背面研磨带的制作方法

本发明涉及背面研磨带。更具体而言，涉及适宜在切割工序后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带。

背景技术：

作为电子部件的集合体的工件(例如半导体晶圆)以大直径制造，切断分离(切割)成元件小片，进一步转至安装工序。该切割工序将工件切断，进行小片化。为了固定切割后的工件，通常在工件上粘贴粘合带(切割带)之后再进行切割(例如专利文献1)。作为切割的方法之一，已知有利用激光来切割工件的方法。作为这种切割方法，多采用使激光在工件的表面聚光、在该工件的表面形成凹槽之后再将工件切断的方法。另一方面，近年来，还提出了使激光在工件的内部聚光、在该处对工件进行改质之后将工件切断的隐形切割。

此外，通常，半导体晶圆的加工中，进行背面研磨直至达到规定的厚度(例如100μm～600μm)(背面研磨工序)。迄今，在半导体晶圆的表面形成图案后，将表面固定于背面研磨带进行背面研磨(backgrind)，然后进行切割工序。背面研磨带要求具有半导体晶圆的固定性，此外，半导体晶圆的表面有时会形成有凸块，要求具有适宜地掩埋由该凸点导致的凹凸的优异的固定性以及能够防止研磨水的浸入。

另一方面，近年来，为了提高上述隐形切割的有用性，正在研究在进行隐形切割后将表面固定于背面研磨带来进行背面研磨工序的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-007646号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

如上所述在背面研磨工序前进行切割的话，会产生在背面研磨时经小片化的芯片相互干扰而发生芯片缺损这一新的问题。

本发明的课题在于提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带，其是在防止背面研磨时会产生的芯片缺损的同时对凹凸面的追随性优异的背面研磨带。

用于解决问题的方案

本发明的背面研磨带依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，该中间层在23℃下的储能模量e’为200mpa以下，将该粘合剂层粘贴在si镜面晶圆上时的初始粘合力为1n/20mm～30n/20mm。

在1个实施方式中，上述第1基材由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。

在1个实施方式中，上述第1基材的厚度为35μm～200μm。

在1个实施方式中，上述粘合剂层的厚度为1μm～50μm。

在1个实施方式中，上述中间层的厚度为20μm～300μm。

在1个实施方式中，上述背面研磨带在对经隐形切割的半导体晶圆进行背面研磨时使用。

在1个实施方式中，上述半导体晶圆具有凸点面。

发明的效果

根据本发明，能够提供防止背面研磨时会产生的芯片缺损的背面研磨带。本发明的背面研磨带作为在切割(优选为隐形切割)之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带是有用的。此外，本发明的背面研磨带的响应追随性优异，特别是作为具有凸点面的半导体晶圆的背面研磨带是有用的。

附图说明

图1是本发明的1个实施方式的背面研磨带的示意剖视图。

图2是本发明的另一个实施方式的背面研磨带的示意剖视图。

附图标记说明

10粘合剂层

20中间层

31第1基材

32第2基材

100背面研磨带

具体实施方式

a.背面研磨带的概要

图1是本发明的1个实施方式的背面研磨带的示意剖视图。该实施方式的背面研磨带100具备粘合剂层10、中间层20和第1基材31。虽未图示，本发明的背面研磨带可以出于在直至供于使用为止的期间保护粘合面的目的而在粘合剂层的外侧设置剥离衬垫(未图示)。此外，背面研磨带只要能获得本发明的效果，则可以进一步包括任意的合适的其他层。优选中间层直接配置于第1基材。此外，优选粘合剂层直接配置于中间层。

本发明的背面研磨带可以在对经切割的半导体晶圆进行背面研磨(backgrind)时适宜地用于固定该半导体晶圆，在采用隐形切割作为上述切割的情况下，可以特别适宜地使用。隐形切割是指通过激光的照射在半导体晶圆的内部形成改质层。半导体晶圆可以以该改质层作为起点被割断。

