专利名称：具有改进稳定性的染料太阳能电池的制作方法
具有改进稳定性的染料太阳能电池发明领域
本发明涉及光电元件，用于有机组件中的固体有机P-半导体的生产方法，和光电元件的生产方法。这类光电元件和方法用于将电磁辐射，尤其是日光转化成电能。更特别地，本发明可应用于染料太阳能电池。
技术发展水平
太阳能电池中太阳能直接转化成电能一般基于半导体材料的所谓“内光效应”，即通过吸收光子和在p-n结合或肖特基接触下分离负和正电荷载体而产生电子-空穴对。这样，产生光电压，其在外电路中可导致光电流，太阳能电池通过所述光电流释放其功率。半导体通常仅可吸收能量大于其带隙的那些光子。半导体带隙的大小因此通常决定可转化成电能的日光的比例。
基于结晶硅的太阳能电池早在十九世纪五十年代产生。那时的技术通过在航天卫星中的使用支持。即使硅基太阳能电池现在在世界市场上占优势，但该技术仍保持是昂贵的。因此，试图开发较便宜的新路线。这些路线中的一些描述于下文中，其构成本发明的基础。
开发新太阳能电池的重要路线是有机太阳能电池，即包含至少一种有机半导体材料的太阳能电池，或代替固体无机半导体，包含其它材料，尤其是有机染料或甚至液体电解质和半导体的太阳能电池。创新的太阳能电池中的具体情况是染料太阳能电池。染料太阳能电池(DSC)是迄今最有效的可选太阳能技术之一。在该技术的液体方案中，目前实现至多 11% 的效率(例如参见Grttzel M.等人，J. Photochem. Photobio. C，2003，4，145 ；Chiba 等人，Japanese Journal of Appl. Phys.，2006，45，L638-L640)。
染料太阳能电池，目前存在几种变型，通常具有两个电极，其中至少一个为透明的。根据它们的功 能，两个电极被称为“工作电极”(也称为“阳极”，产生电子)和“对电极”(也称为“阴极”)。在工作电极上或在其附近，通常应用η-导电金属氧化物，尤其是作为多孔，例如纳米孔层，例如厚度为约10-20 μ m的纳米孔二氧化钛(TiO2)层。在η-导电金属氧化物层与工作电极之间，还可提供至少一层阻挡层，例如金属氧化物如TiO2的不透层。 η-导电金属氧化物通常具有加入的光敏染料。例如，光敏染料(例如钌配合物)单层可吸附于η-导电金属氧化物的表面上，其可通过光的吸收而转化成激发态。在对电极处或上， 通常为数μm厚的催化层，例如钼。常规染料太阳能电池中两个电极之间的面积通常填充有氧化还原电解质，例如碘(I2)和/或碘化钾(KI)的溶液。
染料太阳能电池的功能基于光被染料吸收。电子从受激染料中转移至η-半导电金属氧化物半导体中并在其上迁移至阳极，而电解质借助阴极确保电荷平衡。η-半导电金属氧化物、染料和电解质因此为染料太阳能电池的必要组分。
然而，用液体电解质产生的染料太阳能电池在许多情况下遭遇非最佳密封，这可导致稳定性问题。液体氧化还原电解质尤其可被固体P-半导体取代。这种染料太阳能电池也称为sDSC(固体DSC)。染料太阳能电池的固体变型的效率目前为约4. 6-4. 7%(Snaith， H. , Angew. Chem.1nt. Ed. , 2005,44,6413-6417)。
各种无机P-半导体如Cu1、CuBr · 3 (S (C4H9) 2)或CuSCN目前代替氧化还原电解质用于染料太阳能电池中。例如也可应用来自光合作用的发现物。实际上，它也是Cu(I)酶质体蓝素，其在光合体系I中再次将氧化的叶绿素二聚物还原。这种P-半导体可通过至少三种不同的方法加工，即由溶液、通过电沉积或通过激光沉积。
有机聚合物也已用作固体P-半导体。其实例包括聚吡咯、聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)、咔唑基聚合物、聚苯胺、聚(4-1^一烷基-2，2’ -并噻吩)、聚(3-辛基噻吩)、聚(三苯基二胺)和聚(N-乙烯基咔唑)。在聚(N-乙烯基咔唑)的情况下，效率增长至2%。原位聚合的PEDOT (聚(3，4-亚乙基二氧噻吩))还显示O. 53%的效率。此处所述聚合物通常不以纯形式，而是随添加剂使用。
