一种碳化硅外延炉的清理装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种碳化硅外延炉的清理装置，其包括一采用碳化硅材料制作的清理触头；一手柄，于手柄中设置有发光电路，该发光电路中至少包括两个发光回路，每个发光回路中设置有不同颜色的发光体；所述的清理触头安装在手柄上，并且二者之间连接有弹性伸缩件，于弹性伸缩件的压缩行程范围内至少设置有两个电极点，当清理触头受外力压缩而触发任意一个电极点时，发光电路中的一个发光回路导通，触发对应回路中的发光体发光。本实用新型采用上述技术方案后，可以保证不同的操作人员在清理外延炉的时候，保持均匀的力量清除外延过程中沉积的3C-SiC，而不损伤外延炉内表面材质，从而保证每次清理后的洁净度和均匀性，确保产品的稳定性和可持续性。
【专利说明】一种碳化硅外延炉的清理装置
【技术领域】：
[0001] 本实用新型专利碳化硅外延炉产品【技术领域】，特指一种碳化硅外延炉的清理装 置，该清理装置用于保障碳化硅外延炉盖板和内环的清理工作的一致性，减少因操作不当 导致的缺陷。
【背景技术】：
[0002] 碳化硅（SiC)作为新一代宽禁带半导体，具有优异的物理特性，为功率器件的制造 奠定了良好的材料基础。常见的SiC器件主要在SiC单晶衬底上生长的SiC外延膜上进行， 因为在SiC单晶生长的过程中控制掺杂较为困难，难以达到器件制作的要求，同时离子注 入掺杂的效果也远逊于可以精确控制掺杂浓度的外延工艺，因此SiC外延膜的制作是SiC 器件制作中重要并且必不可少的工艺程序。
[0003] SiC外延膜的制备方法主要有：升华法，液相外延法，溅射法，脉冲激光沉积，分子 束外延和化学气相沉积等，目前商业生产中以化学气相沉积最为广泛使用。
[0004] 在SiC化学气相外延生长过程中，外延炉顶部的盖板和内环等处会附着一层 3C-SiC颗粒物，并随着SiC晶片外延生长过程不断沉积，当到达一定厚度后，会影响炉内气 场和温场，需要对其进行清理。此外在SiC外延生长过程中，这些3C-SiC颗粒物会坠落在 晶片表面，形成坠落（Down-fall)缺陷，这些缺陷会对SiC器件产生致命的影响。
[0005] 目前，常见的处理办法是，经过一定时间的外延生长后，采用SiC材质的物品对 其进行清理，然后涂覆一层均匀的3C SiC。但是操作人员的差异和工具的不同会导致清 理结果的差异，涂覆的3C SiC也无法防止微小颗粒物的坠落，从而随机的在产品表面形成 Down-fall 缺陷。 实用新型内容：
[0006] 本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种碳化硅外延 炉的清理装置，该清理装置可以保证在不同的人员操作过程中都不会因为个体差异导致清 理的不彻底和力量过大损伤外延炉的盖板和内环等生长室内表面材质，从而保证每次清理 后的洁净度和均匀性的方法，确保产品的稳定性和可持续性。
[0007] 为了解决上述技术问题，本实用新型采用了下述技术方案：该碳化硅外延炉的清 理装置包括：一采用碳化硅材料制作的清理触头；一手柄，于手柄中设置有发光电路，该发 光电路中至少包括两个发光回路，每个发光回路中设置有不同颜色的发光体；所述的清理 触头安装在手柄上，并且二者之间连接有弹性伸缩件，于弹性伸缩件的压缩行程范围内至 少设置有两个电极点，当清理触头受外力压缩而触发任意一个电极点时，发光电路中的一 个发光回路导通，触发对应回路中的发光体发光。
[0008] 进一步而言，上述技术方案中，所述的清理触头固定在一连接件上，通过该连接件 活动安装在手柄上。
[0009] 进一步而言，上述技术方案中，所述的弹性伸缩件为弹簧。所述的发光体为LED。 所述的电极点为触发开关。
[0010] 采用上述技术方案后，本实用新型与现有技术相比较具有如下有益效果：
[0011] 本实用新型中的清理触头与手柄之间采用了弹性连接，并且在弹性伸缩件的压缩 行程范围内设置两个触发电极点，分别触发两个发光回路，以控制不同颜色的发光体，弹性 伸缩件被压缩到两个电极点之间时，此时弹簧的弹力与清理触头所受到的压力正好处于合 理的压力范围内，在此压力范围内，清理触头可以实现对外延炉的良好清理。同时，由于操 作人员可以根据发光体的发光所产生的提示调节清理力度的大小，从而保证清理力度在上 述合理的压力范围内。
[0012] 本实用新型采用上述技术方案后，可以保证不同的操作人员在清理外延炉的时 候，保持均匀的力量清除外延过程中沉积的3C-SiC，而不损伤外延炉内表面材质，从而保证 每次清理后的洁净度和均匀性的方法，确保产品的稳定性和可持续性。同时，本实用新型中 的电路非常简单，便于加工和生产。
【专利附图】
【附图说明】：
[0013] 图1是本实用新型实施例一的主视图；
[0014] 图2是本实用新型实施例一的内部结构示意图；
[0015] 图3是本实用新型实施例二的内部结构示意图；
[0016] 图4是本实用新型的电路原理图；
【具体实施方式】：
[0017] 下面结合具体实施例和附图对本实用新型进一步说明。
