半导体加工用片的制作方法
本发明涉及一种半导体加工用片。
背景技术：
由半导体晶圆制造半导体晶片时，通常使用如切割片、背面研磨片等的半导体加工用片。近年来，这样的半导体加工用片，被要求对所需波长的光线具有透射性(以下有时称为“光线透射性”)。
例如近年来，厚度比以往要薄的硅晶圆或玻璃制晶圆的使用在不断增加。在使用刀片切割这些晶圆时，容易产生如崩边、晶片破裂等的晶片缺损。因此，在使用这些晶圆时，切割完成后，在将晶片贴附在半导体加工用片上的状态下，从晶片的与半导体加工用片接触的面越过半导体加工用片而检查晶片的形状。为了良好地进行该检查，半导体加工用片必须透射用于检查的光线。
此外，在进行厚度较薄的晶圆的切片时，由于使用刀片进行全切割时有崩边等的担忧，因此，有时使用先将晶圆半切割后再进行背面磨削的先切割法；或者使用利用激光在晶圆内部设置改质层后，再进行背面磨削并将晶片切片的隐形切割(stealthdicing)法。
在进行隐形切割时，若在通过照射激光在晶圆内部形成改质层后贴附在半导体加工用片上，则由于贴附的压力而存在晶圆破损的风险。为了避免此风险，预先将晶圆贴附在半导体加工用片上之后，越过半导体加工用片对晶圆照射激光，从而形成改质层。此时，为了良好地照射激光，半导体加工用片必须透射激光。
进一步，以倒装法封装晶片时，通常将制品面、批次号码等激光印字在晶片的背面。为了进行这样的激光印字，设置有将完成了背面磨削的晶圆搬运至激光印字装置的工序。近年所使用的经薄化的晶圆，在搬运时产生晶圆破裂的风险较高。为了避免此风险，研究出将经薄化的晶圆以贴附在半导体加工用片上的状态进行搬运，并越过半导体加工用片照射激光，从而进行印字。为了良好地进行该激光印字，半导体加工用片必须透射激光。
此外，在晶片的背面设置保护膜时，也会对该保护膜进行激光印字。此时，越过半导体加工用片的基材、粘着剂层，对包含保护膜形成层的半导体加工用片的保护膜形成层照射激光，从而进行印字。此时，为了良好地进行激光印字，半导体加工用片的基材、粘着剂层等也必须透射激光。
半导体加工用片通常具备基材、及层叠在该基材的一个面上的粘着剂层。进一步，以在直至使用半导体加工用片为止的期间内保护粘着剂层为目的，会在该粘着剂层上设置剥离膜。例如，专利文献1及2中记载有一种依次层叠基材、粘着剂层及剥离膜而成的半导体加工用片。此外，通常根据半导体加工用片的用途，有时会在粘着剂层与剥离膜之间设置如接着剂层、保护膜形成层等的其它层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本实开平8-1220号
专利文献2：日本实开平2-146144号
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题
半导体加工用片的对具有所需波长的光线的优异的光线透射性，能够通过分别提高基材、粘着剂层的光线透射率来达成。例如，能够通过提高半导体加工用片的基材侧的面、即基材的与粘着剂层为相反侧的面的平滑性而达成。
但是，若为了得到具有高光线透射性的半导体加工用片而提高半导体加工用片的基材侧的面的平滑性，则容易发生粘连。即，在将长条的半导体加工用片卷取为卷状时，半导体加工用片彼此容易密着。若发生这样的密着，则难以将半导体加工用片从卷中放卷，或在不希望的界面(例如，粘着剂层与剥离膜的界面)上发生剥离。此外，在将基材及粘着剂层配合晶圆的形状而进行了预切割的半导体加工用片中，若发生这样的粘连，则在将半导体加工用片从卷中放卷时，会发生基材与粘着剂层的层叠体从剥离膜上剥离、或该剥离后的层叠体的基材侧贴附在剥离膜背面等的不良状况。
在此，专利文献1及2中公开了：对剥离膜的与粘着剂层为相反侧的面实施压花加工，其目的在于将半导体加工用片卷取为卷状时，避免在半导体加工用片之间夹入空气。
另一方面，专利文献1或2中公开的半导体加工用片在基材侧的面上不具有高平滑性，无法使用于如上所述的透过半导体加工用片的检查、激光切割、隐形切割、激光印字等。
本发明是鉴于上述实际情形而进行的，其目的在于提供一种在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连的半导体加工用片。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的，第一，本发明提供一种半导体加工用片，其至少具备：基材，其具有第一面、及位于与所述第一面为相反侧的第二面；半导体贴附层，其被层叠在所述基材的第二面侧，并在靠近所述基材的一侧具有第一面，在远离所述基材的一侧具有第二面；及剥离膜，其被层叠在所述半导体贴附层的第二面侧，并在靠近所述半导体贴附层的一侧具有第一面，在远离所述半导体贴附层的一侧具有第二面；其特征在于：所述基材的第一面的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm，所述剥离膜的第二面的算术平均粗糙度ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的第一面贴附且在40℃下保管3天后的、在所述半导体贴附层的第二面与所述剥离膜的第一面的界面上的剥离力β为10～1000mn/50mm(发明1)。
根据上述发明(发明1)，通过使基材的第一面的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm，基材侧的面的平滑性变得良好，且基材对所需波长的光线具有高光线透射性。进一步，通过使剥离膜的第二面的算术平均粗糙度ra大于0.05μm且为0.8μm以下，可避免在卷取为卷状时，半导体加工用片彼此较强地密着，发挥优异的抗粘连性。由此，能够良好地进行放卷，且在放卷时不会在不希望的界面上发生剥离。此外，由于剥离力β为10～1000mn/50mm，在使用半导体加工用片时，能够以适当的剥离力将包含基材及半导体贴附层的层叠体从剥离膜上剥离。
在上述发明(发明1)中，优选：将所述基材的第一面与所述剥离膜的第二面层叠且在40℃下保管3天后的、在所述基材的第一面与所述剥离膜的第二面的界面上的剥离力设为α时，所述剥离力α比所述剥离力β的比值(α/β)为0以上且小于1.0(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中，所述半导体贴附层可为粘着剂层(发明3)。
在上述发明(发明1、2)中，所述半导体贴附层可为接着剂层(发明4)。
在上述发明(发明1、2)中，所述半导体贴附层可为保护膜形成层(发明5)。
在上述发明(发明1、2)中，所述半导体贴附层可由粘着剂层、及位于所述粘着剂层与所述剥离膜之间的接着剂层构成(发明6)。
在上述发明(发明1、2)中，所述半导体贴附层可由粘着剂层、及位于所述粘着剂层与所述剥离膜之间的保护膜形成层构成(发明7)。
在上述发明(发明1～7)中，所述半导体加工用片，可在长条的所述剥离膜上层叠层叠体，该层叠体具有俯视时与所述剥离膜不同的形状且包含所述基材及所述半导体贴附层(发明8)。
第二，本发明提供一种半导体加工用片，其至少具备：基材，其具有第一面、及位于与所述第一面为相反侧的第二面；半导体贴附层，其被层叠在所述基材的第二面侧，并在靠近所述基材的一侧具有第一面，在远离所述基材的一侧具有第二面；夹具用粘着剂层，其被层叠在所述半导体贴附层的第二面侧，并在靠近所述半导体贴附层的一侧具有第一面、在远离所述半导体贴附层的一侧具有第二面；及剥离膜，其至少被层叠在所述夹具用粘着剂层的第二面侧，并在靠近所述夹具用粘着剂层的一侧具有第一面，在远离所述夹具用粘着剂层的一侧具有第二面，其特征在于：所述基材的第一面的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm，所述剥离膜的第二面的算术平均粗糙度ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将所述夹具用粘着剂层的第二面与所述剥离膜的第一面贴附且在40℃下保管3天后的、在所述夹具用粘着剂层的第二面与所述剥离膜的第一面的界面上的剥离力β为10～1000mn/50mm(发明9)。
发明效果
根据本发明，能够提供一种在具有优异的光线透射性的同时不容易发生粘连的半导体加工用片。
附图说明
图1为本发明的第一实施方式的半导体加工用片的剖面图。
图2为表示本发明的第一实施方式的半导体加工用片为重叠状态的剖面图。
图3为本发明的第一实施方式的第一形态的半导体加工用片的剖面图。
图4为本发明的第一实施方式的第二形态的半导体加工用片的剖面图。
图5为本发明的第一实施方式的第三形态的半导体加工用片的剖面图。
图6为本发明的第一实施方式的第四形态的半导体加工用片的剖面图。
图7为本发明的第一实施方式的第五形态的半导体加工用片的俯视图。
图8为本发明的第二实施方式的半导体加工用片的剖面图。
图9为本发明的第三实施方式的半导体加工用片的剖面图。
图10为沿图9的a-a线的剖面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
图1中表示第一实施方式的半导体加工用片1。半导体加工用片1通过依次将基材10、半导体贴附层80及剥离膜30层叠而构成。基材10在远离半导体贴附层80的一侧具有第一面101，在靠近半导体贴附层80的一侧具有第二面102。半导体贴附层80在靠近基材10的一侧具有第一面801，在靠近剥离膜30的一侧具有第二面802。剥离膜30在靠近半导体贴附层80的一侧具有第一面301，在远离半导体贴附层80的一侧具有第二面302。
本实施方式的半导体加工用片1中，基材10的第一面101的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm。通过使基材10的第一面101如此平滑，能够减低照射在第一面101上的光线在该面上散射，基材10能够发挥高光线透射性。
此外，本实施方式的半导体加工用片1中，剥离膜30的第二面302的算术平均糙度ra大于0.05μm且为0.8μm以下。由此，在将半导体加工用片卷为卷状时，即使相对于如上述那样平滑的基材10的第一面101，剥离膜30的第二面302也不易密着，因此，半导体加工用片彼此不易密着。由此，能够良好地进行放卷，且在进行放卷时不会在不希望的界面上发生剥离。即，发挥优异的抗粘连性。
进一步，本实施方式的半导体加工用片1中，剥离力β为10～1000mn/50mm。在此，剥离力β是指，如后所述，在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力。由此，在使用半导体加工用片时，能够以适当的剥离力将包含基材及半导体贴附层的层叠体从剥离膜上剥离。
另外，本说明书中，将剥离力β规定为在剥离膜30和与其接触的主要的层的界面上的剥离力。例如，上述半导体加工用片1中，由于剥离膜30与半导体贴附层80接触，因此规定为在半导体贴附层80与剥离膜30的界面上的剥离力β。另一方面，在后述的具备夹具用粘着剂层60的第二实施方式的半导体加工用片2(参照图8)中，半导体贴附层80及夹具用粘着剂层60同时接触剥离膜30。在此，相较于剥离膜30与半导体贴附层80的接触，剥离膜30与夹具用粘着剂层60的接触，对将剥离膜30从半导体加工用片2上剥离时的剥离力所造成的影响更大。因此，在具备夹具用粘着剂层60的半导体加工用片2中，如后所述，规定为在夹具用粘着剂层60的剥离膜30侧的面(第二面602)与剥离膜30的夹具用粘着剂层60侧的面(第一面301)的界面上的剥离力β。
1.半导体加工用片的物性等
本实施方式的半导体加工用片1中，将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设作β时，该剥离力β为10～1000mn/50mm，优选为10～500mn/50mm，特别优选为30～200mn/50mm。在此，剥离力β是指在将半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301贴附的状态下，在干燥状态下于40℃保管3天后的、剥离膜30对半导体贴附层80的剥离力。剥离力β小于10mn/50mm时，在将半导体加工用片1从卷中放卷时、及在除此外的不意图的阶段，基材10与半导体贴附层80的层叠体容易从剥离膜30上剥离。此外，剥离力β大于1000mn/50mm时，在使用半导体加工用片1时，难以将基材10与半导体贴附层80的层叠体从剥离膜30上剥离，作业性变差。特别是使用晶圆贴膜机将该层叠体依次贴合在半导体晶圆上时，发生如该层叠体无法从剥离膜30上良好地剥离，从而无法进行贴合等的不良情况。
