一种用于多晶硅制绒的系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于多晶硅太阳能技术领域，具体涉及一种用于多晶硅制绒的系统。
【背景技术】
[0002]太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，在光电转换过程中，损耗主要为:光损耗和电损耗。而对于晶硅太阳电池，光损耗主要来自前表面的反射损失和后表面的长波反射损耗，电损耗主要来自光子激发的电子、空穴对复合及电阻功率损耗。
[0003]目前，常规多晶硅太阳电池片的制作工艺采用相同的流程。尽管单、多晶太阳电池片制作工艺流程及大部分设备相同，然而，在光电转换效率方面，一般单晶太阳电池片的光电转换效率比多晶太阳电池高1.5 %的绝对效率，主要原因是:1、多晶硅片存在较多的晶界，在内部及表面处，其电子空穴对符合速率远大于单晶；2、两者绒面的反射率存在较大差异，一般制绒后，在太阳全光谱下，单晶的反射率为11%，多晶的发射率高达24%。因此，在多晶硅太阳电池片制作技术中，如何降低多晶表面反射率显得尤为重要，同时，由于多晶硅的晶向排列无规则，单晶制绒的各向异性腐蚀原理不再适合。
【实用新型内容】
[0004]实用新型目的:本实用新型针对上述现有技术存在的问题做出改进，即本实用新型公开了一种用于多晶硅制绒的系统。
[0005]技术方案:一种用于多晶硅制绒的系统，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮，
[0006]所述第一漂洗槽、所述烘箱、所述抛光机、所述第二漂洗槽、所述氮气吹干槽、所述酸制绒槽、所述第三漂洗槽、所述碱洗槽、所述第四漂洗槽、所述酸洗槽、所述第五漂洗槽和所述压缩空气吹干槽依次相连。
[0007]进一步地，所述酸制绒槽中设有喷涂机，所述喷涂机外接一可编程逻辑控制器。
[0008]进一步地，所述第一漂洗槽、所述第二漂洗槽、所述第三漂洗槽、所述第四漂洗槽、所述第五漂洗槽均为去离子水漂洗槽。
[0009]有益效果:本实用新型公开的一种用于多晶硅制绒的系统具有以下有益效果:
[0010]1、结构简单；
[0011]2、多晶硅制绒效果好。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型公开的一种用于多晶硅制绒的系统的结构示意图。
【具体实施方式】
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[0013]下面对本实用新型的【具体实施方式】详细说明。
[0014]如图1所示，一种用于多晶硅制绒的系统，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮，
[0015]第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽和压缩空气吹干槽依次相连。
[0016]进一步地，酸制绒槽中设有喷涂机，喷涂机外接一可编程逻辑控制器。
[0017]进一步地，第一漂洗槽、第二漂洗槽、第三漂洗槽、第四漂洗槽、第五漂洗槽均为去离子水漂洗槽。
[0018]上面对本实用新型的实施方式做了详细说明。但是本实用新型并不限于上述实施方式，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。
【主权项】
1.一种用于多晶硅制绒的系统，其特征在于，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮， 所述第一漂洗槽、所述烘箱、所述抛光机、所述第二漂洗槽、所述氮气吹干槽、所述酸制绒槽、所述第三漂洗槽、所述碱洗槽、所述第四漂洗槽、所述酸洗槽、所述第五漂洗槽和所述压缩空气吹干槽依次相连。2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅制绒的系统，其特征在于，所述酸制绒槽中设有喷涂机，所述喷涂机外接一可编程逻辑控制器。3.根据权利要求1或2所述的一种用于多晶硅制绒的系统，其特征在于，所述第一漂洗槽、所述第二漂洗槽、所述第三漂洗槽、所述第四漂洗槽、所述第五漂洗槽均为去离子水漂洗槽。
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于多晶硅制绒的系统。一种用于多晶硅制绒的系统，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮，第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽和压缩空气吹干槽依次相连。本实用新型公开的一种用于多晶硅制绒的系统具有以下有益效果：1、结构简单；2、多晶硅制绒效果好。
【IPC分类】H01L31/18, H01L31/0236
【公开号】CN205376544
【申请号】CN201620059854
【发明人】廖文丰
【申请人】浙江泰丰太阳能科技有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年1月21日