无机-有机混合体系也已代替氧化还原电解质用于染料太阳能电池中。例如CuI 与 PEDOT: PSS —起作为空穴导体用于 sDSC 中(Zhang J. Photochem Photobio.，2007，189， 329)。
也可使用低分子量有机p-半导体，即非聚合的，例如单体或低聚有机P-半导体。低分子量P-半导体在固体染料太阳能电池的首次使用用三苯胺(TH))的蒸气沉积层代替液体电解质。有机化合物2，2’，7，7’ -四(N，N- 二-对-甲氧基苯基胺)-9，9’ -螺二芴(spiro-MeOTAD)在染料太阳能电池中的使用报告于1998年。它可由溶液引入且具有相对高的玻璃化转变温度，这防止不想要的结晶和与染料的不良接触。甲氧基调整 spiro-MeOTAD的氧化电势,使得Ru配合物可有效地再生。在spiro-MeOTAD单独用作p_半导体的情况下，发现5%的最大IPCE (入射光子-电流转化效率，外光子转化效率)。当还使用作为掺杂剂的N(PhBr)3SbCl6和Li [CF3SO2) 2N]时，IPCE上升至33%，且效 率为O. 74%。 叔丁基批唳用作固体P-半导体在约1. 07cm2的作用面积下以约910mV的开路电压(V。。)和约5mA的短路电流Isc使效率提高至2. 56%(参见Kriiger等人,App1. Phys. Lett. , 2001, 79, 2085)。实现更好的TiO2层覆盖且具有在spiro-MeOTAD上的良好润湿的染料显示大于4% 的效率。当钌配合物具有氧化乙烯侧链时，报告了甚至更好的效率(约4. 6%)。
L. Schmidt-Mende 等人，Adv. Mater. 17,第 813-815 页(2005)提出用于其中螺二芴作为无定形有机P-导体的染料太阳能电池的二氢吲哚染料。具有比钌配合物高4倍的消光系数的这一有机染料在固体染料太阳能电池中显示出高效率(在I日光下4. 1%)。另外，提出一种概念，其中将聚合物P-半导体直接结合在Ru染料上(Peter, K. , Appl. Phys. A. 2004，79，65)。Durrant 等人，Adv. Munc. Mater. 2006，16，1832-1838 陈述了在许多情况下，光电流直接依赖于从氧化染料至固体P-导体的空穴转移的收率。这取决于两个因素 首先取决于P-半导体在氧化物孔中的渗透度，其次取决于电荷转移的热力学驱动力(即尤其是染料与P-导体的之间的自由焓AG)。
染料太阳能电池的一个缺点是可通过染料使用的光的比例通常受所用η-与P-导体的费米能级之间的能距离限制。光电压通常也受该距离限制。另外，由于所需的电荷传输，染料太阳能电池通常必须相当薄(例如1-2. 5微米)，使得入射光的利用通常不是最佳的。
在各种进一步研究中已检查了具有低分子量P-半导体的不同染料太阳能电池的电和光电性能。其一个实例可以在。8&吐，论文4 1^&118&111^，2000(论文％. 2187)以及其中尤其第139-149页中找到。此处检查的一个特征是spiro-MeOTAD的非常低的导电率。例如，在层厚度为约2微米的膜中，测量ΜΩ/cm2的电阻率。导电率K通过下式定义
K = uNhe (I)。
在该式中，e=l. 6022X 1(T19C,电子或空穴的元电荷。μ表示电荷载体迁移率,且Nh 表示电荷密度，在这种情况下为空穴的电荷密度。假定迁移率不变，则在P-材料的情况下， 导电率由于其它空穴的加入，即在P-掺杂的情况下提高。这样的结果是sDSC的填充因数不是非常高，在不是非常低的光强度下特别如此。光电池中的填充因数通常指在接近最大功率时太阳能电池的最大功率与开路电压和短路电流的乘积的商。在电流-电压图中，填充因数通常描述为电流-电压曲线以下记录的最大矩形与包围曲线的最小矩形的面积比。填充因数是无单位的。低填充因数通常表示产生的一些功率由于电池的内电阻而损失。在上述spiro-MeOTAD的情况下,相当低的填充因数因此尤其通过spiro-MeOTAD的高比电阻解释，也例如描述于 F. Fabregat-Santiago 等人，J. Am. Chem. Soc.，2009,131 (2)，558-562 中， 在I日光的照明下尤其如此。