本实施方式的半导体加工用片1中，将在基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设作α时，剥离力α比上述的剥离力β的比值(α/β)优选为0以上，特别优选0.05以上，进一步优选为0.1以上。此外，该比值(α/β)优选小于1.0，特别优选为0.5以下，进一步优选为0.2以下。在此，剥离力α是指将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302层叠，且在干燥状态下于40℃保管3天后的、剥离膜30对基材10的剥离力。另外，上述比值(α/β)为0时，剥离力α的值为0，意味着剥离力α小到无法测定的程度、或剥离膜30在测定前已从基材10上剥离的状态。通过使剥离力α比剥离力β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，如图2所示，将半导体加工用片1彼此重叠时，半导体加工用片1之间的密着性不会高于构成半导体加工用片的各层之间的密着性。具体而言，基材10的第一面101和与其相向的剥离膜30的第二面302之间的密着性不会高于基材10与半导体贴附层80之间的密着性及半导体贴附层80与剥离膜30之间的密着性。由此，抗粘连性变得更加优异，在将已卷起重叠为卷状的半导体加工用片1放卷时，能够有效地抑制半导体加工用片1的基材10的第一面101和与其重叠的半导体加工用片1的剥离膜30的第二面302的密着。进一步，在放卷时，在半导体加工用片1的不希望的界面上的剥离的发生得以抑制。由此，能够将半导体加工用片1良好地放卷。
关于本实施方式的半导体加工用片1的厚度，只要半导体加工用片1能够在所使用的工序中适当地发挥作用，则不被限定。该厚度通常优选为50～300μm，特别优选为50～250μm，进一步优选为50～230μm。另外，本说明书中的半导体加工用片1的厚度是指除去在使用半导体加工用片1前被剥离的剥离膜30后的厚度。
2.基材
在本实施方式的半导体加工用片1中，基材10的第一面101的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm，特别优选为0.02～0.5μm，进一步优选为0.03～0.3μm。该算术平均粗糙度ra若小于0.01μm，则第一面101变得过度平滑，剥离力α的值变得过大，将半导体加工用片1卷为卷状时容易发生粘连。此外，该算术平均粗糙度ra若大于0.8μm，则照射在第一面101上的光线容易在该面上散射，损害光线透射性。另外，本说明书中的算术平均粗糙度ra为依据jisb0601:2013而测定的值，测定方法的详细如后述的实施例所示。
为了达成上述算术平均粗糙度ra，在制造基材10时，优选以具有上述算术平均粗糙度ra的方式进行制造。例如，优选通过调整在基材10的挤出成型中使用的辊的表面粗糙度，来制造具有上述算术平均粗糙度ra的基材10。或优选在使用吹塑法制造基材10时，将成为第一面101的面的粗糙度调整为上述算术平均粗糙度ra。
基材10的第二面102的算术平均粗糙度ra，只要能够确保基材10的光线透射性，则可适当设定，例如优选为0.01～2.0μm，特别优选为0.03～1.5μm，进一步优选为0.05～1.0μm。
在本实施方式的半导体加工用片1中，基材10的构成材料，只要对所需波长的光线发挥优异的光线透射性，且半导体加工用片1能够在所使用工序中发挥所需的功能，则没有特别限定。基材10可包含以树脂类的材料为主要材料的膜(树脂膜)。基材10优选仅由树脂膜构成。作为树脂膜的具体例，可举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物膜、以及其他的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等的乙烯类共聚合膜；聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等的聚烯烃类膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等的聚氯乙烯类膜；聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯类膜；(甲基)丙烯酸酯共聚物膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。作为聚乙烯膜的例子，可举出低密度聚乙烯(ldpe)膜、直链低密度聚乙烯(lldpe)膜、高密度聚乙烯(hdpe)膜等。此外，也可使用它们的交联膜、离子聚合物膜等的改性膜。基材10可为由上述的1种构成的膜，也可为由组合上述的2种类以上而成的材料构成的膜。此外，还可为层叠有多层由上述1种以上的材料构成的层而成的多层结构的层叠膜。在该层叠膜中，构成各层的材料可为同种也可为不同种。作为基材10，上述膜之中，优选使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物膜、聚氯乙烯膜或聚丙烯膜。另外，本说明书的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸这两者。其它类似用语也同样。
在基材10中，只要不损害对所需波长的光线的优异的光线透射性，上述的膜内还可含有阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、滑剂、抗氧化剂、着色剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、离子捕捉剂等的各种添加剂。作为这些添加剂的含量，没有特别限定，但是优选设为基材10发挥优异的光线透射性及所需功能的范围。
另外，如后所述，也可使用粘着剂层20作为半导体贴附层80，使用能量射线而使该粘着剂层20固化时，基材10优选对该能量射线具有光线透射性。例如作为该能量射线的例子，可举出紫外线、电子束等。
关于基材10的第二面102，只要不损害半导体加工用片1的光线透射性，则为了提高与半导体贴附层80的密着性，也可实施底漆处理、电晕处理、等离子体处理等的表面处理。
关于基材10的厚度，只要半导体加工用片1能够在所使用的工序中适当地发挥作用，则不被限定。该厚度通常优选为20～450μm，特别优选为25～300μm，进一步优选为50～200μm。
3.剥离膜
剥离膜30的第二面302的算术平均粗糙度ra大于0.05μm，优选为0.08μm以上，特别优选为0.1μm以上。此外，该算术平均粗糙度ra为0.8μm以下，优选为0.5μm以下，特别优选为0.3μm以下。若第二面302的算术平均粗糙度ra为0.05μm以下，则第二面302变得过度平滑，在将半导体加工用片1卷取为卷状时，平滑的基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302容易密着。因此，半导体加工用片1彼此密着，容易发生粘连。另一方面，若第二面302的算术平均粗糙度ra大于0.8μm，则在将半导体加工用片1卷取为卷状时，剥离膜30的第二面302的表面形状转印至基材10的第一面101，从而导致第一面101的平滑性降低。其结果，半导体加工用片1的光线透射性降低。
为了达成上述算术平均粗糙度ra，在制造剥离膜30时，可以以具有上述算术平均粗糙度ra的方式进行制造。或在将剥离膜30的构成材料制为片状之后，以具有上述算术平均粗糙度ra的方式对该片实施表面处理。前者的情况下，例如可以通过调整在剥离膜30的挤出成型中使用的辊的粗糙度，从而制造具有上述算术平均粗糙度ra的剥离膜30。后者的情况下，例如可以通过对片实施喷砂处理、压花加工等，从而制造具有上述算术平均粗糙度ra的剥离膜30。
剥离膜30的第一面301的算术平均粗糙度ra，只要能够达成剥离力β的上述值，则可以适当设定，例如优选为0.02～0.10μm，特别优选为0.02～0.07μm，进一步优选为0.03～0.05μm。
为了发挥对半导体贴附层80的剥离性，剥离膜30通常在第一面301侧设置剥离剂层。此外，在本实施方式的半导体加工用片1的剥离膜30中，也可在第一面301侧及第二面302侧分别具备剥离剂层。此时，剥离膜30，例如具有在树脂膜等基材的两面具备剥离剂层的结构。通过在第一面301侧具备剥离剂层，剥离力β容易达成上述值。此外，通过在第二面302侧具备剥离剂层，在将半导体加工用片1卷取为卷状时，半导体加工用片1彼此不易发生密着，有效抑制粘连。作为剥离剂，可以使用有机硅类剥离剂、醇酸类剥离剂、氟类剥离剂、长链烷基类剥离剂、橡胶类剥离剂等。其中，从容易将剥离力β调整成为上述值的角度出发，在第一面301侧优选使用有机硅类剥离剂，从容易将剥离力α比剥离力β的比(α/β)调整成为上述值的角度出发，在第二面302侧优选使用有机硅类剥离剂或醇酸类剥离剂。
作为构成剥离膜30的材料，例如可以使用树脂膜。作为树脂膜的具体例，可举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜；及聚丙烯或聚乙烯等的聚烯烃膜。
剥离膜30的厚度没有特别限制，但是通常为12～250μm左右。
4.半导体贴附层
半导体贴附层80是指在使用本实施方式的半导体加工用片1时，半导体晶圆等所贴附的层或贴附在半导体晶圆等上的层。此时的贴附，可为在使用半导体加工用片1时暂时进行的贴附，还可为使用半导体加工用片1后也继续进行的贴附。作为半导体贴附层80的优选例，可举出粘着剂层20、接着剂层40、保护膜形成层50、由粘着剂层20及接着剂层40构成的层叠体、粘着剂层20与保护膜形成层50的层叠体等。
图3中，表示第一实施方式的半导体加工用片1的第一形态。在该形态的半导体加工用片1a中，半导体贴附层80为粘着剂层20。在半导体加工用片1a中，粘着剂层20在靠近基材10的一侧具有第一面201，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面202。另外，半导体加工用片1a例如可用作为切割片。
图4中，表示第一实施方式的半导体加工用片1的第二形态。在该形态的半导体加工用片1b中，半导体贴附层80为接着剂层40。在半导体加工用片1b中，接着剂层40在靠近基材10的一侧具有第一面401，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面402。另外，半导体加工用片1b例如可用作为管芯键合片。
图5中，表示第一实施方式的半导体加工用片1的第三形态。在该形态的半导体加工用片1c中，半导体贴附层80为保护膜形成层50。在半导体加工用片1c中，保护膜形成层50在靠近基材10的一侧具有第一面501，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面502。另外，半导体加工用片1c例如可用作为保护膜形成用片。
图6中，表示第一实施方式的半导体加工用片1的第四形态。在该形态的半导体加工用片1d中，半导体贴附层80为由粘着剂层20及接着剂层40构成的层叠体。在半导体加工用片1d中，粘着剂层20位于靠近基材10的一侧，接着剂层40位于靠近剥离膜30的一侧。此外，粘着剂层20在靠近基材10的一侧具有第一面201，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面202。进一步，接着剂层40在靠近基材10的一侧具有第一面401，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面402。另外，半导体加工用片1d例如可用作为切割·管芯键合片。
图7中，表示第一实施方式的半导体加工用片1的第五形态。在该形态的半导体加工用片1e中，半导体贴附层80为由粘着剂层20及保护膜形成层50构成的层叠体。在半导体加工用片1e中，粘着剂层20位于靠近基材10的一侧，保护膜形成层50位于靠近剥离膜30的一侧。此外，粘着剂层20在靠近基材10的一侧具有第一面201，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面202。进一步，保护膜形成层50在靠近基材10的一侧具有第一面501，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面502。另外，半导体加工用片1e可以用于半导体晶圆的切割，且进行切割后，能够通过对保护膜形成层50进行加热等，而在半导体晶片上形成保护膜。此外，半导体加工用片1e，也可用作为保护膜形成用片。
(1)粘着剂层
