本发明涉及向基板涂敷药液的涂敷方法。基板是半导体晶片、光掩膜用玻璃基板、液晶显示用基板、等离子体显示器用基板、有机el用基板、fed(fieldemissiondisplay：场致发射显示器)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
日本特开2002-175966号公报公开了在基板上形成抗蚀剂膜的涂敷方法。涂敷方法包括溶剂供给工序和药液供给工序。在溶剂供给工序中使溶剂滴在基板上。更详细地说，在溶剂供给工序中使溶剂滴在静止的基板的中心部。在滴下溶剂后，在溶剂供给工序中使基板旋转来甩开溶剂。在药液供给工序中，使基板旋转，并且使药液(具体而言为抗蚀剂膜材料)滴在基板上。在滴下药液后，在药液供给工序中使基板旋转来甩开药液。
如上所述，涂敷方法包括溶剂供给工序。因此，在药液供给工序中，能够使药液同心圆状地扩散。换言之，在药液供给工序中，能够防止药液向基板的周缘部的一部分细长地延伸。由此，能够抑制在基板与药液之间产生气泡。
然而，在具有这种结构的以往例的情况下存在如下的问题。
在以往的涂敷方法中，有时难以将药液合适地涂敷于基板。例如，存在药液未被涂敷在基板的一部分的情况。这样的现象被称为“膜破裂”或“漏涂”等。而且，例如，存在形成于基板上的药液的涂膜不具有均匀的膜厚度的情况。
特别地，当基板包括在其上表面上形成的凹部时，更难将药液合适地涂敷于基板。例如，存在药液仅进入一部分的凹部，而未进入其他凹部的情况。
技术实现要素：
本发明鉴于这样的情况而提出，其目的在于，提供一种能够将药液合适地涂敷于基板的涂敷方法。
为了达到这样的目的，本发明构成如下。
即，本发明的涂敷方法，向基板涂敷药液，其中，包括：溶剂供给工序，向基板供给溶剂；以及药液供给工序，在所述溶剂供给工序之后，向基板供给药液，所述溶剂供给工序包括第一工序，在所述第一工序中，使基板以第一转速旋转，使溶剂喷嘴在基板的中心部的上方的中心位置与基板的周缘部的上方的周缘位置之间移动，并且从所述溶剂喷嘴喷出溶剂。
在第一工序中，使基板以第一转速旋转，使溶剂喷嘴在中心位置与周缘位置之间移动，并且从溶剂喷嘴喷出溶剂。当溶剂喷嘴位于中心位置时，溶剂喷嘴使溶剂落到基板的中心部。当溶剂喷嘴位于周缘位置时，溶剂喷嘴使溶剂落到基板的周缘部。这样，在第一工序中，向基板的中心部和基板的周缘部同样地供给溶剂。由此，在第一工序中，能够向整个基板均匀地供给溶剂。
药液供给工序在溶剂供给工序之后进行。由于向整个基板均匀地供给溶剂，因此，在药液供给工序中，能够向基板合适地供给药液。这样，根据本涂敷方法，能够线基板合适地涂敷药液。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述第一转速大于0rpm且小于500rpm，所述溶剂喷嘴具有喷出溶剂的喷出口，在所述第一工序中，在所述溶剂喷嘴在所述中心位置与所述周缘位置之间移动的期间，基板旋转的圈数为基准值以上，所述基准值为基板的半径除以所述喷出口的尺寸而得到的值。
第一转速较低。由此，假设在基板具有凹部的情况下，溶剂能够容易地进入凹部。由于溶剂进入凹部，因此，在药液供给工序中，能够使药液顺畅地进入凹部。
而且，在第一工序中，在溶剂喷嘴在中心位置与周缘位置之间移动的期间，基板旋转的圈数为基准值以上。换言之，在第一工序中，在溶剂喷嘴在中心位置与周缘位置之间移动的期间，基板旋转基准值以上的圈数。因此，溶剂落到基板的大部分区域。由此，在第一工序中，能够向整个基板更均匀地供给溶剂。
在上述的涂敷方法中，优选地，在所述第一工序中，所述溶剂喷嘴在所述中心位置与所述周缘位置之间移动的期间为第一基准时间以上，所述第一基准时间为所述基准值除以所述第一转速而得到的值。换言之，在上述的涂敷方法中，优选地，在第一工序中，溶剂喷嘴经过第一基准时间以上的时间在中心位置与周缘位置之间移动。这样一来，溶剂同样地落到基板的大部分区域。由此，在第一工序中，能够向整个基板更均匀地供给溶剂。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述溶剂供给工序包括布满工序，在该布满工序中，保持在基板上布满溶剂的状态。在布满工序中，能够使溶剂合适地紧贴基板。假设在基板具有凹部的情况下，溶剂能够更容易地进入凹部。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述溶剂供给工序包括第二工序，在该第二工序中，使基板以第二转速旋转，使所述溶剂喷嘴在所述中心位置与所述周缘位置之间移动，并且从所述溶剂喷嘴喷出溶剂。第二工序是与第一工序类似的工序。即，在第二工序中，使基板旋转，使溶剂喷嘴在中心位置与周缘位置之间移动，并且从溶剂喷嘴喷出溶剂。由此，在第二工序中，能够向整个基板均匀地供给溶剂。由于溶剂供给工序除了第一工序以外还包括第二工序，因此，能够向整个基板更均匀地供给溶剂。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述第二转速大于0rpm且小于500rpm。第二转速较低。由此，假设在基板具有凹部的情况下，溶剂能够容易地进入凹部。由于溶剂进入凹部，因此，在药液供给工序中能够使药液顺畅地进入凹部。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述溶剂供给工序包括薄膜化工序，在该薄膜化工序中，使基板旋转，使形成于基板上的溶剂的膜的厚度变小。溶剂供给工序包括薄膜化工序。因此，在药液供给工序中，向较薄的溶剂膜上供给药液。其结果，能够合适地防止药液的涂膜厚度产生偏差。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述第一转速为500rpm以上。第一转速较高。由此，假设在基板具有凹部的情况下，溶剂难以进入凹部。因此，假设在基板具有凹部的情况下，能够不利用溶剂充满凹部而覆盖凹部的上方。以下，将不利用溶剂充满凹部而利用溶剂覆盖凹部的上方的情况称为“利用溶剂覆盖凹部”。由于凹部被溶剂覆盖，因此，在药液供给工序中，能够不利用药液充满凹部而利用药液覆盖凹部的上方。以下，将不利用药液充满凹部而利用药液覆盖凹部的上方的情况称为“利用药液覆盖凹部”。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述溶剂喷嘴具有喷出溶剂的喷出口，在所述第一工序中，在所述溶剂喷嘴在所述中心位置与所述周缘位置之间移动的期间，基板旋转的圈数在基准值的±20％的范围内，所述基准值为基板的半径除以所述喷出口的尺寸而得到的值。换言之，在上述的涂敷方法中，优选地，在第一工序中，在溶剂喷嘴在中心位置与周缘位置之间移动的期间，基板旋转的圈数在基准值的±20％的范围内。这样一来，溶剂落到基板的大部分区域。由此，在第一工序中，能够向整个基板更均匀地供给溶剂。
在上述的涂敷方法中，优选地，在所述第一工序中，所述溶剂喷嘴在所述中心位置与所述周缘位置之间移动的期间在第一基准时间的±20％的范围内，所述第一基准时间为所述基准值除以所述第一转速而得到的值。换言之，在上述的涂敷方法中，优选地，在第一工序中，溶剂喷嘴经过第一基准时间的±20％的范围内的时间在中心位置与周缘位置之间移动。这样一来，溶剂同样地落到基板的大部分区域。由此，在第一工序中，能够向整个基板更均匀地供给溶剂。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述溶剂供给工序包括薄膜化工序，在该薄膜化工序中，使基板旋转，使形成于基板上的溶剂的膜的厚度变小。溶剂供给工序包括薄膜化工序。因此，在药液供给工序中，向较薄的溶剂膜上供给药液。其结果，能够合适地防止药液的涂膜的厚度产生偏差。