在本发明中，通过将粘合剂层与中间层组合形成，使用具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂作为构成中间层的材料，从而能够提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的、防止在背面研磨时会产生的芯片缺损的背面研磨带。如上所述构成的本发明的背面研磨带具有如下特征：相对于面方向的外力不易变形，此外发生变形之后也不易恢复原状。如果使用这种背面研磨带，则能够防止切割后经小片化的芯片过度相互干扰，防止该芯片发生缺损等不利情况地进行背面研磨。本发明的背面研磨带特别是对于包括隐形切割的半导体晶圆加工是有用的。

进而，上述中间层具有特定的储能模量e’(0.02gpa以下)，具备这种中间层的背面研磨带的凹凸追随性优异。本发明的背面研磨带作为具有凸点面的半导体晶圆的背面研磨带是有用的，能够防止背面研磨时不希望发生的位置偏移，防止研磨水浸入凸点面。

图2是本发明的另一个实施方式的背面研磨带的示意剖视图。该实施方式的背面研磨带200的基材为2层构成，还具备第2基材32。第2基材32配置在第1基材31的与中间层20相反的一侧。即，背面研磨带200依次具备粘合剂层10、中间层20、第1基材31和第2基材32。作为第2基材，优选使用比第1基材柔软(例如弹性模量低)的基材。本实施方式的背面研磨带可以更好地防止背面研磨时的芯片缺损等不利情况。包括隐形切割的半导体晶圆加工是产生从利用激光形成的变质层向晶圆表面蔓延的龟裂(所谓的bhc)来将半导体晶圆小片化的，在背面研磨前产生该龟裂的实施方式自不必说，即使在加工被认为更困难的实施方式中，即，即使在背面研磨时产生该龟裂的实施方式中，也能够防止芯片缺损等不利情况。需要说明的是，基材可以为3层以上的构成。

将本发明的背面研磨带的粘合剂层粘贴在si镜面晶圆上时的初始粘合力优选为1n/20mm～30n/20mm，更优选为5n/20mm～25n/20mm，进一步优选为8n/20mm～22n/20mm，特别优选为14n/20mm～22n/20mm。如果为这种范围，则能够得到在背面研磨时可以良好地固定半导体晶圆且防止芯片缺损的背面研磨带。需要说明的是，本发明的背面研磨带可以采用粘合力会因活性能量射线(例如紫外线)的照射而降低的带，上述“初始粘合力”是指照射活性能量射线前的粘合力。在本发明中，粘合力根据jisz0237：2000进行测定。具体而言，粘合力使用拉伸试验机(tensilon、株式会社岛津制作所制造)在23℃、剥离速度300mm/min、剥离角度：180°的条件下进行测定。

背面研磨带的厚度优选为35μm～500μm，更优选为60μm～300μm，进一步优选为80μm～200μm。

b.基材

b-1.第1基材

作为上述第1基材，优选使用树脂薄膜。作为构成树脂薄膜的树脂，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等聚酯类树脂，聚丙烯(pp)等聚烯烃类树脂，聚酰亚胺(pi)、聚醚酰亚胺(pei)、聚苯硫醚(pps)、聚砜(psf)、聚醚醚酮(peek)、聚芳酯(par)等。其中，优选为聚酯类树脂，特别优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯。如果使用由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的第1基材，则能够得到可以更好地防止背面研磨时的芯片缺损等不利情况的背面研磨带。

上述第1基材在23℃下的拉伸模量优选为50mpa～10000mpa，更优选为100mpa～5000mpa。第1基材(和构成背面研磨带的各层(后述))的拉伸模量的测定使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制造、“ag-is”)在卡盘间距：50mm、拉伸速度：300mm/min、样品宽度：10mm的条件下进行。

上述第1基材的厚度优选为35μm～200μm，更优选为38μm～150μm，进一步优选为50μm～120μm。如果为这种范围，则能够得到凹凸追随性优异的背面研磨带。

上述第1基材可以进一步含有任意的合适的添加剂。作为添加剂，例如可列举出：润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、加工助剂、填充剂、抗静电剂、稳定剂、抗菌剂、阻燃剂、着色剂等。

b-2.第2基材

作为上述第2基材，优选使用树脂薄膜。作为构成树脂薄膜的树脂，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等聚酯类树脂，聚丙烯(pp)等聚烯烃类树脂，聚酰亚胺(pi)、聚醚酰亚胺(pei)、聚苯硫醚(pps)、聚砜(psf)、聚醚醚酮(peek)、聚芳酯(par)等。其中，优选为聚烯烃类树脂。