在本实施方式的半导体加工用片1中，粘着剂层20可由非能量射线固化性粘着剂(不具有能量射线固化性的聚合物)构成，也可由能量射线固化性粘着剂构成。作为非能量射线固化性粘着剂，优选具有所需的粘着力及再剥离性，例如可以使用丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、有机硅类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯基醚类粘着剂等。其中，优选在切割工序等能够有效抑制半导体晶圆、半导体晶片等的脱落的丙烯酸类粘着剂。
另一方面，由于能量射线固化性粘着剂通过照射能量射线而使粘着力降低，因此欲使半导体晶圆、半导体晶片等与半导体加工用片1分离时，可以通过照射能量射线而容易地使其分离。
构成粘着剂层20的能量射线固化性粘着剂，可将具有能量射线固化性的聚合物作为主要成分，也可将非能量射线固化性聚合物(不具有能量射线固化性的聚合物)与具有至少1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的混合物作为主要成分。此外，也可为具有能量射线固化性的聚合物与非能量射线固化性聚合物的混合物，也可为具有能量射线固化性的聚合物与具有至少1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的混合物，也可为上述3种的混合物。
首先，以下对能量射线固化性粘着剂将具有能量射线固化性的聚合物作为主要成分的情况进行说明。
具有能量射线固化性的聚合物，优选为在侧链导入有具有能量射线固化性的官能团(能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(a)(以下有时称为“能量射线固化型聚合物(a)”)。该能量射线固化型聚合物(a)，优选通过使具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)、与具有与该官能团键合的官能团的含不饱和基化合物(a2)反应而得到。
丙烯酸类共聚物(a1)由由含官能团单体导入的结构单元、及由(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物导入的结构单元构成。
作为丙烯酸类共聚物(a1)的结构单元的含官能团单体，优选为在分子内具有聚合性双键、及羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等的官能团的单体。
作为含羟基单体，例如可举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
作为含羧基单体，例如可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、柠康酸等的烯属不饱和羧酸。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
作为含氨基单体或含取代氨基单体，例如可举出(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸正丁基氨基乙酯等。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
作为构成丙烯酸类共聚物(a1)的(甲基)丙烯酸酯单体，可以使用烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯。其中，特别优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。
丙烯酸类共聚物(a1)，通常以3～100质量％、优选以5～40质量％的比率含有由上述含官能团单体导入的结构单元，通常以0～97质量％、优选以60～95质量％的比率含有由(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物导入的结构单元而形成。
丙烯酸类共聚物(a1)，可以通过使用常用的方法将如上所述的含官能团单体、与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物共聚而得到，除了这些单体以外，也可共聚二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
通过使具有上述含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)、与具有与该官能团键合的官能团的含不饱和基化合物(a2)反应，从而能够得到能量射线固化型聚合物(a)。
含不饱和基化合物(a2)所具有的官能团，可以根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的含官能团单体单元的官能团种类而适当地选择。例如丙烯酸类共聚物(a1)所具有的官能团为羟基、氨基或取代氨基时，作为含不饱和基化合物(a2)所具有的官能团，优选为异氰酸酯基或环氧基；丙烯酸类共聚物(a1)所具有的官能团为环氧基时，作为含不饱和基化合物(a2)所具有的官能团，优选为氨基、羧基或吖丙啶基。
此外，上述含不饱和基化合物(a2)中，在1分子中，至少含有1个、优选含有1～6个、进一步优选含有1～4个能量射线聚合性的碳-碳双键。作为这样的含不饱和基化合物(a2)的具体例，例如可举出2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、异氰酸烯丙酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基一异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与多元醇化合物、(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基一异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸环氧丙酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-吖丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-异丙烯基-2-噁唑啉等。
上述含不饱和基化合物(a2)，相对于上述丙烯酸类共聚物(a1)的含官能团单体，通常以5～95摩尔％、优选以10～95摩尔％的比率而使用。
在丙烯酸类共聚物(a1)与含不饱和基化合物(a2)的反应中，可以根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的官能团与含不饱和基化合物(a2)所具有的官能团的组合，而适当地选择反应温度、压力、溶剂、时间、催化剂的有无、催化剂的种类。由此，丙烯酸类共聚物(a1)中存在的官能团与含不饱和基化合物(a2)中的官能团进行反应，将不饱和基导入丙烯酸类共聚物(a1)中的侧链中，得到能量射线固化型聚合物(a)。
如此进行而得到的能量射线固化型聚合物(a)的重均分子量优选为10,000以上，特别优选为150,000～1,500,000，进一步优选为200,000～1,000,000。另外，本说明书中的重均分子量(mw)为通过凝胶渗透层析法(gpc法)而测定的标准聚苯乙烯换算的值。
能量射线固化性粘着剂在将如能量射线固化型聚合物(a)的具有能量射线固化性的聚合物作为主要成分时，能量射线固化性粘着剂也可进一步含有能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)。
作为能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)，例如可以使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。
作为该能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)，例如可举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等的单官能性丙烯酸酯类、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等的多官能性丙烯酸酯类、聚酯寡聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯寡聚(甲基)丙烯酸酯等。
向能量射线固化型聚合物(a)中掺合能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)时，能量射线固化性粘着剂中的能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)的含量，相对于能量射线固化型聚合物(a)100质量份，优选为5～70质量份，特别优选为20～50质量份。
在此，使用紫外线作为用于得到能量射线固化性粘着剂的能量射线时，优选添加光聚合引发剂(c)，通过使用该光聚合引发剂(c)，能够减少聚合固化时间及光线照射量。
作为光聚合引发剂(c)，具体而言，可举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苄基、联苄基(dibenzyl)、联乙酰、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、2-苯并噻唑-n,n-二乙基二硫代氨基甲酸、寡聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。它们可单独使用，也可同时使用2种以上。
相对于能量射线固化型共聚物(a)(掺合能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)时，相对于能量射线固化型共聚物(a)及能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)的合计量100质量份)100质量份，使用0.1～10质量份的光聚合引发剂(c)，特别优选以0.5～6质量份的范围的量使用光聚合引发剂(c)。
在能量射线固化性粘着剂中，除了上述成分以外，也可适当地掺合其它成分。作为其它成分，例如可举出非能量射线固化性聚合物成分或寡聚物成分(d)、交联剂(e)等。
作为非能量射线固化性聚合物成分或寡聚物成分(d)，例如可举出聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烃等，优选重均分子量(mw)为3,000～2,500,000的聚合物或寡聚物。通过向能量射线固化性粘着剂中掺合该成分(d)，能够改善固化前的粘着性及剥离性、固化后的强度、与其它层的接着性、保存稳定性等。该成分(d)的掺合量没有特别限定。
作为交联剂(e)，可以使用与能量射线固化型共聚物(a)等所具有的官能团具有反应性的多官能性化合物。作为这样的多官能性化合物的例子，可举出异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金属烷氧化物化合物、金属螯合化合物、金属盐、铵盐、反应性酚醛树脂等。通过向能量射线固化性粘着剂中掺合该成分(e)，能够改善固化前的粘着性及剥离性、粘着剂的凝聚性等。该成分(e)的掺合量没有特别限定，相对于能量射线固化型共聚物(a)100质量份，在0～15质量份的范围内适当地决定。
接着，以下对能量射线固化性粘着剂将非能量射线固化性聚合物成分与具有至少1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的混合物作为主要成分的情况进行说明。
作为非能量射线固化性聚合物成分，例如可以使用与上述的丙烯酸类共聚物(a1)同样的成分。
作为具有至少1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物，可以选择与上述的成分(b)相同的单体和/或寡聚物。关于非能量射线固化性聚合物成分与具有至少1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的掺合比，相对于非能量射线固化性聚合物成分100质量份，具有少1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物优选为10～250质量份，特别优选为25～100质量份。
此时，也与上述同样地，可适当地掺合光聚合引发剂(c)、交联剂(e)等。
只要半导体加工用片1能够在所使用的工序中适当地发挥作用，则粘着剂层20的厚度没有特别限定。具体而言，优选为1～50μm，特别优选为2～40μm，进一步优选为3～30μm。
(2)接着剂层