在上述的涂敷方法中，优选地，所述溶剂供给工序仅进行所述第一工序和所述薄膜化工序。由此能够缩短溶剂供给工序所需的时间。而且，能够降低在溶剂供给工序中使用的溶剂的量。假设在基板具有凹部的情况下，能够利用溶剂更合适地覆盖凹部。其结果，在药液供给工序中，能够利用药液更合适地覆盖凹部。
在上述的涂敷方法中，优选地，在所述药液供给工序中向基板供给的药液具有200cp以上的粘度。药液具有较高粘度。因此，假设在基板具有凹部的情况下，药液更难进入凹部。由此，假设在基板具有凹部的情况下，能够利用药液更合适地覆盖凹部。
在上述的涂敷方法中，优选地，在所述第一工序中，所述溶剂喷嘴从所述中心位置移动到所述周缘位置。溶剂喷嘴相比周缘位置先在中心位置喷出溶剂。在中心位置，溶剂喷嘴能够向基板顺畅地供给溶剂。而且，使溶剂喷嘴从中心位置移动到周缘位置。因此，能够将溶剂顺畅地供给到基板的中心部至周缘部。
在上述的涂敷方法中，优选地，从溶剂喷嘴喷出的溶剂以棒状流下。溶剂喷嘴能够使溶剂合适地落到基板上。
在上述的涂敷方法中，优选地，基板在俯视时具有圆形状。换言之，在上述的涂敷方法中，优选地，基板是圆形基板。在溶剂供给工序中，能够向整个基板更均匀地供给溶剂。同样地，在药液供给工序中，能够向整个基板更均匀地供给药液。
在上述的涂敷方法中，优选地，基板具有形成于基板的上表面的凹部。即使在基板具有凹部的情况下，在本涂敷方法的溶剂供给工序中，也能够向整个基板均匀地供给溶剂。其结果，在药液供给工序中，能够向基板合适地供给药液。这样，在基板具有凹部的情况下，本涂敷方法具有非常高的实用性。
此处，“凹部”例如是形成于基板的上表面的图案的一部分。
附图说明
应当理解的是，虽然图示了目前被认为适合于说明本发明的几种实施方式，但本发明不意图限于所图示的发明的结构及方案。
图1是示出实施例1的基板处理装置的概略结构的图。
图2是溶剂喷嘴的侧视图。
图3是溶剂喷嘴的仰视图。
图4是实施例1的基板处理装置的俯视图。
图5是说明溶剂喷嘴的位置的侧视图。
图6a-6f是示意性示出实施例1的溶剂供给工序的图。
图7是示出实施例1的涂敷方法的顺序的流程图。
图8是说明第一工序的动作的俯视图。
图9是示意性示出落下区域的俯视图。
图10a、10b是示意性示出实施例1的药液供给工序的图。
图11a-11d是示意性示出比较例的涂敷方法的图。
图12a、12b是实施例1的第一工序的概念图。
图13a、13b是比较例的溶剂供给工序的概念图。
图14是药液喷嘴的仰视图。
图15是实施例2的基板处理装置的俯视图。
图16是示出实施例2的涂敷方法的顺序的流程图。
图17a-17c是示意性示出实施例2的溶剂供给工序的图。
图18a-18c是示意性示出实施例2的药液供给工序的图。
图19是示出实施例2的旋转工序的图。
图20a、20b是实施例2的第一工序的概念图。
附图标记的说明：
1基板处理装置
11旋转保持部
26溶剂喷嘴
26a喷出口
27移动机构
36药液喷嘴
36a喷出口
37移动机构
39控制部
41、41a、41b凹部
43凸部
b落下区域
c中心部
d喷出口26a的尺寸
e周缘部
f溶剂
g、g1、g2、g3药液
pa中心位置
pb周缘位置
r基板w的半径
r1第一转速
r2第二转速
n基准值
t1第一基准时间
t2第二基准时间
w基板
具体实施方式
(实施例1)
下面，参照附图说明本发明的实施例1。
1.基板处理装置1的概要
图1是表示实施例1的基板处理装置的概略结构的图。基板处理装置1对基板(例如，半导体晶片)w涂敷药液。
基板处理装置1具有旋转保持部11，该旋转保持部11将基板w保持为能够旋转。旋转保持部11包括旋转卡盘13和驱动部15。旋转卡盘13将基板w保持为大致水平姿势。旋转卡盘13通过吸附基板w的下表面中央部来保持基板w。驱动部15与旋转卡盘13的下部连接。驱动部15使旋转卡盘13及基板w一体地旋转。基板w以旋转中心a为中心进行旋转。旋转中心a与铅垂方向大致平行。基板w包括中心部c和周缘部e。旋转中心a通过基板w的中心部c。驱动部15例如是马达。
基板处理装置1具有向基板w供给溶剂的溶剂供给部21。溶剂供给部21具有溶剂供给源23、配管24、开闭阀25、溶剂喷嘴26和移动机构27。溶剂供给源23贮存溶剂。配管24具有与溶剂供给源23连通并连接的第一端。配管24具有与溶剂喷嘴26连通并连接的第二端。开闭阀25设置在配管24上。开闭阀25对配管24内的溶剂的流路进行开闭。溶剂喷嘴26喷出溶剂。移动机构27移动溶剂喷嘴26。
溶剂例如是有机溶剂。溶剂例如是稀释剂、pgmea(丙二醇甲醚醋酸酯)、乳化乙基、ipa(异丙醇)等。
基板处理装置1具有向基板w供给药液的药液供给部31。药液供给部31具有药液供给源33、配管34、开闭阀35、药液喷嘴36和移动机构37。药液供给源33贮存药液。配管34具有与药液供给源33连通并连接的第一端。配管34具有与药液喷嘴36连通并连接的第二端。开闭阀35设置在配管34上。开闭阀35对配管34内的药液的流路进行开闭。药液喷嘴36喷出药液。移动机构37移动药液喷嘴36。
药液例如是在基板w上形成涂膜的涂敷液。涂膜例如是抗蚀剂膜、保护膜、绝缘膜、sog(spinonglass：旋涂玻璃)膜或sod(spinondielectric：旋涂介电材料)膜。绝缘膜包括层间绝缘膜的含义。涂敷液例如包含聚酰亚胺等树脂。涂敷液例如是抗蚀剂膜材料、保护膜材料、绝缘膜材料、sog膜材料或sod膜材料。
基板处理装置1具有飞散防止杯38。飞散防止杯38配置在旋转卡盘13的周围。飞散防止杯38接住并回收从基板w飞散的处理液(即，药液、溶剂等)。
基板处理装置1具有控制部39。控制部39统一控制上述的各结构。具体而言，控制部39控制驱动部15来调节基板w的转速(例如，每分钟的转数[rpm])。控制部39控制移动机构27、37来使溶剂喷嘴26及药液喷嘴36移动。控制部39控制开闭阀25、35来切换溶剂及药液的供给、停止。
控制部39具有预先设定有用于处理基板w的处理条件的处理方法等。处理条件是例如关于基板w的转速、溶剂喷嘴26的位置、溶剂的供给量、药液喷嘴36的位置及药液的供给量的信息等。控制部39由执行各种处理的中央运算处理装置(cpu)、作为运算处理的工作区域的ram(random-accessmemory：随机存取存储器)、存储各种信息的固定硬盘等存储介质等来实现。
2.溶剂喷嘴26及与其关联的结构
图2是溶剂喷嘴26的侧视图。溶剂喷嘴26是直线型喷嘴。溶剂喷嘴26从溶剂喷嘴26的下表面喷出溶剂f。溶剂喷嘴26向下方喷出溶剂f。
图3是溶剂喷嘴26的仰视图。溶剂喷嘴26具有喷出溶剂f的喷出口26a。喷出口26a形成于溶剂喷嘴26的下表面。喷出口26a具有大致圆形的形状。喷出口26a具有尺寸d。尺寸d例如是喷出口26a的直径。
图4是基板处理装置1的俯视图。图4省略了移动机构37的图示。
基板w在俯视下具有圆形状。基板w是圆形基板。基板w具有半径r。
移动机构27具有臂部27a、轴部27b和驱动部27c。臂部27a沿着大致水平方向延伸。臂部27a具有用于保持溶剂喷嘴26的顶端部。溶剂喷嘴26配置在比被旋转保持部11保持的基板w更高的位置。臂部27a具有与轴部27b连接的基端部。轴部27b支撑臂部27a。轴部27b沿着大致铅垂方向延伸。轴部27b配置在飞散防止杯38的外侧。驱动部27c与轴部27b连接。驱动部27c使轴部27b旋转。通过轴部27b的旋转，溶剂喷嘴26以轴部27b为中心进行旋转。