在1个实施方式中，上述第2基材含有聚乙烯类树脂或聚丙烯类树脂。作为聚乙烯类树脂，例如可列举出：低密度聚乙烯、直链聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯等。聚乙烯类树脂中，来源于乙烯的构成单元的含有比例优选为80摩尔％以上，更优选为90摩尔％以上，进一步优选为95摩尔％以上。作为除了来源于乙烯的构成单元以外的构成单元，可举出来源于可与乙烯共聚形成共聚物的单体的构成单元，例如可列举出：丙烯、1-丁烯、异丁烯、1-戊烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯等。

在1个实施方式中，使用由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的基材作为第1基材，且使用由聚烯烃类树脂(优选为上述聚乙烯类树脂或聚丙烯类树脂)构成的基材作为第2基材。如果使用这些基材，则可以更好地防止背面研磨时的芯片缺损等不利情况。

上述第2基材在23℃下的拉伸模量优选为50mpa～2000mpa，更优选为100mpa～1000mpa。

上述第2基材在23℃下的拉伸模量优选小于上述第1基材在23℃下的拉伸模量。第2基材在23℃下的拉伸模量相对于上述第1基材在23℃下的拉伸模量优选为0.5％～100％，更优选为0.5％以上且小于100％，进一步优选为1％～50％。

上述第2基材的厚度优选为25μm～200μm，更优选为30μm～150μm，进一步优选为40μm～100μm，特别优选为40μm～80μm。

上述第2基材可以进一步含有任意的合适的添加剂。作为添加剂，例如可列举出：润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、加工助剂、填充剂、抗静电剂、稳定剂、抗菌剂、阻燃剂、着色剂等。

第1基材与第2基材可以借助任意的合适的粘接剂层来层叠。这些基材间的粘接剂层的厚度例如为2μm～10μm。

c.中间层

上述中间层由具有羧基且未交联(例如环氧交联)的丙烯酸类树脂构成。这种中间层可以通过含有在侧链具有羧基的丙烯酸类树脂、不含交联剂等交联性化合物的中间层形成用组合物来形成。构成中间层的丙烯酸类树脂使含有(甲基)丙烯酸烷基酯和含羧基单体的单体成分聚合而得到，含有来源于(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元和来源于含羧基单体的构成单元(在侧链具有羧基的构成单元)。丙烯酸类树脂有无交联可以通过热裂解gc/ms分析来确认。

作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等具有烷基的碳数为4～20的直链或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯等。这些当中，从对被粘物的粘接性、贴合作业性的角度来看，优选为烷基的碳数为5～12的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为丙烯酸正丁酯或丙烯酸2-乙基己酯(2eha)。(甲基)丙烯酸烷基酯可以仅单独使用1种或将2种以上组合使用。

上述丙烯酸类树脂中，来源于(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元的含有比例相对于丙烯酸类树脂100重量份优选为70重量份～98重量份，更优选为85重量份～96重量份。

作为上述含羧基单体，例如可列举出：丙烯酸(aa)、甲基丙烯酸(maa)、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸；马来酸、衣康酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸等。上述丙烯酸类树脂在侧链具有羧基，具备由这种丙烯酸类树脂构成的中间层的背面研磨带可防止背面研磨时会产生的芯片缺损。含羧基单体可以仅单独使用1种或将2种以上组合使用。

上述丙烯酸类树脂中，来源于含羧基单体的构成单元的含有比例相对于丙烯酸类树脂100重量份优选为2重量份～30重量份，更优选为4重量份～15重量份，特别优选为4重量份～8重量份。此外，来源于含羧基单体的构成单元的含有比例相对于来源于(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元100重量份优选为2重量份～30重量份，更优选为5重量份～20重量份，进一步优选为5重量份～10重量份。

上述丙烯酸类树脂可以根据需要而含有来源于可与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体的构成单元。作为其他单体，可列举出下述单体。这些单体可以仅单独使用1种或将2种以上组合使用。

含羟基单体：例如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯类；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇类；2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚类化合物；

含氨基单体：例如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸n,n-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯；