作为构成接着剂层40的材料，只要在进行切割时能够将晶圆固定且能够对被切片的晶片形成接着剂层，则能够无特别限制地使用。作为构成这样的接着剂层40的材料，使用由热增塑性树脂及低分子量的热固化性接着成分构成的材料、由b阶(半固化状)的热固化型接着成分构成的材料等。其中，作为构成接着剂层40的材料，优选含有热增塑性树脂及热固化性接着成分的材料。作为热增塑性树脂，可举出(甲基)丙烯酸类共聚物、聚酯类树脂、氨基甲酸酯类树脂、苯氧基类树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、乙烯(甲基)丙烯酸类共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酯类共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰亚胺等，特别是就粘着性及造膜性(片加工性)而言，优选(甲基)丙烯酸类共聚物。作为热固化性接着成分，可举出环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛类树脂、有机硅类树脂、氰酸酯类树脂、双马来酰亚胺三嗪类树脂、烯丙基化聚苯醚类树脂(热固化性ppe)、甲醛类树脂、不饱和聚酯或其共聚物等，特别是从接着性的角度出发，优选环氧类树脂。作为构成接着剂层40的材料，从对半导体晶圆的贴附性优异、特别是从在图6所示的半导体加工用片1d中与粘着剂层20的剥离性优异这一点出发，特别优选含有(甲基)丙烯酸类共聚物及环氧类树脂的材料。
作为(甲基)丙烯酸类共聚物，没有特别限制，可以使用以往公知的(甲基)丙烯酸类共聚物。(甲基)丙烯酸类共聚物的重均分子量(mw)优选为10,000～2,000,000，特别优选为100,000～1,500,000。通过使(甲基)丙烯酸类共聚物的mw为10,000以上，特别是在图6所示的半导体加工用片1d中，接着剂层40与粘着剂层20的剥离性变得更良好，能够有效地进行晶片的拾取。此外，通过使(甲基)丙烯酸类共聚物的mw为2,000,000以下，接着剂层40能够更良好地追随被粘物的凹凸，能够有效地防止产生空隙等。
(甲基)丙烯酸类共聚物的玻璃化转变温度(tg)优选为-60～70℃，更优选为-30～50℃。通过使(甲基)丙烯酸类共聚物的tg为-60℃以上，特别是在图5所示的半导体加工用片1c中，接着剂层40与粘着剂层20的剥离性变得更良好，能够有效地进行晶片的拾取。此外，通过使(甲基)丙烯酸类共聚物的tg为70℃以下，能够充分地得到用于固定晶圆的接着力。
作为构成(甲基)丙烯酸类共聚物的单体，可举出(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，更具体而言，例如可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸环烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸酰亚胺酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等的含羟基的(甲基)丙烯酸酯；环氧丙基丙烯酸酯、甲基丙烯酸环氧丙酯等。此外，也可使用丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等含有羧基的不饱和单体。它们可单独使用1种，也可同时使用2种以上。
作为构成(甲基)丙烯酸类共聚物的单体，上述之中，就与环氧类树脂的相容性而言，优选至少使用含羟基(甲基)丙烯酸酯。此时，在(甲基)丙烯酸类共聚物中，优选以1～20质量％的范围、更优选以3～15质量％的范围含有源自含羟基(甲基)丙烯酸酯的结构单元。作为(甲基)丙烯酸类共聚物，具体而言，优选(甲基)丙烯酸烷基酯与含羟基(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
此外，在不损害本发明的目的的范围内，(甲基)丙烯酸类共聚物也可使乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等的单体共聚。
作为环氧类树脂，可以使用以往公知的各种环氧类树脂。作为环氧类树脂，可举出双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、二环戊二烯(dcpd)型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、杂环型环氧树脂、二苯乙烯型环氧树脂、缩合芳香族烃改性环氧树脂、它们的卤化物等的结构单元中含有2个以上的官能团的环氧类树脂等。这些环氧类树脂可单独使用1种，也可同时使用2种以上。
环氧类树脂的环氧当量没有特别限定。环氧当量通常优选为150～1000g/eq。另外，本说明书中的环氧当量为依据jisk7236:2009而测定的值。
环氧类树脂的含量，相对于(甲基)丙烯酸类共聚物100质量份，优选为1～1500质量份，更优选为3～1000质量份。通过使环氧类树脂的含量相对于(甲基)丙烯酸类共聚物100质量份为1质量份以上，能够得到充分的接着力。此外，通过使环氧类树脂的含量相对于(甲基)丙烯酸类共聚物100质量份为1500质量份以下，能够得到充分的造膜性，能够有效地形成接着剂层40。
构成接着剂层40的材料，优选进一步含有用于固化环氧类树脂的固化剂。作为固化剂，可举出分子中具有2个以上的能与环氧基反应的官能团的化合物，作为该官能团，可举出酚性羟基、醇性羟基、氨基、羧基、酸酐基等。其中，优选酚性羟基、氨基及酸酐基，更优选酚性羟基及氨基。
作为固化剂的具体例，可举出酚醛清漆型酚类树脂、二环戊二烯类酚类树脂、三酚甲烷型酚类树脂、芳烷基酚类树脂等的酚性热固化剂；dicy(氰胍)等的胺类热固化剂。固化剂可单独使用1种，也可以同时使用2种以上。
固化剂的含量，相对于环氧类树脂100质量份，优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。通过使固化剂的含量相对于环氧类树脂100质量份为0.1质量份以上，能够得到充分的接着力。此外，通过使固化剂的含量相对于环氧类树脂100质量份为500质量份以下，能够有效地防止接着剂层40的吸湿率上升，能够使半导体封装的可靠性更优异。
构成接着剂层40的材料(接着剂组合物)，除了上述以外，根据需要也可含有固化促进剂、偶联剂、交联剂、能量射线固化型化合物、光聚合引发剂、增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、颜料、染料、无机填充剂等的各种添加剂。这些各添加剂可单独含有1种，也可组合2种以上而含有。
固化促进剂用于调整接着剂组合物的固化速度。作为固化促进剂，优选能够促进环氧基与酚性羟基或胺等的反应的化合物。作为该化合物，具体而言，可举出叔胺类、2-苯基-4,5-二(羟甲基)咪唑等的咪唑类、有机膦类、四苯基硼盐等。
偶联剂具有提高接着剂组合物的对被粘物的接着性·密着性的功能。此外，通过使用偶联剂，能够在不损害使接着剂组合物固化得到的固化物的耐热性的情况下，提高该固化物的耐水性。偶联剂优选为具有与上述(甲基)丙烯酸类聚合物及环氧类树脂所具有的官能团进行反应的基团的化合物。作为这样的偶联剂，优选硅烷偶联剂。
作为硅烷偶联剂，没有特别限制，可以使用公知的硅烷偶联剂。例如可举出γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、n-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-氢硫基丙基三甲氧基硅烷、γ-氢硫基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基硅烷基丙基)四硫烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。它们能够单独1种，也可混合2种以上而使用。
交联剂用于调节接着剂层40的凝聚力。作为上述(甲基)丙烯酸类聚合物的交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂，例如可以使用作为构成粘着剂层20的材料而在上文中记述的交联剂。
能量射线固化型化合物为受到紫外线等的能量射线的照射时进行聚合固化的化合物。通过利用能量射线照射使能量射线固化型化合物固化，特别是在图6所示的半导体加工用片1d中，由于能够提高接着剂层40与粘着剂层20的剥离性，因此半导体晶片的拾取变得容易。
作为能量射线固化型化合物，优选丙烯酸类化合物，特别优选在分子内具有至少1个聚合性双键。作为这样的丙烯酸类化合物，具体而言，可举出二环戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸寡聚物等。
丙烯酸类化合物的重均分子量通常为100～30,000，优选为300～10,000左右。
接着剂组合物含有能量射线固化型化合物时，能量射线固化型化合物的含量相对于(甲基)丙烯酸类聚合物100质量份，通常为1～400质量份，优选为3～300质量份，更优选为10～200质量份。
接着剂层40含有上述能量射线固化型化合物时，在通过能量射线的照射而进行聚合固化时，光聚合引发剂能够减少聚合固化时间及能量射线的照射量。作为光引发剂，没有特别限制，可以使用公知的光聚合引发剂，例如可以使用作为构成粘着剂层20的材料而在上文中记述的光聚合引发剂。
接着剂层40的厚度通常为3～100μm，优选为5～80μm。
(3)保护膜形成层
保护膜形成层50优选由未固化的固化性接着剂构成。此时，通过在将半导体晶圆、半导体晶片等重叠在保护膜形成层50上后，使保护膜形成层50固化，能够将保护膜坚固地接着在半导体晶圆、半导体晶片等上。并能够在晶片等上形成具有耐久性的保护膜。不论在固化性接着剂未固化的阶段还是在固化后的阶段对该保护膜形成层50照射激光，均能够良好地进行印字。
保护膜形成层50优选在常温下具有粘着性、或通过加热而发挥粘着性。由此，如上述所地，将半导体晶圆、半导体晶片等重叠在保护膜形成层50上时，能够使两者贴合。因此，能够在使保护膜形成层50固化之前确实地进行定位，半导体加工用片1c、1e的操作性变得容易。
构成具有如上所述特性的保护膜形成层50的固化性接着剂优选含有固化性成分及粘结剂聚合物成分。作为固化性成分，可以使用热固化性成分、能量射线固化性成分、或它们的混合物。从保护膜形成层50的固化方法、固化后的耐热性的角度出发，优选使用热固化性成分，从固化时间的角度出发，优选使用能量射线固化性成分。
作为热固化性成分，例如可举出环氧类树脂、酚类树脂、三聚氰胺类树脂、尿素类树脂、聚酯类树脂、氨基甲酸酯类树脂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、苯并噁嗪类树脂等及它们的混合物。其中，优选使用环氧类树脂、酚类树脂及它们的混合物。作为热固化性成分，通常使用分子量为300～10,000左右的热固化性成分。
环氧类树脂具有若受到加热则进行三维网状化从而形成坚固的覆膜的性质。作为这样的环氧类树脂，可以使用公知的各种环氧类树脂，但通常优选重均分子量为300～2,500左右的环氧类树脂。进一步，优选以混合了重均分子量为300～500的在常态下为液状的环氧类树脂，与重均分子量为400～2,500、特别是重均分子量为500～2,000的在常温下为固体的环氧类树脂的形式而使用。此外，环氧类树脂的环氧当量优选为50～5000g/eq。
作为这样的环氧类树脂，具体而言，可举出双酚a、双酚f、间苯二酚、苯基酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚类的环氧丙基醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇类的环氧丙基醚；苯二甲酸、间苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸等羧酸的环氧丙基醚；利用环氧丙基将键合在苯胺异氰尿酸酯等的氮原子上的活性氢取代而成的环氧丙基型或烷基环氧丙基型的环氧树脂；如乙烯基环己烷二环氧化物、3,4-环氧环己基甲基-3,4-二环己烷羧酸酯、2-(3,4-环氧基)环己基-5,5-螺(3,4-环氧基)环己烷-间二噁烷等的、将分子内的碳-碳双键例如通过氧化而导入环氧基而成的、所谓的脂环型环氧化物。此外，还可使用具有联苯骨架、二环己二烯骨架、萘骨架等的环氧类树脂。
其中，优选使用双酚类环氧丙基型环氧类树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧类树脂及苯酚酚醛清漆型环氧类树脂。这些环氧类树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
