘接。侧面51～54，由于通过槽66形成凹凸，所以与粘接剂66的密接性较高。电极50和布线62电连接。在电连接中，也可以使用导线64。半导体装置，也可以包括外部端子(比如焊锡球)68(具体参照在第1实施方式所说明的外部端子38)。进一步，半导体装置也可以包括密封部70。密封部70将半导体芯片40密封。在半导体芯片40的侧面51～54上，由于通过槽56形成凹凸，所以与密封部70的密接性较高。有关本实施方式的半导体装置的制造方法，包括能够从上述构成导出的内容。
有关本实施方式的半导体芯片40的制造方法，包括得到形成上述槽56的半导体基板42。比如，也可以从半导体晶圆，按照包括平坦的侧面51～54那样切断半导体基板42，在此之后，形成槽56。在槽56的形成中，也可以应用划线或者研磨。或者，在从半导体晶圆切断半导体基板42时，在成为其的切断面的侧面51～54上也可以形成槽56。还有，槽58，也可以应用划线或研磨在半导体晶圆或者切断该晶圆得到的半导体基板42的第2面46上形成。
变形例图7～图10表示有关本发明的实施方式的半导体芯片的变形例的平面图。这些变形例是有关半导体芯片的外形的变形例。除了以下说明的内容，各变形例与上述实施方式的内容相当。
图7所示的半导体芯片110，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面112、114，和连接第1以及第2面112、114的周边的多个侧面115～118。第1面112与侧面(第1倾斜面)116、117形成的角，在半导体基板的内部侧为锐角。第1面112与侧面(第2倾斜面)115、118形成的角，在半导体基板的内部侧为钝角。与第1面112所形成的角与在半导体基板的内部侧形成钝角的一对侧面115、118邻接。与第1面112所形成的角在半导体基板的内部侧形成锐角的一对侧面116、117邻接。与第1面112形成的角在半导体基板的内部侧形成锐角的侧面115(或者118)，与第1面112形成的角在半导体基板的内部侧形成锐角的一对侧面116(或者117)邻接。
图8所示的半导体芯片120，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面122、124，和连接第1以及第2面122、124的周边的多个侧面125～128。第1面122与侧面(第1倾斜面)126形成的角，在半导体基板的内部侧为锐角。第1面122与侧面(第2倾斜面)125、127、128形成的角，在半导体基板的内部侧为钝角。与第1面122形成的角在半导体基板的内部侧为钝角的侧面128，同样在形成钝角的125、128上邻接。与第1面122形成角在半导体基板的内部侧为锐角的侧面126和与第1面122形成的角在半导体基板的内部侧为钝角的侧面125、127邻接。
图9所示的半导体芯片130，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面132、134，和连接第1以及第2面132、134的周边的多个侧面135～138。第1面132与侧面(第1倾斜面)136、138形成的角，在半导体基板的内部侧为锐角。第1面132与侧面(第2倾斜面)135、137形成的角，在半导体基板的内部侧为钝角。与第1面132形成角在半导体基板的内部侧为锐角的侧面136(或者138)，和与第1面132形成角在半导体基板的内部侧为钝角的侧面135(或者137)邻接。
图10所示的半导体芯片140，包括相互反向朝向并平行的第1以及第2面142、144，和连接第1以及第2面142、144的周边的多个侧面145～148。第1面142与侧面(第1倾斜面)145、146、147形成的角，在半导体基板的内部侧为锐角。第1面142与侧面(第2倾斜面)148形成的角，在半导体基板的内部侧为钝角。与第1面142形成的角在半导体基板的内部侧为锐角的侧面146，同样在形成锐角的145、147上邻接。与第1面142形成角在半导体基板的内部侧为钝角的侧面148和与第1面142形成的角在半导体基板的内部侧为锐角的侧面145、147邻接。
在图11中表示安装有在上述实施方式说明的半导体装置1的电路基板1000。作为具有该半导体装置的电子设备，图12表示笔记本型个人计算机2000，图13表示移动电话机3000。
本发明，并不限于上述的实施方式，可能有种种变形。比如，本发明，包括与在实施方式说明的构成实质上相同的构成(比如，功能、方法以及结果相同的构成，或者目的以及结果相同的构成)。另外，本发明包括置换在实施方式说明的构成的非本质部分的构成。另外，本发明包括能够与在实施方式说明的构成取得相同作用效果的构成或者达到相同目的的构成。另外，本发明包括在在实施方式说明的构成中添加公知技术的构成。进一步，本发明包括有条件地除去在实施方式说明的技术事项的任一项的内容。或者，本发明包括从上述实施方式有条件地除去公知技术的内容。
权利要求
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括半导体基板，包括相互反向朝向且平行的第1以及第2面，和连接所述第1以及第2面的周边的多个侧面；集成电路，其在所述半导体基板的所述第1面上形成；和电极，其在所述半导体基板的所述第1面上形成；所述多个侧面的至少一个是对所述第1以及第2面倾斜的面；在所述倾斜面上形成槽；所述槽，对与第1以及第2面平行的平面交差的方向上延伸，同时在与第1以及第2面垂直的平面交差的方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第1面与所述倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧形成锐角。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第1面与所述倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧形成钝角。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，邻接的一对所述侧面是第1以及第2倾斜面。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，所述第1面与所述第1倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧为锐角；所述第1面与所述第2倾斜面所成的角，在所述半导体基板的内部侧为钝角。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述第2面成为矩形；在所述第2面上，形成在所述矩形的所有边上交差的方向上延伸的槽。
全文摘要
半导体芯片(10)，包括具有相互反向朝向且平行的第1以及第2面(14、16)，和连接第1以及第2面(14、16)的周边的多个侧面(21～24)的半导体基板(12)。多个侧面(21～24)的至少一个是对第1以及第2面(14、16)倾斜的面，在倾斜面上形成槽(26)。槽(26)，对与第1以及第2面(14、16)平行的平面交差的方向上延伸，同时在与第1以及第2面(14、16)垂直的平面交差的方向上延伸。这样，在半导体芯片表面上形成凹凸时不易破裂。
文档编号H01L29/06GK1612342SQ20041008599
公开日2005年5月4日 申请日期2004年10月27日 优先权日2003年10月27日
发明者尾形义春 申请人:精工爱普生株式会社