光学系统中的、尤其是微光刻投射曝光设备中的光学布置的制作方法

文档序号:4775235阅读:125来源:国知局
专利名称:光学系统中的、尤其是微光刻投射曝光设备中的光学布置的制作方法
技术领域
本发明涉及光学系统中的光学布置,尤其是微光刻投射曝光设备中的光学布置。
背景技术
微光刻用于产生微结构组件,例如集成电路或液晶显示器(IXD)。微光刻工艺在具有照明装置及投射物镜的所谓投射曝光设备中执行。在此情况下,为了将掩模结构转移到基板上的光敏涂层,通过投射物镜将利用照明装置照明的掩模(=掩模母版)成像到基板 (例如硅晶片)上,基板涂有光敏层(光刻胶)并设置在投射物镜的像平面上。在光学系统(例如上述的投射曝光设备)操作期间,尤其是在全局或局部高热负载的情况下,发生如下问题温度敏感组件(例如反射镜、透镜、或支架组件)或其他(子) 系统的温度上升(所述温度上升与高热负载及其吸收关联)会造成光学系统的成像质量的破坏。这样的一个示例为光学系统中出现的温度敏感元件(例如位置传感器)的损坏, 或上述投射曝光设备的成像光束路径中的温度敏感子系统的损坏。因此,例如,在针对EUV范围(即波长小于15nm,例如约13. 5nm)设计的投射物镜中,因为缺乏合适的透光折射材料,所以使用反射镜作为成像过程的光学组件,已知除了承载反射镜及反射镜致动器的承载结构之外,还提供测量结构,其典型地设置在承载结构之外,且意在确保热及机械稳定地固定位置传感器或用于确定反射镜位置的其他测量系统。 所述测量结构的不期望发热问题更严重,这是因为在投射曝光设备操作期间加热的反射镜与位置传感器之间的距离相对较小,此距离可以在约I-IOOmm的范围中。US 2005/0018154A1公开了在微光刻投射曝光设备中提供至少一个热屏蔽,该热屏蔽意在吸收反射镜和/或其承载结构所发射的热,该热通过与热屏蔽机械接触的热转移回路散掉。

发明内容
本发明的目的在于提供光学系统中的光学布置,尤其是微光刻投射曝光设备中的光学布置,其可以对抗不期望的热输入而有效地保护温度敏感组件。根据独立权利要求1的特征实现此目的。 光学系统中的根据本发明的一种光学布置,尤其是微光刻投射曝光设备中的光学布置,包括 至少一个发热子系统,在光学系统操作期间发射热;
第一热屏蔽,设置成至少部分吸收发热子系统所发射的热;第一冷却装置,与第一热屏蔽机械接触,并被设计成将来自第一热屏蔽的热散掉; 以及第二热屏蔽,至少部分吸收第一热屏蔽所发射的热,同样地,所述第二热屏蔽与将来自第二热屏蔽的热散掉的冷却装置机械接触。发热子系统可为例如单独(individual)组件,如光学元件,尤其是反射镜,或支架元件。在此情况中,“光学元件”一词在本申请的意义中包括任何光学元件,尤其也包括折射元件(例如透镜或棱镜)、分束器、或光栅。然而,本发明不限于此,并从而还可包括其它任何热源。此外,子系统也可具有多个光学元件,其从而被整体上视为热源,例如上述投射曝光设备的照明系统,或任何其他子系统。尤其是,利用根据本发明的布置,可保护投射曝光设备的投射物镜不受入射在发热照明装置的部分上的热的影响到如下程度可以保持投射物镜中的成像光束路径尽可能地不受温度波动的影响,以及至少可基本避免成像质量的破坏。特别地,本发明基于除了提供第一热屏蔽之外还提供第二热屏蔽的构思。以此方式,屏蔽要保护的温度敏感组件(例如位置传感器)或其它要保护的温度敏感子系统(例如上述投射曝光设备的成像光束路径)免受通常存在于第一热屏蔽区域中的温度不均勻的影响,至如下程度由于第一热屏蔽的热发射而导致的可能仍然保留在第二热屏蔽上的任何残热要么可忽略,要么与存在于第一热屏蔽上的残热相比大大降低。除了降低所述残热,在此情况下,根据本发明的布置的另一期望效果在于第二热屏蔽上的温度的均勻化 (在均勻分布的意义上)。由于第二热屏蔽的部分同样与冷却装置(该冷却装置可以是同一冷却装置或独立的冷却装置,并将来自第二热屏蔽的热散掉)机械接触的事实,可至少基本避免将仍存在于第二热屏蔽上的可能温度不均勻转移到要保护的温度敏感组件。