本发明涉及例如在制造带图案的晶片时为了暂时保持晶片而使用的温敏性粘合片以及使用其的晶片的制造方法。
背景技术：
晶片是半导体元件制造的材料，是将由硅、蓝宝石、碳化硅等原材制作的圆柱状的铸锭薄薄地切片而成的圆盘状的板。晶片的制造中，使用粘合片将晶片粘接在基座(支承基板)上，然后进行磨削、研磨而将晶片调整为规定厚度之后，使晶片与粘合片一起从基座剥离，然后从晶片剥离粘合片。
为了对晶片进行磨削、研磨，需要将晶片牢固地保持于基座。若晶片的保持不充分，则磨削、研磨时晶片有可能偏移。另外，由于薄膜化后的晶片脆弱，因此若晶片未被牢固地保持于基座，则有可能因磨削、研磨时的振动等的影响而至晶片破裂。
另外，从晶片剥离粘合片时，要求在晶片表面没有附着粘合剂的残渣。
日本专利第5623125号公报中，记载了用于在精密磨削、研磨工序中使用的粘合片。该粘合片含有侧链结晶性聚合物、和发泡剂，侧链结晶性聚合物在低于熔点的温度下结晶化且在熔点以上的温度下显示流动性，使在上述熔点以上且低于发泡剂的发泡温度的温度下贴合的被粘物在低于侧链结晶性聚合物的熔点的温度下固定，在所述发泡剂的发泡温度以上的温度下移除。
另外，日本特开2015-183162号公报中记载了暂时固定用双面粘合带。该暂时固定用双面粘合带在基材的单面具有用于贴合于基座的第1粘合层，在另一面具有用于贴合于晶片的第2粘合层。第1粘合层含有压敏性接合剂、侧链结晶性聚合物和发泡剂，在侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度下粘合力降低。第2粘合层含有压敏性接合剂和侧链结晶性聚合物，在侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度下粘合力降低。
日本特开2015-183162号公报中记载的双面粘合带在从基座剥离时，将第1粘合层加热到侧链结晶性聚合物的熔点以上、且发泡剂膨胀甚至发泡的温度以上，从而使对基座的粘合力降低。然后，将晶片与粘合带一起从基座剥离后，将第2粘合层加热到侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度，使第2粘合层对晶片的粘合力降低，从晶片剥离粘合带。
但是，期望提供一种粘合片，其在磨削、研磨的加工时能够将晶片牢固地保持于基座，能够可靠地兼顾没有偏移或破裂的加工保持性、和在磨削、研磨后剥离了粘合带的晶片的表面上没有附着粘合剂的残渣的无残渣性。
特别是对于像外延·晶片那样在表面具有凹凸状的图案的晶片而言，由于流动化的粘合剂浸入图案内，故按照不残留粘合剂的残渣的方式剥离晶片是重要的。
技术实现要素：
发明要解决的问题
本发明的课题在于，提供即使是在表面具有图案的晶片那样的被加工物，也能没有偏移或破裂地牢固保持，且剥离时残渣残留减少的温敏性粘合片以及使用其的晶片的制造方法。
用于解决问题的手段
本发明人等为了解决上述课题而反复深入研究的结果，以至于完成本发明。即，本发明的温敏性粘合片具备膜状的基材、层叠于所述基材的单面且粘贴于基座的第1粘合层、和层叠于所述基材的另一面且粘贴于被加工物的第2粘合层。第1粘合层含有第1侧链结晶性聚合物和发泡剂，并且在第1侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度下显示流动性，第1侧链结晶性聚合物的熔点低于发泡剂的发泡温度。第2粘合层含有第2侧链结晶性聚合物，并且在所述第2侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度下显示流动性。
本发明的带图案的晶片的制造方法包括：
使用上述的温敏性粘合片，将温敏性粘合片的第1粘合层在所述第1侧链结晶性聚合物的熔点以上且低于发泡开始温度的温度下粘贴于基座，并将第2粘合层在所述第2侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度下粘贴于带图案的晶片的凹凸状图案面的工序；
