刷洗装置的制作方法

文档序号:16657886发布日期:2019-01-18 20:08阅读:126来源:国知局
刷洗装置的制作方法

本实用新型涉及一种基板处理装置。更具体地,涉及具备用于控制本体内侧表面的温度的本体发热部,通过对本体的形状应用倾斜角,以防止基板处理气体或挥发性物质冷凝于本体的内侧壁,当被冷凝时,能够使被冷凝的物质沿着本体的内侧表面向下流动的基板处理装置。



背景技术:

对显示装置中使用的基板或半导体元件制作中所使用的晶片(以下将他们统称为“基板”)进行处理后,进行去除在处理工序中沾于表面的异物的清洗工序。

图1及图2图示了以往的刷洗装置9。在以往的刷洗装置9中,当借助于基板移送部而将基板W移送到一对清洗刷10、10'之间时,一对清洗刷10、10'中的任意一个上下移动10d,清洗刷10、10'以将基板W夹于之间的状态进行旋转并清洗基板W的表面。

基板W被进行旋转的基板支撑部50所旋转支撑,清洗刷10借助于驱动部40、40'而分别向互不相同的方向旋转驱动,在向基板W或清洗刷10、10'中任意一个供应脱盐水和纯水的同时清洗基板W。虽然图中未示出,通过喷嘴向基板W供应清洗液(清洗用化学制剂)和脱盐水。

另一方面,在刷洗装置9中,清洗刷10、10'应以接触基板W表面的状态旋转,因此,为了清洗刷10、10'顺利实现旋转,清洗刷10、10'对基板W的负载(接触压力)应当可以保持在一定范围。

可是,在清洗工序中,当清洗刷10、10'以过大的接触压力接触基板W时,存在清洗刷10、10'发生旋转错误的问题。即,当清洗刷10、10'以大于预设值的接触压力接触基板W,或以小于设置值的接触压力接触基板W时,难以准确地控制清洗刷10、10'相对于基板W的旋转,存在难以准确算出清洗刷10、10'对基板W的清洗量的问题。

另外,就使清洗刷10、10'向相对于基板W接近或隔开的方向10d移动,控制由清洗刷10、10'施加于基板W的负载的方式而言,存在难以细微调节清洗刷10、10'施加于基板W的负载的问题。

进一步而言,就控制由清洗刷10、10'施加于基板W的负载的方式而言,当由清洗刷10、10'施加于基板W的负载控制出错(接触压力变大)时,存在基板W表面图案损伤或基板W破损的问题,并存在被基板支撑部50支撑的基板W从基板支撑部脱离的问题。

因此,最近进行了旨在有效控制清洗刷对基板的清洗条件、提高基板清洗效率、提高清洗效果的多样探讨,但还远远不够,需要对此进行开发。



技术实现要素:

所要解决的技术问题

本实用新型目的在于,提供一种能够在清洗工序中有效调节清洗刷对基板的清洗条件的刷洗装置。

特别是本实用新型目的在于,可以根据清洗刷的旋转扭矩,调节清洗刷的旋转速度。

另外,本实用新型目的在于,可以通过准确控制清洗刷的旋转,在缓解影响基板破损的负担的范围内,以既不过大也不过小的适宜清洗量,控制清洗工序,确保清洗的可靠性。

另外,本实用新型目的在于,可以提高基板的清洗效率,提高清洗效果。

另外,本实用新型目的在于,可以提高稳定性及可靠性。

技术方案

为了达成所述本实用新型目的,本实用新型提供一种刷洗装置,包括以旋转状态接触基板表面的清洗刷以及感测清洗刷的旋转扭矩的扭矩感测部,当扭矩感测部感测到的清洗刷的旋转扭矩超出预设范围时,改变清洗刷的旋转速度。