这也考虑了第二热屏蔽的导热性(正如第一热屏蔽的导热性)通常显著高于存在于光学系统中的气体(例如空气或合适的净化(purge)气体(例如氢气))的导热性的情形,从而在第二热屏蔽与冷却装置间缺少热接触时,将会不期望的降低热至温度敏感组件的路径中的热阻。特别地,可利用根据本发明实施例的光学布置实现温度敏感组件或系统对抗温度波动的保护。例如利用本发明所实现的,微光刻投射曝光设备中仍“许可的”温度敏感组件的典型温度波动值在此情况下可为小于500 μ K/min,尤其是小于100 μ K/min,更尤其是小于40 μ K/min,以及更尤其是小于10 μ K/min。除了上述屏蔽,根据本发明的布置所执行的另一功能可为冷却功能,用于所接收的由发热子系统发射并利用热屏蔽吸收的热朝外散出。举例而言,在此方式中可避免例如投射曝光设备中的反射镜的过热或反射镜上的涂层的有关损坏。利用根据本发明实施例的布置,相比于传统(简单或单级)热屏蔽,从发热子系统传到温度敏感元件的热的比例可降低约1个数量级。因此,举例而言,相比于在朝温度敏感元件传输的热与被屏蔽远离温度敏感元件的热之间的示例比例为1 10的传统单级系统, 根据实施例,比例可以增加到1 100的数量级。根据一个实施例,第二热屏蔽不与第一热屏蔽机械或物理接触,或仅在第一冷却装置的区域中与第一热屏蔽机械或物理接触。
根据一个实施例,与第二热屏蔽机械接触的冷却装置是独立于第一冷却装置的第二冷却装置。在此情况中,第一冷却装置及第二冷却装置可连接到不同的冷却回路,这尤其有利于第二热屏蔽中冷却介质的热稳定性,因为所述冷却介质不被第一热屏蔽直接加热。根据另一实施例,与第二热屏蔽机械接触的冷却装置是第一冷却装置,即两个热屏蔽接连接到同一个冷却装置或同一个冷却回路。作为结果,此构造可以有利于更紧凑的设计,并因此节省结构空间。根据一个实施例,该光学布置具有至少三个热屏蔽,尤其是至少四个热屏蔽。如下文所说明的,此构造使得甚至可实现对源自发热子系统的热或温度分布的更有效的吸收。根据一个实施例,这些热屏蔽中的至少一个、尤其是所有的热屏蔽,至少在一些区域中具有第一涂层,该第一涂层具有最多0. 5、尤其是最多0. 2,更尤其是最多0. 05的发射率(emissivity),其适配于冷却器温度或针对发热子系统所发射的热的波长。第一涂层可至少设置在相关热屏蔽背离发热子系统或面对要保护的组件(例如传感器)的那一侧。以此方式,可实现进一步降低传递达到要保护的组件的、或“外部可见的(externally visible)”且源自发热子系统的发热的温度分布。根据一个实施例,第一热屏蔽至少在一些区域中具有第二涂层,该第二涂层针对发热子系统所发射的热的长具有至少0. 5、尤其是至少0. 8,更尤其是至少0. 95的发射率。 第二涂层尤其可以至少设置在第一热屏蔽面对发热子系统的那一侧。根据一个实施例,热屏蔽面对发热子系统的那一侧至少在一些区域中可具有降低针对发热子系统所发射的热的波长的发射率的涂层,尤其是最多0. 5、或最多0. 2、或尤其是最多0. 05的发射率。根据一个实施例,这些热屏蔽可以形成至少一个部分壳体,其具有与光学布置周围不同的气体环境(atmosphere)。在封闭壳体或部分壳体中的介质具有比周边大气环境中的介质更差的导热性。具有更差导热性的介质可为例如低压气体。此构造可实现对源自发热子系统的热或温度分布的更有效的吸收。根据一个实施例,第二热屏蔽具有对应于第一热屏蔽的几何形状。具体地,第一热屏蔽可至少在一些区域中以类似盒子或罩子的方式包围发热子系统。此外,第二热屏蔽可至少在一些区域中以类似盒子或罩子的方式包围第一热屏蔽。这种构造可实现对发热子系统所发射的热的更有效的吸收,即进一步降低发热子系统的加热所造成的外部“可见的”的温度分布,更准确的讲,尤其是在不仅一个而是多个温度敏感组件存在于光学系统中的不同位置处的情况中,用于保护对抗热影响。根据另一个实施例,第一热屏蔽至少在一些区域中以类似盒子或罩子的方式包围温度敏感子系统(尤其是温度敏感元件)。这种构造是有利的,例如,在存在多个(尤其是广泛分散的)热源或者一个或多个相对较大的热源(相对于温度敏感组件)或发热子系统的情况下。根据一个实施例,以级联形(cascade-like)的方式设置这些热屏蔽。根据一个实施例,针对小于400nm、尤其是小于250nm、更尤其是小于200nm、更尤其是小于160nm、以及更尤其是小于15nm的工作波长设计光学布置。本发明还涉及一种微光刻投射曝光设备,其包括照明装置和投射物镜,其中照明装置和/或投射物镜具有包括上述特征的根据本发明的光学布置,并且还涉及一种用于微光刻产生微结构组件的方法。从说明书和从属权利要求获得本发明的其他构造。