移动机构27使溶剂喷嘴26移动到中心位置pa、周缘位置pb和退避位置pc。在俯视时，中心位置pa是与基板w的中心部c重叠的位置。在俯视时，周缘位置pb是与基板w的周缘部e重叠的位置。在俯视时，退避位置pc是不与基板w重叠的位置。
图5是说明溶剂喷嘴26的位置的侧视图。中心位置pa是基板w的中心部c上方的位置。当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂喷嘴26位于旋转中心a上。周缘位置pb是基板w的周缘部e上方的位置。
虽省略了图示，但移动机构37使药液喷嘴36移动到中心位置pa和退避位置pc。药液喷嘴36的中心位置pa可以是与溶剂喷嘴26的中心位置pa相同的位置，也可以是与溶剂喷嘴26的中心位置pa不同的位置。药液喷嘴36的退避位置pc也是同样的。
3.实施例1的涂敷方法
图6a是示意性示出实施涂敷方法的基板w的图。首先，例示了实施涂敷方法的基板w。
涂敷方法被实施于被旋转保持部11保持为大致水平的基板w。基板w的上表面大致水平。但是，基板w的上表面并不平坦。基板w的上表面具有阶梯。
具体而言，基板w具有凹部41和凸部43。凹部41和凸部43分别形成于基板w的上表面。凹部41向下方凹陷。凸部43向上方突出。
凹部41包括凹部41a和凹部41b。凹部41a配置在基板w的中心部c。凹部41b配置在基板w的周缘部e。
凹部41和凸部43例如是形成于基板w的上表面的图案的一部分。即，基板w具有形成于基板w的上表面的图案。凹部41例如是空间、孔或沟槽。孔包括导通孔、通孔及接触孔等含义。凸部43例如是线、点或侧壁。
图7是表示实施例1的涂敷方法的顺序的流程图。例示了由基板处理装置1执行的涂敷方法。
涂敷方法包括溶剂供给工序(步骤s10)和药液供给工序(步骤s20)。在溶剂供给工序中向基板w供给溶剂f。溶剂供给工序也叫做“预湿”。药液供给工序在溶剂供给工序之后进行。在药液供给工序中向基板w供给药液。
溶剂供给工序包括第一工序(步骤s11)、布满工序(步骤s12)、第二工序(步骤s13)和薄膜化工序(步骤s14)。药液供给工序包括中心喷出工序(步骤s21)和旋转工序(步骤s22)。
下面说明各工序。在以下的说明中，各结构通过控制部39的控制来进行动作。
<步骤s11>第一工序
图8是说明第一工序的动作的俯视图。在第一工序中，使基板w以第一转速r1旋转，使溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，并且从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。更具体而言，在第一工序中，使溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb。图8示出溶剂喷嘴26移动的路径l1。路径l1是在俯视时在基板w的径向上近似的曲线。在第一工序中，溶剂喷嘴26从中心位置pa向周缘位置pb的移动进行一次。在第一工序中，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间内，从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。
图6b、6c是示意性示出第一工序的图。溶剂f从溶剂喷嘴26向铅垂下方落下。落下的溶剂f呈现棒形状或柱形状。即，从溶剂喷嘴26喷出的溶剂f以棒形状或柱形状流下。在溶剂喷嘴26与基板w之间，形成溶剂f的液柱。溶剂f的液柱沿着大致铅垂方向延伸。
溶剂f落到基板w的上表面。即，溶剂f与基板w的上表面接触。溶剂f大致垂直地落到基板w的上表面。在溶剂f落到基板w后，溶剂f在基板w的上表面沿大致水平方向扩散。
第一转速r1较小。具体而言，优选地，第一转速r1大于0rpm且小于500rpm。更优选地，第一转速r1大于0rpm且在300rpm以下。还优选地，第一转速r1在100rpm以上且200rpm以下。
优选地，第一转速r1恒定。优选地，第一工序中的溶剂喷嘴26的移动速度恒定。
参照图6b。当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂喷嘴26喷出的溶剂f落到凹部41a。溶剂f从凹部41a的正上方落到凹部41a。由于第一转速r1较低，因此，溶剂f进入凹部41a。凹部41a被溶剂f充满。
参照图6c。当溶剂喷嘴26位于周缘位置pb时，溶剂喷嘴26喷出的溶剂f落到凹部41b。溶剂f从凹部41b的正上方落到凹部41b。由于第一转速r1较低，因此，溶剂f进入凹部41b。凹部41b被溶剂f充满。
而且，在基板w的上表面上形成溶剂f的膜。溶剂f的膜遍布基板w的整个上表面。溶剂f的膜覆盖基板w的整个上表面。
在此，将基板w的半径r除以喷出口26a的尺寸d的值称为基准值n(参照式(1))。
n＝r/d···(1)
将基准值n除以第一转速r1的值称为第一基准时间t1(参照式(2))。
t1＝n/r1···(2)
在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转的圈数为基准值n以上。换言之，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转基准值n以上的圈数。溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间为第一基准时间t1以上。换言之，溶剂喷嘴26经过第一基准时间t1以上的时间从中心位置pa移动到周缘位置pb。
例如，设定基板w的半径r为150[mm]，喷出口26a的尺寸d为3[mm]，第一转速r1为150[rpm]。在该情况下，基准值n为50，第一基准时间t1为20[sec](1/3[min])。即，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转50周以上。溶剂喷嘴26经过20[sec]以上的时间从中心位置pa移动到周缘位置pb。
图9是示意性示出落下区域b的俯视图。落下区域b是溶剂f落到基板w的区域。某一时刻的落下区域b具有与喷出口26a大致相同的大小。某一时刻的落下区域b的位置在俯视下与该时刻的喷出口26a的位置大致相同。
通过使溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，落下区域b从中心部c移动到周缘部e。通过使溶剂喷嘴26移动并且使基板w旋转，落下区域b在俯视时旋涡状(螺旋状)地移动。图9示出落下区域b的轨迹l2。
在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转基准值n以上的圈数。溶剂喷嘴26经过第一基准时间t1以上的时间从中心位置pa移动到周缘位置pb。其结果，落下区域b遍布基板w的上表面的大部分。即，溶剂f落到基板w的大部分区域。
如上所述，在第一工序中，溶剂f既落到中心部c也落到周缘部e。溶剂f落到基板w的大部分区域。这样，溶剂f被均匀地供给到整个基板w。溶剂f进入各凹部41。
<步骤s12>布满工序