对所述带图案的晶片的与粘贴于所述基座的面相反侧的面进行磨削和/或研磨的工序；
使所述温敏性粘合片的温度为所述发泡剂的发泡开始温度以上，从所述基座剥离所述温敏性粘合片和所述带图案的晶片的工序；和
使所述粘合片的温度为所述第2侧链结晶性聚合物的熔点以上，从所述晶片剥离粘合片的工序。
发明效果
本发明的温敏性粘合片具有如下效果：即使是表面具有凹凸状的图案的晶片那样的被加工物，也能够没有偏移或破裂地牢固保持，且剥离时能够减少粘合片在被加工物的表面的残渣残留。因此，本发明的温敏性粘合片适宜制造带凹凸状的图案的晶片。
附图说明
图1为表示本发明的温敏性粘合片的一个实施方式的概要说明图。
图2的(a)～(e)为表示本发明的一个实施方式所涉及的带图案的晶片的制造方法的工序图。
具体实施方式
<温敏性粘合片>
以下，对于本发明的一个实施方式涉及的温敏性粘合片(以下，有时仅称为粘合片。)，参照图1进行详细说明。
如图1所示，本实施方式的带1具备基材2、层叠于基材2的单面的第1粘合层3、和层叠于基材2的另一面的第2粘合层4。在第1粘合层3和第2粘合层4的表面，分别配置有具有脱模性的间隔件5a、5b。
(基材2)
本实施方式的基材2为膜状。膜状不仅限于膜，在不损害本实施方式的效果的限度内，是还包括膜甚至片材的概念。
作为基材2的构成材料，可以举出例如：聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、乙烯丙烯酸乙酯共聚物、乙烯聚丙烯共聚物、聚氯乙烯等合成树脂。
本实施方式的基材2可以是单层体或复层体中的任一种，作为其厚度，优选为5～250μm，更优选为12～188μm，进一步优选为25～100μm。在基材2的单面21和另一面22，在提高相对于第1粘合层3和第2粘合层4的密合性上，可以实施例如电晕放电处理、等离子体处理、喷磨处理、化学蚀刻处理、底涂处理等表面处理。
(第1粘合层3)
层叠于基材2的单面的第1粘合层3是粘贴于基座的层，含有第1侧链结晶性聚合物和发泡剂。
第1侧链结晶性聚合物是具有熔点的聚合物。熔点是指，通过某个平衡过程，最初整合为有序排列的聚合物的特定部分变成无秩序状态的温度，是指利用差示热扫描热量计(dsc)在10℃/分钟的测定条件下测定而得到的值。第1侧链结晶性聚合物的熔点低于发泡剂的发泡温度，为30～70℃，优选为40～60℃为宜。
第1侧链结晶性聚合物在低于上述的熔点的温度下结晶化，且在熔点以上的温度下相变而显示流动性。即，第1侧链结晶性聚合物具有对应于温度变化而可逆地引起结晶状态和流动状态的温敏性。
本实施方式中的第1粘合层3含有第1侧链结晶性聚合物作为主成分，相对于第1侧链结晶性聚合物100质量份以10～110质量份、优选20～80质量份、更优选40～60质量份的比例含有发泡剂。由此，在上述熔点以上且低于发泡剂的发泡温度的温度下，凭借显示流动性的第1侧链结晶性聚合物，从而粘合片体现粘合力，因而能够贴合于基座。
另外，粘合片无间隙地侵入存在于基座表面的微细的凹凸、空隙内。若将该状态的粘合片冷却到低于上述熔点的温度，则侧链结晶性聚合物结晶化从而体现锚定效果，因而可以得到高的固定力。而且，包含结晶化的侧链结晶性聚合物的粘合片显示高的弹性模量，因而能够使基座的固定状态稳定，能够高精度地加工后述的贴敷于第2粘合层4的被加工物。
此外，若将粘合片加热到发泡剂的发泡温度以上的温度，则由于第1侧链结晶性聚合物显示流动性故粘合片的凝聚力降低，并且由于发泡剂也膨胀甚至发泡，因而能够充分降低上述固定力，能够从基座简单地移除粘合片。因此，本实施方式的粘合片可以作为在上述熔点以上且低于发泡剂的发泡温度的温度下贴合于基座、在低于上述熔点的温度下固定、在发泡剂的发泡温度以上的温度下移除的粘合片来使用。