使用环氧类树脂时，作为助剂，优选同时使用热活性型潜在性环氧类树脂固化剂。热活性型潜在性环氧类树脂固化剂是指在室温下不与环氧类树脂反应，而通过某温度以上的加热而活性化并与环氧类树脂进行反应的类型的固化剂。对于热活性型潜在性环氧类树脂固化剂的活性化方法，有通过基于加热的化学反应而生成活性种(阴离子、阳离子)的方法；在室温附近时稳定地分散在环氧类树脂中，在高温下与环氧类树脂相容·溶解，从而使固化反应开始的方法；利用分子筛封入型的固化剂，在高温下溶出并开始固化反应的方法；基于微胶囊的方法等。
作为热活性型潜在性环氧类树脂固化剂的具体例，可举出各种
作为酚类树脂，可以使用烷基苯酚、多元酚、萘酚等酚类与醛类的缩合物等具有酚类羟基的聚合物，没有特别限制。具体而言，可以使用苯酚酚醛清漆类树脂、邻甲酚酚醛清漆类树脂、对甲酚酚醛清漆类树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆类树脂、二环戊二烯甲酚类树脂、聚对乙烯基苯酚类树脂、双酚a型酚醛清漆类树脂、或它们的改性物等。
这些酚类树脂中所含的酚性羟基，通过加热而能够容易地与上述环氧类树脂的环氧基进行加成反应，能够形成耐冲击性高的固化物。因此，也可同时使用环氧类树脂与酚类树脂。
作为能量射线固化性成分，例如可以使用作为构成粘着剂层20的材料而在上文中记述的能量射线固化性成分。此外，作为能量射线固化性成分，也可使用能量射线固化性单体/寡聚物。进一步，作为与能量射线固化性成分组合的粘结剂聚合物成分，也可使用加成有能量射线固化性化合物的丙烯酸类聚合物。
粘结剂聚合物成分，掺合其的目的在于赋予保护膜形成层50适当的粘性、或提高半导体加工用片1c、1e的操作性等。粘结剂聚合物的重均分子量通常为30,000～2,000,000，优选为50,000～1,500,000，特别优选在100,000～1,000,000的范围内。通过使重均分子量为30,000以上，保护膜形成层50的膜形成充分。此外，通过使重均分子量为2,000,000以下，能够良好地维持与其它成分的相容性，能够均匀地进行保护膜形成层50的膜形成。作为这样的粘结剂聚合物，例如使用(甲基)丙烯酸类共聚物、聚酯类树脂、苯氧基类树脂、氨基甲酸酯类树脂、有机硅类树脂、橡胶类共聚物等，特别优选使用(甲基)丙烯酸类共聚物。
作为(甲基)丙烯酸类共聚物，例如可举出使(甲基)丙烯酸酯单体与(甲基)丙烯酸衍生物聚合而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。在此，作为(甲基)丙烯酸酯单体，优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。此外，作为(甲基)丙烯酸衍生物，例如可举出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸环氧丙酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯等。
上述之中，若将甲基丙烯酸环氧丙酯等用作结构单元从而将环氧丙基导入至(甲基)丙烯酸类共聚物中，则与作为上述的热固化性成分的环氧类树脂的相容性提高，而且保护膜形成层50固化后的玻璃化转变温度(tg)变高且耐热性提高。此外，上述之中，若将丙烯酸羟基乙酯等用作结构单元从而将羟基导入至(甲基)丙烯酸类共聚物中，则能够控制对半导体晶圆、半导体晶片等的密着性和粘着物性。另外，将甲基丙烯酸环氧丙酯等用作结构单元从而将环氧丙基导入至(甲基)丙烯酸类共聚物时的、该(甲基)丙烯酸类共聚物或具有环氧基的苯氧基类树脂有时具有热固化性。但是，这样的具有热固化性的聚合物，在本实施方式中不是热固化性成分，而是相当于粘结剂聚合物成分。
使用(甲基)丙烯酸类共聚物作为粘结剂聚合物时的、该(甲基)丙烯酸类共聚物的重均分子量优选为100,000以上，特别优选为150,000～1,000,000。(甲基)丙烯酸类共聚物的玻璃化转变温度通常为20℃以下、优选为-70～0℃左右，且在常温(23℃)下具有粘着性。
作为固化性成分与粘结剂聚合物成分的掺合比率，相对于粘结剂聚合物成分100质量份，优选以50～1500质量份、特别优选以70～1000质量份、进一步优选以80～800质量份掺合固化性成分。若以这样的比例掺合固化性成分和粘结剂聚合物成分，则在固化前显示适当的粘性，能够稳定地进行贴附作业，此外，在固化后，得到具有优异的覆膜强度的保护膜。
保护膜形成层50中还可含有填料和/或着色剂。但是，将半导体加工用片1c、1e使用于晶片形状的检查、隐形切割或半导体晶片的激光印字时，保护膜形成层50必须具有光线透射性。因此，此时必须以不阻碍该光线透射性的程度含有填料和/或着色剂。另一方面，将半导体加工用片1c、1e使用于保护膜形成层50或将其切片而形成的保护膜的激光印字时，对保护膜形成层50不要求光线透射性。此时，为了能够进行激光印字，保护膜形成层50必须将该激光遮断。因此，为了有效地进行激光印字，保护膜形成层50优选含有填料和/或着色剂。此外，若保护膜形成层50含有填料，则能够在将固化后的保护膜硬度维持得较高的同时，使耐湿性提高。进一步，也能够将所形成的保护膜表面的光泽度调整为所需的值。进一步，能够使固化后的保护膜的热膨胀系数接近半导体晶圆的热膨胀系数，由此能够减低加工途中的半导体晶圆的翘曲。
作为填料，可举出结晶二氧化硅、熔融二氧化硅、合成二氧化硅等的二氧化硅、氧化铝、玻璃气球等的无机填料等。其中，优选合成二氧化硅，特别优选将成为半导体装置的故障的主要原因的α射线的射线源极力去除的类型的合成二氧化硅。作为填料的形状，可为球形、针状、不定形中的任一种。
此外，作为添加在保护膜形成层50中的填料，除了上述无机填料以外，也可掺合功能性的填料。作为功能性的填料，例如可举出将赋予抗静电性作为目的的金、银、铜、镍、铝、不锈钢、碳、陶瓷、或以银覆镍、铝等而成的导电性填料；将赋予热传导性作为目的的金、银、铜、镍、铝、不锈钢、硅、锗等的金属材料、它们的合金等的热传导性填料等。
作为着色剂，可以使用无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。
作为无机类颜料，例如可举出碳黑、钴系色素、铁系色素、铬系色素、钛系色素、钒系色素、锆系色素、钼系色素、钌系色素、白金系色素、ito(氧化铟锡；indiumtinoxide)系色素、ato(氧化锑锡)系色素等。
作为有机类颜料及有机类染料，例如可举出胺
从基于激光照射的印字性的角度出发，上述之中，颜料优选使用无机类颜料。无机类颜料之中，特别优选碳黑。由于碳黑通常为黑色，但通过激光照射而被削掉的部分呈现白色，对比度差变大，因此就被激光印字的部分的视认性而言是非常优异的。
保护膜形成层50中的填料及着色剂的掺合量，以达成所需的作用的方式而适当地调整即可。具体而言，填料的掺合量通常优选为40～80质量％，特别优选为50～70质量％。此外，着色剂的掺合量通常优选为0.001～5质量％，特别优选为0.01～3质量％，进一步优选为0.1～2.5质量％。
保护膜形成层50也可含有偶联剂。通过含有偶联剂，在保护膜形成层50的固化后，能够在不损害保护膜的耐热性的情况下使保护膜与半导体晶圆、半导体晶片等的接着性·密着性提高，且能够使耐水性(耐湿热性)提高。作为偶联剂，从其通用性及成本优点等出发，优选硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，例如可以使用上述的硅烷偶联剂。
为了调节固化前的凝聚力，保护膜形成层50也可含有有机多元异氰酸酯类化合物、有机多元亚胺类化合物、有机金属螯合物类化合物等的交联剂。此外，为了抑制静电，提高晶片的可靠性，保护膜形成层50也可含有抗静电剂。进一步，为了提高保护膜的阻燃性能，提高作为封装的可靠性，保护膜形成层50也可含有磷酸类化合物、溴类化合物、磷类化合物等的阻燃剂。
为了使作为保护膜的功能有效地发挥，保护膜形成层50的厚度优选为3～300μm，特别优选为5～250μm，进一步优选为7～200μm。
保护膜形成层50的第一面501的光泽度值，优选为25以上，特别优选为30以上。通过使第一面501的光泽度值为25以上，在该面进行激光印字时，美观优异，且所形成的印字具有优异的视认性。另外，本说明书中的光泽度值为依据jisz8741:1997并使用光泽计以测定角60°所测定的值。
5.夹具用粘着剂层
本实施方式的半导体加工用片也可进一步具备夹具用粘着剂层。图8为表示具备夹具用粘着剂层60的第二实施方式的半导体加工用片2的剖面图。在该半导体加工用片2中，夹具用粘着剂层60在靠近半导体贴附层80的一侧具有第一面601，并在靠近剥离膜30的一侧具有第二面602。此外，夹具用粘着剂层60形成为对应于环状框(ringframe)等夹具的形状的形状，通常形成为环状。由此，能够与半导体贴附层80的粘着力无关地而将半导体加工用片2贴附在环状框等的夹具上并确实地进行固定。
在第二实施方式的半导体加工用片2中，如图8所示，夹具用粘着层60接触剥离膜30的第一面301。此外，如图8所示，在不存在夹具用粘着剂层60的半导体加工用片2的中央部，半导体贴附层80的第二面802接触剥离膜30的第一面301。在此，在第二实施方式的半导体加工用片2中，在将半导体加工用片2卷取为卷状时，其卷压集中在夹具用粘着剂层60所存在的位置。伴随于此，也容易在夹具用粘着剂层60所存在的位置发生粘连。因此，对于半导体加工用片2是否从卷中良好地放卷而言，剥离膜30的第一面301与夹具用粘着剂60的第二面602的密着性产生重大的影响。因此，在半导体加工用片2中，将夹具用粘着剂层60的第二面602与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设作剥离力β。具体而言，将剥离力β设为在将夹具用粘着剂层60的第二面602与剥离膜30的第一面301层叠后的状态下，在规定条件下于40℃保管3天之后的、剥离膜30对夹具用粘着剂层60的剥离力。另一方面，关于剥离力α，与上述第一实施方式的半导体加工用片1同样地，设作在基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力。
本实施方式中的夹具用粘着剂层60，可由单层构成，也可由2层以上的多层构成，由多层构成时，优选为芯材进入间隔的构成。
从对环状框等夹具的粘着力的角度出发，优选构成夹具用粘着剂层60的粘着剂由非能量射线固化性的粘着剂构成。作为非能量射线固化性的粘着剂，优选具有所需的粘着力及再剥离性，例如可以使用丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、有机硅类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯基醚类粘着剂等，其中，优选粘着力及再剥离性的控制较容易的丙烯酸类粘着剂。
作为芯材，通常可以使用树脂膜，其中，优选聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等的聚氯乙烯类膜，特别优选为聚氯乙烯膜。聚氯乙烯膜具有即便加热时软化，但冷却时仍容易复原的性质。芯材厚度优选为2～200μm，特别优选为5～100μm。
从对环状框等的夹具的接着性的角度出发，夹具用粘着剂层60的厚度优选为5～200μm，特别优选为10～100μm。
具有夹具用粘着剂层60的半导体加工用片2，通过使基材10的第一面101的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm，该面的平滑性变得良好，且至少基材10对所需波长的光线具有高光线透射性。进一步，通过使剥离膜30的第二面302的算术平均粗糙度ra大于0.05μm且为0.8μm以下，能够发挥优异的抗粘连性，能够良好地进行半导体加工用片2从卷中的放卷，且在放卷时不产生不希望的剥离。此外，通过使剥离力β为10～1000mn/50mm，在使用半导体加工用片2时，能够以适当的剥离力，将包含基材10、半导体贴附层80及夹具用粘着剂层60的层叠体从剥离膜30上剥离。
6.预切割
本实施方式的半导体加工用片，可为除剥离膜30以外的层被切断加工成为所需的形状的、所谓的为被预切割的状态的半导体加工用片。即，本实施方式的半导体加工用片，也可为在长条的剥离膜30上层叠具有俯视时与剥离膜30不同的形状且包含基材10及半导体贴附层80的层叠体而成的半导体加工用片。图9为表示从基材侧观察这样的被预切割的、第三实施方式的半导体加工用片3的俯视图。在半导体加工用片3中，在长条的剥离膜30上设置有被切割成为圆形的基材10a与半导体贴附层80a的层叠体(以下有时称为“主要使用部分”)。在剥离膜30的长边方向上配置有多个主要使用部分。此外，剥离膜30的长边方向的两端部上设置有以不与主要使用部分接触的方式而被切割的基材10b与半导体贴附层80b的层叠体(以下有时称为“片残留部分”)。另外，图10为表示沿着图9的a-a线的剖面图。
