专利名称：升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置的制作方法
技术领域：
本发明属化工设备领域，具体来说涉及一种升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置。
背景技术：
现有焦性没食子酸升华法生产装置，焦性没食子酸回收均为自然沉降法回收，其不足之处在于
I、由于焦性没食子酸微细的晶体悬浮于空中，难于降落，最后被強大的真空系统抽吸进真空泵洗气系统内，造成产品损失，影响回收率。 2、由于焦性没食子酸回收采用自然沉降法回收，使得结晶器必须做得很长，占地面积大，设备制造成本相对高。3、由于焦性没食子酸升华后是气体，在进入结晶器的过程中，气体的进入量不是ー个恒定值，气量大时气体从升华器内带过来的热量也会相应增多，很容易造成部分以结晶但没有沉降的焦性没食子酸晶体融化形成次品，而这些次品沉降后又掉落回结晶器底部的受器，给选料时造成困难，次品量再次増加。
发明内容
本发明的目的在于克服上述缺点而提供的ー种能提高产品回收率、大幅度减少エ人的劳动强度，減少设备占地面积的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置。本发明的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，包括电加热器、升华器、ー级结晶器、一级结晶器电晕级、ニ级结晶器、ニ级结晶器电晕级、静电发生器和真空系统，其中升华器上设有升华器舱门，升华器底部安装电加热器，升华器的出口通过升华器出口保温管和一级结晶器的进ロ连接；
一级结晶器电晕级安装固定在一级结晶器中心；
ニ级结晶器电晕级安装固定在ニ级结晶器中心；
在ニ级结晶器中部设有真空系统连接管接入真空系统，在此连接管上安装ー个真空系统连接阀门；
一级结晶器和ニ级结晶器的顶端用结晶器连通管连接；
一级结晶器接线端和ニ级结晶器接线端分别通过一级结晶器连接线和ニ级结晶器连接线接到静电发生器正扱；一级结晶器电晕级和静电发生器负极通过ー级结晶器电晕级连接线连接，ニ级结晶器电晕级和静电发生器负极通过ニ级结晶器电晕级连接线连接。一级结晶器受器和ニ级结晶器受器分别接在一级结晶器和ニ级结晶器的底部。上述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其中一级结晶器电晕级通过ー级结晶器电晕级下支架和一级结晶器电晕级上支架安装固定在一级结晶器中心。
上述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其中在一级结晶器电晕级、ー级结晶器电晕级下支架和一级结晶器电晕级上支架的连接点安装绝缘套管。上述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其中一级结晶器电晕级的上端用一根导线连接到一级结晶器电晕级接线端，将ー级结晶器电晕级接线端用绝缘套管及密封件安装固定在一级结晶器的顶端。上述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其中ニ级结晶器电晕级通过ニ级结晶器电晕级下支架和ニ级结晶器电晕级上支架安装固定在ニ级结晶器中心。上述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其中在ニ级结晶器电晕级和ニ级结晶器电晕级下支架、一级结晶器电晕级上支架的连接点安装绝缘套管。上述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其中ニ级结晶器电晕级的上端用一根导线连接到一级结晶器电晕级接线端，将ニ级结晶器电晕级接线端用绝缘套管及密封件安装固定在ニ级结晶器的顶端。 上述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其中用一根导线将静电发生器正极通过结晶器放电开关接入大地。本发明与现有技术相比，具有明显的有益效果，从以上技术方案可知将焦性没食子酸结晶器缩短1/3的长度，分为两级，并由原来传统的卧式放置改为立式放置，在两级焦性没食子酸结晶器的中心分别设置两棵金属棒作为静电吸附的电晕级，将焦性没食子酸结晶器的外壁设置为积尘级，使得焦性没食子酸晶体和难于降落的焦性没食子酸细微晶体可以马上吸附在结晶器外壁上，通过两级吸附，将使焦性没食子酸结晶体极大減少被真空系统抽吸进真空泵洗气系统内的数量，提高产品回收率，在提高产品的质量的同时也大幅度的減少工人的劳动强度，減少设备占地面积，将原结晶器的设备体积缩小一倍。
附图为本发明的结构示意图。图中标记