下面基于附图中所示的示例实施例更详细地说明本发明,其中图la-b显示用于阐明根据本发明第一实施例的光学布置的构成的示意图;图加-Sb显示用于阐明本发明的另一实施例的示意图;图9a_12b显示用于说明在大气环境中(图9a_10b)以及在低压气体构成的环境中(图lla-12b)、根据本发明所获得的效果的温度增加的FEM模拟结果,更准确地讲,同时针对图1的第一实施例(图9a_b及图lla-b)和图2的第二实施例(图10a_b及图; 以及图13显示根据现有技术的、针对EUV所设计的投射物镜的构成的示意图。
具体实施例方式这里利用(第一)热屏蔽120至少部分地吸收由热源或发热元件110(尤其是光学元件,诸如投射曝光设备中的反射镜)所发射的热(在图Ia中以箭头表示),以便保护温度敏感组件150 (例如与所述投射曝光设备中的测量结构关联的传感器,例如用于反射镜位置的位置传感器),温度敏感组件150仅作为示例绘出。第一热屏蔽120可由例如铝或铁或某些其他具有良好导热性的材料制成,并与冷却装置130机械(或物理)接触,冷却装置130包括热沉,例如冷却通道或冷却管131。例如,冷却介质(例如具有22°C的初始温度的水)流过冷却管131,并且冷却管131连接到外部冷却装置并经由因此产生的冷却回路将第一热屏蔽120所吸收的热散到外面。为了实现图la、b所示意示出的布置,例如可将冷却管131焊接到第一热屏蔽120 上。替代地,尤其是如果由于有关结构空间的技术原因而不能进行焊接,则冷却管131也可轧(mill)入第一热屏蔽120(因此其应该被设计为具有足够的板厚)中。该布置具有至少一个第二热屏蔽140,其至少部分吸收由第一热屏蔽120所发射的热,并且在例示实施例中,仅机械或物理地接触第一冷却装置130,但其他部分不与第一热屏蔽120物理接触。第二热屏蔽以及冷却管的材料同样可以是例如铝或铁或某些其他具有良好导热性的材料。本发明不限于此,例如,第一热屏蔽及第二热屏蔽的示例厚度可在毫米的范围 (例如l_3mm)中,并且,同样仅为示例,冷却管131的直径可在5_10mm的范围中。在此情况中,在热输入保持恒定的情况下,冷却管131间的距离越小,第一热屏蔽120及第二热屏蔽140的厚度可被选择得越小,因为在紧邻管线131的情况下,即使经由较小的截面积或板厚,仍可充分散热。如从图Ib的透视图可知,在所示的示例实施例中的第二热屏蔽140具有大致板形的几何形状。本发明不限于此,在此情况中,在示例实施例中,第二热屏蔽140以固定间距 (替代地,也可以变化的间距)覆盖第一热屏蔽120,第二热屏蔽140与冷却装置130的冷却管131的机械连接由网(web) 144表示。实践中,第二热遮蔽140可焊接到冷却管131上或第一热屏蔽120的与冷却管131直接接触的区域上,以便产生良好的热接触,或者可以某一其他方式黍占合(cohesively connected)在一起。图加-b显示阐明第二实施例的示意图,与图la-b的实施例对应或功能上实质相同的元件以加上“ 100 ”后的附图标记来表示。图加-b的布置与图la-b的布置不同之处在于,除了第二热屏蔽对0,还提供第三热屏蔽对1,其部分设置为与第二热屏蔽240相距一距离(在此示例中再次为恒定的),且同样仅经由网与冷却管231热接触。图3以类似的示意图显示第三实施例,与图加-b的实施例实质对应或功能上相同的组件由附图标记增加“100”依次表示。图3的布置与图加-b的布置不同之处在于存在第四热屏蔽342,其部分设置为与第三热屏蔽341相距一距离(在此示例再次为固定的)。应注意,在上述及其他的实施例中,热屏蔽不一定要面对温度敏感组件。特别地, 热屏蔽也可设置成面对各个发热子系统。