上述的熔点能够通过改变第1侧链结晶性聚合物的组成等来调整。作为第1侧链结晶性聚合物的组成，可以举出例如：使具有碳数16以上、优选18以上的直链状烷基的(甲基)丙烯酸酯30～70质量份、具有碳数1～6的烷基的(甲基)丙烯酸酯30～70质量份、和极性单体1～10质量份聚合而得到的聚合物等。(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
作为具有碳数16以上的直链状烷基的(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如：(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸二十二烷基酯等具有碳数16～22的线状烷基的(甲基)丙烯酸酯。作为具有碳数1～6的烷基的(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己酯等。作为极性单体，可以举出例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、衣康酸、马来酸、富马酸等具有羧基的乙烯不饱和单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟己酯等具有羟基的乙烯不饱和单体等。这些可以使用1种或混合使用2种以上。
作为第1侧链结晶性聚合物的聚合方法，没有特别限定，可以采用例如溶液聚合法、本体聚合法、悬浮聚合法、乳液聚合法等。例如在采用溶液聚合法的情况下，将上述例示的单体混合于溶剂，在40～90℃左右搅拌2～10小时左右从而使上述单体聚合。
作为第1侧链结晶性聚合物的重均分子量，优选为200,000～1,000,000，更优选为300,000～900,000，进一步优选为400,000～800,000。由此，能够抑制将粘合带1从基座剥离时产生残胶。另外，第1侧链结晶性聚合物在熔点以上的温度下显示流动性时，能够充分降低第1粘合层3的粘合力。重均分子量是，通过凝胶渗透色谱法(gpc)测定第1侧链结晶性聚合物，对所得到的测定值进行聚苯乙烯换算的值。
另一方面，作为发泡剂，没有特别限定，通常的化学发泡剂、物理发泡剂均可采用。化学发泡剂中，包含热分型和反应型的有机系发泡剂以及无机系发泡剂。
作为热解型的有机系发泡剂，可以举出例如：各种偶氮化合物(偶氮二甲酰胺等)、亚硝基化合物(n，n’-二亚硝基五亚甲基四胺等)、肼衍生物[4，4’-氧代双(苯磺酰肼)等]、氨基脲(联二脲等)、叠氮化合物、四唑化合物等，作为反应型的有机系发泡剂，可以举出例如异氰酸酯化合物等。
作为热解型的无机系发泡剂，可以举出例如：碳酸氢盐·碳酸盐(碳酸氢钠等)、亚硝酸盐·氢化物等，作为反应型的无机系发泡剂，可以举出例如：碳酸氢钠与酸的组合、过氧化氢与酵母菌的组合、锌粉末与酸的组合等。
作为物理发泡剂，可以举出例如：丁烷、戊烷、己烷等脂肪族烃类、二氯乙烷、二氯甲烷等氯化烃类、氟利昂等氟化氯化烃类等有机系物理发泡剂、空气、碳酸气体、氮气等无机系物理发泡剂等。
另外，作为其他发泡剂，可以采用作为微胶囊化后的热膨胀性微粒的、所谓的微球发泡剂。微球发泡剂是在由热塑性或热固性树脂构成的聚合物壳的内部，封入了包含固体、液体或气体的加热膨胀性物质的发泡剂。换言之，微球发泡剂具备：具有微米级的平均粒径的中空状的聚合物壳、和封入聚合物壳的内部的加热膨胀性物质。微球发泡剂通过加热体积膨胀到40倍以上，得到独立气泡形式的发泡体。因此，微球发泡剂与通常的发泡剂相比，具有发泡倍率变得相当大的特性。这样的微球发泡剂可以使用市售的发泡剂，例如expancel公司制的“461du20”、“551du40”等是适宜的。