I、升华器；2、升华器舱门；3、电加热器；4、一级结晶器；5、一级结晶器受器；6、一级结晶器电晕级下支架；7、一级结晶器电晕级；8、ニ级结晶器受器；9、ニ级结晶器；10、ニ级结晶器电晕级下支架；11、ニ级结晶器电晕级；12、真空系统连接阀门；13、真空系统；14、ニ级结晶器接线端；15、ニ级结晶器连接线；16、ニ级结晶器电晕级接线端；17、ニ级结晶器电晕级连接线；18、ニ级结晶器电晕级上支架；19、结晶器连通管；20、一级结晶器电晕级上支架；21、一级结晶器电晕级接线端；22、一级结晶器电晕级连接线；23、一级结晶器接线端；24、静电发生器负极；25、静电发生器；26、静电发生器正极；27、升华器出ロ保温管；28、一级结晶器连接线；29、结晶器放电开关。
具体实施例方式以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置具体实施方式
、特征及其功效，详细说明如后。
參见附图，升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，包括电加热器3、升华器I、一级结晶器4、一级结晶器电晕级7、ニ级结晶器9、ニ级结晶器电晕级11、静电发生器25和真空系统13，其中升华器(I)上设有升华器舱门2，升华器I底部安装电加热器3，
升华器I的出ロ通过升华器出ロ保温管27和一级结晶器4的进ロ连接，连接处设有绝缘垫，连接法兰的紧固螺丝要用绝缘垫和绝缘套管进行安装；
一级结晶器电晕级7通过ー级结晶器电晕级下支架6和一级结晶器电晕级上支架20安装固定在一级结晶器4中心，在一级结晶器电晕级7、一级结晶器电晕级下支架6和ー级结晶器电晕级上支架20的连接点安装绝缘套管；
一级结晶器电晕级7的上端用一根导线连接到一级结晶器电晕级接线端21，将 ー级结晶器电晕级接线端21用绝缘套管及密封件安装固定在一级结晶器4的顶端，通过ー级结晶器电晕级连接线22将ー级结晶器电晕级7和静电发生器负极24连接；
ニ级结晶器电晕级11通过ニ级结晶器电晕级下支架10和ニ级结晶器电晕级上支架18安装固定在ニ级结晶器9中心，在ニ级结晶器电晕级11和ニ级结晶器电晕级下支架10、一级结晶器电晕级上支架18的连接点安装绝缘套管；
ニ级结晶器电晕级11的上端用一根导线连接到一级结晶器电晕级接线端16，将ニ级结晶器电晕级接线端16用绝缘套管及密封件安装固定在ニ级结晶器9的顶端，通过ニ级结晶器电晕级连接线17将ニ级结晶器电晕级11和静电发生器负极24连接；
在ニ级结晶器9中部开ロ设有真空系统连接管，在此连接管上安装ー个真空系统连接阀门12，真空系统连接阀门12靠ニ级结晶器9 一端设有绝缘垫和绝缘套管接入真空系统13 ；
一级结晶器4和ニ级结晶器9的顶端用结晶器连通管19连接，安装时需用绝缘垫和绝
缘套管；
一级结晶器接线端23和ニ级结晶器接线端14分别通过一级结晶器连接线28和ニ级结晶器连接线15接到静电发生器正极26上，用一根导线将静电发生器正极26通过结晶器放电开关29接入大地；
一级结晶器受器5和ニ级结晶器受器8用绝缘垫和绝缘套管分别接在一级结晶器4和ニ级结晶器9的底部。
其生产原理如下
a、在升华器I内投入没食子酸原料，同时将升华器舱门2关好密闭，开启真空系统13后打开真空系统连接管阀门12，将升华器I及一级和ニ级结晶器抽成真空；
b、启动电加热器3，对升华器I内没食子酸物料进行加热、脱羧、升华；
C、当升华器I加热道一定温度时，升华器I内的没食子酸开始升华，焦性没食子酸气体随着释放出CO2气体通过升华器出ロ保温管27流向一级结晶器；
d、开启静电发生器25，给ー级结晶器电晕级7和ニ级结晶器电晕级11加上负电，给ー级结晶器4和ニ级结晶器9加上正电，气流电离的电子在电场カ的作用下运动，当遇到焦性没食子酸结晶体和焦性没食子酸细微颗粒时，使焦性没食子酸结晶体和焦性没食子酸细微颗粒带上负电，很快就会被带正电的一级结晶器4管壁所吸附，此部分为ー级吸附；
e、由于气体焦性没食子酸在结晶器内的流速快，在经过ー级结晶器4时还有中间来不及降温没有凝华结晶的部分会流向ニ级结晶器9，在ニ级结晶器9内结晶后同样会很快被吸附到ニ级结晶器9的管壁上，此部分为ニ级吸附；
f、升华器I内没食子酸不断进行脱羧、升华，从升华器I流向一级结晶器4和ニ级结晶器9，而ー级结晶器4和ニ级结晶器9的管壁上所吸附的焦性没食子酸也会越来越厚，当升华时间到ー个小时的时候，可进行一次放电沉降过程，及关闭静电发生器25的电源，接通结晶器放电开关29进行放电，这时一级结晶器4和ニ级结晶器9的管壁上所吸附的焦性没食子酸将随管壁滑落到一级结晶器受器5和ニ级结晶器受器8内；
g、经过2至3分钟ー级结晶器4和ニ级结晶器9管壁上所吸附的焦性没食子酸将基本滑落完毕，断开结晶器放电开关29，接通静电发生器25的电源进行第二次吸附；
