一种基于电磁逆变磁振动技术的装置的制作方法

本实用新型属于艺术礼品技术领域，具体涉及一种电磁逆变振动展示装置，尤其涉及一种基于电磁逆变磁振动技术的装置。

背景技术：

逆变技术是在电力电子技术中主要及核心技术之一，它主要应用于各种逆变电源、变频电源、开关电源、UPS电源、交流稳压电源、电力系统的无功补偿、电力有源滤波器、变频调整器、电动汽车、电气火车、燃料电池静置式发电站等，其中电磁逆变方式主要应用在电磁炉加热、振动筛选机、振动搅拌和振动按摩等。考虑到振动过程中会产生噪声，而电磁线圈磁芯会产生涡流热效应，对于产品设计的尺寸大小和电磁力控制方式提出了较高的要求。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种基于电磁逆变磁振动技术的装置，以解决现有技术中的不足。

为了达到上述目的，本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的：

提供一种基于电磁逆变磁振动技术的装置，包括基座、固定架组、带有强磁的固定弹簧钢片、固定片、逆变电路、单片机及控制面板，所述固定架组设于所述基座上，所述单片机、所述逆变电路和所述控制面板依次连接，所述逆变电路包括电磁线圈，所述电磁线圈设于所述固定架组的两个固定架之间，所述带有强磁的固定弹簧钢片通过所述固定片设于所述电磁线圈的两端。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述逆变电路还包括第一接入电阻、第一上拉电阻、第一NPN型三极管、第一P沟道MOSFET、第一N沟道MOSFET，第一稳压管、第二稳压管、第二接入电阻、第二上拉电阻、第二NPN型三极管、第二P沟道MOSFET、第二N沟道MOSFET、第三稳压管、第四稳压管和固定电阻，所述第一接入电阻连接所述第一NPN型三极管的基极，所述第一NPN型三极管的集电极通过所述第一上拉电阻连接外部电源并分别连接所述第一P沟道MOSFET的G端和所述第一N沟道MOSFET的G端，所述第一NPN型三极管的发射极接地，所述第一P沟道MOSFET的S端连接外部电源，所述第一P沟道MOSFET的D端连接所述第一N沟道MOSFET的D端，所述第一N沟道MOSFET的S端接地，所述第一稳压管和所述第二稳压管串接后设于外部电源和接地之间，所述第一P沟道MOSFET的D端连接所述第一稳压管的正极并通过所述固定电阻连接所述电磁线圈的一端；所述第二接入电阻连接所述第二NPN型三极管的基极，所述第二NPN型三极管的集电极通过所述第二上拉电阻连接外部电源并分别连接所述第二P沟道MOSFET的G端和所述第二N沟道MOSFET的G端，所述第二NPN型三极管的发射极接地，所述第二P沟道MOSFET的S端连接外部电源，所述第二P沟道MOSFET的D端连接所述第二N沟道MOSFET的D端，所述第二N沟道MOSFET的S端接地，所述第三稳压管和所述第四稳压管串接后设于外部电源和接地之间，所述第二P沟道MOSFET的D端连接所述第三稳压管的正极并通过所述固定电阻连接所述电磁线圈的另一端。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述带有强磁的固定弹簧钢片上设有柔性装饰物。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述柔性装饰物为花草或羽毛。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述基座上设有防振垫。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述电磁线圈采用磁芯。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述电磁线圈外设有噪声隔离罩。

与已有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

通过增加防振垫减少底座振动产生的噪声，线圈噪声隔离罩屏蔽噪声，优化减少磁路间隙，改实心磁芯为一定厚度空心磁芯，从根本上减少漏磁和涡流效应；利用逆变电路实现振动，可灵活调整振频及幅度。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示出了本实用新型基于电磁逆变磁振动技术的装置的结构示意图；

图2示出了本实用新型基于电磁逆变磁振动技术的装置的逆变电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

