专利名称：精细结构转印用压模及其制造方法
精细结构转印用压模及其制造方法
但是，上述的专利文献l、 2的转印方法是用保持压模端部的夹 具使其机械地弯曲，所以被保持时在压模端部上施加的负荷较大、有 时候在反复进行转印之中压模就会发生破损。
进而作为具体的基体102的材料，可列举石英、Si、包含氟化物的多成分玻璃，但并不限定于此。另外，作为薄膜103的材料可列举例如用化学式SiOx(其中，x为大于0小于等于2的值)所示的硅氧化物，但并不限定于此。
而且，在薄膜103的材料是用化学式SiOx所示的材料或者Si的情况下，它们还可以进一步包含Ge、 B、 P等掺杂剂(dopint)。
而且，本实施方式所涉及的压模IOO不同于以往的弯曲后的镍压 模(例如，参照专利文献3),形成了精细图案101的基体102和薄膜 103成为一体，由于此薄膜103的线膨胀系数相对于基体102的线膨 胀系数有差异，所以即便对压模IOO反复进行加热工序以及冷却工序， 恢复到室温时的弯曲量(弯曲程度)在其复原性上也表现出色。
另外，如上述那样，希望与薄膜形成工序并行实施的加热工序中 的加热温度设定得高于这里的转印工序的温度。通过这样设定上述的 加热工序中的加热温度，压模100在其复原性上就更加表现出色。
接着，在此制造方法中，如图5(c)所示那样将精细图案502 (抗 蚀图案)作为掩模通过公知的干蚀刻技术来加工与此精细图案502邻 接的薄膜103，由此在该薄膜103上形成精细图案101。接着，如图3(c)所示那样，通过在将被转印体203的背面真空吸 附固定于加压工作台204的状态下降下工作台204，借助于压模100 恢复到弯曲形状的应力，压模100从被转印体203的外圆周部的 一部 分开始起模。[0072J然后，如图3(d)所示那样，压模100的精细图案101被转印到光 硬化性树脂202的表面上而获得被转印体203。这里进行参照的图6 是表示在本实施例中所形成的抗蚀图案之截面的电子显微镜照片。在被转印体203的表面上作为图6所示的抗蚀图案形成了宽度 50nm、深度80nm、间距100nm的同心圆状沟槽图案。[0073J接着，将此抗蚀图案作为掩模，通过氟系气体对薄膜103实施了 干蚀刻加工，而在基板201的表面加工了宽度50nm、深度40nm、间 距100mn的同心圆状沟槽图案。此外，通过在此基板201的表面形成非磁性层、磁性层、非磁性 的平坦化膜、保护膜、润滑膜来制作垂直磁记录方式的离散磁道媒介 (discrete track media )。[0074(实施例5)在本实施例中，使用通过与实施例1相同的方法所制作的压模 IOO来制作反射光抑制器件。这里所使用的转印方法在图3(a) (d)所 示的转印方法中除压模100朝向被转印体203推压以外与实施例4的转印方法同样地进行。0075此压模100是在直径100mm、厚度0.5mm的石英制造的基体 102(参照图l)的表面通过公知的电子束描绘技术和干蚀刻技术在 30mmx30mm的区域内以间隔70nm排列了直径230nm、深度400nm 的坑结构。[0076作为图3(a)所示的被转印体203,使用了直径50mm、厚度 0，5mm、折射率为2.23的光学器件用基板。在此转印方法中，被形成在被转印体203的表面上的凹凸图案与 压才莫100的凹凸图案相对，而成为直径230nm、高度400nm的柱状 体以间隔70nm进行了排列的结构。[0077接着，形成了凹凸图案的被转印体203的表面通过干蚀刻技术进 一步进行加工。其结果，就获得在被转印体203的表面直径230nm、 高度230nm的柱状体以间隔70nm进行了排列的未图示的精细结构体 (光学板)。[0078接着，对在此光学板的图案形成面所产生的反射率进行了测定。 在图7中表示其结果。这里进行参照的图7是表示从本实施例中所制 作的光学板的图案形成面的反射率之波长特性的图表，纵轴是反射率 (%)，横轴是反射波的波长(nm)。[0079如图7所示那样，从波长1.16jim到1.5nm的波长范围内的反射 率小于等于1%。另外，虽然没有图示，在没有形成凹凸图案以外与 被转印体203相同材质的基板其反射率约为14%。根据这一现象就可 确认通过 成凹凸图案使反射波得到抑制。