发泡剂发生膨胀甚至发泡的温度是高于第1侧链结晶性聚合物的熔点的温度。作为发泡剂膨胀甚至发泡的温度，通常优选为180℃以下，例如，优选在90℃开始膨胀甚至发泡，在120℃实质上完全发泡。
作为发泡剂的平均粒径，优选为5～50μm，更优选为5～20μm。平均粒径是用粒度分布测定装置测定而得到的值。
为了将含有这样的发泡剂、并含有第1侧链结晶性聚合物的第1粘合层3层叠于基材2的单面，例如将在溶剂中加入第1侧链结晶性聚合物和发泡剂的涂布液通过涂布机等涂布在基材2的单面并使其干燥即可。作为涂布机，可以举出例如：刮刀涂布机、辊涂机、压延涂布机、逗点涂布机、凹版涂布机、棒涂机等。
作为第1粘合层3的厚度，优选为10～50μm，更优选为15～45μm。
第1粘合层3中，可以添加例如交联剂、增粘剂、增塑剂、抗老化剂、紫外线吸收剂等各种添加剂，例示的添加剂之中优选添加交联剂。作为交联剂，可以举出例如异氰酸酯化合物等。交联剂优选按照以固体成分换算相对于第1侧链结晶性聚合物100质量份为0.1～10质量份的比例添加，更优选以0.1～5质量份的比例添加，进一步优选以0.3～3质量份的比例添加。
作为上述的第1粘合层3中的第1侧链结晶性聚合物、发泡剂和交联剂的优选配合，可以举出：以质量比计，第1侧链结晶性聚合物∶发泡剂∶交联剂＝100∶40～60∶0.3～3的比率。
(第2粘合层)
层叠于基材2的另一面的第2粘合层4是，被粘物为被加工物、含有第2侧链结晶性聚合物、在第2侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度下粘合力降低的温敏性粘合层。
第2侧链结晶性聚合物与上述的第1侧链结晶性聚合物同样，其熔点为30～70℃、优选为40～60℃。即，本实施方式中，第1侧链结晶性聚合物的熔点和第2侧链结晶性聚合物的熔点均为30～70℃、优选为40～60℃。由此，例如对被加工物进行研磨时，第1、第2侧链结晶性聚合物均能够维持结晶状态，因而能够确保第1粘合层3、第2粘合层4的粘合力，结果能够抑制研磨不良等加工不良的发生。
第2侧链结晶性聚合物的重均分子量优选为200,000～1,000,000，更优选为300,000～900,000，进一步优选为400,000～800,000。
第2侧链结晶性聚合物的熔点、组成、重均分子量、配合量等可以与上述的第1侧链结晶性聚合物相同，也可以不同。
即，第2侧链结晶性聚合物与第1侧链结晶性聚合物同样，使具有碳数16以上的直链状烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯30～70质量份、具有碳数1～6的烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯30～70质量份、和极性单体1～10质量份聚合而得到。
此时，具有碳数1～6的烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯优选相对于该酯的总量而包含具有碳数1或2的烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯2～70质量％。由此，第2粘合层的粘合力提高，晶片难以剥落，且硬度提高，因而能够抑制第2粘合层偏移、或变形，晶片的加工性提高。其它与上述的第1侧链结晶性聚合物同样。
需要说明的是，第1侧链结晶性聚合物与第2侧链结晶性聚合物同样，可以是相对于总量而包含具有碳数1或2的烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯2～70质量％的组成。
第2粘合层4的厚度与上述的第1粘合层3的厚度同样，为5～50μm、优选为5～20μm为宜。此时，含有第2侧链结晶性聚合物的第2粘合层4的厚度可以与第1粘合层3的厚度相同，或小于第1粘合层3的厚度，但在使粘合剂追随晶片等被加工物表面的凹凸，将被加工物牢固地固定上，优选大于第1粘合层3的厚度。
