技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体纳米晶体的制备方法，包括：提供至少包含第一阳离子前驱体、第二阳离子前驱体的阳离子前驱体溶液；提供至少包含阴离子前驱体的阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液与所述阴离子前驱体溶液混合反应，获得半导体纳米晶体。较之现有技术，本发明公开的半导体纳米晶体的制备方法，摆脱了斯托克斯位移小的缺陷，有效提升了半导体纳米晶体的效率并减少了能耗；同时简化了制备步骤，仅通过一次投料的单个过程即可获得目标半导体纳米晶体，促进了工业化的进展。
技术研发人员：张孟;李霞;张超
受保护的技术使用者：嘉兴纳鼎光电科技有限公司
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2018.11.16