含氰基单体：例如丙烯腈、甲基丙烯腈；

含酮基单体：例如二丙酮(甲基)丙烯酰胺、二丙酮(甲基)丙烯酸酯、乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、乙酰乙酸烯丙酯、乙酰乙酸乙烯酯；

具有含氮原子环的单体：例如n-乙烯基-2-吡咯烷酮、n-甲基乙烯基吡咯烷酮、n-乙烯基吡啶、n-乙烯基哌啶酮、n-乙烯基嘧啶、n-乙烯基哌嗪、n-乙烯基吡嗪、n-乙烯基吡咯、n-乙烯基咪唑、n-乙烯基噁唑、n-乙烯基吗啉、n-乙烯基己内酰胺、n-(甲基)丙烯酰吗啉；

含烷氧基甲硅烷基单体：例如3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。

上述丙烯酸类树脂中，来源于其他单体的构成单元的含有比例相对于丙烯酸类树脂100重量份优选为40重量份以下，更优选为20重量份以下，进一步优选为10重量份以下。

上述丙烯酸类树脂的重均分子量优选为20万～300万，更优选为25万～150万。重均分子量可以通过gpc(溶剂：thf)进行测定。

上述中间层形成用组合物可以进一步含有任意的合适的添加剂。作为上述添加剂，例如可列举出：增塑剂、赋粘剂、防老剂、填充剂、着色剂、抗静电剂、表面活性剂等。上述添加剂可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。使用2种以上添加剂的情况下，可以一次添加1种，也可以同时添加2种以上的添加剂。上述添加剂的配混量可以设定为任意的合适的量。

上述中间层的厚度优选为20μm～300μm，更优选为40μm～200μm，进一步优选为60μm～150μm。如果为这种范围，则能够得到可以更好地防止背面研磨时的芯片缺损等不利情况、且对凹凸面的追随性特别优异的背面研磨带。

上述中间层的厚度相对于上述粘合剂层的厚度优选为5倍～30倍，更优选为8倍～25倍，进一步优选为10倍～20倍。如果以这种厚度关系构成中间层和粘合剂层，则能够得到相对于面方向的外力不易变形、此外发生变形之后也不易恢复原状的背面研磨带。此外，能够得到对凹凸面的追随性特别优异的背面研磨带。

上述中间层在23℃下的储能模量e’优选为200mpa以下，更优选为30mpa～180mpa，进一步优选为50mpa～160mpa。如果为这种范围，则能够得到对凹凸面的追随性特别优异的背面研磨带。储能模量e’可以通过纳米压痕法进行测定。测定条件如下。

(测定装置和测定条件)

装置：hysitroninc.制造triboindenter

使用压头：berkovich(三棱锥型)

测定方法：单一压入测定

测定温度：23℃

压入深度设定：约300nm

压入速度：约10nm/sec

频率：100hz

测定气氛：空气中

试样尺寸：约1cm×约1cm

上述中间层在23℃下的拉伸模量优选为0.05mpa～1mpa，更优选为0.1mpa～0.5mpa，进一步优选为0.15mpa～0.3mpa。如果为这种范围，与采用特定的材料作为构成中间层的材料相结合，可以更好地防止背面研磨时的芯片缺损等不利情况。

d.粘合剂层

上述粘合剂层可以由任意的合适的粘合剂构成。作为粘合剂，例如可列举出：丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、有机硅类粘合剂、聚乙烯基醚类粘合剂等。上述粘合剂可以是热固化型粘合剂、活性能量射线固化型粘合剂等固化型粘合剂，也可以是压敏型粘合剂。优选使用固化型的粘合剂。如果使用固化型的粘合剂，则能够得到在背面研磨时良好地固定半导体晶圆、在之后需要剥离时使粘合剂层固化而可以容易地剥离的背面研磨带。

在1个实施方式中，作为上述粘合剂，使用丙烯酸类粘合剂。优选上述丙烯酸类粘合剂为固化型。

丙烯酸类粘合剂含有丙烯酸类聚合物作为基础聚合物。丙烯酸类聚合物可以具有来源于(甲基)丙烯酸烷基酯的构成单元。作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基等具有烷基的碳数为4～20的直链或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯等。这些当中，从对被粘物的粘接性、贴合作业性的角度来看，优选为烷基的碳数为5～12的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为丙烯酸正丁酯或丙烯酸2-乙基己酯(2eha)。(甲基)丙烯酸烷基酯可以仅单独使用1种或将2种以上组合使用。