图6d是示意性示出布满工序的图。布满工序在第一工序之后进行。布满工序保持在基板w上布满溶剂f的状态。在布满工序中，使基板w的转速从第一转速r1降低，并且停止从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。优选地，布满工序中的基板w的转速为0rpm以上且10rpm以下。在布满工序中例如也可以使基板w静止。在布满工序中例如也可以使溶剂喷嘴26静止于周缘位置pb。这样一来，在布满工序结束后，能够迅速开始第二工序。优选地，布满工序的期间例如为5[sec]以上。优选地，布满工序的期间例如为30[sec]以下。
在布满工序中，在基板w上形成有溶剂f的膜。溶剂f的膜覆盖基板w的整个上表面。溶剂f的膜较厚。凹部41及凸部43均浸渍于溶剂f中。
<步骤s13>第二工序
图6e是示意性示出第二工序的图。第二工序在布满工序之后进行。第二工序与第一工序类似。在第二工序中，使基板w以第二转速r2旋转，使溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，并且从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。具体而言，第二工序使溶剂喷嘴26从周缘位置pb移动到中心位置pa。第二工序中的溶剂喷嘴26的移动方向与第一工序中的溶剂喷嘴26的移动方向相反。在第二工序中，溶剂喷嘴26从周缘位置pb向中心位置pa的移动进行一次。在第二工序中，在溶剂喷嘴26从周缘位置pb移动到中心位置pa的期间，从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。
第二转速r2较小。具体而言，优选地，第二转速r2大于0rpm且小于500rpm。更优选地，第二转速r2大于0rpm且在300rpm以下。还优选地，第二转速r2为100rpm以上且200rpm以下。
第二转速r2也可以与第一转速r1相同。第二转速r2也可以与第一转速r1不同。
优选地，第二转速r2恒定。优选地，第二工序中的溶剂喷嘴26的移动速度恒定。
在此，将基准值n除以第二转速r2的值称为第二基准时间t2(参照式(3))。
t2＝n/r2···(3)
在溶剂喷嘴26从周缘位置pb移动到中心位置pa的期间，基板w旋转的圈数为基准值n以上。换言之，在溶剂喷嘴26从周缘位置pb移动到中心位置pa的期间，基板w旋转基准值n以上的圈数。溶剂喷嘴26从周缘位置pb移动到中心位置pa的期间为第二基准时间t2以上。换言之，溶剂喷嘴26经过第二基准时间t2以上的时间从周缘位置pb移动到中心位置pa。
例如，设定基板w的半径r为150[mm]，喷出口26a的尺寸d为3[mm]，第二转速r2为300[rpm]。在该情况下，基准值n为50，第二基准时间t2为10[sec](1/6[min])。即，在溶剂喷嘴26从周缘位置pb移动到中心位置pa的期间，基板w旋转50周以上。溶剂喷嘴26经过10[sec]以上的时间从周缘位置pb移动到中心位置pa。
如上所述，在第二转速r2高于第一转速r1的情况下，第二基准时间t2比第一基准时间t1短。例如在第二转速r2是第一转速r1的2倍的情况下，第二基准时间t2是第一基准时间t1的一半。在这些情况下，能够缩短第二工序所需的时间。
在第二工序中，溶剂f既落到中心部c也落到周缘部e。溶剂f落到基板w的大部分区域。这样，溶剂f被均匀地供给到整个基板w。溶剂f进入各凹部41。
<步骤s14>薄膜化工序
图6f是示意性示出薄膜化工序的图。薄膜化工序在第二工序之后进行。在薄膜化工序中，使基板w旋转，并且停止从溶剂喷嘴26喷出溶剂f
薄膜化工序中的基板w的转速大于第一转速r1。薄膜化工序中的基板w的转速大于第二转速r2。优选地，薄膜化工序中的基板w的转速为数百[rpm]至数千[rpm]。优选地，薄膜化工序的期间例如为1[sec]。
薄膜化工序甩开基板w上的溶剂f。在薄膜化工序中，使基板w上的溶剂f向基板w外侧飞散。在薄膜化工序中，使形成于基板w上的溶剂f的膜的厚度变小。通过薄膜化工序，溶剂f的膜的厚度在整个基板w上变得更均匀。但是，薄膜化工序不使基板w上的溶剂f干燥。在薄膜化工序结束时，溶剂f的薄膜也依然覆盖基板w的整个上表面。
因薄膜化工序的结束，溶剂供给工序结束。在溶剂供给工序结束之后，药液供给工序开始。
<步骤s21>中心喷出工序
图10a是示意性示出中心喷出工序的图。中心喷出工序使药液喷嘴36静止于中心位置pa，使药液喷嘴36喷出药液g。中心喷出工序可以使基板w旋转，也可以使基板w静止。
药液g被供给给基板w的中心部c。药液g被供给至溶剂f的膜上。药液g进入凹部41a。
<步骤s22>旋转工序
图10b是示意性示出旋转工序的图。旋转工序在中心喷出工序之后进行。旋转工序使基板w旋转，并且停止从药液喷嘴36喷出药液g。
药液g在基板w的上表面沿着水平方向顺畅地扩散。药液g顺畅地扩散至基板w的整个上表面。在基板w上形成药液g的涂膜。
药液g顺畅地进入各凹部41。换言之，凹部41内的溶剂f被顺畅地置换为药液g。各凹部41被药液g充满。
因旋转工序的结束，药液供给工序结束。实施例1的涂敷方法如上所述。
4.实施例1与比较例的对比及研究
接下来，例示了比较例的涂敷方法的顺序。并且，将实施例1的涂敷方法与比较例的涂敷方法进行对比。
图11a-11d是示意性表示比较例的涂敷方法的图。为了便于说明，在图11a-11d使用与实施例1相同的附图标记来表示比较例的涂敷方法。
比较例的涂敷方法包括溶剂供给工序和药液供给工序。
在溶剂供给工序中，向静止的基板w的中心部c供给溶剂f(图11a)。接着，在溶剂供给工序中，使基板w旋转(图11b)。由此，溶剂f扩散至基板w的整个上表面。溶剂f仅进入凹部41a。溶剂f不进入凹部41a以外的凹部41。
在药液供给工序中，向基板w的中心部c供给药液g(图11c)。接着，在药液供给工序中，使基板w旋转(图11d)。由此，药液g在基板w的上表面扩散。在基板w上形成药液g的涂膜。药液g仅进入凹部41a。药液g不进入凹部41a以外的凹部41。
这样，在比较例的涂敷方法中，药液g未合适地进入各凹部41。药液g同样也未进入多个凹部41。在多个凹部41之间，进入凹部41的药液g的量产生偏差。药液g进入凹部41的方式因凹部41的位置而不同。
对于比较例的涂敷方法中药液g未合适地进入各凹部41的原因，本发明的发明者们推测如下。
图12a、12b是比较例的溶剂供给工序的概念图。在比较例的溶剂供给工序中，基板w静止，溶剂f落到基板w的中心部c。因此，溶剂f能够容易地进入凹部41a的底部(参照图12a)。
在比较例的溶剂供给工序中，溶剂f未落到中心部c以外。在基板w的中心部c以外的部分，溶剂f仅沿着大致水平方向流动。因此，溶剂f难以进入凹部41a以外的凹部41(参照图12b)。
其结果，在比较例的药液供给工序中，虽然药液g能够顺畅地进入凹部41a，但药液g难以顺畅地进入凹部41a以外的凹部41。
这样，在比较例的涂敷方法中，由于溶剂f同样未进入各凹部41，因此，不能将药液g合适地涂敷于基板w。
对此，在实施例1的涂敷方法中，如上所述，无论凹部41的位置如何，药液g都能充分进入各凹部41。在实施例1的涂敷方法中，药液g同样地进入任一凹部41。关于实施例1的涂敷方法中药液g合适地进入各凹部41的原因，本发明的发明者们推测如下。
图13a、13b是实施例1的第一工序的概念图。在第一工序中，基板w的第一转速r1较小，并且溶剂f落到中心部c。因此，当溶剂f落到中心部c时，溶剂f几乎不沿着基板w的旋转方向流动。换言之，即使溶剂f落到基板w上，溶剂f向下移动的能量也难以分散。由此，溶剂f能够容易地进入凹部41a的底部(参照图13a)。
