抛光浆料的再生方法、基板的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及抛光浆料的再生方法、基板的制造方法。
【背景技术】
[0002] 在液晶显示器（IXD)等平板显示器（FPD)中，使用玻璃基板等基板。玻璃基板经 过对由玻璃形成的原板的表面进行抛光的抛光工序等而制造。在抛光工序中，将含有由氧 化铈等形成的抛光磨粒的抛光浆料供给至原板和抛光垫之间的界面并进行抛光。对于由玻 璃以外的陶瓷等形成的基板，也与上述同样地经过抛光工序等而制造。
[0003] 在抛光工序中，有时重复利用抛光浆料。例如，有时通过以将抛光中使用后的抛光 浆料再生后再次在抛光中使用的方式循环抛光浆料，从而重复利用抛光浆料。
[0004] 通过抛光从原板除去的原板成分的微粒以抛光肩的形式混入抛光浆料中。因此， 有时在抛光垫中塞满抛光肩，从而抛光速率降低。结果，有时不能有效地进行抛光，基板的 制造效率降低。
[0005]另外，以抛光肩的形式混入抛光浆料中的原板成分的微粒有时在抛光浆料中发生 聚集。特别是在循环抛光浆料的情况下，原板成分的微粒以抛光肩的形式大量混入抛光浆 料时，容易发生聚集。由于该聚集而产生的聚集粒子在抛光时有时被按压并附着到原板表 面上。附着在原板表面上的聚集粒子大部分可以通过清洗除去，但有时一部分残留。结果， 有时基板的制造成品率降低。
[0006] 为了应对这样的问题，提出了通过进行使以抛光肩的形式混入抛光浆料中的原板 成分的微粒可溶化的处理等，由此再生抛光浆料等方案。（例如，参见专利文献1~11)。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :日本特开平6-254764号公报
[0010] 专利文献2 :日本特开2012-79368号公报
[0011] 专利文献3 :日本特开平10-118899号公报
[0012] 专利文献4 :日本特开2000-308967号公报
[0013] 专利文献5:日本特开2001-308044号公报
[0014] 专利文献6:日本特开2001-38153号公报
[0015] 专利文献7:日本特开2003-205460号公报
[0016] 专利文献8:日本特开2004-237163号公报
[0017] 专利文献9:国际公开第2005/090511号
[0018] 专利文献10:国际公开第2008/020507号
[0019] 专利文献11:日本特开2011-156646号公报
【发明内容】
[0020] 发明所要解决的问题
[0021 ] 然而，上述方案中，有时不能充分地抑制以抛光肩的形式混入抛光浆料中的原板 成分的微粒聚集。
[0022] 例如，对由石英（Si02晶体）形成的原板的表面进行抛光时，抛光浆料中以抛光肩 的形式混入的原板成分的微粒几乎不发生聚集。与之相对，在对组成包含氧化铝和碱土金 属氧化物的原板的表面进行抛光时，经常发生聚集。因此，在这种情况下，有时再生的抛光 浆料中混杂有大量的氧化铝和碱土金属氧化物的聚集物。结果，有时难以充分地实现提高 基板的制造效率、提尚成品率等。
[0023] 因此，本发明的目的在于提供一种可以抑制抛光浆料中抛光肩聚集物的混杂、可 以易于实现基板制造效率的提尚及成品率的提尚等的抛光楽·料的再生方法和基板的制造 方法。
[0024] 用于解决问题的手段
[0025] 本发明的抛光浆料的再生方法包括再生由于对原板的表面进行抛光而混入有该 原板的成分的抛光浆料的再生工序。原板的组成至少包含氧化铝和碱土金属氧化物。在再 生工序中，向由于抛光而从原板混入了氧化铝和碱土金属氧化物的抛光浆料中加入酸，然 后从抛光浆料中除去氧化铝和碱土金属氧化物，由此再生抛光浆料。
[0026] 本发明的基板的制造方法包括使用抛光浆料对原板的表面进行抛光的抛光工序、 和再生在该抛光工序中由于抛光而混入了原板的成分的抛光浆料的再生工序。原板的组成 至少包含氧化铝和碱土金属氧化物。在再生工序中，向由于抛光而从原板混入了氧化铝和 碱土金属氧化物的抛光浆料中加入酸，然后从抛光浆料中除去氧化铝和碱土金属氧化物， 由此再生抛光浆料。之后，在抛光工序中，将在该再生工序中再生后的抛光浆料供给至原板 的表面，由此对原板的表面进行抛光。