上述丙烯酸类聚合物可以根据需要而含有来源于可与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体的构成单元。作为其他单体，可列举出下述单体。这些单体可以仅单独使用1种或将2种以上组合使用。

含羧基单体及其酸酐：例如丙烯酸(aa)、甲基丙烯酸(maa)、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸；马来酸、衣康酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸及其酸酐(马来酸酐、衣康酸酐等)；

含羟基单体：例如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯类；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇类；2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚类化合物；

含氨基单体：例如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸n,n-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯；

含环氧基单体：例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚；

含氰基单体：例如丙烯腈、甲基丙烯腈；

含酮基单体：例如二丙酮(甲基)丙烯酰胺、二丙酮(甲基)丙烯酸酯、乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、乙酰乙酸烯丙酯、乙酰乙酸乙烯酯；

具有含氮原子环的单体：例如n-乙烯基-2-吡咯烷酮、n-甲基乙烯基吡咯烷酮、n-乙烯基吡啶、n-乙烯基哌啶酮、n-乙烯基嘧啶、n-乙烯基哌嗪、n-乙烯基吡嗪、n-乙烯基吡咯、n-乙烯基咪唑、n-乙烯基噁唑、n-乙烯基吗啉、n-乙烯基己内酰胺、n-(甲基)丙烯酰吗啉；

含烷氧基甲硅烷基单体：例如3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷；

含异氰酸酯基单体：(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。

上述丙烯酸类聚合物中，来源于上述其他单体的构成单元的含有比例相对于丙烯酸类聚合物100重量份小于50重量份，更优选为2重量份～40重量份，进一步优选为5重量份～30重量份。

上述丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为20万～300万，更优选为25万～150万。

上述粘合剂可以进一步含有任意的合适的添加剂。作为上述添加剂，例如可列举出：光聚合引发剂、交联剂、增塑剂、赋粘剂、防老剂、填充剂、着色剂、抗静电剂、表面活性剂等。上述添加剂可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。使用2种以上添加剂的情况下，可以一次添加1种，也可以同时添加2种以上的添加剂。上述添加剂的配混量可以设定为任意的合适的量。

在1个实施方式中，上述粘合剂进一步含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以使用任意的合适的引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出：2,4,6-三甲基苄基苯基次膦酸乙酯、(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦等酰基氧化膦类光引发剂；4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基膦酸酯等。其中，优选为酰基氧化膦类光引发剂。光聚合引发剂的用量相对于丙烯酸类聚合物100重量份优选为1重量份～20重量份，更优选为2重量份～15重量份，进一步优选为3重量份～10重量份。

在1个实施方式中，上述粘合剂进一步含有交联剂。作为上述交联剂，可以使用任意的合适的交联剂。例如可列举出：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂、过氧化物类交联剂、尿素类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂、胺类交联剂等。交联剂可以仅使用1种，也可以将2种以上组合使用。需要说明的是，交联剂的用量可以根据使用用途而设定为任意的合适的值。交联剂的用量相对于丙烯酸类聚合物100重量份优选为0.1重量份～10重量份，更优选为0.5重量份～5重量份，进一步优选为1重量份～3重量份。

在1个实施方式中，优选使用异氰酸酯类交联剂。异氰酸酯类交联剂在可以与多种官能团反应这一点上是优选的。作为上述异氰酸酯类交联剂的具体例子，可列举出：亚丁基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等脂环族异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯类；三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“coronatel”)、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“coronatehl”)、六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“coronatehx”)等异氰酸酯加成物；等等。优选使用具有3个以上异氰酸酯基的交联剂。

上述粘合剂层的厚度优选为1μm～50μm，更优选为1μm～25μm，进一步优选为1μm～5μm。如果为这种范围，则可以更好地防止背面研磨时的芯片缺损等不利情况。

上述粘合剂层在23℃下的储能模量e’优选为15mpa～200mpa，更优选为20mpa～150mpa，进一步优选为30mpa～120mpa。如果为这种范围，则能够得到对凹凸面的追随性特别优异的背面研磨带。