图9-12所示的并分别显示温度增加的等温线的FEM模拟(FEM=有限元方法)用于说明分别由根据本发明的图la-b和图加-b的布置所获得的效果。具体而言,图9a针对包围图la、b的布置的空气环境的情况显示第一热屏蔽120 中的温度分布。图9b以对应的较小刻度显示第二热屏蔽140中出现的温度分布。在此情况中,以及在图10-12的其它图示中,发热子系统(未显示)分别位于图的“下方”,即,以图 9a的示例而言,在第一热屏蔽120的与第二热屏蔽140相对或背离的那一侧上。可以看出,第二热屏蔽140对热源或发热元件110 (例如光学元件)所发射的热产生显著更有效的吸收,在该情况中,相较于根据图9a的第一热屏蔽的温度分布,根据图9b 的第二热屏蔽140中产生的温度分布的绝对值降低,并同时具有更小的温度波动,即就此而言也具有更均勻的分布。针对图加-b的包括总共三个热屏蔽220、240及241的布置,根据图10a_b,该效果可再次增加。在此情况中,应考虑图IOb已显示了在最上面的热屏蔽Ml中获得的温度分布,相比于图%,以甚至更小的刻度绘示所述温度分布。图lla-b及图lh-b在具有较差传导性或低压气体所构成的气体环境中(例如, 相比于周边具有1/10的导热性),针对对应的布置显示类似于图9a-10b的结果。利用图9-10的空气环境的情况中的结果对图lla-b和图中的温度分布的比较,显示通过第二热屏蔽240和第三热屏蔽241的热吸收或均勻化分别有进一步的改善。 在此情况中,相比于空气,使用适当的低压净化气体具有如下优点板形热屏蔽220、240和 241之间的距离可被选择得更小,因为该气体中的热阻对热屏蔽间的距离的依赖更小。图如显示用于阐明本发明的另一实施例的示意图,与图3对应或功能实质相同的元件依次由附图标记增加“ 100,,来表示。图如的布置与图3的布置不同之处在于首先第一热屏蔽420在其面对热源或发热元件410(例如光学元件)的那一侧具有提高发射率的涂层470,优选具有至少0. 5、尤其是至少0. 8、更尤其是至少0. 95的发射率。其次,热屏蔽420、440、441、及442的其余表面被提供有降低发射率的涂层460 (优选具有小于0. 5、尤其是小于0. 2、更尤其是小于0. 05 的发射率)。根据另一替代实施例,如图4b所示,降低发射率的涂层460也可提供在第一热屏蔽420的面对发热元件410的那一侧。在参考图4所述的实施例中,热屏蔽可替代地面对相应的发热子系统,在该情况中,如果适用,则应根据经改变的布置适配各个涂层的位置。图5显示用于阐明另一实施例的示意图,与图如功能上实质相同的元件依次以附图标记增加“100”来表示。相对于上述实施例,根据图5,由热屏蔽520、M0、541和542通过创造具有周边壁 M5的封闭设计形成具有自己的“真空环境”的区域或部分壳体,其中的气体环境不同于布置周边的环境。具体地,真空或相比于周边环境具有较差导热性的气体可出现在由热屏蔽与外壁545 —起界定的部分壳体或区域中。如图6a和6b中所示,图5的封闭设计也可分别与图如和4b的涂层组合。在此方面,图6a显示热屏蔽620、640、641和642的所有区域都具有降低发射率的涂层660的布置,而图6b类似于图如显示在第一热屏蔽620的面对发热元件610的那一侧提供提高发射率的涂层670的布置。在参考图5和6所述的实施例中,热屏蔽也可替代地面对相应发热子系统,在该情况中,如果适用,则应该根据经改变的布置适配涂层的位置。如图7所示,第二热屏蔽740也可构造为大致以盒子或罩子的方式包围第一热屏蔽720,为此目的,第二热屏蔽740由在不同空间方向上(在此示例彼此垂直)延伸的区段 740a、740b、740c及740d所构成。在所示的示例实施例中,第一热屏蔽720也具有类似于盒子或罩子的几何形状,其包围发热元件710的区域。图7所示的实施例导致对发热元件 710所发射的热的甚至更有效的吸收,换言之,进一步降低由发热元件710的发热所造成的外部“可见的”温度分布,且其尤其是在所示的情形中有利,在该情形中,不是只有一个而是有多个温度敏感组件750、751、752、...存在于光学系统中的不同位置处。