有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法与流程

本发明属于化工技术领域，具体涉及一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法。

背景技术：

有源矩阵有机发光二极体显示器是一种用于显示通过特定的传输设备传输的一定的电子文件的画面并反射至人眼，以方便使用者获取想要的信息的附属装置，其在画面显示的领域中得到了广泛的使用。蚀刻液是通过利用侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体，在目前工业生产，尤其微电子加工领域具有广泛的用途。

目前，蚀刻液在使用的过程中，往往需要根据不同的材料来调整氟化铵和氢氟酸的比例，而企业为了生产氟化铵和氢氟酸不同比例的溶液，需要停产调整，大大降低了生产效率。

技术实现要素：

为此，本发明实施例提供一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法，以解决现有技术中企业为了生产氟化铵和氢氟酸不同比例的溶液，需要停产调整，大大降低了生产效率的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

根据本发明实施例的第一方面，提供一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、将氟化氢气体通入纯水，纯水喷淋吸收，产生氢氟酸溶液，之后加入亚氯酸钠溶液制得混合物ⅰ，备用；

步骤二、在混合物ⅰ中通入氨气，喷淋吸收后加入碳酸氢铵溶液，制得混合物ⅱ，备用；

步骤三、将混合物ⅱ倒入步骤一中对氟化氢气体进行喷淋，待氟化氢气体完全吸收后搅拌均匀，之后加入添加剂，添加之后过滤得到所述有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液。

进一步的，所述的步骤二包括调整氨气和步骤一中氟化氢气体的比例，从而获得不同比例的氟化铵氢氟酸溶液。

进一步的，所述的步骤三包括加入添加剂后经0.2μm的过滤器过滤，以除去0.2μm的颗粒。

进一步的，步骤三中的添加剂为表面活性剂，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。

进一步的，所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液，该氧化层缓冲蚀刻液由权利要求1-5中任一项所述方法制得。

进一步的，所述氧化层缓冲蚀刻液中杂质阴离子不超过0.1ppm。

进一步的，所述氧化层缓冲蚀刻液中杂质阳离子不超过0.1ppb。

进一步的，所述氧化层缓冲蚀刻液中粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个。

根据本发明实施例的第三方面，提供一种氧化层缓冲蚀刻液在有源矩阵有机发光二极体显示器中的应用。

本发明实施例具有如下优点：本发明实施例提供一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法，通过在氟化氢高纯气体用纯水吸收后，再通入氨气，形成氟化铵和氢氟酸的混合溶液，之后再加入添加剂，形成氧化层缓冲蚀刻液，可以通过调节氟化氢和氨气的比例，直接可以得到不同比例的氟化铵和氢氟酸混合溶液，整个过程可以连续生产大大提高了生产效率，降低了能耗的同时，提升了环保。此外

本技术：
的氧化层缓冲蚀刻液纯度高，粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个，杂质阴离子不超过0.1ppm，杂质阳离子不超过0.1ppb。

附图说明

图1为本发明实施例1中有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的工艺流程图。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义，下述实施例中的实验材料，若无特别说明，均是来源于商业途径，所述的实验方法，若无特别说明，均为通用实验方法。

针对现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

实施例1

本实施例提供一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、将氟化氢气体通入纯水，纯水喷淋吸收，产生氢氟酸溶液，之后加入亚氯酸钠溶液制得混合物ⅰ，备用；

步骤二、在混合物ⅰ中通入氨气，喷淋吸收后加入碳酸氢铵溶液，制得混合物ⅱ，备用；

步骤三、将混合物ⅱ倒入步骤一中对氟化氢气体进行喷淋，待氟化氢气体完全吸收后搅拌均匀，之后加入添加剂，添加之后过滤得到所述有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液。

优选的，步骤三中的添加剂为表面活性剂，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。其中，所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂时效果尤佳。

实施例2

在实施例1技术方案的基础上，提供一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液，所述氧化层缓冲蚀刻液中杂质阴离子不超过0.1ppm，所述氧化层缓冲蚀刻液中杂质阳离子不超过0.1ppb，所述氧化层缓冲蚀刻液中粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个。

实施例3

本实施例提供一种如权利要求6-9中任一项所述氧化层缓冲蚀刻液在有源矩阵有机发光二极体显示器中的应用。

试验一

将直接把氨气、氟化氢和表面活性剂加入纯水后制备蚀刻液的方法作为对照组1；将氟化氢加入纯水中，之后将氨气通入溶液中，再加入表面活性剂作为对照组2；将采用本申请实施例1的方法作为实验组，分别制备氟化铵和氢氟酸质量比为1:1，1:1.5，1:2的溶液，记录所花费的时间，实验结果如下表所示：

实验结果表明：本申请的制备方法不要停下来，通过调节氟化氢和氨气的比例，直接可以得到不同比例的氟化铵和氢氟酸混合溶液，整个过程可以连续生产大大提高了生产效率，降低了能耗的同时，提升了环保；此外，本申请通过加入碳酸氢铵溶液，并将制备的溶液对氨气进行喷淋，搅拌均匀后再加入添加剂，进一步提升了溶液的蚀刻能力，从而提升了蚀刻速率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。

技术特征：

1.一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将氟化氢气体通入纯水，纯水喷淋吸收，产生氢氟酸溶液，之后加入亚氯酸钠溶液制得混合物ⅰ，备用；

步骤二、在混合物ⅰ中通入氨气，喷淋吸收后加入碳酸氢铵溶液，制得混合物ⅱ，备用；

步骤三、将混合物ⅱ倒入步骤一中对氟化氢气体进行喷淋，待氟化氢气体完全吸收后搅拌均匀，之后加入添加剂，添加之后过滤得到所述有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的步骤二包括调整氨气和步骤一中氟化氢气体的比例，从而获得不同比例的氟化铵氢氟酸溶液。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的步骤三包括加入添加剂后经0.2μm的过滤器过滤，以除去0.2μm的颗粒。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤三中的添加剂为表面活性剂，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。

6.一种有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液，其特征在于，该氧化层缓冲蚀刻液由权利要求1-5中任一项所述方法制得。

7.根据权利要求6所述有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液，其特征在于：所述氧化层缓冲蚀刻液中杂质阴离子不超过0.1ppm。

8.根据权利要求6所述有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液，其特征在于：所述氧化层缓冲蚀刻液中杂质阳离子不超过0.1ppb。

9.根据权利要求6所述有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液，其特征在于：所述氧化层缓冲蚀刻液中粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个。

10.一种如权利要求6-9中任一项所述氧化层缓冲蚀刻液在有源矩阵有机发光二极体显示器中的应用。

技术总结
本发明实施例公开了有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法，包括步骤一、将氟化氢气体通入纯水，纯水喷淋吸收，产生氢氟酸溶液，之后加入亚氯酸钠溶液制得混合物Ⅰ；步骤二、在混合物Ⅰ中通入氨气，喷淋吸收后加入碳酸氢铵溶液，制得混合物Ⅱ；步骤三、将混合物Ⅱ倒入步骤一中对氟化氢气体进行喷淋，待氟化氢气体完全吸收后搅拌均匀，之后加入添加剂，添加之后过滤。本申请的制备方法可以通过调节氟化氢和氨气的比例，直接可以得到不同比例的氟化铵和氢氟酸混合溶液，整个过程可以连续生产大大提高了生产效率，降低了能耗的同时，提升了环保。本申请的氧化层缓冲蚀刻液纯度高，粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个。

技术研发人员：戈士勇;何珂;陆水忠
受保护的技术使用者：江苏中德电子材料科技有限公司
技术研发日：2020.06.15
技术公布日：2020.09.29