一种薄膜卷芯的制作方法

本发明涉及光学薄膜生产，特别是一种薄膜卷芯。

背景技术：

1、产生管底压痕的原因是因为绕卷时，薄膜绕过卷头会因为段差产生局部横向压力，这个横向压力会造成薄膜形变，展开后会产生横向(td方向)重复性、间隔约等于圆周长的压痕，这种压痕在高阶的光学膜上是没法接受的，被视为不合格料。

2、目前卷膜消除管底压痕的方法有几种，一种方式是在硬管芯上面再套一层pu软管膜，在薄膜卷绕至接缝段差处时，对受压力的薄膜提供缓冲，让压力能释放到更大的区域，减低局部段差的变形压力。在硬管芯上面再套一层pu软管膜，虽然可以提供缓冲，但是这样的作法材料成本高、气压套管加工费昂贵，而且薄膜段差仍然存在，也不能完全避免因为薄膜段差造成的压痕。

3、另一种方式也是在管芯壁上开一个凹槽，让膜直接置入凹槽内，消除薄膜段差。因为一般膜面切割都不平整，这种设计方式很难将薄膜前端对齐凹槽面，不整齐的膜前缘很容易会产生段差，造成不规则下陷压痕。这个设计没有贴合双面胶的位置、也没有设计切割槽，在上卷时，容易产生膜面不平、翘屈、歪斜的现象。因为圆周面没有设计螺旋渐进曲线，在第二圈凹槽后会有不连续凸起，因此也不能完全消除薄膜段差造成的压痕。

4、我们前期申请的专利（申请号cn201610624702.6）公开了一种薄膜卷芯，包括卷芯主体，卷芯主体设置有沿卷芯轴向延伸的凹槽，凹槽由凹槽底、对向设置的第一台阶和第二台阶围成。第一台阶、第二台阶各自距凹槽底的高度之差等于卷绕在薄膜卷芯上的第一圈薄膜厚度和用于承载第一圈薄膜的承载层厚度之和。卷芯主体还设置有第三台阶，第三台阶与第二台阶高度差等于承载层的厚度。该薄膜卷芯在实际使用过程中，虽然也能一定程度上消除薄膜卷绕的管底压痕，但是实际上是从第三圈薄膜以后才能使这种段差压力才基本消失，即从第三圈以后的薄膜才没有管底压痕；这样会造成前三圈的薄膜不能使用，不适于现在生产需求。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本发明提供了一种薄膜卷芯。

2、为达到上述目的，本发明是按照以下技术方案实施的：

3、一种薄膜卷芯，包括卷芯本体，所述卷芯本体沿轴向开设有扇形缺口，所述扇形缺口内转动安装有与扇形缺口同心的扇形块，扇形块外圈小于扇形缺口外圈的弧长，扇形块内圈小于扇形缺口内圈的弧长；所述扇形块前端外周壁沿轴向开设有弧形缺口，所述弧形缺口前端的深度等于薄膜的厚度，弧形缺口后端与扇形块外圈相切。

4、进一步地，所述扇形缺口内圈的卷芯本体外周开设有至少两条滑槽，所述扇形块内圈设有与滑槽滑动配合的滑块。

5、进一步地，所述滑块为t型块。

6、进一步地，所述扇形块前端面和靠近扇形块前端的扇形缺口一侧的卷芯本体外端面分别粘贴有双面胶，双面胶用于粘接薄膜端头。

7、进一步地，所述扇形块前端内设有第一磁铁，靠近扇形块前端的扇形缺口一侧的卷芯本体内设有与第一磁铁相吸的第二磁铁。

8、与现有技术相比，本发明通过设计的可以滑动的扇形块，并在扇形块前端外周开设弧形缺口，将薄膜前端固定在扇形块前端后即可上卷，由于薄膜绕卷后形成一个整体的圆周，在第一圈时即可以完全消除卷膜段差，可以去除接近卷芯薄膜产品的压痕，提高产品质量。

技术特征：

1.一种薄膜卷芯，包括卷芯本体，其特征在于：所述卷芯本体沿轴向开设有扇形缺口，所述扇形缺口内转动安装有与扇形缺口同心的扇形块，扇形块外圈小于扇形缺口外圈的弧长，扇形块内圈小于扇形缺口内圈的弧长；所述扇形块前端外周壁沿轴向开设有弧形缺口，所述弧形缺口前端的深度等于薄膜的厚度，弧形缺口后端与扇形块外圈相切。

2.根据权利要求1所述的薄膜卷芯，其特征在于：所述扇形缺口内圈的卷芯本体外周开设有至少两条滑槽，所述扇形块内圈设有与滑槽滑动配合的滑块。

3.根据权利要求1所述的薄膜卷芯，其特征在于：所述滑块为t型块。

4.根据权利要求1所述的薄膜卷芯，其特征在于：所述扇形块前端面和靠近扇形块前端的扇形缺口一侧的卷芯本体外端面分别粘贴有双面胶，双面胶用于粘接薄膜端头。

5.根据权利要求1或4所述的薄膜卷芯，其特征在于：所述扇形块前端内设有第一磁铁，靠近扇形块前端的扇形缺口一侧的卷芯本体内设有与第一磁铁相吸的第二磁铁。

技术总结
本发明属于光学薄膜生产技术领域，具体公开了一种薄膜卷芯，包括卷芯本体，所述卷芯本体沿轴向开设有扇形缺口，所述扇形缺口内转动安装有与扇形缺口同心的扇形块，扇形块外圈小于扇形缺口外圈的弧长，扇形块内圈小于扇形缺口内圈的弧长；所述扇形块前端外周壁沿轴向开设有弧形缺口，所述弧形缺口前端的深度等于薄膜的厚度，弧形缺口后端与扇形块外圈相切。与现有技术相比，本发明通过设计的可以滑动的扇形块，并在扇形块前端外周开设弧形缺口，将薄膜前端固定在扇形块前端后即可上卷，由于薄膜绕卷后形成一个整体的圆周，在第一圈时即可以完全消除卷膜段差，可以去除接近卷芯薄膜产品的压痕，提高产品质量。

技术研发人员：张子键,张爱国,薛中,刘凯,刘凯华,栗佳星
受保护的技术使用者：焦作嵩阳光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19