在被预切割的半导体加工用片3中，也满足关于半导体加工用片1的上述的物性等。此外，作为构成半导体加工用片3的各层，可以使用关于半导体加工用片1的在上文记述的物质。
此外，可以将包含上述夹具用粘着剂层60的半导体加工用片2，制作为实施了预切割的片。在该片中，夹具用粘着剂层60被设置在主要使用部分的周缘部。
在半导体加工用片3中，从剥离膜30上剥离后，主要使用部分被贴附在半导体晶圆、半导体晶片等上。另一方面，片残留部分防止在将半导体加工用片3卷取为卷状时卷压集中在主要使用部分。
通常，对于被预切割的半导体加工用片，在从卷中放卷时容易发生如主要使用部分从剥离膜上剥离、或该剥离的主要使用部分的基材侧贴附在剥离膜的第二面上的不良情况。然而，根据第三实施方式的半导体加工用片3，通过使剥离膜30的第二面302的算术平均粗糙度ra大于0.05μm且为0.8μm以下，半导体加工用片3彼此不易密着，能够抑制发生这样的不良情况。此外，通过使基材10的第一面101的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm，该面的平滑性变得良好，且至少基材10对所需的波长的光线具有高光线透射性。进一步，通过使剥离力β为10～1000mn/50mm，在使用半导体加工用片3时，能够通过适当的剥离力将剥离膜30从半导体贴附层80上剥离。
7.半导体加工用片的制造方法
包含粘着剂层20的半导体加工用片1a的制造方法没有特别限定，可以使用常用的方法。作为该制造方法的第一个例子，首先，制备含有包含粘着剂层20的材料的粘着剂组合物、及进一步根据需要的溶剂或分散介质的涂布用组合物。接着，使用模涂机、幕涂机、喷涂机、狭缝涂布机、刮刀涂布机等将该涂布用组合物涂布在剥离膜30的第一面301上，从而形成涂膜。进一步，通过使该涂膜干燥，能够形成粘着剂层20。随后，通过将粘着剂层20的第一面201、与基材10的第二面102贴合，从而能够得到半导体加工用片1a。涂布用组合物只要能够进行涂布则其性状没有特别限定。用于形成粘着剂层20的成分，可作为溶质而含有在涂布用组合物中，也可作为分散介质而含有在涂布用组合物中。
涂布用组合物含有交联剂(e)时，为了以所需的存在密度形成交联结构，也可改变上述的干燥条件(温度、时间等)、或另外设置加热处理。为了充分地进行交联反应，通常通过上述方法等将粘着剂层层叠在基材上，之后对所得到的半导体加工用片1a进行例如在23℃、相对湿度50％的环境下静置数天的熟化。
作为半导体加工用片1a的制造方法的第二个例子，首先，将上述涂布用组合物涂布在基材10的第二面102上，从而形成涂膜。接着，使该涂膜干燥，从而形成由基材10及粘着剂层20构成的层叠体。进一步，通过将该层叠体的粘着剂层20的第二面202、与剥离膜30的第一面301贴合，从而得到半导体加工用片1a。
含有接着剂层40的半导体加工用片1b的制造方法没有特别限定，可以使用常用的方法。例如通过将含有包含接着剂层40的材料的接着剂组合物、及进一步根据需要的溶剂或分散介质的涂布用组合物涂布在剥离膜30的第一面301上并使其干燥，从而形成接着剂层40。随后，通过将接着剂层40的第一面401与基材10的第二面102贴合，从而得到半导体加工用片1b。
包含保护膜形成层50的半导体加工用片1c的制造方法，可以参考上述半导体加工用片1b的制造方法而进行制造。特别是可以通过在半导体加工用片1b的制造方法中，将含有接着剂层40的材料的接着剂组合物，替换成含有保护膜形成层50的材料的保护膜形成层组合物，从而得到半导体加工用片1c。
包含粘着剂层20及接着剂层40的半导体加工用片1d的制造方法没有特别限定，可以使用常用的方法。例如，将含有包含接着剂层40的材料的接着剂组合物、及进一步根据需要的溶剂或分散介质的涂布用组合物涂布在剥离膜30的第一面301上并使其干燥，从而形成接着剂层40。由此得到剥离膜30与接着剂层40的层叠体。接着，通过将剥离膜30从预先制成的半导体加工用片1a上剥离，并将露出的粘着剂层20侧的面与上述层叠体的接着剂层40侧的面贴合，从而得到半导体加工用片1d。
包含粘着剂层20及保护膜形成层50的半导体加工用片1e，可以参考上述半导体加工用片1d的制造方法而进行制造。特别是可以通过在半导体加工用片1d的制造方法中，将含有接着剂层40的材料的接着剂组合物，替换成含有保护膜形成层50的材料的保护膜形成层组合物，从而得到半导体加工用片1e。
包含夹具用粘着剂层60的半导体加工用片2，可以通过常用的方法而制造。例如，可以通过将形成为所需的形状的夹具用粘着剂层60，层叠在包含基材10及半导体贴附层80等的层叠体的、与基材10为相反侧的面上，从而制造半导体加工用片2。
此外，将包含夹具用粘着剂层60的半导体加工用片2制成预切割而成的片时，例如能够以以下方式进行制造。首先，在剥离膜30的剥离面上，将用于构成夹具用粘着剂层60的夹具用粘着剂形成为片状。接着，对该片状夹具用粘着剂的、成为夹具用粘着剂层60的内周缘的部分，以残留剥离膜30的方式将片状夹具用粘着剂切断(半切割)，并将其内侧的圆形部分去除。接着，将由去除了圆形部分的片状夹具用粘着剂及剥离膜30构成的层叠体的片状夹具用粘着剂侧的面，贴附在另外准备的由基材10及半导体贴附层80构成的层叠体的半导体贴附层80侧的面上。由此，得到依次层叠有剥离膜30、片状夹具用粘着剂、半导体贴附层80、及基材10的层叠体。最后，对该层叠体，以残留剥离膜30的方式将片状夹具用粘着剂、半导体贴附层80及基材10切断(半切割)。此时，通过将成为夹具用粘着剂层60的外周缘的部分，以残留剥离膜30的方式切断(半切割)，并将不需要的部分去除，从而能够形成主要使用部分。由此，片状夹具用粘着剂成为环状的夹具用粘着剂层60。此外，对除作为主要使用部分的部分以外的位置进行适当的半切割，也能够形成片残留部分。
被预切割的半导体加工用片3的制造方法没有特别限定，可以使用常用的方法。
8.半导体加工用片的使用方法
本实施方式的半导体加工用片1、2、3，可以用作为背面研磨片、切割片等。使用该片1、2、3时，能够从片背面照射激光而进行切割。此外，在背面研磨、切割等的工序之后，能够透过本实施方式的半导体加工用片1、2、3来检查晶圆、晶片等的形状。进一步，也能够穿过本实施方式的半导体加工用片1、2、3，而对晶圆、晶片等的背面进行激光印字。
此外，特别是包含接着剂层40的半导体加工用片1b、1d，可以用作为切割·管芯键合片。即，通过在半导体加工用片1b、1d上切割晶圆并根据需要进行扩展工序之后，拾取所得到的晶片，能够得到赋予有接着剂层的晶片。进一步，通过使用包含保护膜形成层50的半导体加工用片1c、1e，能够在晶片的背面形成保护膜。此时，在包含保护膜形成层50的半导体加工用片1c、1e上贴附晶圆，并使保护膜形成层50固化。接着，在半导体加工用片1c、1e上切割晶圆，并根据需要进行扩展工序。随后，通过拾取所得到的晶片，能够得到在背面形成有保护膜的晶片。
为了进行保管等，本实施方式的半导体加工用片1、2、3可以为卷取为卷状的状态。本实施方式的半导体加工用片1、2、3，即使像这样被卷取，由于如上所述，剥离膜30的第二面302的算术平均粗糙度ra大于0.05μm且为0.8μm以下，因此，本实施方式的半导体加工用片1、2、3彼此不易密着。因此，能够发挥优异的抗粘连性，并能够良好地进行从本实施方式的半导体加工用片1、2、3的卷中的放卷，进一步，能够抑制放卷时在不希望的层间发生的剥离。此外，通过使基材10的第一面的算术平均粗糙度ra为0.01～0.8μm，该面的平滑性变得良好，且基材10对所需波长的光线具有高光线透射性。其结果，能够良好地进行如上所述的由背面进行的激光切割、检查及激光印字。进一步，由于剥离力β为10～1000mn/50mm，因此在将晶圆贴附在本实施方式的半导体加工用片1、2、3上时，能够以适当的剥离力，将包含基材10及半导体贴附层80的层叠体从剥离膜30上剥离。
以上所说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并不是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方式中所公开的各要素，其宗旨也包含属于本发明的技术范围的全部的设计变更和均等物。
例如，本实施方式的半导体加工用片1、2、3的基材10与半导体贴附层80之间可存在其它层。
实施例
以下，通过实施例等而更具体地说明本发明，但是本发明的范围不被这些实施例等限定。
[实施例1]
(1)基材的制造
通过压延机制膜法而制造聚氯乙烯膜作为基材。该聚氯乙烯膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.03μm，且依据jisk7161:1994而测定的23℃时的md方向的拉伸弹性模量(杨氏模量)为250mpa，厚度为80μm。
另外，本实施例中的算术平均粗糙度ra为使用触式表面粗糙度计(mitsutoyocorporation制造“surftestsv-3000”)并依据jisb061:2013在面内测定10点，并算出其平均值而得到的值。
此外，对于上述基材单体，评价印字用激光(波长：532nm)的透射性、隐形切割用激光(波长：1600nm)的透射性、及检查用红外线(波长：1069nm)的透射性，其结果，均显示优异的透射性。
(2)剥离膜的准备
使用利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二酯膜的一个面(第一面)进行剥离处理而成的剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pmf381031h”，厚度：38μm)作为剥离膜。该剥离膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.03μm，第二面的算术平均粗糙度ra为0.3μm。
(3)粘着剂组合物(i)的制备
使丙烯酸2-乙基己酯18.5质量份(固体成分换算，以下相同)、乙酸乙烯酯75质量份、丙烯酸1质量份、甲基丙烯酸甲酯5质量份、甲基丙烯酸2羟基乙酯0.5质量份共聚，得到重均分子量为600,000的丙烯酸类共聚物。
将所得到的丙烯酸类共聚物100质量份、作为能量射线固化性化合物的2官能氨基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(mw＝8000)60质量份、作为能量射线固化性化合物的6官能氨基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(mw＝2000)60质量份、作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮(巴斯夫公司制造，产品名称“irgacure184”)3质量份、作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)1.6质量份在溶剂中混合，从而得到粘着剂组合物(i)的涂布溶液。
(4)半导体加工用片的制造
使用刮刀涂布机，将上述工序(3)中得到的粘着剂组合物(i)的涂布溶液涂布在上述工序(2)中制造的剥离膜的第一面上。接着，于100℃处理1分钟，在使涂膜干燥的同时，进行交联反应。由此得到由剥离膜及厚度为10μm的粘着剂层构成的层叠体。进一步，通过将该层叠体的粘着剂层的第一面、与上述工序(1)中制造的基材的第二面贴合，从而得到依次层叠有基材、粘着剂层及剥离膜的半导体加工用片。随后，将该半导体加工用片于温度23℃、相对湿度50％的环境下熟化7天。
[实施例2]
(1)基材的制造
通过t型模具制膜法制造乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜作为基材。该乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.05μm，且依据jisk7161:1994而测定的23℃时的md方向的拉伸弹性模量(杨氏模量)为130mpa，厚度为80μm。
另外，关于上述基材单体，评价印字用激光(波长：532nm)的透射性、隐形切割用激光(波长：1600nm)的透射性、及检查用红外线(波长：1069nm)的透射性，其结果，均显示优异的透射性。
(2)粘着剂组合物(ii)的制备