其中,在所述清洗刷以旋转状态接触所述基板期间,所述扭矩感测部可以实时测量所述清洗刷的旋转扭矩,并实时改变所述清洗刷的旋转速度。

其中,根据所述扭矩感测部感测到的信号,可以增减所述清洗刷的旋转速度。

其中,所述刷洗装置可以包括对所述清洗刷一端进行支撑的刷支架。

其中,所述刷洗装置可以包括对所述清洗刷一端及另一端进行支撑的刷支架。

其中,当所述扭矩感测部感测到的扭矩增加时,可以降低所述清洗刷的旋转速度。

其中,根据所述扭矩感测部感测到的信号,可以改变所述基板的清洗条件。

其中,所述刷洗装置可以包括支撑所述基板并使其旋转的基板旋转单元,根据所述扭矩感测部感测到的信号,借助于所述基板旋转单元来改变所述基板的旋转速度。

其中,所述刷洗装置可以包括向所述基板喷射清洗流体的清洗流体喷射部,根据所述扭矩感测部感测到的信号,借助于所述清洗流体喷射部来改变所述清洗流体的喷射量及喷射压力中的任意一个以上。

其中,被提供的所述清洗流体喷射部能够相对于基板表面进行摆动,可以根据所述扭矩感测部感测到的信号,改变所述清洗流体喷射部的摆动角度及摆动速度中的任意一个以上。

另一方面,本实用新型提供一种刷洗装置,其可以包括:清洗刷,其以旋转状态接触基板表面并进行清洗;表面检测部,其检测基板的表面状态,根据表面检测部感测到的所述基板的表面状态,改变所述清洗刷对所述基板的清洗条件。

其中,所述表面检测部可以检测残留于所述基板的异物,与残留于所述基板的所述异物对应,借助于所述表面检测部来改变所述基板的清洗条件。

其中,根据所述基板的表面状态,可以改变所述清洗刷的旋转扭矩。

其中,根据借助于所述表面检测部来检测到的所述基板的表面状态,可以改变所述清洗刷的旋转扭矩。

其中,在所述清洗刷以旋转状态接触所述基板期间,所述表面检测部可以检测所述基板的表面状态,根据检测到的基板的表面状态,实时调节所述基板的清洗条件。

其中,所述刷洗装置还可以包括感测所述清洗刷的旋转扭矩的扭矩感测部,在所述扭矩感测部感测到的所述清洗刷的旋转扭矩不超出预设范围的限度内,改变所述清洗刷的旋转速度。

其中,所述刷洗装置可以包括支撑所述基板并使其旋转的基板旋转单元,根据所述表面检测部检测的所述基板的表面状态,借助于所述基板旋转单元来调节所述基板的旋转速度。

其中,所述刷洗装置可以包括向所述基板喷射清洗流体的清洗流体喷射部,根据所述表面检测部检测的所述基板的表面状态,借助于所述清洗流体喷射部来改变所述清洗流体的喷射量及喷射压力中的任意一个以上。

其中,被提供的所述清洗流体喷射部能够相对于基板表面进行摆动,可以根据所述表面检测部检测的所述基板的表面状态,改变所述清洗流体喷射部的摆动角度及摆动速度中的任意一个以上。

另一方面,本实用新型提供一种刷洗装置,其可以包括:清洗刷,其以旋转状态接触于进行旋转的基板表面;基板旋转单元,其支撑所述基板并使其旋转;扭矩感测部,其感测所述清洗刷的旋转扭矩,当所述扭矩感测部感测到的所述清洗刷的旋转扭矩超出预设范围时,所述基板旋转单元调节所述基板的旋转速度。

其中,在所述清洗刷以旋转状态接触并清洗所述基板期间,所述扭矩感测部可以实时测量所述清洗刷的旋转扭矩,所述基板旋转单元实时改变所述基板旋转的速度。

其中,根据所述扭矩感测部感测到的信号,可以增减所述基板的旋转速度。

其中,根据所述扭矩感测部感测到的信号,可以改变所述基板的清洗条件。

其中,刷洗装置可以包括向所述基板喷射清洗流体的清洗流体喷射部,根据所述扭矩感测部感测到的信号,借助于所述清洗流体喷射部来改变所述清洗流体的喷射量及喷射压力中的任意一个以上。