参看图1、图2所示，本实用新型基于电磁逆变磁振动技术的装置包括基座1、固定架组2、带有强磁的固定弹簧钢片3、固定片4、逆变电路、单片机及控制面板，固定架组2设于基座1上，单片机、逆变电路和控制面板依次连接，逆变电路包括电磁线圈5，电磁线圈5设于固定架组2的两个固定架之间，带有强磁的固定弹簧钢片3通过固定片4设于电磁线圈5的两端，控制面板用于控制电源开关及调整磁场大小等。参看图2所示，逆变电路还包括第一接入电阻R1、第一上拉电阻R2、第一NPN型三极管T1、第一P沟道MOSFET V1、第一N沟道MOSFET V2，第一稳压管D1、第二稳压管D2、第二接入电阻R3、第二上拉电阻R4、第二NPN型三极管T2、第二P沟道MOSFET V3、第二N沟道MOSFET V4、第三稳压管D3、第四稳压管D4和固定电阻R5，第一接入电阻R1连接第一NPN型三极管T1的基极，第一NPN型三极管T1的集电极通过第一上拉电阻R2连接外部电源(+12V)并分别连接第一P沟道MOSFET V1的G端和第一N沟道MOSFET V2的G端，第一NPN型三极管T1的发射极接地，第一P沟道MOSFET V1的S端连接外部电源(+12V)，第一P沟道MOSFET V1的D端连接第一N沟道MOSFET V2的D端，第一N沟道MOSFET V2的S端接地，第一稳压管D1和第二稳压管D2串接后设于外部电源(+12V)和接地之间，第一P沟道MOSFET V1的D端连接第一稳压管D1的正极并通过固定电阻R5连接电磁线圈5的一端。第二接入电阻R3连接第二NPN型三极管T3的基极，第二NPN型三极管T2的集电极通过第二上拉电阻R4连接外部电源(+12V)并分别连接第二P沟道MOSFET V3的G端和第二N沟道MOSFET V4的G端，第二NPN型三极管T2的发射极接地，第二P沟道MOSFET V3的S端连接外部电源(+12V)，第二P沟道MOSFET V3的D端连接第二N沟道MOSFET V4的D端，第二N沟道MOSFET V4的S端接地，第三稳压管D3和第四稳压管D4串接后设于外部电源(+12V)和接地之间，第二P沟道MOSFET V3的D端连接第三稳压管D3的正极并通过固定电阻R5连接电磁线圈5的另一端。优选地，两个三极管的型号采用A1015，P沟道MOSFET采用IRF4905，N沟道MOSFET采用IRF3025。

另外，本技术方案中，带有强磁的固定弹簧钢片3上设有柔性装饰物6(展示物)，此处的柔性装饰物6为花草或羽毛。基座1上设有防振垫，以减轻振动，电磁线圈5采用空心磁芯，电磁线圈5外还设有噪声隔离罩。通过DC12V直流电源转换器给逆变转换控制电路板提供+12V电源，电路板利用MOSFTE全桥逆变，在MCU时钟脉冲控制信号的作用下产生可控频率的12V方波交流电(设置在75Hz～110Hz之间)，在磁芯电感线圈负载的作用下产生变换的磁场，然后磁场对靠近磁线圈两端的带有强磁的弹片产生周期性的堆拉的力的作用，使展示物舞动形成。具体地，接通电源后，电磁线圈5在交流电作用下，对弹簧片施加周期性变化的电磁力，使弹簧片振动，产生波形，从而带动顶端柔性物体动作，并将波形在柔性物体上展现出来。根据物体柔性度和质量的不同，可以调节电磁力的大小，若物体偏硬或偏重，则调节电磁力变大，使弹簧片振幅明显，从而能将波形传递给物体；若物体偏软或较轻，则调节电磁力变小，不使物体振动过剧而被破坏。

从上述实施例可以看出，本实用新型的优势在于：

通过增加防振垫减少底座振动产生的噪声，线圈噪声隔离罩屏蔽噪声，优化减少磁路间隙，改实心磁芯为一定厚度空心磁芯，从根本上减少漏磁和涡流效应；利用逆变电路实现振动，可灵活调整振频及幅度，使带动振动的物体在闪光源的照射下展现出慢速的舞动，具有较高欣赏价值。

以上对本实用新型的具体实施例进行了详细描述，但本实用新型并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何等同修改和替代也都在本实用新型的范畴之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本实用新型的范围内。