[0027] 发明效果
[0028] 本发明可以提供一种可以抑制抛光浆料中抛光肩聚集物的混杂、可以易于实现基 板制造效率的提高及成品率的提高等的抛光浆料的再生方法和基板的制造方法。
【具体实施方式】
[0029] 在实施方式中，在由原板制造基板时，依次进行准备工序、抛光工序、再生工序等 工序。以下，对于各工序的详细情况进行说明。
[0030] [A]制造方法等
[0031] [A-1]准备工序
[0032] 在准备工序中，准备作为抛光对象的原板及抛光时使用的抛光浆料。
[0033] [A-1-1]原板
[0034] 作为原板，准备由玻璃等陶瓷形成的板状体。在本实施方式中，准备组成包含氧化 铝（A1203)和碱土金属氧化物（Mg0、Ca0、Sr0)的原板。
[0035] 作为原板，准备例如玻璃组成包含Si02、Α1203、Β20#Ρ碱土金属氧化物的铝硅酸玻 璃且成形为板状的玻璃板。除了玻璃以外，原板也可以由包含氧化铝和碱土金属氧化物的 陶瓷形成。
[0036] 在本实施方式中，优选原板中碱土金属氧化物的含有比例为1重量％以上。在这 种情况下，通过由于抛光而溶入的碱土金属，浆料中的聚集加速，从而抛光浆料的再生效果 变得明显。
[0037]另外，与此同时，优选原板中氧化铝和碱土金属氧化物的含有比例的合计为15重 量％以上。在这种情况下，由于抛光而溶入的铝和碱土金属增加，从而抛光浆料的再生效果 变得更明显。
[0038] [A-1-2]抛光浆料
[0039] 抛光浆料包含磨粒和分散介质。通过使用例如超声波、搅拌机等将磨粒分散到分 散介质中而准备抛光浆料。
[0040] 在抛光浆料中，对于磨粒，可以适当选择使用例如胶体二氧化硅、氧化铈、氧化锰、 氧化铝、氧化铁、氧化锆等的粒子。这些粒子中，特别是氧化铈粒子在抛光玻璃时的抛光速 率高，因此优选。
[0041] 磨粒的平均粒径优选为0. 5~3. 0μπι的范围，特别是优选为0. 8~2. 0μπι的范 围。此处，磨粒的平均粒径为使用动态光散射式粒度分布测定仪（例如，大塚电子公司制， 产品名：FPAR-1000AS)测定的值，或者为使用激光衍射?散射式粒度分布测定仪（例如，日 机装公司制，产品名：MicrotracHRA)电子显微镜测量的值。
[0042] 在抛光浆料中，分散介质是分散磨粒的液体，例如水。此处，纯水、超纯水、离子交 换水（去离子水）可以适合用作分散介质。
[0043] 除磨粒和分散介质以外，还可以适当添加分散剂、表面活性剂、润滑剂、螯合剂、还 原剂、增稠剂、防锈剂等添加剂。
[0044] 在准备工序中准备的抛光浆料优选pH值为5~9的范围。抛光浆料的pH值为上 述下限值以上时，具有化学抛光能力，不容易产生抛光速率降低的问题。与之相对，抛光浆 料的pH值为上述上限值以下时，磨粒与玻璃不电相斥，从而接触增加，不容易产生抛光速 率降低的问题。
[0045] [A-2]抛光工序
[0046] 在抛光工序中，使用抛光浆料对原板的表面进行抛光。
[0047] 在此，例如，在使原板中将进行抛光的表面与抛光垫的表面密合的状态下，向两者 之间的界面连续供给抛光浆料。之后，使抛光垫的表面相对于原板的表面相对旋转，由此对 原板的表面进行抛光。例如通过使用奥斯卡式（Oscar-type)、霍夫曼式（Hoffman-type)等 抛光机进行抛光。通过对表面的一部分进行研磨，原板的表面变平滑。
[0048] 例如，使用霍夫曼型双面抛光机（滨井产业公司制：装置名：4BT)，对正方形（边 长50mm)的玻璃原板（1mm厚）的表面进行抛光时，在下述抛光条件下进行抛光：
[0049] 抛光压力：1~2〇OkPa(优选3~l5〇kPa)
[0050] 抛光时间：2~120分钟（优选2~30分钟）
[0051] 转速：10~lOOrpm(优选 10 ~60rpm)
[0052] 抛光浆料供给流量：10~1000ml/分钟（优选10~500ml/分钟）