其中,被提供的所述清洗流体喷射部能够相对于基板表面进行摆动,可以根据所述扭矩感测部感测到的信号,改变所述清洗流体喷射部的摆动角度及摆动速度中的任意一个以上。

有益效果

综上所述,根据本实用新型,在清洗工序中,可以有效调节清洗刷对基板的清洗条件。

特别是根据本实用新型,基于清洗刷的旋转扭矩,调节清洗刷的旋转速度,从而,可以根据基板表面状态、清洗刷相对于基板的配置距离、清洗刷对基板的摩擦力等,以最佳条件来清洗基板,并可以提高基板的清洗效率,改善清洗效果。

另外,根据本实用新型,在没有基板损伤的情况下,可以根据基板表面状态或清洗条件,更准确地调节清洗刷的清洗条件。

另外,根据本实用新型,通过准确控制清洗刷的旋转,保持不至于因施加于基板的负载过大而导致图案损伤或基板破损的范围,以既不过大也不过小的适宜清洗量调节清洗工序,确保清洗的稳定性及可靠性,能够均匀、一贯地控制基板清洗。

附图说明

图1是图示以往的刷洗装置的除基板支架之外的构成的主视图。

图2是图1的俯视图。

图3是用于说明本实用新型的刷洗装置的图。

图4至图6是用于说明本实用新型的刷洗装置的扭矩感测部的图。

图7及图8是用于说明本实用新型的刷洗装置的运转方法的图。

图9及图10是用于说明本实用新型另一实施例的刷洗装置的图。

附图标记

100:清洗刷 101:刷支架

102:第一刷 104:第二刷

110:基板旋转单元 120:清洗流体喷射部

200:扭矩感测部 500:表面检测部

具体实施方式

下面参照附图,详细说明本实用新型的优选实施例,但并非本实用新型由实施例所限制或限定。作为参考,在本说明中,相同的标记指称实质上相同的要素,在这种规则下,可以引用在不同附图中记载的内容进行说明,判断认为从业人员不言而喻或反复的内容则可以省略。

参照图3至图8,本实用新型的刷洗装置10包括:清洗刷100,其以旋转状态接触基板W的表面;扭矩感测部200,其感测清洗刷100的旋转扭矩;当扭矩感测部200感测到的清洗刷100的旋转扭矩超过预设范围时,改变清洗刷100的旋转速度。

是否发生诱发基板W损伤的压力,可以从借助于扭矩感测部200而测量的旋转扭矩来类推,从这种新视角出发,从测量的旋转扭矩类推基板是否损伤,根据基板W表面状态或清洗条件,在无基板损伤的情况下,有效调节清洗刷100的清洗条件。

以往,提出了一种方式,感测清洗刷旋转、接触基板而引起的清洗刷的旋转扭矩,根据旋转扭矩,使清洗刷相对于基板接近或隔开,借助于清洗刷来控制施加于基板的负载(接触压力),但是,就使清洗刷相对于基板而接近或隔开,借助于清洗刷来控制施加于基板的负载的方式而言,存在难以细微地调节借助于清洗刷施加于基板的负载的问题。

进一步地,就借助于清洗刷来控制施加于基板的负载的方式而言,当借助于清洗刷施加于基板的接触压力增大时,存在在基板表面形成的图案损伤或基板本身破损的问题,存在被基板旋转单元110支撑的基板从基板旋转单元脱离的问题。

但是,本实用新型基于清洗刷100的旋转扭矩,改变清洗刷100的旋转速度,从而,可以在无基板W损伤的情况下,提高基板W清洗效率,改善清洗效果。

清洗刷100可以清洗基板W的一面(例如,研磨面),或清洗基板W的一面(例如,上表面)与另一面(例如,下表面)。下面,以清洗刷100同时清洗基板W的上表面及下表面为例进行说明。

更具体而言,清洗刷100包括以旋转状态接触基板W的前面的第一刷102、以旋转状态接触基板W的后面的第二刷104。

作为第一刷102和第二刷104,可以使用能摩擦接触基板W的后面和前面的以普通材料(例如,多孔性材料的聚乙烯醇)构成的刷。而且,在第一刷102与第二刷104的表面,可以形成有用于提高刷接触特性的多个清洗凸起。根据情况,也可以使用没有清洗凸起的刷。