而且，在第一工序中，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转基准值n以上的圈数。在第一工序中，溶剂喷嘴26经过第一基准时间t1以上的时间从中心位置pa移动到周缘位置pb。由此，溶剂f落到基板w的大部分区域。由此，溶剂f也能够容易地进入凹部41a以外的凹部41的底部(参照图13b)。
其结果，在实施例1的药液供给工序中，药液g能够顺畅地进入各凹部41。
这样，在实施例1的涂敷方法中，由于溶剂f同样地进入各凹部41，因此，能够将药液g合适地涂敷于基板w。
5.实施例1的效果
根据实施例1的涂敷方法，能够起到以下的效果。
在第一工序中，使基板w以第一转速r1旋转，使溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，并且从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂喷嘴26使溶剂f落到中心部c。当溶剂喷嘴26位于周缘位置pb时，溶剂喷嘴26使溶剂f落到周缘部e。这样，在第一工序中，向中心部c和周缘部e同样地供给溶剂f。由此，在第一工序中，能够对整个基板w均匀地供给溶剂f。因此，在药液供给工序中，药液g顺畅地扩散至整个基板w。由此，在药液供给工序中，能够对基板w均匀地涂敷药液g。这样，根据本涂敷方法，能够将对药液g合适地涂敷于基板w。
而且，根据第一工序，能够向整个基板w高效地供给溶剂f。由此，能够抑制溶剂f的使用量，并且能够向整个基板w均匀地供给溶剂f。
由于第一转速r1较低，因此，溶剂f能够容易地进入各凹部41。由于溶剂f进入凹部41，因此，在药液供给工序中，药液g能够顺畅地进入各凹部41。由此，能够使药液g合适地流入各凹部41。
在第一转速r1大于0rpm且小于500rpm的情况下，溶剂f能够顺畅地流入各凹部41。在第一转速r1大于0rpm且在300rpm以下的情况下，溶剂f能够更顺畅地进入各凹部41。在第一转速r1为100rpm以上且200rpm以下的情况下，溶剂f能够更进一步顺畅地进入各凹部41。
在第一工序中，在溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的期间，基板w旋转的圈数为基准值n以上。因此，在第一工序中，溶剂f落到基板w的大部分区域。因此，在第一工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。
在第一工序中，溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的期间为第一基准时间t1以上。因此，在第一工序中，溶剂f落到基板w的大部分区域。因此，在第一工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。
在第一工序中，溶剂喷嘴26相比周缘位置pb先在中心位置pa喷出溶剂f。当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂喷嘴26能够向基板w顺畅地供给溶剂f。当溶剂喷嘴26位于周缘位置pb时，溶剂f落到基板w的周缘端，溶剂f可能大量地飞散。与此相对，当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂f不会大量地飞散。
二期，在第一工序中，溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb。因此，能够从基板w的中心部c至周缘部e顺畅地持续供给溶剂f。
在第一工序中，溶剂喷嘴26在中心位置pa开始供给溶剂f。由此，在第一工序中，能够顺畅地开始溶剂f的供给。
从溶剂喷嘴26喷出的溶剂f以棒状流下。因此，溶剂喷嘴26能够使溶剂f合适地落到基板w上。
溶剂供给工序包括布满工序。因此，能够使溶剂f合适地渗入基板w。而且，溶剂f能够更容易地进入各凹部41。
溶剂供给工序包括第一工序和类似的第二工序。由此，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。
由于第二转速r2较低，因此，溶剂f能够容易地进入各凹部41。
在第二转速r2大于0rpm且小于500rpm的情况下，溶剂f能够顺畅地进入各凹部41。在第二转速r2大于0rpm且在300rpm以下的情况下，溶剂f能够更顺畅地进入各凹部41。在第二转速r2为100rpm以上且200rpm以下的情况下，溶剂f能够更进一步顺畅地进入各凹部41。
在第二工序中，在溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的期间，基板w旋转的圈数为基准值n以上。因此，溶剂f同样地落到基板w的大部分区域。由此，在第二工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。
在第二工序中，溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的期间为第二基准时间t2以上。因此，溶剂f同样地落到基板w的大部分区域。由此，在第二工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。
溶剂供给工序包括薄膜化工序。因此，能够合适地使溶剂f的膜的厚度变小。在药液供给工序中，向溶剂f的薄膜上供给药液g。其结果，能够在基板w上形成厚度大致均匀的药液g的涂膜。能够合适地防止药液g的涂膜的厚度产生偏差。
基板w在俯视时呈圆形状。因此，在溶剂供给工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。同样地，在药液供给工序中，能够向整个基板w更均匀地供给药液g。
基板w具有凹部41。即使在该情况下，在本涂敷方法的溶剂供给工序中，也能够向整个基板w均匀地供给溶剂f。其结果，在药液供给工序中，能够将药液g合适地涂敷于基板w。这样，在基板w具有凹部41的情况下，本涂敷方法具有非常高的实用性。
(实施例2)
下面，参照附图说明本发明的实施例2。此外，对与实施例1相同的结构标记相同的附图标记，并省略详细的说明。
实施例2的基板处理装置1的概要与实施例1的基板处理装置1的概要大致相同。因此，省略了关于实施例2的基板处理装置1的概要的说明。
1.药液喷嘴36及与其关联结构
图14是药液喷嘴36的仰视图。药剂喷嘴36是狭缝喷嘴。药剂喷嘴36具有喷出药液g的喷出口36a。喷出口36a形成于药液喷嘴36的下表面。喷出口36a具有细长的形状。喷出口36a具有大致长方形状。
图15是基板处理装置1的俯视图。图15省略了移动机构27的图示。
移动机构37具有臂部37a、轴部37b和驱动部37c。臂部37a沿着大致水平方向延伸。臂部37a具有保持药液喷嘴36的顶端部。药液喷嘴36配置在比被旋转保持部11保持的基板w高的位置。药液喷嘴36配置为喷出口36a的长度方向在俯视时与基板w的径向一致。臂部37a具有与轴部37b连接的基端部。轴部37b支撑臂部37a。轴部37b沿着大致铅垂方向延伸。驱动部37c与轴部37b连接。驱动部37c使轴部37b沿着大致水平方向移动。驱动部37c配置在飞散防止杯38的外侧。通过驱动部37c使轴部37b移动，药液喷嘴36沿着大致水平方向移动。更详细地说，药液喷嘴36在俯视时沿着与喷出口36a的长度方向相同的方向移动。在喷出口36a的长度方向在俯视时与基板w的径向一致的状态下，药液喷嘴36在俯视时向中心部c移动。
