Emc塑封料的去除方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种失效样品的分析方法，尤其涉及一种EMC塑封料的去除方法。
【背景技术】
[0002]EMC (Epoxy Molding Compound)即环氧树脂模塑料、环氧塑封料，是由环氧树脂为基体树脂，以高性能酚醛树脂为固化剂，加入硅微粉等为填料，以及添加多种助剂混配而成的粉状模塑料。
[0003]随着电子产品不断向多功能化、轻薄短小、高性能化的方向发展，伴随的可靠性问题也越来越受关注，尤其是经EMC塑封后的集成电路封装体的可靠性问题。
[0004]集成电路封装体经EMC塑封后，经测试如发现失效，工程师首先通过无损的途径查找失效原因及失效位置，如无损途径无法找到失效原因或已基本找到失效位置，但还需进一步确认失效原因时，下一步就需要把已经塑封好的EMC塑封料去除，此为破坏性测试，露出封装体内部的Lead Frame或基板、芯片单元和Wire bonding引线等。EMC塑封料的去除，俗称开盖，即Decap。
[0005]然而，现有技术未能提供一种EMC塑封料的去除方法。
【发明内容】
[0006]基于此，有必要提供一种EMC塑封料的去除方法。
[0007]一种EMC塑封料的去除方法，包括如下步骤:
[0008]将待处理的封装体倾斜后用夹具将所述封装体固定；
[0009]将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部，并且观察所述封装体内的芯片是否露出，待所述封装体内的芯片露出后降低所述浓硫酸的滴加速度，同时每隔五滴观察一次所述封装体的腐蚀情况，直至露出所述封装体内的引线焊盘，完成腐蚀；以及
[0010]将完成腐蚀的所述封装体浸泡于有机清洁剂中3分钟?15分钟，接着取出所述封装体用去离子水洗净、烘干。
[0011]在一个实施例中，将待处理的封装体倾斜的操作中，所述封装体与竖直方向的夹角为5°?10°。
[0012]在一个实施例中，将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部的操作中，加热后的浓硫酸的温度为200°C?245°C。
[0013]在一个实施例中，加热后的浓硫酸的温度为235°C?245°C。
[0014]在一个实施例中，所述浓硫酸的质量分数为98%。
[0015]在一个实施例中，将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的顶部的操作中，所述浓硫酸的滴加速度为2滴/秒。
[0016]在一个实施例中，待所述封装体内的芯片露出后降低所述浓硫酸的滴加速度的操作中，降低后的所述浓硫酸的滴加速度为I滴/秒。
[0017]在一个实施例中，所述有机清洁剂为丙酮或乙酸。
[0018]在一个实施例中，取出所述封装体用去离子水洗净的操作为:用去离子水缓慢滴注，洗净所述封装体。
[0019]在一个实施例中，取出所述封装体用去离子水洗净、烘干的操作中，烘干的温度为80。。。
[0020]本发明提供了一种EMC塑封料的去除方法，这种EMC塑封料的去除方法操作过程简单，物料容易获得，通过化学腐蚀法去除EMC塑封料可轻松实现，对于引线为金线的封装体尤其适用。
【附图说明】
[0021]图1为一实施方式的EMC塑封料的去除方法的流程图。
【具体实施方式】
[0022]下面主要结合附图及具体实施例对EMC塑封料的去除方法及其制备方法作进一步详细的说明。
[0023]如图1所示的一实施方式的EMC塑封料的去除方法，包括如下步骤:
[0024]S10、将待处理的封装体倾斜后用夹具将封装体固定。
[0025]封装体一般包括基板、设置在基板上的引线焊盘、与引线焊盘连接的芯片、引线、以及EMC塑封料，EMC塑封料包覆在基板的一侧并且将芯片和引线焊盘封装。
[0026]夹具通过特殊设计，使得封装体固定并倾斜。本实施方式中，封装体与竖直方向的夹角为5°?10°，目的在于使硫酸从EMC塑封料顶部滴注，从EMC底部流出，硫酸仅腐蚀到EMC，接触基板的风险小。
[0027]本实施方式中，倾斜的封装体设置有EMC塑封料的一侧朝下设置。
[0028]S20、将加热后的浓硫酸滴加到SlO得到的封装体的EMC塑封料顶部，并且观察封装体内芯片是否露出，待封装体内的芯片露出后降低浓硫酸的滴加速度，同时每隔五滴观察一次封装体的腐蚀情况，直至露出封装体内的引线焊盘，完成腐蚀。
[0029]加热后的浓硫酸的温度为200°C?245°C，浓硫酸的质量分数为98%。
[0030]在一个优选的实施例中，加热后的浓硫酸的温度为235°C?245°C。
[0031]滴加浓硫酸时，需要采用耐酸腐蚀的胶头滴管。
[0032]将加热后的浓硫酸滴加到SlO得到的封装体的顶部的操作中，浓硫酸的滴加速度为2滴/秒。