[0018] 见图1、2所示，本实施例中该碳化硅外延炉的清理装置包括：清理触头1和手柄 2〇
[0019] 清理触头1采用高纯度的SiC制作，以避免清理过程中出现污染。
[0020] 手柄2采用中空设计，清理触头1和手柄2之间通过弹簧连接，在手柄2内还设置 有一个发光电路4,参见图4所示。该发光电路4中至少包括两个发光回路，每个发光回路 中设置有不同颜色的发光体41或42。
[0021] 所述的清理触头1安装在手柄2上，并且二者之间连接有弹性伸缩件3,于弹性伸 缩件3的压缩行程范围内设置有两个电极点43、44,当清理触头1受外力而压缩到任意一个 电极点31或32时，发光电路中的一个发光回路导通，触发对应回路中的发光体41或42发 光。
[0022] 见图2所示，使用本实施例时，使用者手持手柄2,利用清理触头1清洁外延炉，当 清理触头1受到压力后，弹性伸缩件3开始压缩，并且随着压力的增大压缩越大。当压力增 大到N1时，此时弹性伸缩件3的压缩达到K1，正好触发第一个电极点43,由于该电极点43 被触发，该发光回路中的发光体41开始发光，例如发出绿色的光。如果使用者施加的力增 大，当压力增大到N2时，此时弹性伸缩件3的压缩达到K2,正好触发第一个电极点44,由于 该电极点44被触发，该发光回路中的发光体42开始发光，例如发出红色的光。
[0023] 上述使用过程中，N1〈N2,即当清理触头1所受到的压力达到N1时，绿色的发光体 41发光，当达到N2时红色的发光体42发光，而清理触头1正常的工作压力就位于N1-N2之 间，当清理力度位于该区间之内时，才能清理外延炉沉积的3C-SiC并不损伤外延炉内表面 材质。由于有了发光体的提示，这样就可以保证不同的操作人员在清理外延炉的时候，都可 以保持均匀的力量清除外延炉3C-SiC沉积而不损伤外延炉内表面材质，并保证每次清理 后的洁净度和均匀性的方法，确保产品的稳定性和可持续性。
[0024] 上述实施例中，弹性伸缩件3 -般可采用弹簧。所述的发光体41、42可采用LED。 电极点43、44可采用触发开关，其连接于发光电路4中，分别控制不同发光回路的发光。
[0025] 为了便于清理触头1的固定，实施例一中将其固定在一连接件10上，然后再通过 该连接件10活动安装在手柄2上。
[0026] 本实施例中设置有两个相同弹性系数的弹性伸缩件3,并且其对称位于产品的两 侦牝以确保清理触头1所受的压力均匀，确保压力调节的准确性。但是也可采用其他方式实 现，见图4所示，这是本实用新型的第二实施例，本实施例中，采用一个弹性伸缩件3,该弹 性伸缩件3位于产品的中心位置，即位于清理触头1的中心位置，其同样可以令清理触头1 所受的压力均匀。本实施例二的其他结构与上述实施例类似，这里不再赘述。
[0027] 当然，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并非来限制本实用新型实施 范围，凡依本实用新型申请专利范围所述构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包 括于本实用新型申请专利范围内。
【权利要求】
1. 一种碳化硅外延炉的清理装置，其特征在于：该清理装置包括： 一采用碳化硅材料制作的清理触头（1); 一手柄（2)，于手柄（2)中设置有发光电路（4)，该发光电路（4)中至少包括两个发光回 路，每个发光回路中设置有不同颜色的发光体（41或42); 所述的清理触头（1)安装在手柄（2)上，并且二者之间连接有弹性伸缩件（3)，于弹性 伸缩件（3)的压缩行程范围内至少设置有两个电极点（43、44)，当清理触头（1)受外力产生 压缩触发任意一个电极点（43或44)时，发光电路中的一个发光回路导通，触发对应回路中 的发光体（41或42)发光。
2. 根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉的清理装置，其特征在于：所述的清理触 头（1)固定在一连接件（10 )上，通过该连接件（10 )活动安装在手柄（2 )上。
3. 根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉的清理装置，其特征在于：所述的弹性伸 缩件（3)为弹黃。
4. 根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉的清理装置，其特征在于：所述的发光体 (41、42)为 LED。
5. 根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉的清理装置，其特征在于：所述的电极点 (43、44)为触发开关。
【文档编号】F27D25/00GK203938749SQ201420161999
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年4月3日 优先权日:2014年4月3日
【发明者】张新河, 孙国胜, 韩景瑞, 刘丹, 李锡光, 萧黎鑫 申请人:东莞市天域半导体科技有限公司