清洗刷100被刷支架101能旋转地支撑。

刷支架101可以以能旋转地支撑清洗刷100的多样结构形成,并非本实用新型由刷支架101的结构所限制或限定。

作为一个示例,刷支架101配备得支撑清洗刷100的一端。更具体而言,清洗刷100一端作为固定端,支撑于刷支架101,另一端是作为自由端而配置的悬臂(cantilever)结构,被刷支架101能旋转地支撑。此时,在刷支架101上具备提供用于使清洗刷100旋转的驱动力的驱动电动机,清洗刷100可以选择性随着刷支架101而沿上下方向移动。

作为另一示例,刷支架也可以以两端支撑梁方式支撑清洗刷100的一端及另一端(图上未示出)。

基板W在借助于基板旋转单元110、405旋转的状态下,被进行旋转的第一刷102和第二刷104清洗。

根据要求的条件及设计样式,可以以能够支撑基板W并使其旋转的多样结构提供基板旋转单元110、405。

作为一个示例,基板旋转单元110可以包括:固定支撑部(图上未示出),其以支撑基板W边缘一侧的方式固定安装;可动支撑部(图上未示出),其支撑与固定支撑部相向的基板W边缘另一侧,能够向基板W接近及隔开的方向移动。

更具体而言,固定支撑部包括:第一固定支撑体,其支撑基板W的边缘;第二固定支撑体,其从第一固定支撑体隔开配置,支撑基板W的另一边缘。另外,可动支撑部包括:第一可动支撑体,其支撑基板W的边缘;第二可动支撑体,其从第一可动支撑体隔开配置,支撑基板W的另一边缘。根据情况,固定支撑部(或可动支撑部)也可以只由一个固定支撑体(或可动支撑体)构成,或由三个以上固定支撑体(或可动支撑体)构成。

另外,刷洗装置包括向基板W喷射清洗流体的清洗流体喷射部120。

清洗流体喷射部120在执行借助于清洗刷100的清洗期间,向清洗刷100与基板W的接触部位喷射清洗流体,以便能够提高清洗刷100与基板W摩擦接触引起的清洗效果。

清洗流体喷射部120可以根据要求的条件及清洗环境,喷射多样的清洗流体,并非本实用新型由清洗流体的种类所限制或限定。作为一个示例,清洗流体喷射部120可以喷射诸如SC1(Standard Clean-1,APM)、氟酸(HF)等的化学制剂,或喷射纯水(DIW)。作为参考,SC1可以由NH4OH/H2O2/H2O按1:1:5~1:4:20比例混合使用,SC1的比率可以根据要求的条件及处理环境而变更。

另外,被提供的清洗流体喷射部120可以相对于基板W表面进行摆动(oscillation),以便向基板W的表面摆动喷射(oscillation spray)清洗流体。作为一个示例,清洗流体喷射部120可以配备得在预定角度范围内摇摆(swing)旋转。

如上所述,借助于向基板W的表面摆动喷射清洗流体,可以使基于清洗流体的清洗效率最大化,进一步降低清洗流体使用量。另外,还可以将从基板W分离的异物洗刷并排出到基板W外侧。

扭矩感测部200配备得感测清洗刷100的旋转扭矩。

作为一个示例,清洗刷100的旋转扭矩既可以在清洗刷100接触基板W时利用接入驱动电动机的电气信号(瞬间电压及电流)来测量,也可以从与清洗刷100连接的旋转轴的偏向变位来测量。

作为参考,根据基板W的表面状态、清洗刷100相对于基板W的配置距离、清洗刷100对基板W的摩擦力等,在与基板接触的清洗工序中,可以改变清洗刷100的旋转扭矩。因此,当知道清洗刷100的旋转扭矩时,可以获知基板W的表面状态、清洗刷100相对于基板W的配置距离、清洗刷100对基板W的摩擦力等。

作为一个示例,如果在基板W表面固着有异物或异物残留量增加,那么,随着异物导致的摩擦力增加,当清洗刷100旋转时,驱动电动机的负载增加,相反,如果在基板W表面固着的异物的固着程度减小或异物残留量减小,那么,在清洗刷100旋转时,驱动电动机的负载减小,同时,借助于扭矩感测部200来改变测量的旋转扭矩。另外,当清洗刷100邻接基板W配置时,清洗刷100对基板W的接触压力(摩擦力)增大,因而在清洗刷100旋转时,驱动电动机的负载增加,相反,当清洗刷100与基板W隔开配置时,在清洗刷100旋转时,驱动电动机的负载减小,同时,借助于扭矩感测部200来改变测量的旋转扭矩。