上述粘合剂层在23℃下的拉伸模量优选为0.01mpa～2mpa，更优选为0.05mpa～1mpa，进一步优选为0.1mpa～0.5mpa。如果为这种范围，则可以更好地防止背面研磨时的芯片缺损等不利情况。需要说明的是，粘合剂层为固化型的情况下，固化前的粘合剂层的拉伸模量优选为上述范围。

上述粘合剂层在23℃下的粘性值优选为340gf以下，更优选为100gf～340gf。如果为这种范围，则能够得到对凹凸面的追随性特别优异的背面研磨带。上述粘性值利用探针粘性法使用rhescaco.,ltd.制造的粘性试验机进行测定。

e.背面研磨带的制造方法

上述背面研磨带可以通过任意的合适的方法来制造。背面研磨带例如可以通过在基材(第1基材)上涂覆(涂布、干燥)上述中间层形成用组合物而形成中间层，接着，在中间层上涂覆(涂布、干燥)上述粘合剂而形成粘合剂层来得到。作为涂覆方法，可以采用棒涂布机涂覆、气刀涂覆、照相凹版涂覆、照相凹版逆转涂覆、逆转辊涂覆、唇口涂覆、模涂覆、浸渍涂覆、胶版印刷、柔性印刷、丝网印刷等各种方法。此外，可以采用分别另行在剥离衬垫上形成粘合剂层和中间层后，将它们转印并贴合的方法等。

实施例

以下，通过实施例具体说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。实施例中的试验和评价方法如下。此外，在没有特别注明的情况下，“份”和“％”为重量基准。

(1)粘合力

将背面研磨带切断成宽度20mm的长条状，制得样品。

对于上述样品，依据jisz0237，在下述条件下进行180°剥离试验来测定掩蔽材料的粘合力。

<180°剥离试验>

被粘物：si镜面晶圆

重复试验次数：3次

温度：23℃

剥离角度：180度

剥离速度：300mm/min

初始长度(卡盘间隔)：150mm

(2)储能模量

利用纳米压痕法在下述条件下测定中间层和粘合剂层的储能模量e’。

<储能模量e’测定>

装置：hysitroninc.制造triboindenter

使用压头：berkovich(三棱锥型)

测定方法：单一压入测定

测定温度：23℃

压入深度设定：约300nm

压入速度：约10nm/sec

频率：100hz

测定气氛：空气中

试样尺寸：约1cm×约1cm

(3)凸点掩埋性

准备凸点晶圆(60μm高的焊料凸点、φ＝0.1mm、0.25mm间距)，在该晶圆上粘贴背面研磨带，用光学显微镜(50～200倍)实施掩埋性的确认，将背面研磨带将凸点-凸点间掩埋而没有由气泡进行的连接的情况记为合格(表中，〇)，将凸点间由气泡连接、或者未掩埋的情况记为不合格。需要说明的是，背面研磨带的粘贴条件如下。

<背面研磨带粘贴条件>

装置：日东精机株式会社dr-3000iii

压力：0.3mpa

温度：室温

速度：10mm/min

(4)粘性值

对于背面研磨带的粘合剂层表面，利用探针粘性法测定粘性值。需要说明的是，粘性值使用粘性试验机(rhescaco.,ltd.制造、“tac-2”)在下述条件下进行测定。

<测定条件>

温度：23℃

探针材质：sus

探针形状：圆柱状(5mmφ)

加压(压缩)速度：30mm/min

测定(脱离)速度：30mm/min、预负荷：100gf

加压(压缩)时间：1秒

(5)裂纹(芯片缺损)评价

在下述条件下在12英寸si镜面晶圆(厚度：775μm)的单面粘贴背面研磨带，接着，在下述条件下从背面研磨带的与粘贴面相反一侧的面进行隐形切割，在镜面晶圆的内部形成改质层，以得到10.5mm×10.5mm的小片593个。

接着，在下述条件下，以镜面晶圆的厚度为25μm的方式进行背面研磨。

接着，通过并行传送(inlinetransport)将背面研磨后的镜面晶圆安装于切割带(日东电工株式会社制造、商品名“nls-516p”)和环形框。

然后，隔着切割带用光学显微镜(×200)观察镜面晶圆表面，确认有无裂纹产生，根据相对于全部小片数(593个)的裂纹产生数(产生了裂纹的小片的数目)的比例，进行裂纹评价。

