专利名称：用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及用于硅片清洗后使用异丙醇(IPA)干燥法对硅片进行干燥时的一种异丙醇供应装置，特别是用于大直径硅片的异丙醇干燥中。
技术背景随着半导体技术的不断发展，硅片的直径在不断增大，而集成电路的 线宽在不断减小，由此来增加图形密度。因此对硅片表面的清洁度要求越 来越高。在典型的集成电路生产中要经过几十道的清洗工艺，硅片表面的 颗粒、有机物、金属、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能，据 统计，清洗不佳引起的器件失效超过集成电路制造中总损失的一半。因此， 硅片清洗技术的发展在整个超大规模集成电路的制造中至关重要。而在硅 片清洗技术中，硅片的干燥又尤为重要，因为硅片干燥通常为整个清洗过 程的最后一步，如果处理不当，将会前功尽弃。在目前使用的硅片干燥法中，较为先进的是IPA干燥法，在该干燥法 中，IPA的供应为其核心技术，如何持续、稳定、适量的将IPA供应到干 燥槽中至关重要。 发明内容本实用新型的目的是提供一种硅片清洗后进行异丙醇干燥时异丙醇 的供应装置，该供应装置可以做到异丙醇持续、稳定、适量的供应到干燥 槽中，从而保证硅片清洗的效果。为达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案 一种用于硅片异丙 醇干燥法中的异丙醇供应装置，它包括两条由阀门与管路连接的氮气管 路，每条管路的进口端接氮气管道，其出口端接至干燥槽的静压腔，且管 路中串接异丙醇吸附、释放装置，该异丙醇吸附、释放装置另一接口通过 毛细管与异丙醇容器连接。异丙醇吸附、释放装置由两端的连接头、外壳及壳内的填充物组成。 本实用新型所用的材料是符合集成电路制造要求(不会带来颗粒、 金属等沾污)的高纯材料，如高纯PFA (全氟代烷氧乙烯)管道、阀门、 流量计等。本实用新型的优点是本装置可以做到IPA持续、稳定、适量的供应到干燥槽中，从而保证硅片清洗的效果。
图l:异丙醇供应装置示意图图2:异丙醇吸附、释放装置结构示意图图1、图2中，1、 2为IPA容器，3、为IPA吸附、释放装置I ， 4、为 IPA吸附、释放装置II， 5为干燥槽，5-l为静压腔，5-2为多孔隔板，5-3 为硅片。图2中，3-1为连接头，3-2为连接头，3-3为外壳，3-4为填充物。
具体实施方式
当硅片进行完清洗步骤需进行干燥时，首先将V1、 V2、 V3阀门打开， 同时V4、 V5、 V6阀门关闭，此时N2将会被输送到硅片干燥槽上部的静 压腔中，此时由于V3阀处于开启状态，在与V3阀两端连接的毛细管的作 用下，液体IPA将会从IPA容器中被吸出，同时被IPA吸附装置I中的吸 附剂吸收；在一定时间之后，将V1、 V2、 V3阀门关闭，同时V4、 V5、 V6阀门开启，N2将会把IPA吸附、释放装置I中的IPA以蒸汽的形式随 同N2—起输送到静压腔中，与此同时，由于与V6两端连接的毛细管的作 用，IPA吸附、释放装置II将会吸收IPA，一段时间之后再将VI、 V2、 V3阀门打开，同时V4、 V5、 V6阀门关闭，此时IPA吸附、释放装置II 中的IPA将会被N2带入到静压腔中；如此交替进行，IPA将会被持续、稳 定地输送到干燥槽中。Fl为流量计，可以进行管道内气体流量的调节。IPA吸附、释放装置中填充有吸附剂(由氟代聚合物如全氟代垸氧 乙烯(PFA)或(PTFE)或超高分子聚乙烯(UPE，粘均分子量在150万 以上)制成的多孔纤维状物质，这些材料市场有售)，该装置的主要目的 是将从IPA容器吸出的液体IPA快速吸收，吸收后的液体IPA再被N2 气体以蒸汽的形式带入到干燥槽的静压腔中。此装置可以有效的保证液体状态的IPA不被直接顺入到干燥槽的静压腔中。
权利要求1.一种用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置，其特征在于它包括两条由阀门与管路连接的氮气管路，每条管路的进口端接氮气管道，其出口端接至干燥槽的静压腔，且管路中串接异丙醇吸附、释放装置，该异丙醇吸附、释放装置另一接口通过毛细管与异丙醇容器连接。
2. 按照权利要求1所述的硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置， 其特征在于异丙醇吸附、释放装置由两端的连接头、外壳及壳内的填充 物组成。
3.按照权利要求2所述的硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置， 其特征在于所述的外壳内的填充物为由全氟代烷氧乙烯或超高分子聚乙 烯制成的多孔纤维状吸附剂。
专利摘要用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置，它包括两条由阀门与管路连接的氮气管路，每条管路的进口端接氮气管道，其出口端接至干燥槽的静压腔，且管路中串接异丙醇吸附、释放装置，该异丙醇吸附、释放装置另一接口通过毛细管与异丙醇容器连接。主要通过毛细管效应将异丙醇从异丙醇容器中吸出，然后通过异丙醇吸附、释放装置后将异丙醇蒸汽与N<sub>2</sub>一起送入到干燥槽的静压腔中。本实用新型可以做到IPA持续、稳定、适量的供应到干燥槽中，从而保证硅片清洗的效果。
文档编号B01D12/00GK201171925SQ20072019035
公开日2008年12月31日 申请日期2007年11月26日 优先权日2007年11月26日
发明者库黎明, 张国栋, 盛芳毓, 索思卓, 钟 葛, 阎志瑞 申请人:北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司