参照图5及图6,当扭矩感测部200感测到的清洗刷100的旋转扭矩超出预设范围时,刷洗装置10改变清洗刷100的旋转速度。

这是为了预防过大的压力作用于基板W,根据基板W表面状态或清洗条件,在无基板损伤的情况下,有效控制清洗刷100的清洗条件。

以往,提出了一种方式,感测清洗刷旋转、接触基板而引起的清洗刷的旋转扭矩,根据旋转扭矩,使清洗刷相对于基板接近或隔开,借助于清洗刷来控制施加于基板的负载(接触压力),但是,就使清洗刷相对于基板接近或隔开,借助于清洗刷来控制施加于基板的负载的方式而言,存在难以细微地调节借助于清洗刷施加于基板的负载的问题。

进一步地,就借助于清洗刷来控制施加于基板的负载的方式而言,在借助于清洗刷施加于基板的接触压力增大的状态下,清洗刷以飞快的速度旋转,施加于基板的力过大,存在在基板表面形成的图案损伤或基板本身已破损的问题,存在被基板旋转单元110支撑的基板从基板旋转单元脱离的问题。

与之相反,本实用新型基于清洗刷100的旋转扭矩,改变清洗刷100的旋转速度,因此,当旋转扭矩过大时,调节旋转速度,将施加于基板的负载保持适度水平,当旋转扭矩低,则调节旋转速度,稍稍提高施加于基板的负载,提高清洗效果,借助于此,可以在完全防止基板损伤的同时进行清洗工序,因而在无基板W的损伤的情况下,可在短时间内完成基板W清洗的。

优选地,刷洗装置10在清洗刷100旋转并接触、清洗基板W期间,对应于清洗刷100的旋转扭矩的变动,调节清洗刷100的旋转速度。由此,可以提高基板W的清洗效率,改善清洗均匀度。

其中,所谓基于清洗刷100的旋转扭矩,改变清洗刷100的旋转速度,被定义为包括根据清洗刷100的旋转扭矩而提高或降低清洗刷100的旋转速度。

作为一个示例,根据扭矩感测部200感测到的信号,刷洗装置10可以提高清洗刷100的旋转速度。

当清洗刷100的旋转扭矩低于预设范围时,可以提高清洗刷100的旋转速度。例如,如果异物固着或异物残留量增加(或清洗刷100接近基板W配置,或清洗流体的喷射量不足),则随着异物导致的摩擦力增加,在清洗刷100旋转时,驱动电动机的负载增加,清洗刷100的旋转扭矩会低于预设范围,与清洗刷100的旋转扭矩低下对应,增加清洗刷100的旋转速度,可以在减小基板负担的同时获得更高的清洗效果。不同地,在支撑基板的下表面且基板的负担被其他构件分担等的情况下,当清洗刷100的旋转扭矩高于预设范围时,也可以提高清洗刷100的旋转速度。

作为另一示例,根据扭矩感测部200感测到的信号,刷洗装置10可以降低清洗刷100的旋转速度。

假如清洗刷100的旋转扭矩高于预设范围,则可以使清洗刷100的旋转速度减小。例如,当异物固着或异物残留量减小(或清洗刷100与基板W隔开配置,或清洗流体的喷射量过大)时,随着摩擦力减小,清洗刷100旋转时驱动电动机的负载减小,清洗刷100的旋转扭矩会高于预设范围,对应于清洗刷100的旋转扭矩增加而使清洗刷100旋转速度减速,从而,可以在减小基板担负的同时安全地进行清洗工序。不同地,当由于沾于清洗刷的异物的量多,存在在基板上留下划痕等的可能性的情况下,当清洗刷100的旋转扭矩低于预设范围时,也可以降低清洗刷100的旋转速度。

