晶硅制绒槽的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及制绒设备，具体涉及一种制绒槽。
【背景技术】
[0002]在光伏产业中，为了提高硅基太阳能电池的转换效率，需要对硅片进行制绒刻蚀处理，从而获得减反射绒面结构。
[0003]基于单晶硅制绒和多晶硅制绒的原理，目前市场上存在两种制绒设备，即槽式制绒设备和链式制绒设备。其中槽式制绒设备用于单晶硅碱制绒，从而得到金字塔状绒面；链式制绒设备用于多晶硅酸制绒，从而得到虫孔状绒面。
[0004]但是目前市场上并不存在能分别对多晶硅和单晶硅进行制绒的制绒设备。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题是提供一种能对多晶硅和单晶硅制绒的制绒槽。
[0006]本实用新型的一个实施例提供了一种晶硅制绒槽，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。
[0007]优选的，所述金属催化刻蚀槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的酸制绒槽和第一水槽。
[0008]优选的，所述金属催化刻蚀槽还包括:温控装置，其用于控制所述酸制绒槽中的酸性制绒液的温度恒定；以及位于所述第一水槽开口上方的第一喷头。
[0009]优选的，所述金属催化刻蚀槽还包括位于所述酸制绒槽中的鼓泡装置。
[0010]优选的，所述金属催化刻蚀槽还包括:
[0011 ] 铜离子检测装置，所述铜离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中；
[0012]氟离子检测装置，所述氟离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中；以及
[0013]酸性制绒液输送装置，其用于向所述酸制绒槽中输送酸性制绒液。
[0014]优选的，所述残余金属清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第一酸槽和第二水槽。
[0015]优选的，所述残余金属清洗槽还包括位于所述第一酸槽中的超声波清洗装置和位于所述第二水槽开口上方的第二喷头。
[0016]优选的，所述二次清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第二酸槽、第三水槽、碱槽和第四水槽。
[0017]优选的，所述二次清洗槽还包括分别位于所述第三水槽和第四水槽的开口上方的第三喷头和第四喷头。
[0018]优选的，所述干燥预处理槽包括:沿所述晶硅的操作方向排列的第三酸槽和第五水槽；以及位于所述第五水槽开口上方的第五喷头。
[0019]本实用新型的晶硅制绒槽成本低、通用性好，能用于单晶硅和多晶硅的制绒工艺中。
【附图说明】
[0020]以下参照附图对本实用新型实施例作进一步说明，其中:
[0021]图1是根据本实用新型第一个实施例的晶硅制绒槽的俯视图。
[0022]图2是根据本实用新型第二个实施例的晶硅制绒槽的俯视图。
【具体实施方式】
[0023]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图通过具体实施例对本实用新型进一步详细说明。
[0024]图1是根据本实用新型较佳实施例的晶硅制绒槽的俯视图。如图1所示，晶硅制绒槽10包括沿晶硅的操作方向D依次排列的金属催化刻蚀槽11、残余金属清洗槽12、二次清洗槽13和干燥预处理槽14。其中晶硅的操作方向D是晶硅在制绒工艺线上的移动或运动方向。
[0025]金属催化刻蚀槽11包括沿晶硅的操作方向D排列的酸制绒槽111和水槽112 ;还包括用于控制酸制绒槽111中的酸性制绒液的温度的温控装置(图1未示出)、位于酸制绒槽111中的鼓泡装置113和位于水槽112开口上方的喷头114。在制作时，首先将晶硅放置在酸制绒槽111中，由于鼓泡装置113用于向酸性制绒液中鼓入气泡，从而晶硅表面在酸性制绒液作用下得到分布均匀的倒金字塔绒面。将制绒后的晶硅移动到水槽112中，通过喷头114向晶硅喷淋去离子水去除晶硅表面的酸性制绒液。
[0026]残余金属清洗槽12包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽121和水槽122 ;还包括位于酸槽121中的超声波清洗装置123和位于水槽122开口上方的喷头124。将晶硅移动到装有硝酸溶液的酸槽121中，在硝酸溶液和超声清洗作用下将晶硅表面残余金属氧化成金属离子并进入硝酸溶液中。之后将晶硅移动到水槽122中，通过喷头124向晶硅喷淋去离子水去除晶硅表面的酸性液体。
[0027]二次清洗槽13包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽131、水槽132、碱槽133和水槽134 ;还包括位于水槽132开口上方的喷头135和位于水槽134开口上方的喷头136。将晶硅依次放置在酸槽131、水槽132、碱槽133和水槽134进行两次清洗，以去除晶硅表面的各种附着物。