移动机构37使药液喷嘴36在中心位置pa、周缘位置pb和退避位置pc之间移动。在俯视时，中心位置pa是与基板w的中心部c重叠的位置。在俯视时，周缘位置pb是与基板w的周缘部e重叠的位置。在俯视时，退避位置pc是不与基板w重叠的位置。
药液喷嘴36的中心位置pa可以是与溶剂喷嘴26的中心位置pa相同的位置，也可以是与溶剂喷嘴26的中心位置pa不同的位置。药液喷嘴36的周缘位置pb及退避位置pc也是同样。
2.实施例2的涂敷方法
接下来，例示了由基板处理装置1执行的涂敷方法。图16是示出实施例2的涂敷方法的顺序的流程图。涂敷方法包括溶剂供给工序(步骤s10)和药液供给工序(步骤s20)。
溶剂供给工序包括第一工序(步骤s15)和薄膜化工序(步骤s16)。药液供给工序包括周缘喷出工序(步骤s23)、喷出工序(步骤s24)、积液工序(步骤s25)和旋转工序(步骤s26)。下面说明各工序。
<步骤s15>第一工序
图17a、17b是示意性示出第一工序的图。在第一工序中，使基板w以第一转速r1旋转，使溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，并且从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。更详细地说，在第一工序中，使溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb。在第一工序中，溶剂喷嘴26从中心位置pa向周缘位置pb的移动进行一次。在第一工序中，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。
溶剂f从溶剂喷嘴26向铅垂下方落下。落下的溶剂f呈现棒形状或柱形状。即，从溶剂喷嘴26喷出的溶剂f以棒形状或柱形状流下。在溶剂喷嘴26与基板w之间形成溶剂f的液柱。溶剂f的液柱沿着大致铅垂方向延伸。
溶剂f落到基板w的上表面。即，溶剂f与基板w的上表面接触。溶剂f大致垂直地落到基板w的上表面。在溶剂f落到基板w后，溶剂f在基板w的上表面沿着大致水平方向扩散。
第一转速r1较大。具体而言，优选地，第一转速r1为500rpm以上。优选地，第一转速r1为1000rpm以下。
优选地，第一转速r1恒定。优选地，第一工序中的溶剂喷嘴26的移动速度恒定。
参照图17a。当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂喷嘴26喷出的溶剂f落到凹部41a。溶剂f从凹部41a的正上方落到凹部41a。但是，由于第一转速r1较高，因此，溶剂f难以进入凹部41a。由于第一转速r1较高，因此，溶剂f容易沿着大致水平方向在基板w的上表面流动。
参照图17b。当溶剂喷嘴26位于周缘位置pb时，溶剂喷嘴26喷出的溶剂f落到凹部41b。溶剂f从凹部41b的正上方落到凹部41b。但是，由于第一转速r1较高，因此，溶剂f难以进入凹部41b。由于第一转速r1较高，因此，溶剂f容易沿着大致水平方向在基板w的上表面流动。
二期，在基板w的上表面上形成溶剂f的膜。溶剂f的膜遍布基板w的整个上表面。溶剂f的膜覆盖基板w的整个上表面。
其结果，溶剂f未充满凹部41，而溶剂f的膜覆盖凹部41的上方。溶剂f的膜作为封闭凹部41内的空间的盖而发挥作用。在此，将溶剂f未充满凹部41而溶剂f覆盖凹部41的上方称为“利用溶剂f覆盖凹部41”。
在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转的圈数在基准值n的±20％的范围内。换言之，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w的旋转圈数为基准值n的80％以上且基准值n的120％以下。溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间在第一基准时间t1的±20％的范围内。换言之，溶剂喷嘴26经过第一基准时间t1的80％以上且第一基准时间t1的120％以下的时间，从中心位置pa移动到周缘位置pb。
例如，设定基板w的半径r为150[mm]，喷出口26a的尺寸d为3[mm]，第一转速r1为600[rpm]。在该情况下，基准值n为50，第一基准时间t1为5[sec](1/12[min])。因此，优选地，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转40以上且60以下的圈数。优选地，溶剂喷嘴26经过4[sec]以上且6[sec]以下的时间，从中心位置pa移动到周缘位置pb。
通过使溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，落下区域b从中心部c移动到周缘部e。通过使溶剂喷嘴26移动并且使基板w旋转，落下区域b以中心部c为中心的旋涡状(螺旋状)地移动。
在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w旋转的圈数在基准值n的±20％的范围内。溶剂喷嘴26经过第一基准时间t1的±20％的范围内的时间，从中心位置pa移动到周缘位置pb。其结果，落下区域b遍布基板w的上表面的大部分。即，溶剂f落到基板w的大部分区域。
如上所述，在第一工序中，溶剂f既落到中心部c也落到周缘部e。溶剂f落到基板w的大部分区域。这样，溶剂f被均匀地供给至整个基板w。溶剂f不会进入凹部41。溶剂f覆盖各凹部41。
<步骤s16>薄膜化工序
图17c是示意性示出薄膜化工序的图。薄膜化工序在第一工序之后进行。在薄膜化工序中，使基板w旋转，并且停止从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。
薄膜化工序中的基板w的转速大于第一转速r1。优选地，薄膜化工序中的基板w的转速为数百[rpm]至数千[rpm]。优选地，薄膜化工序的期间例如是1[sec]。
薄膜化工序甩开基板w上的溶剂f。在薄膜化工序中，使基板w上的溶剂f向基板w外侧飞散。在薄膜化工序中，使形成于基板w上的溶剂f的膜的厚度变小。通过薄膜化工序，溶剂f的膜的厚度在整个基板w上变得更均匀。但是，在薄膜化工序中不使基板w上的溶剂f干燥。当薄膜化工序结束时，溶剂f的薄膜与也依然覆盖基板w的整个上表面。当薄膜化工序结束时，各凹部41也依然被溶剂f覆盖。
因薄膜化工序的结束，溶剂供给工序结束。如上所述，溶剂供给工序仅进行第一工序和薄膜化工序。
<步骤s20>药液供给工序
药液供给工序供给具有较高粘度的药液g。优选地，药液g例如具有200cp以上的粘度。更优选地，药液g例如具有400cp以上的粘度。
图18a-18c是示意性示出药液供给工序的图。图18a-18c的右侧的图是俯视图。图18a-18c的左侧的图是侧视图。
在药液供给工序中，周缘喷出工序、喷出工序及积液工序喷出药液g。在此，在区分各工序喷出的药液的情况下，将周缘喷出工序喷出的药液g称为“药液g1”，将喷出工序喷出的药液g称为“药液g2”，将积液工序喷出的药液g称为“药液g3”。
<步骤s23>周缘喷出工序
图18a是示意性示出周缘喷出工序的图。在周缘喷出工序中，使基板w旋转，使药液喷嘴36静止在周缘位置pb，并且从药液喷嘴36喷出药液g1。在周缘喷出工序中，使基板w旋转1周以上。在周缘喷出工序中，在基板w旋转1周以上的期间，从药液喷嘴36喷出药液g1。