<隐形切割条件>

装置：discocorporation制造、dfl7361sde06

处理条件：bhc、nonbhc

<背面研磨带粘贴条件>

装置：日东精机株式会社dr-3000iii

压力：0.3mpa

温度：室温

速度：10mm/min

<背面研磨条件>

装置：discocorporation制造、dgp8761dfm2800inlinegrinder

用z1(#360)、z2(#2000)薄膜化后，实施gdp(除气dp处理)

[制造例1]中间层形成用组合物m1的制备

使混合丙烯酸丁酯50重量份、丙烯酸乙酯50重量份、丙烯酸5重量份、偶氮二异丁腈0.1重量份和醋酸乙酯100重量份而得的混合物在氮气气氛下、在60℃下聚合6小时，得到重均分子量65万的丙烯酸类树脂m1。

将通过上述操作得到的聚合液记为中间层形成用组合物m1。

[制造例2]中间层形成用组合物m2的制备

使混合丙烯酸2-乙基己酯30重量份、丙烯酸甲酯70重量份、丙烯酸10重量份、偶氮二异丁腈0.1重量份和醋酸乙酯100重量份而得的混合物在氮气气氛下、在60℃下聚合6小时，得到重均分子量50万的丙烯酸类树脂m2。

将通过上述操作得到的聚合液记为中间层形成用组合物m2。

[制造例3]粘合剂a1的制备

使混合丙烯酸2-乙基己酯100重量份、丙烯酰吗啉26重量份、丙烯酸羟乙酯18重量份、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯12重量份、偶氮二异丁腈0.2重量份和醋酸乙酯500重量份而得的混合物在氮气气氛下、在60℃下聚合24小时，得到重均分子量90万的丙烯酸类聚合物a。

在通过上述操作得到的聚合液(丙烯酸类聚合物a含量：100重量份)中加入光聚合引发剂(igmresines公司制造、商品名“omniradtpo”)7重量份、异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“coronatec”)2重量份，得到粘合剂a1。

[制造例4]粘合剂a2的制备

与制造例3同样进行，制得含有丙烯酸类聚合物a100重量份的聚合液。

在该聚合液中加入光聚合引发剂(igmresines公司制造、商品名“omnirad651”)7重量份、异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“coronatec”)5重量份，得到粘合剂a2。

[制造例5]粘合剂a3的制备

与制造例3同样进行，制得含有丙烯酸类聚合物a100重量份的聚合液。

在该聚合液中加入光聚合引发剂(igmresines公司制造、商品名“omnirad127”)7重量份、异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“coronatec”)2重量份，得到粘合剂a3。

[实施例1]

在作为第1基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材(东丽株式会社制造、商品名“s105#50”、厚度：50μm)上涂覆中间层形成用组合物m1，形成厚度95μm的中间层。然后，在中间层上涂覆粘合剂a1，形成厚度5μm的粘合剂层。

如上所述进行，得到背面研磨带a。将所得背面研磨带a供于上述评价。结果示于表1。

[实施例2]

聚对苯二甲酸乙二醇酯基材的厚度设为75μm，除此之外与实施例1同样进行，得到背面研磨带b。将所得背面研磨带b供于上述评价。结果示于表1。

[实施例3]

聚对苯二甲酸乙二醇酯基材的厚度设为100μm，除此之外与实施例1同样进行，得到背面研磨带c。将所得背面研磨带c供于上述评价。结果示于表1。

[实施例4]

代替粘合剂a1而使用粘合剂a2，除此之外与实施例1同样进行，得到背面研磨带d。将所得背面研磨带d供于上述评价。结果示于表1。

[比较例1]

代替粘合剂a1而使用粘合剂a3，以及中间层的厚度设为25μm，除此之外与实施例1同样进行，得到背面研磨带e。将所得背面研磨带e供于上述评价。结果示于表1。

[比较例2]

代替粘合剂a1而使用粘合剂a3，除此之外与实施例1同样进行，得到背面研磨带f。将所得背面研磨带f供于上述评价。结果示于表1。

[表1]