需要说明的是，第2粘合层4中，与第1粘合层3同样，优选添加交联剂。交联剂优选按照以固体成分换算相对于第2侧链结晶性聚合物100质量份为0.1～10质量份的比例添加，更优选以0.1～5质量份的比例添加，进一步优选以0.3～3质量份的比例添加。
第2粘合层4的其它构成与上述的第1粘合层3同样，因而省略说明。
(第1粘合层3和第2粘合层4)
本实施方式中的第1粘合层3和第2粘合层4在低于上述第1侧链结晶性聚合物和上述第2侧链结晶性聚合物的熔点(通常23℃)下，储能模量均为1×106～1×108pa。由此，能够使被加工物对基座的固定状态稳定，能够高精度地加工被加工物。
此时，第2粘合层4的储能模量可以与第1粘合层3的储能模量相同，或小于第1粘合层3的储能模量，但优选大于第1粘合层3的储能模量。由此，能够使晶片等被加工物的固定状态稳定，能够高精度地加工被加工物。
低于侧链结晶性聚合物的熔点的温度下的储能模量g’能够通过例如改变侧链结晶性聚合物的组成等而任意地调整。各温度下的储能模量g’是利用后述的实施例记载的测定方法测定而得到的值。
另一方面，第1粘合层3在经过熔点以上且低于所述发泡剂温度的温度后的低于熔点的状态下的相对于聚对苯二甲酸乙二酯的剥离强度为0.5～5.0n/25mm为宜。由此，可以得到对基座的固定力。低于上述熔点的状态下的第1粘合层3的剥离强度是依照jisz0237测定23℃的气氛温度下的相对于聚对苯二甲酸乙二酯膜的180°剥离强度而得到的值。
另外，第2粘合层4在经过熔点以上且低于所述发泡剂温度的温度后的低于熔点的状态下的相对于聚对苯二甲酸乙二酯的剥离强度为0.1～3.0n/25mm为宜。由此，可以得到对晶片等被加工物的固定力。第2粘合层4的剥离强度是依照jisz0237测定23℃的气氛温度下的相对于聚对苯二甲酸乙二酯膜的180°剥离强度而得到的值。
本实施方式中，优选第2粘合层4的180°剥离强度小于第1粘合层3的180°剥离强度。这意味着，对被加工物的固定力小于对基座的固定力。由此，能够降低被加工物的剥离时的粘合层向被加工物的残渣附着。具体来说，优选第2粘合层4的180°剥离强度低于第1粘合层3的180°剥离强度0.1～3.0n/25mm左右。
第1粘合层3和第2粘合层4的各180°剥离强度的调整可以通过改变各侧链结晶性聚合物的组成来进行。
(间隔件)
本实施方式的间隔件5a、5b是保护第1粘合层3和第2粘合层4的各表面的间隔件。
作为间隔件5a、5b，可以举出例如在由聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯等构成的膜的表面上涂布了有机硅、氟等脱模剂的间隔件。另外，作为间隔件5a、5b的各自的厚度，优选为10～110μm。
间隔件5a、5b相互的组成、厚度等可以相同，也可以不同。本实施方式中，间隔件5a是在聚乙烯膜的表面涂布有机硅系脱模剂而形成的，间隔件5b是在聚对苯二甲酸乙二酯膜的表面涂布有机硅系脱模剂而形成的。
需要说明的是，本实施方式中，使第1粘合层3的第1侧链结晶性聚合物中含有发泡剂，也可以使第2粘合层4的第2侧链结晶性聚合物中含有发泡剂。该情况下，第2粘合层4的发泡剂使用与第1粘合层3的发泡剂相比发泡温度高的发泡剂，若为相同的发泡剂，则优选减少含量。
<带图案的晶片的制造方法>
接着，基于图2说明被加工物为带图案的晶片时的该晶片的制造方法。就带图案的晶片而言，可以举出例如外延·晶片、3维堆叠结构的半导体器件、mems晶片等，均在表面具有凹凸状图案。作为晶片的原材，可以举出硅、蓝宝石玻璃、碳化硅(sic)、氮化镓(gan)等。尤其蓝宝石玻璃、碳化硅和氮化镓是难研磨材料。