权利要求
1.一种用于使被形成在基体的表面和背面之中的单面侧的精细图案接触到被转印体，将上述精细图案转印到上述被转印体表面的树脂层上的精细结构转印用压模，其特征在于在上述基体的表面和背面之中至少一面侧设置至少一层薄膜，上述基体和上述薄膜的线膨胀系数不同，上述基体借助于发生在上述薄膜上的内部应力以精细图案侧成为凸出的方式而弯曲。
2. 按照权利要求l所记栽的精细结构转印用压模，其特征在于 使具有200nm到2000nm波长的电磁波透过10%以上。
3. 按照权利要求l所记载的精细结构转印用压模，其特征在于 上述被转印体表面的树脂层包含一照射电磁波就硬化的树脂，上述薄膜比上述电磁波的波长厚。
4. 按照权利要求3所记载的精细结构转印用压模，其特征在于 上述薄膜的厚度大于等于0.5pm小于等于100jim。
5. 按照权利要求l所记载的精细结构转印用压模，其特征在于 上述基体用石英来形成，上述薄膜用SiOx所示的氧化膜而形成，此氧化膜具有与石英不同的密度，其中，x是大于0小于等于2的值。
6. 按照权利要求l所记载的精细结构转印用压模，其特征在于 上述基体用石英来形成，上述薄膜用包含掺杂剂的Si02来形成。
7. 按照权利要求l所记载的精细结构转印用压模，其特征在于 上述基体用Si或者多成分玻璃而形成，在形成上述基体的精细图案的一面侧形成上述薄膜。
8. 按照权利要求l所记栽的精细结构转印用压模，其特征在于 上述薄膜在上述基体的表面和背面分别形成，各薄膜的厚度以及组成的至少一方相互不同。
9. 按照权利要求l所记栽的精细结构转印用压模，其特征在于 上述薄膜的厚度在形成上述精细图案的面内恒定。
10. —种权利要求1所记载的精细结构转印用压模的制造方法， 其特征在于具有在上述基体的表面和背面之中至少一面侧形成至少一层薄 膜的薄膜形成工序，还进一步具有与此薄膜形成工序并行，或者在此薄膜形成工序之 后对上述基体和上述薄膜进行加热的加热工序。
11. 按照权利要求10所记载的精细结构转印用压模的制造方法， 其特征在于上述加热工序的加热温度在将上述精细图案转印到上述被转印 体的表面之际高于该精细结构转印用压模被暴露的温度。
12. —种权利要求1所记载的精细结构转印用压模的制造方法， 其特征在于上述精细图案用多个精细的凹凸而形成，在将此精细图案形成于 上述基体之际，具有在上述基体的单面形成树脂层的树脂层形成工序；使形成上述精细图案的母盘接触上述树脂层以转印上述母盘的 精细图案的转印工序；以及将形成了上述精细图案的上述树脂层作为掩模对上述基体的表面进行蚀刻加工以在此基体的表面形成精细图案的蚀刻工序，构成通过蚀刻加工在上述基体的表面所形成的精细图案的上述 凹凸的高度以及上述突出部的侧壁的角度的某一个，不同于构成母盘 的精细图案的上述凹凸的高度以及上述凹凸的侧壁的角度。
全文摘要
本发明的课题是提供一种在耐久性上表现出色的精细结构转印用压模。为此，本发明的特征是在用于使被形成在基体(102)的单面侧的精细图案(101)接触到被转印体，将上述精细图案(101)转印到上述被转印体表面的树脂层上的精细结构转印用压模(100)中，在上述基体(102)的表面和背面之中至少一面侧设置至少一层薄膜(103)，上述基体(102)和上述薄膜(103)的线膨胀系数不同，上述基体(102)借助于发生在上述薄膜(103)上的内部应力以精细图案(101)侧成为凸出的方式而弯曲。
文档编号B29C33/42GK101670629SQ200910165959
公开日2010年3月17日 申请日期2009年8月20日 优先权日2008年9月10日
发明者北野延明, 大薗和正, 安藤拓司, 宮内昭浩, 本乡晃史, 盐田恒夫, 鹫谷隆太 申请人:日立电线株式会社