在另一实施例(未显示)中,类似盒子或罩子的几何形状也可包围要保护的温度敏感组件,例如当存在多个(尤其是广泛分散的)热源或一个或多个相对较大(相对于温度敏感组件)的热源或发热子系统时,这是有利的。此外,在上述具有类似盒子或罩子的几何形状的实施例的修改中,热屏蔽或片体(sheet)也可设置在相应的罩状布置内部,即,例如根据图7,在发热元件710与冷却管731的布置之间。图和8b显示类似图7的布置的示意图,其中不仅布置两个热屏蔽820和840, 而且还以类似的方式分别布置附加的第三热屏蔽841 (图8a)以及第三热屏蔽841与第四热屏蔽842(图Sb)。根据其它实施例(未显示),也可提供任何期望的更多数量的热屏蔽。图13以示意图的方式显示针对EUV而设计的投射曝光设备的投射物镜1的示例构成。投射物镜1由6个反射镜21-26构成,且可具有例如1 4的放大因子,根据图7的光束路径在物(即在掩模母版侧或掩模M侧)上非远心,但在像平面侧(即晶片W侧)上远心。在所示的示例中,所有反射镜2116全部为凹面镜。然而,本发明不限于此构造,而可涵盖使用不同数量或不同构造的反射镜的构造。根据图13,来自掩模M或掩模母版的辐射束S在反射镜2116上反射后,到达晶片W上,以产生掩模母版M的要成像的结构的像。即使已经基于具体实施例说明了本发明,但本领域的技术人员显然可通过例如组合和/或交换单独实施例的特征而进行许多变化及改变。因此,对本领域的技术人员而言很清楚本发明也包含这样的变化或改变的实施例,且本发明的范围仅由所附的权利要求及
9其等同物限制。
权利要求
1.一种光学系统中的光学布置,尤其是微光刻投射曝光设备中的光学布置,包括 至少一发热子系统(110-810),在所述光学系统操作期间发射热;第一热屏蔽(120-820),设置成至少部分吸收所述发热子系统(110-810)所发射的热; 第一冷却装置(130-830),与所述第一热屏蔽机械接触,并被设计为将来自所述第一热屏蔽的热散掉;以及第二热屏蔽(140-840),至少部分吸收所述第一热屏蔽(120-820)所发射的热,所述第二热屏蔽(140-840)同样地与将来自所述第二热屏蔽(140-840)的热散掉的冷却装置机械接触。
2.如权利要求1所述的光学布置,其特征在于所述第二热屏蔽(140-840)不与所述第一热屏蔽机械接触,或仅在所述第一冷却装置(130-830)的区域中与所述第一热屏蔽机械接触。
3.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于与所述第二热屏蔽热接触的冷却装置是独立于所述第一冷却装置(130-830)的第二冷却装置。
4.如权利要求3所述的光学布置,其特征在于所述第一冷却装置和所述第二冷却装置连接到不同的冷却回路。
5.如权利要求1或2所述的光学布置,其特征在于与所述第二热屏蔽热接触的冷却装置是所述第一冷却装置(130-830)。
6.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于其具有至少三个热屏蔽 (220,240-241 ;320,340-342 ;420、440_442),尤其是至少四个热屏蔽(320,340-342 ;420、 440-442)。
7.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于至少一个所述热屏蔽、 尤其是所有的所述热屏蔽,至少在一些区域中具有第一涂层(460、660),所述第一涂层 (460,660)具有最多0. 5、尤其是最多0. 2,更尤其是最多0. 05的发射率,其适配于冷却器温度或针对所述发热子系统(110-810)所发射的热。
8.如权利要求7所述的光学布置,其特征在于所述第一涂层(460、660)至少设置在相关热屏蔽的背离所述发热子系统G10、610)的那一侧上。
9.如权利要求7所述的光学布置,其特征在于所述第一涂层(460、660)至少设置在相关热屏蔽的面对所述发热子系统G50、650)的那一侧上。