本实施方式中的晶片的制造方法是使用上述的粘合片1对晶片进行磨削和/或研磨的方法，具备以下的(i)～(iv)的工序。
(i)如图2(a)所示，从粘合带1剥落图1所示的间隔件5a，载置于基座100上，在所述第1侧链结晶性聚合物的熔点以上且低于发泡开始温度的温度下，一边从上面利用辊6(加压单元)进行加压，一边将粘合带1粘贴在基座100上。作为基座100，可以举出例如陶瓷制的基座。
(ii)如图2(b)所示，在第2粘合层4的表面、于第2侧链结晶性聚合物的熔点以上的温度下粘贴带图案的晶片200的凹凸状图案面。
需要说明的是，(i)工序与(ii)工序的顺序可以颠倒。
(iii)如图2(c)所示，对带图案的晶片200的表面(即，与贴合于基座100的面相反一侧的面)进行磨削和/或研磨。图2(c)中，用符号201表示磨削片。
(iv)如图2(d)所示，使粘合片1的温度为第1粘合层3中含有的发泡剂的发泡开始温度以上，从基座100剥离粘合片1和带图案的晶片200。图2(d)中，用符号3′表示剥离后的第1粘合层。
(v)如图2(e)所示，将带图案的晶片200载置于加热器300上，加热而使粘合片1的温度为第2粘合层4的第2侧链结晶性聚合物的熔点以上，从晶片200剥离粘合片1。
本实施方式所涉及的晶片的制造方法使用上述的粘合片1，因而在上述(i)的工序中，能够将带图案的晶片200稳定地牢固地固定于基座100。因此，上述(ii)的工序中，能够将带图案的晶片200没有偏移或破裂地高精度地进行微米级的精密研磨。磨削的情况下，也能够磨削成所期望的形状。
并且，上述(iv)、(iv)的工序中，能够充分降低固定力，因而能够容易进行带图案的晶片200的移除，能够减少粘合片1的残渣附着于晶片200的表面的情形。
实施例
以下，举出合成例和实施例详细地说明本发明，但本发明不仅限于以下的合成例和实施例。需要说明的是，以下的说明中“份”是指质量份。
(合成例1：第1侧链结晶性聚合物)
按照丙烯酸二十二烷基酯45份、丙烯酸丁酯50份、丙烯酸羟乙酯5份、和作为聚合引发剂的perbutylnd(日油公司制)0.5份的比例，分别加入到乙酸乙酯∶正庚烷＝7∶3(质量比)的混合溶剂230份中，在60℃搅拌5小时，使这些单体聚合。所得到的共聚物的重均分子量为550,000、熔点为44℃。
(合成例2：第2侧链结晶性聚合物)
按照丙烯酸二十二烷基酯45份、丙烯酸丁酯50份、丙烯酸5份、和作为聚合引发剂的perbutylnd(日油公司制)0.5份的比例，分别加入到乙酸乙酯∶正庚烷＝7∶3(质量比)的混合溶剂230份中，在60℃搅拌5小时，使这些单体聚合。所得到的共聚物的重均分子量为580,000、熔点为45℃。
(合成例3：第2侧链结晶性聚合物)
按照丙烯酸二十二烷基酯45份、甲基丙烯酸酯15份、丙烯酸丁酯35份、丙烯酸5份、和作为聚合引发剂的perbutylnd(日油公司制)0.5份的比例，分别加入到乙酸乙酯∶正庚烷＝7∶3(质量比)的混合溶剂230份中，在60℃搅拌5小时，使这些单体聚合。所得到的共聚物的重均分子量为600,000、熔点为45℃。
(比较合成例3：压敏接合剂)
按照丙烯酸2-乙基己酯52份、丙烯酸甲酯40份、丙烯酸2-羟乙酯8份、和作为聚合引发剂的perbutylnd(日油公司制)0.3份的比例，分别加入到乙酸乙酯∶甲苯＝7∶3(质量比)的混合溶剂200份中，在60℃搅拌5小时，使这些单体聚合。所得到的共聚物的重均分子量为450,000。
将合成例1～2、比较合成例3的各共聚物示于表1。需要说明的是，熔点是通过将共聚物用dsc在10℃/分钟的测定条件下测定而得到的。重均分子量是用gpc测定共聚物，并对所得到的测定值进行聚苯乙烯换算而得到的。
◎[表1]
1)c22a：丙烯酸二十二烷基酯、c4a：丙烯酸丁酯、hea：丙烯酸2-羟乙酯、
aa：丙烯酸、eha：丙烯酸2-乙基己酯、c1a：丙烯酸甲酯
[实施例1]