[0033]待封装体内的芯片露出后降低浓硫酸的滴加速度的操作中，降低后的浓硫酸的滴加速度为I滴/秒。
[0034]S30、将S20得到的完成腐蚀的封装体浸泡于有机清洁剂中3分钟?15分钟，接着取出封装体用去离子水洗净、烘干。
[0035]用镊子将完成腐蚀的封装体浸泡于有机清洁剂中，3分钟?15分钟后取出。
[0036]有机清洁剂需要选择遇到高温时无安全风险的物质，本实施方式中，有机清洁剂为丙酮或乙酸。
[0037]取出封装体用去离子水洗净的操作为:用去离子水缓慢滴注，洗净封装体。
[0038]封装体烘干的温度为80 °C。
[0039]这种EMC塑封料的去除方法操作过程简单，物料容易获得，通过化学腐蚀法去除EMC塑封料可轻松实现，对于引线为金线的封装体尤其适用。
[0040]封装体与竖直方向的夹角为5°?10°，使得EMC塑封料腐蚀程度可控，腐蚀过程中封装体的基板区域受影响较小。
[0041]这种EMC塑封料的去除方法操作过程简单，物料容易获得，可自行制作设计相关装置，非常适用于基板生产商。
[0042]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种EMC塑封料的去除方法，其特征在于，包括如下步骤: 将待处理的封装体倾斜后用夹具将所述封装体固定； 将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部，并且观察所述封装体内的芯片是否露出，待所述封装体内的芯片露出后降低所述浓硫酸的滴加速度，同时每隔五滴观察一次所述封装体的腐蚀情况，直至露出所述封装体内的引线焊盘，完成腐蚀；以及 将完成腐蚀的所述封装体浸泡于有机清洁剂中3分钟?15分钟，接着取出所述封装体用去离子水洗净、烘干。
2.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，将待处理的封装体倾斜的操作中，所述封装体与竖直方向的夹角为5°?10°。
3.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部的操作中，加热后的浓硫酸的温度为200°C?245°C。
4.如权利要求3所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，加热后的浓硫酸的温度为235 °C ?245 °C。
5.如权利要求1、3或4所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，所述浓硫酸的质量分数为98 %。
6.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部的操作中，所述浓硫酸的滴加速度为2滴/秒。
7.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，待所述封装体内的芯片露出后降低所述浓硫酸的滴加速度的操作中，降低后的所述浓硫酸的滴加速度为I滴/秒。
8.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，所述有机清洁剂为丙酮或乙酸。
9.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，取出所述封装体用去离子水洗净的操作为:用去离子水缓慢滴注，洗净所述封装体。
10.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，取出所述封装体用去离子水洗净、烘干的操作中，烘干的温度为80 °C。
【专利摘要】本发明公开了一种EMC塑封料的去除方法，包括如下步骤：将待处理的封装体倾斜后用夹具将所述封装体固定；将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的顶部，并且观察所述封装体内的芯片是否露出，待所述封装体内的芯片露出后降低所述浓硫酸的滴加速度，同时每隔五滴观察一次所述封装体的腐蚀情况，直至露出所述封装体内的引线焊盘，完成腐蚀；以及将完成腐蚀的所述封装体浸泡于有机清洁剂中3分钟～15分钟，接着取出所述封装体用去离子水洗净、烘干。这种EMC塑封料的去除方法操作过程简单，物料容易获得，通过化学腐蚀法去除EMC塑封料可轻松实现，对于引线为金线的封装体尤其适用。
【IPC分类】B08B3-08
【公开号】CN104607411
【申请号】CN201410856993
【发明人】刘武, 何应明, 刘春阳
【申请人】广州兴森快捷电路科技有限公司, 宜兴硅谷电子科技有限公司, 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年12月31日