现有技术还公开了低分子量有机P-半导体的掺杂。例如，在U. Bach,论文，EPFL Lansanne，2000(论文No. 2187)，第37-50页中，锑盐用作spiro-MeOTAD的掺杂剂。掺杂操作可示意性地描述如下
[N (p-C6H4Br) 3]+ [SbCl6] >spiro-Me0TAD
— [N (P-C6H4Br) 3] + [SbCl6] -+spiro-MeOTAD"
以O. 17-0. 18M的比例的螺环化合物，使用O. 26-0. 33mM Sb的浓度。即使导电率提高，空穴迁移率由于阴离 子的加入而降低，这使电荷传输恶化。另外，这类锑盐在电池中的稳定性是有问题的。
N. Rossier-1ten,论文，EPFL Lausanne, 2006 (论文 No. 3457)，尤其是第 56-75 页和第91-113页还检查了各种掺杂的空穴导体材料。其中用于sDSC中的无定形空穴导体的掺杂剂包括12、2，3- 二氯-5，6- 二氰基-1，4-苯醌、NOBF4以及掺杂的螺双自由基阳离子( spiro-Me0TAD++[PF6-]2(0. 1-0. 7%)。然而，未实现sDSC电池的决定性改进。
在Snaith 等人，Appl. Phys. Lett. 2006，89，262114-262116 中，发现 sDSC 中的空穴迁移率通过加入锂双(三氟甲基磺酰基)胺(L1-TFSI)而极大地改进。因此，可将迁移率从1. 6 X 10_4cm2/Vs提高至1. 6 X 10_3cm2/Vs,即使此处没有观察到spiro-MeOTAD的氧化， 即没有实际掺杂效果。发现spiro-MeOTAD的导电率较小程度地受锑盐影响，且最好的sDSC 电池甚至不用这种盐实现，因为阴离子充当所谓的库仑陷阱(电荷载体陷阱)。
通常，需要大于I摩尔％的量的掺杂剂以改进无定形P-导体的电荷迁移率。
有机P-掺杂剂，例如F4_TCNQ(四氟四氰基喹啉并二甲烷)也已随P型有机聚合物一起使用(例如参见 R. Friend 等人,Adv. Mater.，2008, 20, 3319-3324, Zhang 等人,Adv. Funct. Mater.，2009，19，1901-1905)。还报告了通过烷基硅烷对聚噻吩的所谓质子掺杂 (参见 Podzorov 等人,Advanced Functional Materials2009,19,1906-1911)。然而，具有有机掺杂剂的组分在许多情况下具有相当低的寿命。
还已知SnCl5和FeCl3也用作p-掺杂剂。另外，例如掺杂有LiCF3S03、LiBF4、LiTFSI 和LiClO4的聚合物，例如PEDOT也在sDSC中用作空穴导体。然而，在这类组分的情况下，也记录了至多2. 85%的相当低的外功率效率(Yanagida等人，JACS，2008，130，1258-1263)。
另夕卜，金属氧化物用作掺杂剂也由现有技术，例如由DE102007024153A1或DE102007023876A1已知。将金属氧化物蒸气沉积于有机层中并在其中用作掺杂剂。提到的实例为菲咯啉衍生物作为配合物形成基体材料的用途，其例如掺杂有氧化铼。
另外，关于将用于有机发光二极管的有机p-传输材料通过蒸气沉积的无机化合物掺杂的研究也是已知的，例如Kim等人，Appl. Phys. Lett. 2007,91,011113(1-3)。此处, 例如将NPB用ReO3 (8-25%)掺杂，这导致较低的使用电压(开启电压)和较高的功率效率。 OLED的稳定性同样改进。Kim等人，Org. Elec. 2008，805-808陈述了将空穴注入层用CuI 掺杂。该掺杂也导致较高的电流效率和能量效率。Kim等人，Appl. Phys. Lett. 2009，94， 123306(1-3)对比了在有机发光二极管(OLED)中作为掺杂剂的Cul、MoO3和Re03。此处发现一种倾向大意是有机P-半导体的HOMO(最高占据分子轨道)与掺杂剂的费米能级之间的能量差起重要作用。总之，发现掺杂剂提高传输层中的电荷载体密度和因此的导电率，其相当于P-掺杂。