另一方面,根据扭矩感测部200感测到的信号,刷洗装置也可以调节清洗刷100的旋转速度,同时,根据扭矩感测部200感测到的信号,也可以变更基板W的其他清洗条件。

其中,所谓基板W的清洗条件,被定义为除了对清洗刷100清洗基板W产生影响的清洗刷100的旋转速度条件之外,还包括对清洗刷100清洗基板W产生影响的其他条件。

作为一个示例,参照图7,根据扭矩感测部200感测到的信号,刷洗装置10借助于基板旋转单元110来调节基板W旋转速度。与由扭矩感测部200感测到的清洗刷100的旋转扭矩高于或低于预设范围相对应地,借助于基板旋转单元110来提高或降低基板W的旋转速度VR。

作为另一示例,参照图8,刷洗装置10可以变更清洗流体喷射部120的清洗流体喷射量及喷射压力中的任意一个以上。可以与由扭矩感测部200感测到的清洗刷100的旋转扭矩高于或低于预设范围相对应地,提高或降低清洗流体喷射部120的清洗流体喷射量IA及喷射压力IP。

作为又一示例,再次参照图8,刷洗装置10可以进行调节,使得变更清洗流体喷射部120的摆动角度及摆动速度中的任意一个以上。刷洗装置10可以与扭矩感测部200感测到的清洗刷100旋转扭矩高于或低于预设范围相对应地,提高或降低清洗流体喷射部120的摆动角度OA及摆动速度OV。

另外,本实用新型的刷洗装置可以包括警报发生部(图上未示出),当由扭矩感测部200感测到的清洗刷100的旋转扭矩超出预设范围时,所述警报发生部发生警报信号。

其中,所谓警报信号,可以包括基于通常音响装置的听觉警报信号以及基于通常警告灯的视觉警报信号中至少一者,此外,还可以利用能够使操作者认知清洗刷100的旋转扭矩变动情况的其他多样的警报信号。

作为参考,在前述及图示的本实用新型实施例中,虽然以根据扭矩感测部感测到的清洗刷旋转扭矩改变清洗刷旋转速度为例进行了说明,但根据情况,也可以根据扭矩感测部感测到的清洗刷的旋转扭矩,改变基板的旋转速度(增加或减速)。

例如,当扭矩感测部感测到的清洗刷的旋转扭矩低于预设范围时,可以使基板的旋转速度增加,在减轻基板负担的范围内,提高清洗刷的清洗效果。而且,如果扭矩感测部感测到的清洗刷的旋转扭矩高于预设范围,则使基板的旋转速度减小,在进行基板清洗工序的过程中,减小对基板破损产生影响的负担。

另外,在根据清洗刷的旋转扭矩来调节基板旋转速度的刷洗装置中,也可以调节清洗流体喷射部的清洗流体喷射量及喷射压力中的任意一个以上,或调节清洗流体喷射部的摆动角度及摆动速度中的任意一个以上。

另一方面,图9及图10是用于说明本实用新型另一实施例的刷洗装置的图。而且,对于与前述构成相同或相当于相同的部分,赋予相同或相当于相同的附图标记,省略对其的详细说明。

参照图9及图10,本实用新型另一实施例的刷洗装置10包括:清洗刷100,其以旋转状态接触基板W的表面;表面检测部500,其检测基板W的表面状态;根据表面检测部500感测到的基板W表面状态,调节清洗刷100对基板W的清洗条件。

优选地,表面检测部500检测残留于所述基板W的异物,与残留于基板W的异物相对应地,调节基板W的清洗条件。

其中,所谓检测残留于基板W的异物,被定义为检测残留于基板W表面的异物的分布密度、分布量、分布部位中的任意一个以上。

如上所述,本实用新型根据基板W表面状态,调节对清洗刷100清洗基板W产生影响的清洗条件,从而,可以根据基板W的表面状态,优化清洗效果,并且可以提高基板W清洗效率。

作为表面检测部500,可以使用能够在基板W表面检测异物的诸如视觉相机或传感器的非接触式传感装置,并非本实用新型由表面检测部500的种类及检测方式所限制或限定。根据情况,也可以利用接触式传感装置,在基板的表面检测异物。