使丙烯酸丁酯99质量份、丙烯酸1质量份共聚，从而得到重均分子量为600,000的丙烯酸类共聚物。
接着，将所得到的丙烯酸类共聚物100质量份、作为能量射线固化性化合物的二季戊四醇六丙烯酸酯(nipponkayakuco.,ltd.制造，产品名称“kayaraddpha”)120质量份、作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮(巴斯夫公司制造，产品名称“irgacure184”)3质量份、作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)17质量份在溶剂中混合，从而得到粘着剂组合物(ii)的涂布溶液。
(3)半导体加工用片的制造
除了使用以上述方式而制造的、将乙烯-甲基丙烯酸共聚物作为材料的基材、及粘着剂组合物(ii)以外，以与实施例1相同的方式制造半导体加工用片。
[实施例3]
(1)基材的制造
通过t型模具制膜法制造乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜作为基材。该乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.06μm，且依据jisk7161:1994而测定的23℃时的md方向的拉伸弹性模量(杨氏模量)为75mpa，厚度为100μm。
另外，对于上述基材单体，评价印字用激光(波长：532nm)的透射性、隐形切割用激光(波长：1600nm)的透射性、及检查用红外线(波长：1069nm)的透射性，其结果，均显示优异的透射性。
(2)粘着剂组合物(iii)的制备
使丙烯酸2-乙基己酯40质量份、乙酸乙烯酯40质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯20质量份共聚，从而得到重均分子量为420,000的丙烯酸类共聚物。
接着，通过使所得到的丙烯酸类共聚物100质量份、与相对于丙烯酸2-羟基乙酯为80％当量的作为含能量射线固化性基团化合物的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)进行反应，从而得到侧链导入有能量射线固化性基团(甲基丙烯酰基)的能量射线固化型聚合物。
将所得到的能量射线固化型聚合物100质量份、作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮(巴斯夫公司制造，产品名称“irgacure184”)3质量份、作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)1.1质量份在溶剂中混合，从而得到粘着剂组合物(iii)的涂布溶液。
(3)半导体加工用片的制造
除了使用以上述方式而制造的将乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作为材料的基材、及粘着剂组合物(iii)以外，以与实施例1相同的方式制造半导体加工用片。
[实施例4]
(1)基材的制造
通过t型模具制膜法制造聚丙烯膜作为基材。该聚丙烯膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.3μm，且依据jisk7161:1994而测定的23℃时的md方向的拉伸弹性模量(杨氏模量)为360mpa，厚度为100μm。
另外，关于上述基材单体，评价印字用激光(波长：532nm)的透射性、隐形切割用激光(波长：1600nm)的透射性、及检查用红外线(波长：1069nm)的透射性，其结果，均显示优异的透射性。
(2)半导体加工用片的制造
除了使用以上述方式而制造的将聚丙烯作为材料的基材、及实施例2中制备的粘着剂组合物(ii)以外，以与实施例1相同的方式制造半导体加工用片。
[实施例5]
(1)剥离膜的制造
使用利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二酯膜的一个面(第一面)进行剥离处理而成的剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet301031”，厚度：30μm)作为剥离膜。该剥离膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.03μm，第二面的算术平均粗糙度ra为0.3μm。
(2)粘着剂组合物(iv)的制备
使丙烯酸丁酯80质量份与丙烯酸2-羟基乙酯20质量份共聚，从而得到重均分子量为700,000的丙烯酸类共聚物。
接着，通过使所得到的丙烯酸类共聚物100质量份、及作为含能量射线固化性基团化合物的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)30.2质量份反应，从而得到侧链导入有能量射线固化性基团(甲基丙烯酰基)的能量射线固化型聚合物。
将所得到的能量射线固化型聚合物100质量份、作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮(巴斯夫公司制造，产品名称“irgacure184”)3质量份、作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)0.5质量份在溶剂中混合，从而得到粘着剂组合物(iv)的涂布溶液。
(3)半导体加工用片的制造
除了使用以上述方式而制造的、厚度为30μm的剥离膜及粘着剂组合物(iv)以外，以与实施例2相同的方式制造半导体加工用片。
[实施例6]
(1)剥离膜的准备
得到利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二酯膜的一个面(第一面)进行剥离处理而成的剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet501031”，厚度：50μm)作为剥离膜。该剥离膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.03μm，第二面的算术平均粗糙度ra为0.3μm。
(2)半导体加工用片的制造
除了使用以上述方式而制造的、厚度为50μm的剥离膜以外，以与实施例5相同的方式制造半导体加工用片。
[实施例7]
(1)包含接着剂层的第一层叠体的制造
将以下的丙烯酸聚合物、热固化性树脂、填料、硅烷偶联剂及交联剂混合而得到接着剂组合物后，以固体成分浓度成为20质量％的方式使用甲基乙基酮而进行稀释，从而制备接着剂组合物的涂布溶液。
丙烯酸聚合物：由丙烯酸甲酯95质量份及丙烯酸2-羟基乙酯5质量份构成的共聚物(mw：500,000，mw/mn：2.9，tg：9℃)100质量份
热固化性树脂：
丙烯酰基加成甲酚酚醛清漆型环氧树脂(nipponkayakuco.,ltd.制造，产品名称“cna-147”)30质量份
热固化剂：芳烷基酚树脂(mitsuichemicals,inc.制造，产品名称“milexxlc-4l”)6质量份
填料：甲基丙烯酰氧基改性的二氧化硅填料(平均粒径0.05μm，雅都玛公司制造，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷处理品)35质量份
硅烷偶联剂：(mitsubishichemicalcorporation.制造，产品名称“mkcsilicatemsep2”)0.5质量份
交联剂：芳香族性多元异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)1.5质量份
准备在聚对苯二甲酸乙二酯(pet)膜的一个面上形成有机硅类的剥离剂层而成的第一剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”，厚度：38μm)、及在pet膜的一个面上形成有机硅类的剥离剂层而成的第二剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381130”，厚度：38μm)。
接着，使用刮刀涂布机将上述接着剂组合物的涂布溶液涂布在第一剥离膜的剥离面上，使其干燥，形成厚度为5μm的接着剂层。随后，将第二剥离膜的剥离面重叠在接着剂层上从而将两者贴合，得到由第一剥离膜、接着剂层(厚度：5μm)、及第二剥离膜构成的第一层叠体。随后，将该第一层叠体在温度23℃、相对湿度50％的环境下熟化7天。
(2)包含粘着剂层的第二层叠体的制造
将以下的粘着主剂及交联剂混合从而得到粘着剂组合物(v)之后，以固体成分浓度成为25质量％的方式使用甲基乙基酮进行稀释，从而制备粘着剂组合物(v)的涂布溶液。
粘着主剂：将(甲基)丙烯酸酯共聚物(thenipponsyntheticchemicalindustryco.,ltd.制造，将丙烯酸2-乙基己酯60质量份、甲基丙烯酸甲酯30质量份及丙烯酸2-羟基乙酯10质量份共聚而得到的共聚物，重均分子量：600,000)100质量份
交联剂：三羟甲基丙烷的二甲苯二异氰酸酯加成物(三井武田化学公司制造，产品名称“takenated11on”)20质量份
准备在pet膜的一个面上形成有机硅类的剥离剂层而成的剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”，厚度：38μm)作为第三剥离膜。
此外，使用聚丙烯膜作为基材。关于该聚丙烯膜，第一面的算术平均粗糙度ra为0.3μm，厚度为100μm。
接着，使用刮刀涂布机将上述粘着剂组合物(v)的涂布溶液涂布在第三剥离膜的剥离面上，使其干燥的同时使其进行交联反应，从而形成厚度为5μm的粘着剂层。随后，将上述基材的第二面贴合在粘着剂层的与第三剥离膜为相反侧的面上，从而得到由基材、粘着剂层、第三剥离膜构成的第二层叠体。将其在温度23℃、相对湿度50％的环境下熟化7天。
(3)包含夹具用粘着剂层的第三层叠体的制造
将以下的粘着主剂及交联剂的成分混合而得到夹具用粘着剂组合物后，以固体成分浓度成为15质量％的方式使用甲苯进行稀释，从而制备夹具用粘着剂组合物的涂布溶液。
粘着主剂：将(甲基)丙烯酸酯共聚物(将丙烯酸丁酯69.5质量份、丙烯酸甲酯30质量份与丙烯酸2-羟基乙酯0.5质量份共聚而得到的共聚物，重均分子量：500,000)100质量份
交联剂：芳香族性多元异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)5质量份
准备在pet膜的一个面上形成有机硅类的剥离剂层而成的第四及第五剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”，厚度：38μm)和作为芯材的聚氯乙烯膜(okamotoindustries,inc.制造，厚度：50μm)。
接着，使用刮刀涂布机将上述夹具用粘着剂组合物的涂布溶液涂布在第四剥离膜的剥离面上并使其干燥，从而形成厚度为5μm的第一粘着剂层。随后，将上述芯材贴合在第一粘着剂层上，由此得到由芯材、第一粘着剂层、及第四剥离膜构成的层叠体a。
接着，使用刮刀涂布机将上述夹具用粘着剂组合物的涂布溶液涂布在第五剥离膜的剥离面上并使其干燥，从而形成厚度为5μm的第二粘着剂层。随后，将上述层叠体a的露出芯材的面贴合在第二粘着剂层上，由此得到由第四剥离膜/第一粘着剂层/芯材/第二粘着剂层/第五剥离膜构成的第三层叠体。随后，将该第三层叠体在温度23℃、相对湿度50％的环境下熟化7天。在该第三层叠体中，由第一粘着剂层、芯材、第二粘着剂层构成厚度为60μm的夹具用粘着剂层。
(4)第四层叠体的制造
将第二剥离膜从上述(1)中得到的第一层叠体上剥离，并使接着剂层露出。另一方面，将第三剥离膜从上述(2)中得到的第二层叠体上剥离，并使粘着剂层露出。以该粘着剂层与上述接着剂层接触的方式贴合第一层叠体及第二层叠体，由此得到将基材、粘着剂层、接着剂层、第一剥离膜层叠而成的第四层叠体。
(5)半导体加工用片的制造
将第五剥离膜从上述(3)中得到的第三层叠体上剥离，并以残留第四剥离膜的方式，从第二粘着剂层侧将夹具用粘着剂层的内周缘的部分切断，并将内侧的圆形部分去除。此时，将夹具用粘着剂层的内周缘直径设为了230mm。
将第一剥离膜从上述(4)中得到的第四层叠体上剥离，将露出的接着剂层与在第三层叠体上露出的夹具用粘着剂层重叠并进行压接。随后，以使第三层叠体的第四剥离膜残留的方式，从基材侧将半导体加工用片的外周缘的部分切断，并将外侧部分去除。此时，将半导体加工用片的外周缘的直径设为了270mm。
