一种OLED制程保护膜及其制备方法与流程

文档序号:32622056发布日期:2022-12-20 22:57阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种oled制程保护膜,其特征在于,其包括第一聚噻吩涂层(1)、pet层(2)、无溶剂抗静电聚氨酯psa(3)及离型膜层,且所述第一聚噻吩涂层(1)、pet层(2)、无溶剂抗静电聚氨酯psa(3)、离型膜层由上向下依次复合而成;其中,所述无溶剂抗静电聚氨酯psa组分按重量份包括:40-70份的聚氨酯丙烯酸酯、20-70份的活性稀释剂、1-5份的光引发剂、0.5-3份抗静电剂;通过将上述组分室温混合,经800-2500r/min高速搅拌均匀,滤芯过滤后使用;所述聚氨酯丙烯酸酯为分子量为2000-20000的2官能度,玻璃化转变温度为-60℃~-20℃的聚醚聚氨酯丙烯酸酯;所述活性稀释剂采用丙烯酸酯活性稀释剂;所述无溶剂抗静电聚氨酯psa(3)厚度为50-90μm;第一聚噻吩涂层通过微凹涂布在pet层, 得到抗静电pet底涂膜,表面阻抗值10
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ω待用。2.根据权利要求1所述的一种oled制程保护膜,其特征在于,所述聚氨酯丙烯酸酯为分子量为3000-8000的2官能度,玻璃化转变温度为-50℃~-25℃的聚醚聚氨酯丙烯酸酯。3.根据权利要求1所述的一种oled制程保护膜,其特征在于,所述丙烯酸酯活性稀释剂选择丙烯酸羟乙酯、乙氧化乙基丙烯酸乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯、丙烯酰吗啉、丙烯酸己内酯、甲基丙烯酸己内酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异葵酯、丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异冰片酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙烯酸羟丁基酯、丙烯酸十八烷基酯、丙烯酸月桂酸酯、甲基丙烯酸月桂酸酯、三缩乙二醇二丙烯酸酯、二缩乙二醇二丙烯酸酯、1,6己二醇二丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇单丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯中的一种或几种。4.根据权利要求1所述的一种oled制程保护膜,其特征在于,所述光引发剂选择二苯基-(2,4,6-三甲基苯甲酰)氧磷、1-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦中的一种或几种。5.根据权利要求1所述的一种oled制程保护膜,其特征在于,所述的抗静电剂为高氯酸锂、双三氟甲磺酰亚胺锂、双三氟甲磺酰亚胺钾中的一种或几种。6.根据权利要求1所述的一种oled制程保护膜,其特征在于,所述离型膜层包括有机硅离型涂层(4)、第二聚噻吩涂层(5)、pet基材层(6)及第三聚噻吩涂层(7),所述有机硅离型涂层(4)、第二聚噻吩涂层(5)、pet基材层(6)、第三聚噻吩涂层(7)由上向下依次复合而成,且所述离型膜层中的有机硅离型涂层(4)与无溶剂抗静电聚氨酯psa(3)复合。7.根据权利要求6所述的一种oled制程保护膜,其特征在于,所述pet层(2)厚度为50-90μm,所述pet基材层(6)厚度为20-55μm。8.根据权利要求1或6所述的一种oled制程保护膜,其特征在于,所述第一聚噻吩涂层(1)、有机硅离型涂层(4)、第二聚噻吩涂层(5)及第三聚噻吩涂层(7)的厚度均小于1μm。9.一种如权利要求1所述的一种oled制程保护膜的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:1)无溶剂抗静电聚氨酯psa制备;2)pet层(2)涂布第一聚噻吩涂层(1);
3)离型膜层制备;4)在一面涂布有第一聚噻吩涂层(1)的pet层(2)的另一面通过狭缝涂布或对辊涂布工艺涂布,涂无溶剂抗静电聚氨酯psa后经uvled干燥固化,在无溶剂抗静电聚氨酯psa(3)上复合离型膜层,经uv-led光照固化后收卷得到成品,其中固化能量为1000-4000mj/cm2;其中,步骤2)中第一聚噻吩涂层通过微凹涂布在pet层,得到抗静电pet底涂膜,表面阻抗值10
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ω待用;步骤4)中所述无溶剂抗静电聚氨酯psa(3)涂层厚度为50-90μm。10.根据权利要求9所述的一种oled制程保护膜的制备方法,其特征在于,步骤3)中离型膜层的制备方法如下:在pet基材层(6)两面分别涂布第二聚噻吩涂层(5)和第三聚噻吩涂层(7),而后在第二聚噻吩涂层(5)另一面涂布有机硅离型涂层(4);步骤4)固化能量为800-2000mj/cm2。

技术总结
本发明涉及一种OLED制程保护膜,其包括第一聚噻吩涂层、PET层、无溶剂抗静电聚氨酯PSA及离型膜层,且所述第一聚噻吩涂层、PET层、无溶剂抗静电聚氨酯PSA、离型膜层由上向下依次复合而成;无溶剂抗静电聚氨酯PSA包括聚氨酯丙烯酸酯、活性稀释剂、光引发剂及抗静电剂。通过本发明所述技术方案得到的TPF保护膜剥离力爬升更小,外观缺陷更少,性能更稳定。性能更稳定。性能更稳定。


技术研发人员:刘宇 喻四海
受保护的技术使用者:昆山博益鑫成高分子材料有限公司
技术研发日:2022.11.17
技术公布日:2022/12/19
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