如上所述,根据表面检测部500感测到的基板W表面状态,清洗刷100调节基板W的清洗条件。

其中,所谓基板W的清洗条件,被定义为包括对清洗刷100清洗基板W产生影响的清洗刷100的旋转速度或旋转扭矩、基板W的旋转速度、清洗流体的喷射量或喷射压力、清洗流体的摆动角度或速度中的任意一个以上。

根据本实用新型的一个实施形态,在清洗刷接触、清洗基板期间,也可以只感测一次基板的表面状态。优选地,在清洗刷接触、清洗基板期间,间歇或持续感测基板W的表面状态,根据基板W的表面状态进行调节,变更基板W的清洗条件。如上所述,与基板W表面状态变化相对应地,在清洗工序中不断调节变更基板W的清洗条件,从而可以在减轻基板W负担的同时,提高基板W清洗效率,提高清洗均匀度。

作为一个示例,参照图10,刷洗装置根据表面检测部500感测到的基板W表面状态,改变清洗刷100的旋转速度V1、V2。

其中,所谓根据基板W的表面状态,改变清洗刷100的旋转速度,被定义为根据基板W表面状态,提高或降低清洗刷100的旋转速度。

作为一个示例,根据基板W的表面状态,可以提高清洗刷100的旋转速度。假如残留于基板W表面的异物D的分布密度及分布量高于预设范围,则可使清洗刷100的旋转速度增加(V2〉V1)。不同地,当残留于基板W表面的异物的分布密度及分布量低时,也可以提高清洗刷100的旋转速度。

作为另一示例,根据基板W表面状态,刷洗装置可以降低清洗刷100的旋转速度。假如残留于基板W表面的异物D的分布密度及分布量低于预设范围,则可以使清洗刷100的旋转速度减速。不同地,当残留于基板W表面的异物的分布密度及分布量低时,也可以降低清洗刷100的旋转速度。

另外,也可以根据表面检测部500感测到的基板W表面状态,改变清洗刷100的旋转扭矩。

其中,所谓根据基板W的表面状态,改变清洗刷100旋转扭矩,被定义为根据基板W表面状态而提高或降低清洗刷100旋转扭矩。假如确认了异物顽强固着于基板W表面,则可以使清洗刷100的旋转扭矩增加。相反,当确认了异物从基板W表面分离时,可以降低清洗刷100的旋转扭矩。

另一方面,在清洗刷100对基板W的接触清洗工序中,也可以一同进行借助于扭矩感测部200而感测清洗刷100的旋转扭矩,调节清洗刷的旋转速度。

例如,根据表面检测部500感测到的基板W表面状态,改变清洗刷100旋转速度,且可以在扭矩感测部200感测到的清洗刷旋转扭矩不超出预设范围的限度内,改变清洗刷的旋转速度。

另一方面,在根据基板W的表面状态而改变清洗刷100旋转速度或旋转扭矩的同时,也可以变更对基板W清洗产生影响的基板W其他清洗条件。

作为一个示例,根据表面检测部500检测的基板W表面状态,可以借助于基板旋转单元110来调节基板W旋转速度VR。假如,刷洗装置可以与残留于基板W表面的异物的分布密度及分布量相对应地,借助于基板旋转单元110来提高或降低基板W旋转速度VR(参照图7)。

作为另一示例,根据表面检测部500检测的基板W表面状态,调节清洗流体喷射部120的清洗流体喷射量IA及喷射压力IP中的任意一个以上。例如,刷洗装置可以与残留于基板W表面的异物的分布密度及分布量高于或低于预设范围相对应地,提高或降低清洗流体喷射部120的清洗流体的喷射量IA及喷射压力IP(参照图8)。

作为又一示例,可以根据表面检测部500检测的基板W的表面状态,变更清洗流体喷射部120的摆动角度OA及摆动速度OV中的任意一个以上。例如,可以与残留于基板W表面的异物的分布密度及分布量高于或低于预设范围相对应地,提高或降低清洗流体喷射部120的摆动角度OA及摆动速度OV(参照图8)。

如上所述,参照本实用新型的优选实施例进行了说明,但是本领域技术人员应当理解,在不超出权利要求书记载的本实用新型的思想及领域的范围内,可以多样地修订及变更本实用新型。

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