以上述方式，得到了在基材上由粘着剂层(厚度：5μm)、层叠在粘着剂层的与基材为相反侧上的接着剂层、层叠在接着剂层的与粘着剂层为相反侧的周缘部上的环状夹具用粘着剂层、及层叠在夹具用粘着剂层的与接着剂层为相反侧上的第四剥离膜构成的半导体加工用片。另外，第四剥离膜的夹具用粘着剂层侧的面(第一面)的算术平均粗糙度ra为0.03μm，与该第一面为相反侧的面(第二面)的算术平均粗糙度ra为0.3μm。
[实施例8]
(1)包含保护膜形成层的第一层叠体的制造
将以下的粘结剂聚合物、热固化性树脂、热活性潜在性环氧树脂固化剂、固化促进剂、填料、着色剂及硅烷偶联剂混合而得到保护膜形成层组合物后，以固体成分浓度成为50质量％的方式使用甲基乙基酮进行稀释，从而制备保护膜形成层组合物的涂布溶液。
粘结剂聚合物：(甲基)丙烯酸酯共聚物(将丙烯酸正丁酯10质量份、丙烯酸甲酯70质量份、甲基丙烯酸环氧丙酯5质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯15质量份共聚而得到的共聚物，重均分子量：800,000，玻璃化转变温度：-1℃)150质量份
热固化性成分：
双酚a型环氧树脂(mitsubishichemicalcorporation.制造，产品名称“jer828”，环氧当量184～194g/eq)60质量份
双酚a型环氧树脂(mitsubishichemicalcorporation.制造，产品名称“jer1055”，环氧当量800～900g/eq)10质量份
二环戊二烯型环氧树脂(diccorporation制造，产品名称“epiclonhp-7200hh”，环氧当量255～260g/eq)30质量份
热活性潜在性环氧树脂固化剂：氰胍(adekacorporation制造，产品名称“adekahardener-eh3636as”，活性氢量21g/eq)2质量份
固化促进剂：2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑(shikokuchemicalscorporation制造，产品名称“curezole2phz”)2质量份
填料：二氧化硅填料(雅都玛公司制造，产品名称“sc2050ma”平均粒径：0.5μm)320质量份
着色剂：碳黑(mitsubishichemicalcorporation.制造，产品名称“#ma650”，平均粒径：28nm)1.2质量份
硅烷偶联剂：(shin-etsuchemicalco.,ltd.制造，产品名称“kbm-403”)2质量份
准备在聚对苯二甲酸乙二酯(pet)膜的一个面上形成有机硅类的剥离剂层而成的第一剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”，厚度：38μm)、及在pet膜的一个面上形成有机硅类的剥离剂层而成的第二剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381130”，厚度：38μm)。
首先，使用刮刀涂布机将上述保护膜形成层组合物的涂布溶液涂布在第一剥离膜的剥离面上，并使其干燥，从而形成厚度为25μm的保护膜形成层。随后，将第二剥离膜的剥离面重叠在保护膜形成层上并将两者贴合，从而得到由第一剥离膜、保护膜形成层(厚度：25μm)、及第二剥离膜构成的第一层叠体。将该第一层叠体在温度23℃、相对湿度50％的环境下熟化7天。
(2)半导体加工用片的制造
除了使用以上述方式而制造的第一层叠体以外，以与实施例7相同的方式制造半导体加工用片。
[实施例9]
(1)粘着剂组合物(vi)的制备
将丙烯酸丁酯68.5质量份、甲基丙烯酸30质量份、丙烯酸2-羟基乙酯0.5质量份、及丙烯酰胺1质量份共聚，从而得到重均分子量为620,000的丙烯酸类共聚物。
接着，将所得到的丙烯酸类共聚物100质量份、作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)10质量份在溶剂中混合，从而得到粘着剂组合物(vi)的涂布溶液。
(2)半导体加工用片的制造
除了使用以上述方式而制备的粘着剂组合物(vi)以外，以与实施例1相同的方式制造半导体加工用片。
[比较例1]
除了将利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二酯膜的一个面(第一面)进行剥离处理而成的剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”，厚度：38μm)用作剥离膜以外，以与实施例1相同的方式制造半导体加工用片。另外，该剥离膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.03μm，另一个面(第二面)的算术平均粗糙度ra为0.05μm。
[比较例2]
除了将利用有机硅类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二酯膜的一个面(第一面)进行剥离处理而成的剥离膜(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”，厚度：38μm)用作剥离膜以外，以与实施例3相同的方式制造半导体加工用片。另外，该剥离膜的第一面的算术平均粗糙度ra为0.03μm，另一个面(第二面)的算术平均粗糙度ra为0.05μm。
[比较例3]
除了将聚对苯二甲酸乙二酯膜制的剥离膜(三菱树脂公司制造，产品名称“diafoil(注册商标)t-10038”，厚度：38μm)用作剥离膜以外，以与实施例2相同的方式制造半导体加工用片。此外，该剥离膜两面的算术平均粗糙度ra均为0.05μm。
[试验例1](剥离力α的测定)
将实施例及比较例中制造的半导体加工用片裁断成为宽度50mm×长度100mm。此时，以使半导体加工用片在制造时的流动方向(md方向)为长度方向的方式进行了裁断。将以该方式进行了裁断的半导体加工用片，以基材作为上侧而层叠10片，并利用宽度75mm×长度15mm×厚度5mm的玻璃板从上下将该层叠体夹住。然后，在将500g的砝码载置在上侧的玻璃板上的状态下，于40℃且设定为干燥状态的湿热促进器(especcorp.制造，产品名称“sh641”)内保管3天。另外，半导体加工用片含有能量射线固化性的材料时，在对层叠体进行了遮光的状态下进行了保管。
保管结束后，将位于最外层的半导体加工用片和与其邻接的半导体加工用片的这2片半导体加工用片以重叠的状态作为测定用试样而从上述层叠体上分开。接着，将位于该测定用试样的最外层的剥离膜剥离，并使用双面粘着胶带将露出的粘着面贴合在不锈钢板上，并固定在万能拉伸试验机(orientecco.,ltd制造，产品名称：tensilonutm-4-100)上。随后，在温度23℃、相对湿度50％rh的条件下，将位于距不锈钢板最远的半导体加工用片，沿180°方向以拉伸速度300mm/分钟，从与其重叠的半导体加工用片上剥离。即，在基材的第一面与剥离膜的第二面之间进行了剥离。测定此时的力，并将其记作剥离力α(mn/50mm)。将结果示于表2。另外，剥离力α小到无法测定的程度、或在测定前剥离膜已经从基材上剥离时，将测定结果评价为“无法测定(0)”。
[试验例2](剥离力β的测定)
以与上述试验例1相同的方式制造由10片半导体加工用片构成的层叠体，在40℃下保管3天。将1片半导体加工用片从该层叠体中取出，使用双面粘着胶带将基材的第一面贴合在不锈钢板上，并固定在万能拉伸试验机(orientecco.,ltd制造，产品名称：tensilonutm-4-100)上。随后，在温度23℃、相对湿度50％rh的条件下，沿180°方向以拉伸速度300mm/分钟仅将剥离膜剥离。即，在剥离膜的第一面与粘着剂的第二面之间进行了剥离。测定此时的力，并将其记作剥离力β(mn/50mm)。将结果示于表2。进一步，基于该剥离力β、及试验例1中测定的剥离力α，算出剥离力α比剥离力β的比值(α/β)。此时，剥离力α的测定结果为“无法测定(0)”时，将比值(α/β)评价为“0”。将结果示于表2。
[试验例3](从卷中放卷的评价)
准备实施例及比较例中制造的半导体加工用片，作为具有290mm的宽度的长条片。然后，从基材侧切入切口，如图9所示地形成圆形的主要使用部分及片残留部分。此时，仅将除剥离膜以外的层切断(半切割)，此外，主要使用部分的直径为270mm。随后，将除主要使用部分及片残留部分以外的基材及粘着剂层(还存在其它时，则为接着剂层或保护膜形成层)去除。由此，得到具有100个主要使用部分的半导体加工用片。将该半导体加工用片，以基材侧成为外侧的方式卷取为卷状。
将如此得到的卷状半导体加工用片，于40℃且设定为干燥状态的湿热促进器(especcorp.制造，产品名称“sh641”)内保管3天。另外，半导体加工用片含有能量射线固化性的材料时，在对层叠体进行了遮光的状态下进行了保管。
保管结束后，使用晶圆贴膜机(linteccorporation制造，产品名称“rad-2500m/8”)将已卷取为卷状的半导体加工用片放卷。然后，对于半导体加工用片的长度方向的两端部的20片主要使用部分所存在的区域(即，卷的外侧部分的存在20片主要使用部分的区域、及内侧部分的存在20片主要使用部分的区域)，确认是否能够良好的放卷。此时，20片主要使用部分在任一区域均能够连续且良好地放卷时，评定为○。另一方面，即使1片主要使用部分发生剥离膜的第二面与在其之下重叠的主要使用部分密着从而无法放卷的不良情况时，也评定为×。将结果示于表2。
[试验例4](贴合的评价)
以与上述试验例3相同的方式制造卷状半导体加工用片并在40℃下保管了3天。随后，使用晶圆贴膜机(linteccorporation制造，产品名称“rad-2500m/8”)，将主要使用部分从该卷的剥离膜上剥离，并将该主要使用部分贴附(贴合)在半导体晶圆上。连续重复该操作20次，良好地完成时，评定为○。另一方面，由于主要使用部分从剥离膜上剥离不良等而产生贴合不良时，评定为×。将结果示于表2。
将实施例及比较例中制造的半导体加工用片的构成整理于表1。另外，表1记载的缩写符号的详细如以下所示。
[基材]
·pvc：聚氯乙烯
·emaa：乙烯-甲基丙烯酸共聚物
·eva：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物
·pp：聚丙烯
[剥离膜]
·pet：聚对苯二甲酸乙二酯
[试验例5](光线透射性的评价)
使用晶片贴膜机(linteccorporation制造，产品名称“rad-2500m/8”)，将试验例3中完成了3天保管的半导体加工用片与环状框贴附在厚度为350μm的硅晶圆的镜面上。随后，使用切割装置(discoinc.制造，产品名称“dfd-651”)，在以下的条件下进行硅晶圆的切割。
切割条件：
·工件(被切断物)：硅晶圆(尺寸：6英寸，厚度：350μm，贴附面：镜面)
·切割刀片：discoinc.制造，产品名称“27hecc”
·刀片转数：30,000rpm
·切割速度：10mm/秒
·切口深度：从基材的与切割装置台为相反面起算至20μm的深度为止的切口
·切割尺寸：5mm×5mm
对于通过上述切割而得到的、被贴附在半导体加工用片上的晶片，从半导体加工用片的与晶片为相反的面(基材的第二面)侧，通过目视透过半导体加工用片而确认是否能够辨识晶片的周缘部及角部。另外，关于使用了具备接着剂层的半导体加工用片的情况，对于附有接着剂的晶片，确认其周缘部及角部；关于使用了具备保护膜形成层的半导体加工用片的情况，对于附有保护膜的晶片，确认其周缘部及角部。将能够确认周缘部及角部的情况评定为光线透射性(可见光线透射性)良好(○)，将无法确认的情况评定为光线透射性(可见光线透射性)不良(×)。将结果示于表2。
[表1]
[表2]
由表2明显可知，实施例的半导体加工用片在具有优异的光线透射性的同时，在从卷中的放卷及贴合这两方面也得到了优异的评价。另一方面，比较例的半导体加工用片在从卷中的放卷及贴合中的任一方面上产生了不良情况。
工业实用性
本发明的半导体加工用片，例如适宜用作切割片、切割·管芯键合片、保护膜形成层一体型切割片等。
附图标记说明
1、1a、1b、1c、1d、1e、2、3：半导体加工用片；
10、10a、10b：基材；
101：第一面；
102：第二面；
20：粘着剂层；
201：第一面；
202：第二面；
30：剥离膜；
301：第一面；
302：第二面；
40：接着剂层；
401：第一面；
402：第二面；
50：保护膜形成层；
501：第一面；
502：第二面；
60：夹具用粘着剂层；
601：第一面；
602：第二面；
80、80a、80b：半导体贴附层；
801：第一面；
802：第二面。
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