(温敏性粘合片的制作)
使用的发泡剂和交联剂如下。
■发泡剂：平均粒径为6～9μm、发泡开始温度为90℃以上的expancel公司制的微球发泡剂“461du20”
■交联剂：日本聚氨酯工业公司制的异氰酸酯化合物“coronatel-45e”
(第1粘合层的制备)
将合成例1中得到的侧链结晶性聚合物/发泡剂/交联剂以100/50/1的比例(质量比)混合于乙酸乙酯中并按照固体成分成为30％的方式进行调整，得到涂布液，将该涂布液涂布于由聚对苯二甲酸乙二酯构成的厚度100μm的膜状的基材并使其干燥，形成厚度20μm的第1粘合层。
(第2粘合层的制备)
将合成例2中得到的侧链结晶性聚合物/交联剂以100/3的比例(质量比)混合于乙酸乙酯中并按照固体成分成为30％的方式进行调整，得到涂布液。接着，在单面形成了第1粘合层的所述基材的相反一面涂布涂布液并使其干燥，形成厚度40μm的第2粘合层，得到粘合片。
[实施例2]
(温敏性粘合片的制作)
使用的发泡剂和交联剂如下。
■发泡剂：平均粒径为6～9μm、发泡开始温度为90℃以上的expancel公司制的微球发泡剂“461du20”
■交联剂：日本聚氨酯工业公司制的异氰酸酯化合物“coronatel-45e”
(第1粘合层的制备)
将合成例1中得到的侧链结晶性聚合物/发泡剂/交联剂以100/50/1的比例(质量比)混合于乙酸乙酯中并按照固体成分成为30％的方式进行调整，得到涂布液，将该涂布液涂布于由聚对苯二甲酸乙二酯构成的厚度100μm的膜状的基材并使其干燥，形成厚度20μm的第1粘合层。
(第2粘合层的制备)
将合成例3中得到的侧链结晶性聚合物/交联剂以100/3的比例(质量比)混合于乙酸乙酯中并按照固体成分成为30％的方式进行调整，得到涂布液。接着，在单面形成了第1粘合层的上述基材的相反面涂布涂布液并使其干燥，形成厚度40μm的第2粘合层，得到粘合片。
[比较例1]
(压敏粘合片的制作)
(第1粘合层的调整)
将比较合成例3中得到的压敏接合剂/发泡剂/交联剂以100/30/0.5的比例(质量比)混合于乙酸乙酯中并按照固体成分成为30％的方式进行调整，得到涂布液，将该涂布液涂布在由聚对苯二甲酸乙二酯构成的厚度100μm的脱模膜上并使其干燥，形成厚度40μm的粘合层。
(第2粘合层的调整)
将比较合成例3中得到的压敏接合剂/交联剂以100/1的比例(质量比)混合于乙酸乙酯中并按照固体成分成为30％的方式进行调整，得到涂布液。接着，在单面形成了第1粘合层的上述基材的相反面涂布涂布液并使其干燥，形成厚度40μm的第2粘合层，得到粘合片。
[实施例3]
(晶片的制造)
按照以下的步骤进行带图案的晶片的制造。
(i)从实施例1中得到的粘合片1剥落图1所示的间隔件5a，载置于陶瓷制的基座100(支承基板)上，在60℃的温度下，一边从上面利用辊6(加压单元)进行加压，一边将粘合带1粘贴于基座100上(图2(a))。
(ii)在第2粘合层4的表面，在60℃的温度下粘贴带图案的晶片200的凹凸状图案面(图2(b))。
(iii)如图2(c)所示，对于带图案的晶片200的与贴合于基座100的面相反一侧的面进行磨削和研磨，达到规定的厚度(图2(c))。
(iv)使粘合片1的温度为120℃，从基座100剥离粘合片1和带图案的晶片200(图2(d))。
(v)将带图案的晶片200载置在加热器300上，加热到60℃，从晶片200剥离粘合片1(图2(e))。
其结果是，通过使用实施例1中得到的粘合片1，在上述(iii)工序中，晶片200未确认到磨削和研磨导致的偏移或破裂的发生。由此可知粘合片1具有高的加工保持性。
另外，上述(v)工序中，在剥离的晶片200的图案面，没有附着第2粘合层4的残渣。
[实施例4]
(晶片的制造)
作为粘合片1，除了使用实施例2中得到的粘合片之外，按照与实施例3同样的步骤制造带图案的晶片。