药液g1被供给至周缘部e。药液g1以置于周缘部e的方式被供给。由于凹部41b被溶剂f覆盖，因此药液g1不会进入凹部41b。
<步骤s24>喷出工序
图18b是示意性示出喷出工序的图。喷出工序在周缘喷出工序之后进行。在喷出工序中，使基板w旋转，使药液喷嘴36在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，并且从药液喷嘴36喷出药液g2。具体而言，在喷出工序中，使药液喷嘴36从周缘位置pb移动到中心位置pa。优选地，在基板w旋转1周的期间内药液喷嘴36沿着径向移动的距离在喷出口36a的长度方向的长度以下。在喷出工序中，在药液喷嘴36从周缘位置pb移动到中心位置pa的期间，从药液喷嘴36喷出药液g2。
药液g2被供给至周缘部e的内侧。以将药液g2置于基板w上的方式供给药液g2。置于基板w上的药液g2在俯视时旋涡状(螺旋状)地连接。这样，以在俯视时将药液g2置为旋涡状(螺旋状)的方式向基板w供给药液g2。以无间隙的方式供给药液g2。由于各凹部41被溶剂f覆盖，因此，药液g2不会进入任一凹部41。
<步骤s25>积液工序
图18c是示意性示出积液工序的图。积液工序在喷出工序之后进行。在积液工序中，使药液喷嘴36静止在中心位置pa，并且从药液喷嘴36喷出药液g3。在积液工序中，可以使基板w旋转，也可以使基板w静止。
药液g3被供给至中心部c。在中心部c形成药液g3的积液。药液g3的积液相比药液g1、g2向上方隆起。中心部c的没每单位面积内的药液g的量大于中心部c以外的基板w的部分中的每单位面积内的药液g的量。由于凹部41a被溶剂f覆盖，因此，药液g3不进入凹部41a。
<步骤s26>旋转工序
图19是示意性示出旋转工序的图。旋转工序在积液工序之后进行。在旋转工序中，使基板w旋转，并停止从药液喷嘴36喷出药液g。
药液g在基板w的上表面沿着大致水平方向顺畅地扩散。特别地，药液g3沿着大致水平方向顺畅地扩散。药液g在基板w的整个上表面顺畅地扩散。在基板w上形成药液g的涂膜。
由于各凹部41被溶剂f覆盖，因此，药液g不进入任一凹部41。药液g未充满凹部41而凹部41的上方被药液g的涂膜覆盖。药液g的涂膜作为封闭凹部41内的空间的盖发挥作用。在此，将药液g未充满凹部41而凹部41的上方被药液g覆盖称为“利用药液g覆盖凹部41”。
因旋转工序的结束，药液供给工序结束。实施例2的涂敷方法如上所述。
3.实施例2的相关研究
在此，对于在实施例2的涂敷方法中药液g未能合适地覆盖凹部41的原因，本发明的发明者们推测如下。
图20a、20b是实施例2的第一工序的概念图。在第一工序中，基板w的第一转速r1较大，并且溶剂f落到中心部c。因此，当溶剂f落到中心部c时，溶剂f沿着基板w的旋转方向剧烈流动。换言之，当溶剂f落到(接触)基板w上时，溶剂f向下移动的能量容易被分散。因此，能够合适地抑制溶剂f进入凹部41a(参照图20a)。
而且，在第一工序中，在溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间，基板w的旋转圈数在基准值n的±20％的范围内。在第一工序中，溶剂喷嘴26经过第一基准时间t1的±20％的范围内的时间从中心位置pa移动到周缘位置pb。由此，溶剂f全部落到整个基板w。溶剂f不会集中地落到基板w的一部分。基板w不具有局部落有溶剂f的部分。由此，能够合适地抑制溶剂f进入凹部41a以外的凹部41(参照图20b)。
这样，在溶剂供给工序中，能够使溶剂f均匀地覆盖各凹部41。
其结果，在药液供给工序中，能够合适地防止药液g进入各凹部41。在药液供给工序中，能够使药液g均匀地覆盖各凹部41。
这样，在实施例2的涂敷方法中，由于溶剂f覆盖各凹部41，因此，能够使药液g合适地覆盖各凹部41。
4.实施例2的效果
根据实施例2的涂敷方法，可以起到以下的效果。
在第一工序中，使基板w以第一转速r1旋转，使溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动，并且从溶剂喷嘴26喷出溶剂f。当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂喷嘴26使溶剂f落到中心部c。当溶剂喷嘴26位于周缘位置pb时，溶剂喷嘴26使溶剂f落到周缘部e。这样，在第一工序中，向中心部c和周缘部e同样地供给溶剂f。由此，在第一工序中，能够向整个基板w均匀地供给溶剂f。因此，在药液供给工序中，药液g顺畅地扩散至整个基板w。由此，在药液供给工序中，能够向基板w均匀地涂敷药液g。这样，根据本涂敷方法，能够将药液g合适地涂敷于基板w。
由于第一转速r1较高，因此，溶剂f难以进入凹部41。因此，能够利用溶剂f合适地覆盖凹部41。由于凹部41被溶剂f覆盖，因此，在药液供给工序中，能够利用药液g合适地覆盖凹部41。
在第一转速r1为500rpm以上的情况下，能够利用溶剂f更合适地覆盖凹部41。因此，能够利用药液g更合适地覆盖凹部41。
在第一转速r1为1000rpm以下的情况下，能够合适地防止溶剂f的干燥。
在第一工序中，在溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的期间，基板w旋转的圈数在基准值n的±20％的范围内。因此，在第一工序中，溶剂f落到基板w的大部分区域。由此，在第一工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。
在第一工序中，溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的期间在第一基准时间t1的±20％的范围内。因此，在第一工序中，溶剂f落到基板w的大部分区域。由此，在第一工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。
在第一工序中，溶剂喷嘴26相比周缘位置pb先在中心位置pa喷出溶剂f。当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂喷嘴26能够向基板w顺畅地供给溶剂f。当溶剂喷嘴26位于周缘位置pb时，溶剂f落到基板w的周缘端，溶剂f有可能大量地飞散。与此相对，当溶剂喷嘴26位于中心位置pa时，溶剂f不会大量地飞散。
而且，在第一工序中，溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb。因此，能够从基板w的中心部c至周缘部e顺畅地持续供给溶剂f。
在第一工序中，溶剂喷嘴26在中心位置pa开始供给溶剂f。由此，在第一工序中，能够顺畅地开始溶剂f的供给。
从溶剂喷嘴26喷出的溶剂f以棒状流下。因此，溶剂喷嘴26能够使溶剂f合适地落到基板w上。
溶剂供给工序包括薄膜化工序。因此，能够使溶剂f的膜的厚度合适地变小。在药液供给工序中，向溶剂f的薄膜上供给药液g。其结果，能够在基板w上形成厚度大致均匀的药液g的涂膜。能够合适地防止药液g的涂膜的厚度产生偏差。
溶剂供给工序仅进行第一工序和薄膜化工序。因此，能够缩短溶剂供给工序所需的时间。而且，能够降低溶剂供给工序中使用的溶剂f的量。其结果，能够更合适地防止溶剂f进入凹部41。即，能够利用溶剂f更合适地覆盖凹部41。
通过第一工序与薄膜化工序的组合，能够合适地抑制在中心部c与周缘部e之间溶剂f的量产生偏差。