[0028]干燥预处理槽14包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽141和水槽142 ;还包括位于水槽142开口上方的喷头143。将晶硅移动到装有氢氟酸的酸槽141中处理，最后移动到水槽142中用去离子水清洗氢氟酸，这样在对晶硅进行后续干燥处理过程中，可保证晶硅表面不存在水痕迹。
[0029]图2是根据本实用新型第二个实施例的晶硅制绒槽的俯视图。图2的晶硅制绒槽20与图1的晶硅制绒槽10基本相同，区别在于，金属催化刻蚀槽11还包括铜离子检测装置115和氟离子检测装置116，其可以选用市场上已有的铜离子浓度测定仪和氟离子浓度测定仪。铜离子检测装置115和氟离子检测装置116的电极插入酸性制绒液中，分别用于检测酸性制绒液中铜离子和氟离子的浓度。金属催化刻蚀槽11还包括酸性制绒液输送装置117，用于持续地或间断地向酸制绒槽111中输送酸性制绒液，使得铜离子和氟离子的浓度在预定的范围内。
[0030]在对晶硅进行制绒过程中，根据一次批量处理的晶硅的大小和数量设计每一个槽的容纳空间大小。每个槽都可以选用能同时耐酸耐碱的材质制成。
[0031]本实用新型的晶硅制绒槽10、20能用于单晶硅和多晶硅产业化的制绒工艺中，通用性能好，解决了现有的制绒设备用途单一的问题。本实用新型的晶硅制绒槽10、20仅具有一个用于控制酸制绒槽111中酸性制绒液的温度恒定的温控装置，因此设备成本较低。
[0032]虽然本实用新型已经通过优选实施例进行了描述，然而本实用新型并非局限于这里所描述的实施例，在不脱离本实用新型范围的情况下还包括所作出的各种改变以及变化。
【主权项】
1.一种晶硅制绒槽，其特征在于，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。2.根据权利要求1所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述金属催化刻蚀槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的酸制绒槽和第一水槽。3.根据权利要求2所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述金属催化刻蚀槽还包括: 温控装置，其用于控制所述酸制绒槽中的酸性制绒液的温度恒定；以及 位于所述第一水槽开口上方的第一喷头。4.根据权利要求2所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述金属催化刻蚀槽还包括位于所述酸制绒槽中的鼓泡装置。5.根据权利要求2所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述金属催化刻蚀槽还包括: 铜离子检测装置，所述铜离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中； 氟离子检测装置，所述氟离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中；以及 酸性制绒液输送装置，其用于向所述酸制绒槽中输送酸性制绒液。6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述残余金属清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第一酸槽和第二水槽。7.根据权利要求6所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述残余金属清洗槽还包括位于所述第一酸槽中的超声波清洗装置和位于所述第二水槽开口上方的第二喷头。8.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述二次清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第二酸槽、第三水槽、碱槽和第四水槽。9.根据权利要求8所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述二次清洗槽还包括分别位于所述第三水槽和第四水槽的开口上方的第三喷头和第四喷头。10.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅制绒槽，其特征在于，所述干燥预处理槽包括: 沿所述晶硅的操作方向排列的第三酸槽和第五水槽；以及 位于所述第五水槽开口上方的第五喷头。
【专利摘要】本实用新型提供了一种晶硅制绒槽，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。本实用新型的晶硅制绒槽成本低、通用性好，能用于单晶硅和多晶硅的制绒工艺中。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN205004346
【申请号】CN201520662516
【发明人】刘尧平, 陈伟, 杨丽霞, 杜小龙
【申请人】中国科学院物理研究所
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年8月28日