10.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于所述第一热屏蔽(420、 620)至少在一些区域中具有第二涂层070、670),其针对所述发热子系统(110-810)所发射的热具有至少0. 5、尤其是至少0. 8、更尤其是至少0. 95的发射率。
11.如权利要求10所述的光学布置,其特征在于所述第二涂层(470、670)至少设置在相关热屏蔽020、620)的面对所述发热子系统010、610)的那一侧。
12.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于所述热屏蔽(530、 540-542,630,640-642)形成至少一个部分壳体,其具有与所述布置的周边不同的气体环^Ml O
13.如权利要求12所述的光学布置,其特征在于所述部分壳体中包含的气体的导热性比周边气体环境中包含的气体的导热性差。
14.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于所述第二热屏蔽(140-840)具有对应于所述第一热屏蔽(120-820)的几何形状。
15.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于所述第一热屏蔽(720、 820)至少在一些区域中以类似盒子或罩子的方式包围所述发热子系统(710、810)。
16.如权利要求1至14中的任一项所述的光学布置,其特征在于还存在温度敏感子系统,所述第一热屏蔽(720、820)至少在一些区域中以类似盒子或罩子的方式包围所述温度敏感子系统。
17.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于所述第二热屏蔽(740、 840)至少在一些区域中以类似盒子或罩子的方式包围所述第一热屏蔽(720、820)。
18.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于以级联形的方式设置所述热屏蔽。
19.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于所述发热子系统 (110-810)是光学子系统,尤其是反射镜。
20.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于针对小于400nm、尤其是小于250nm、更尤其是小于200nm、更尤其是小于160nm、以及更尤其是小于15nm的工作波长设计所述光学布置。
21.如前述权利要求中的任一项所述的光学布置,其特征在于所述发热子系统 (110-810)是微光刻投射曝光设备的照明装置。
22.一种微光刻投射曝光设备,包括照明装置及投射物镜,其中所述照明装置和/或所述投射物镜具有如前述权利要求中的任一项所述的光学布置。
23.一种微光刻产生微结构组件的方法,包括以下步骤 提供基板,所述基板至少部分涂有由光敏材料构成的层; 提供掩模,所述掩模具有要成像的结构;提供如权利要求22所述的微光刻投射曝光设备;以及利用所述微光刻投射曝光设备,将所述掩模的至少一部分投射到所述光敏层的区域上。
全文摘要
本发明涉及一种光学系统中的光学布置,尤其是微光刻投射曝光设备中的光学布置,该光学布置包括至少一个发热子系统(110-810),在光学系统操作期间发射热;第一热屏蔽(120-820),设置成至少部分吸收发热子系统(110-810)所发射的热;第一冷却装置(130-830),与第一热屏蔽机械接触,并被设计成将来自第一热屏蔽的热散掉;以及第二热屏蔽(140-840),至少部分吸收第一热屏蔽(120-820)所发射的热,同样地,第二热屏蔽(140-840)与将来自第二热屏蔽(140-840)的热散掉的冷却装置机械接触。
文档编号F25D19/04GK102576141SQ201080043766
公开日2012年7月11日 申请日期2010年9月22日 优先权日2009年9月30日
发明者A.索尔霍弗, T.劳弗 申请人:卡尔蔡司Smt有限责任公司
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