本发明属于半导体材料加工领域，尤其涉及一种多晶硅片清洗制绒机烘干装置。
背景技术：
目前，硅材料大量用于日常生活之中，硅片的生产量也日趋增大，硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗制绒，清洗的目的是消除吸附在硅片表面的各类污染物，制绒是在其表面制作绒面结构减少太阳光发射，清洗洁净程度直接影响成品率。硅片清洗机往往配置大量槽位，不易清洗，污染物又会对传动机构造成腐蚀，槽位水分难以烘干，都是目前清洗机烘干存在的问题。
综上所述，现有技术存在的问题是：目前多晶硅片清洗制绒机的烘干方式需要消耗大量的氮气，不仅设备造价昂贵，而且企业生产成本高，难以获取利益，以往干燥方法往往不能彻底干燥，造成水分残留。
技术实现要素：
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种多晶硅片清洗制绒机烘干装置。
本发明是这样实现的，该多晶硅片清洗制绒机烘干装置设置有枪体，所述枪体的表面嵌装有温度显示装置，所述温度显示装置与枪体内部的加热器电连接；
所述枪体的前端设置有烘干孔，所述烘干孔通过管道连通加热器；所述枪体的下端安装有开关，所述开关与加热器电连接。
进一步，所述枪体的上端嵌装有定位灯，所述定位灯通过导线与开关电连接。
进一步，所述枪体的下端套装有橡胶层，所述橡胶层的外部设置有防滑纹。
进一步，所述枪体的上端一体设置有挂孔。
本发明的优点及积极效果为：该多晶硅片清洗制绒机烘干装置可在多种环境下使用，能够在不同工况下合理控制耗电量，节省成本，增大企业效益；同时可以做到探入设备多角度烘干，节省时间，同时装置本身在10万级无尘车间中使用，保重了控干不存在污染。装置结构简单，方便操作者学习，满足了企业的需求。
附图说明
图1是本发明实例提供的多晶硅片清洗制绒机烘干装置的结构示意图；
图中：1、枪体；2、温度显示装置；3、挂孔；4、定位灯；5、防滑纹；6、开关；7、烘干孔。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下。
下面结合附图1对本发明的结构作详细的描述。
该多晶硅片清洗制绒机烘干装置设置有枪体1，所述枪体1的表面嵌装有温度显示装置2，所述温度显示装置2与枪体1内部的加热器电连接；
所述枪体1的前端设置有烘干孔7，所述烘干孔7通过管道连通加热器；所述枪体1的下端安装有开关6，所述开关6与加热器电连接。
作为本发明的优选实施例，所述枪体1的上端嵌装有定位灯4，所述定位灯4通过导线与开关6电连接。
作为本发明的优选实施例，所述枪体1的下端套装有橡胶层，所述橡胶层的外部设置有防滑纹5。
作为本发明的优选实施例，所述枪体1的上端一体设置有挂孔3。
本发明的工作原理是：通过开关6对加热器进行控制，实现产热；产生的温度通过温度显示装置2进行实时显示。热空气通过烘干孔7喷出，实现对晶硅片的烘干作业；在烘干过程中，可通过定位灯4对烘干的部位进行定位；通过防滑纹5增加握持的摩擦力，避免掉落；使用完毕后，可通过挂孔3将枪体1进行悬挂。
以上所述仅是对本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。