具体而言，在第一工序中，溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb。当溶剂喷嘴26移动到周缘位置pb时，不向中心部c供给溶剂f。因此，在第一工序的结束时刻，中心部c的每单位面积内的溶剂f的量小于周缘部e的每单位面积内的溶剂f的量。另一方面，在薄膜化工序中，周缘部e以比中心部c快的速度进行移动。因此，周缘部e的溶剂f的减少量大于中心部c的溶剂的减少量。其结果，在薄膜化工序的结束时刻，能够合适地抑制中心部c的每单位面积内的溶剂f的量与周缘部e的每单位面积内的溶剂f的量产生偏差。
药液g具有较高粘度。因此，药液g更难进入凹部41。因此，在药液供给工序中，能够利用药液g更合适地覆盖凹部41。
在药液g具有200cp以上的粘度的情况下，在药液供给工序中，能够利用药液g更合适地覆盖凹部41。在药液g具有400cp以上的粘度的情况下，在药液供给工序中，能够利用药液g更进一步合适地覆盖凹部41。
基板w在俯视时呈圆形状。因此，在溶剂供给工序中，能够向整个基板w更均匀地供给溶剂f。同样地，在药液供给工序中，能够向整个基板w更均匀地供给药液g。
基板w具有凹部41。即使在该情况下，在本涂敷方法的溶剂供给工序中，也能够向整个基板w均匀地供给溶剂f。其结果，在药液供给工序中，能够将药液g合适地涂敷于基板w。这样，在基板w具有凹部41的情况下，本涂敷方法具有非常高的实用性。
本发明并不限定于上述实施方式，还能够以如下的变形进行实施。
(1)在上述的各实施例1、2中，溶剂喷嘴26具有一个喷出口26a，但不限于此。例如，溶剂喷嘴26也可以具有多个喷出口26a。
(2)在上述的各实施例1、2中，溶剂喷嘴26的喷出口26a具有大致圆形状，但不限于此。例如，喷出口26a例如也可以具有椭圆形状或多边形状。例如，喷出口26a也可以具有细长的形状。例如，溶剂喷嘴26也可以是狭缝型喷嘴。
(3)在上述的实施例1、2中，溶剂喷嘴26在第一工序中从中心位置pa移动到周缘位置pb，但不限于此。溶剂喷嘴26也可以在第一工序中从周缘位置pb移动到中心位置pa。
(4)在上述的实施例1中，溶剂喷嘴26在第二工序中从周缘位置pb移动到中心位置pa，但不限于此。溶剂喷嘴26也可以在第二工序中从中心位置pa移动到周缘位置pb。
(5)在上述的实施例1中，第一工序中溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的方向与第二工序中溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的方向相反，但不限于此。第一工序中溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的方向也可以与第二工序中溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的方向相同。
(6)在上述的实施例2中，第一工序中溶剂喷嘴26从中心位置pa移动到周缘位置pb的期间在第一基准时间t1的±20％的范围内，但不限于此。例如，第一工序中溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的期间也可以在第一基准时间t1的±1[sec]的范围内。换言之，溶剂喷嘴26也可以在第一工序中经过第一基准时间t1的±1[sec]的范围内的时间在中心位置pa与周缘位置pb之间移动。
(7)在上述的各实施例1、2中，在俯视时，溶剂喷嘴26在中心位置pa与周缘位置pb之间移动的路径l1是在基板w的径向上近似的曲线，但不限于此。例如，在俯视时，溶剂喷嘴26也可以在基板w的径向上移动。例如，在俯视时，溶剂喷嘴26也可以在中心位置pa与周缘位置pb之间直线地移动。在本变形实施例中，也可以适当地变更移动机构27的结构。例如，也可以将移动机构27的结构变更为与移动机构37等同的结构。
(8)在上述的实施例1、2中，溶剂喷嘴26的移动速度在第一工序中是恒定的，但不限于此。溶剂喷嘴26的移动速度在第一工序中也可以变动。
(9)在上述的实施例1中，溶剂喷嘴26的移动速度在第二工序中是恒定的，但不限于此。溶剂喷嘴26的移动速度在第二工序中也可以变动。
(10)在上述的实施例1、2中，溶剂喷嘴26也可以设置为能够沿着铅垂方向移动。例如，在溶剂供给工序中，溶剂喷嘴26也可以沿着水平方向及铅垂方向移动。根据本变形实施例，能够一边改变溶剂喷嘴26的高度位置，一边使溶剂喷嘴26向基板w喷出溶剂f。根据本变形实施例，能够一边改变基板w与溶剂喷嘴26间的间隔，一边使溶剂喷嘴26向基板w喷出溶剂f。
(11)在上述的实施例1中，在溶剂供给工序中利用溶剂f充满凹部41，但不限于此。即，在溶剂供给工序中也可以不利用溶剂充满凹部41。例如，在溶剂供给工序中，可以对凹部41的内壁及底部的至少一方涂敷溶剂f。由此，也能够使药液g顺畅地进入凹部41。
(12)在上述的实施例2中，在溶剂供给工序中，溶剂f未进入凹部41，但不限于此。在溶剂供给工序中，只要能够利用溶剂f覆盖凹部41，溶剂f也可以稍微进入凹部41。
(13)在上述的实施例1中，溶剂供给工序包括布满工序，但不限于此。即，溶剂供给工序也可以不包括布满工序。
(14)在上述的实施例1中，溶剂供给工序包括第二工序，但不限于此。即，溶剂供给工序也可以不包括第二工序。
(15)在上述的实施例1、2中，溶剂供给工序包括薄膜化工序，但不限于此。即，溶剂供给工序也可以不包括薄膜化工序。
(16)在上述的实施例2中，薄膜化工序中的基板w的转速大于第一转速r1，但不限于此。例如，薄膜化工序中的基板w的转速也可以与第一转速r1相同。例如，薄膜化工序中的基板w的转速也可以小于第一转速r1。
(17)在上述的实施例1中，在第一工序后且第二工序前进行布满工序，但不限于此。例如，也可以在第二工序后进行布满工序。例如，也可以紧接着第一工序进行第二工序。
(18)也可以将实施例1中的药液供给工序置换为实施例2中的药液供给工序。具体而言，也可以在实施例1中的溶剂供给工序后进行实施例2中的药液供给工序。根据本变形实施例，也能够获得与实施例1同样的效果。
(19)也可以将实施例2中的药液供给工序置换为实施例1中的药液供给工序。具体而言，可以在实施例2中的溶剂供给工序后进行实施例1中的药液供给工序。根据本变形实施例，也能够获得与实施例2同样的效果。
(20)实施例1的药液喷嘴36也可以具有与实施例2中说明的药液喷嘴36相同的结构。例如，实施例1的药液喷嘴36也可以具有实施例2中说明的喷出口36a。或者，实施例1的药液喷嘴36也可以具有与实施例2中说明的药液喷嘴36不同的构造。例如，实施例1的药液喷嘴36也可以具有大致圆形状的喷出口。
(21)在上述的实施例1、2中，药液喷嘴36也可以设置为能够沿着铅垂方向移动。例如，在药液供给工序中，药液喷嘴36也可以沿着水平方向及铅垂方向移动。根据本变形实施例，能够一边改变药液喷嘴36的高度位置，一边使药液喷嘴36向基板w喷出药液g。根据本变形实施例，能够一边改变基板w与药液喷嘴36间的间隔，一边使药液喷嘴36向基板w喷出药液g。
(22)在上述的实施例1、2中，基板w具有凹部41，但不限于此。即，基板w也可以不具有凹部41。例如，基板w的上表面也可以是平坦的。
(23)对于上述的实施例1、2及上述(1)至(22)中说明的各变形实施例，还可以将各结构与其他变形实施例的结构置换或组合等进行适当地变更。
本发明在不脱离其思想或本质的情况下能够以其他具体的方式进行实施，因此，作为示出发明范围的内容，应参照附加的权利要求而非以上的说明。