h、经过5至6次反复带电吸附、放电沉降，升华反应完毕，先关 闭静电发生器25的电源，然后接通结晶器放电开关29进行放电，充分放电完毕后，关闭真空系统连接管阀门12，放入高纯度氮气破坏系统真空，放下一级结晶器受器5和ニ级结晶器受器8，送入选料车间进行分级、包装。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，任何未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，包括电加热器(3)、升华器(I)、一级结晶器(4)、一级结晶器电晕级(7)、二级结晶器(9)、二级结晶器电晕级(11)、静电发生器(25)和真空系统(13)，华器(I)上设有升华器舱门(2)，其特征在于升华器(I)底部安装电加热器(3 )，升华器(I)的出口通过升华器出口保温管(27 )和一级结晶器(4)的进口连接；一级结晶器电晕级(7)安装固定在一级结晶器(4)中心；二级结晶器电晕级(11)安装固定在二级结晶器(9)中心；二级结晶器(9)中部开口设有真空系统连接管接入真空系统(13)，在此连接管上安装一个真空系统连接阀门(12);—级结晶器(4)和二级结晶器(9)的顶端用结晶器连通管(19)连接； 一级结晶器接线端(23)和二级结晶器接线端(14)分别通过一级结晶器连接线(28)和二级结晶器连接线(15)接到静电发生器正极(26);—级结晶器电晕级(7)和静电发生器负极(24)通过一级结晶器电晕级连接线(22)连接，二级结晶器电晕级(11)和静电发生器负极(24)通过二级结晶器电晕级连接线(17)连接； 一级结晶器受器(5)和二级结晶器受器(8)分别接在一级结晶器(4)和二级结晶器(9)的底部。
2.如权利要求I所述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其特征在于一级结晶器电晕级(7)通过一级结晶器电晕级下支架(6)和一级结晶器电晕级上支架(20)安装固定在一级结晶器(4)中心。
3.如权利要求I或2所述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其特征在于在一级结晶器电晕级(7)、一级结晶器电晕级下支架(6)和一级结晶器电晕级上支架(20)的连接点安装绝缘套管。
4.如权利要求3所述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其特征在于一级结晶器电晕级(7)的上端用一根导线连接到一级结晶器电晕级接线端(21)，将一级结晶器电晕级接线端(21)用绝缘套管及密封件安装固定在一级结晶器(4)的顶端。
5.如权利要求4所述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其特征在于二级结晶器电晕级(11)通过二级结晶器电晕级下支架(10)和二级结晶器电晕级上支架(18)安装固定在二级结晶器(9)中心。
6.如权利要求5所述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其特征在于在二级结晶器电晕级(11)和二级结晶器电晕级下支架(10)、一级结晶器电晕级上支架(18)的连接点安装绝缘套管。
7.如权利要求6所述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其特征在于二级结晶器电晕级(11)的上端用一根导线连接到一级结晶器电晕级接线端(16)，将二级结晶器电晕级接线端(16)用绝缘套管及密封件安装固定在二级结晶器(9)的顶端。
8.如权利要求7所述的升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，其特征在于用一根导线将静电发生器正极(26)通过结晶器放电开关(29)接入大地。
全文摘要
本发明公开了一种升华法焦性没食子酸静电吸附回收装置，升华器(1)底部安装电加热器(3)，升华器(1)出口和一级结晶器(4)进口连接；一级结晶器电晕级(7)固定在一级结晶器(4)中心；二级结晶器电晕级(11)固定在二级结晶器(9)中心；二级结晶器(9)接入真空系统(13)；一级结晶器(4)和二级结晶器(9)的顶端连接；一级结晶器受器(5)和二级结晶器受器(8)分别接在对应结晶器的底部。本发明能提高产品回收率、大幅度减少工人的劳动强度，减少设备占地面积。
文档编号B03C3/40GK102671411SQ201210151698
公开日2012年9月19日 申请日期2012年5月16日 优先权日2012年5月16日
发明者李颖璘, 林娅君, 王余祥, 王愈华, 王鹏, 赵应堂 申请人:六盘水神驰生物科技有限公司