其结果是，通过使用实施例2中得到的粘合片1，在与实施例3相同的(iii)工序中，晶片200未确认到磨削和研磨导致的偏移或破裂的发生。由此可知，粘合片1具有高的加工保持性。
另外，在与实施例3相同的(v)工序中，在剥离的晶片200的图案面，没有附着第2粘合层4的残渣。
[比较例2]
除了代替实施例1中得到的粘合片，使用比较例1中得到的温敏性粘合片以外，与实施例3同样地制作晶片，结果晶片200由于磨削和研磨，晶片偏移，发生破裂。由此可知，比较例1中得到的压敏粘合片没有加工保持性。另外，上述(v)工序中，在剥离的晶片200的图案面，附着有残渣。
<评价>
对于实施例1和比较例1中分别所得到的粘合片的第1粘合层和第2粘合层，评价储能模量g’、180。剥离强度。另外，对于粘合片的磨削、研磨保持性和残胶性也进行评价。评价方法如下。
(储能模量g’)
使用精工仪器公司(seikoinstrumentsinc.)制的动态粘弹性测定装置“dms6100”，在10hz、5℃/分钟、0～100℃的升温过程中，测定23℃下的第1粘合层和第2粘合层的储能模量g’。
(180°剥离强度)
将第1粘合层作为上侧，将第2粘合层介由市售双面胶带固定于不锈钢钢板。接着，使第1粘合层与厚度25μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜重合，经过60℃(熔点以上且低于发泡剂温度)的温度后，在23℃(低于熔点)的温度下贴合两者。然后，使用测力传感器以300mm/分钟的速度将聚对苯二甲酸乙二酯膜从第1粘合层180°剥离。依照jisz0237测定此时的180°剥离强度，评价第1粘合层的23℃的气氛温度下的相对于聚对苯二甲酸乙二酯膜的180°剥离强度。
另一方面，与上述同样地，使第2粘合层与聚对苯二甲酸乙二酯膜重合，经过60℃(熔点以上且低于发泡剂温度)的温度后，在23℃(低于熔点)的温度下贴合两者。然后，与上述同样地评价相对于聚对苯二甲酸乙二酯膜的180°剥离强度。
(磨削、研磨保持性)
首先，将粘合片的第1粘合层在60℃(熔点以上且低于发泡剂温度)粘贴于基座，并且施加2kg/cm2的压力使第2粘合层也在上述同样的60℃下对直径100mm×厚度700μm的由蓝宝石玻璃构成的板状的被加工物压合5分钟。然后，解除压力后，从60℃降温至23℃并放置20分钟。然后，对被加工物按照磨削和研磨的顺序进行加工。磨削·研磨条件按照以下方式设定。
<磨削条件>
磨削机：单晶片式磨削盘
·粗磨削
··除去量：400μm
··转速：1000rpm
··切入：1μm/s以下
·精磨削
··除去量：200μm
··转速：1000rpm
··切入：0.5μm/s以下
<研磨条件>
··模座(日文：定盤)：铜
··金刚石磨粒：5μm
··转速：30rpm
··压力：300g/cm2
在上述的条件下，将被加工物薄膜化至厚度70μm。此时，通过目视观察作为被加工物的蓝宝石玻璃是否发生破裂来评价磨削、研磨保持性。需要说明的是，目视观察在研磨后进行。另外，评价基准按照以下方式进行设定。
○：研磨后的蓝宝石玻璃未发生破裂。
×：研磨后的蓝宝石玻璃发生破裂。
(残胶性)
施加2kg/cm2的压力使粘合片的第2粘合层在60℃下对直径100mm×厚度800μm的有机硅晶片镜面侧压合5分钟。然后，解除压力后，从60℃降温至23℃并放置20分钟。然后，再次升温至60℃，放置5分钟后，使用测力传感器以300mm/分钟的速度将第2粘合层从有机硅晶片180°剥离。利用电子显微镜(倍率：20倍)观察剥离后的有机硅晶片镜面侧，确认残胶的有无。另外，评价基准按照以下方式设定。
○：未观察到残胶。
×：观察到残胶。
将以上的评价结果示于表2。
◎[表2]
符号说明
1粘合片
2基材
3第1粘合层
4第2粘合层
5a、5b间隔件
100基座