Kahn 等人，Chem. Mater. 2010，22，524-531 还公开了浓度为 0-3. 8 摩尔 ％ 的二硫杂环戊二烯钥(Mo(tfd)3)可掺杂各种空穴导体。通过UPS实验(UV光电子光谱)，显示空穴导体的费米能级以HOMO的方向移动，这是P-掺杂的指示。
Kowalsky 等人，Org. Elec. 2009,10,932-938 报告了 蒸气沉积 MoO3 的 Mo3O9 簇可能提高，并且还可在掺杂中起作用。另外，测定在预先假定的低得多的水平下的费米能级 (6. 86eV)和电子亲合势(6. 7eV)。还推测(参见 Kanai 等人，Organic Electronics2010, 11，188-194) MoO3层可容易地通过氧缺陷点η-掺杂，这导致波带彼此之间相对的改进排列。
还描述了纯金属氧化物如MoOdPV2O5层在OLED和有机太阳能电池中的使用，以改进来自电极/至电极中的空穴注入或空穴提取。例如，Y. Yang等人,Appl. Phys. Lett. 2006, 88,073508检查了 V205、Mo03和PEDOT:PSS作为ITO(氧化铟锡)与p型聚合物之间的中间层的使用。在其中空穴从P型聚合物迁移至阴极(在这种情况下通常为Ag)的所谓反向聚合物电池中，VOx层蒸气沉积于聚合物与银之间，这导致电池性能的 改进。
另外，由水溶液制备金属氧化物缓冲层也是已知的。例如，LiuSESMC，2010， 842-845，第94卷陈述了 MoO3层已成功地用作聚合物太阳能电池中的阳极上的缓冲层。这类层在所谓的有机串接太阳能电池中也用作电荷重组层的一部分(例如参见Kowalsky等人，Adv. Func. Mater. 2010, 20,1762-1766)。
由于一般地讲,过去几年中仍未知用于空穴传输材料的有效的可溶且稳定的 P-掺杂剂，在许多情况下实际上将染料太阳能电池储存在空气(环境条件)下。在其过程中渗入sDSC中的氧掺杂sDSC。然而，电池在环境气氛中或在可控O2气氛中的储存较不可再生产，且对于太阳能电池组件的商业生产而言是相当有问题的。另外，这样被氧掺杂的 sDSC通常即使在密封状态下也相当不稳定。
发明目的
因此，本发明的目的是提供至少基本避免已知光电元件和生产方法的缺点的光电元件和光电元件生产方法。更特别地，描述了一种光电元件，其具有具有高导电率的P-半导体，如掺杂P-半导体和甚至排除氧的稳定P-掺杂剂的方法产生用于染料太阳能电池的有机材料的稳定P-掺杂。同时，甚至在包封状态下稳定且具有高效率和高填充因数的染料太阳能电池是理想的，然而生产是简单。
本发明公开内容
该目的通过本发明以独立权利要求的特征实现。可独立地或组合地执行的有利发展描述于从属权利要求中。
在本发明上下文中，发现令人惊讶地，P-掺杂，尤其是在染料太阳能电池中，可通过使用金属氧化物而特别有效地实现。这些可尤其通过一种或多种有机溶剂在液相中与 P-半导电基体材料和任选一种或多种有机盐一起施用。这样可实现具有高填充因数和高长期稳定性的光电元件。
在本发明的第一方面中，提出用于将电磁辐射转化成电能的光电元件。该光电元件可尤其包含一种或多种光电池。光电元件可尤其包含至少一层可例如施用于基体上的层结构。光电元件可尤其包含至少一种染料太阳能电池和/或配置成染料太阳能电池。
光电元件具有至少一个第一电极、至少一种η-半导电金属氧化物、至少一种电磁辐射吸收染料、至少一种固体有机P-半导体和至少一个第二电极。提出P-半导体包含至少一种金属氧化物。
所述元件可尤其以所述顺序提供。例如光电元件可包含所述顺序的至少一个第一电极、至少一种η-半导电金属氧化物、至少一种电磁辐射吸收染料、至少一种固体有机 P-半导体和至少一个第二电极。然而，染料和η-半导电金属氧化物也可完全或部分地组合，如常用于染料太阳能电池中的。例如，可将η-半导电金属氧化物用至少一种染料完全或部分地浸溃，或以一些其它方式与该染料混合。这样和/或以一些其它方式，可尤其将 η-半导电金属氧化物用染料敏化，使得例如染料分子可作为单层施用于η-半导电金属氧化物颗粒上。例如直接接触可存在于染料分子与η-半导电金属氧化物之间，使得电荷载体的转移是可能的。光电元件可尤其包含至少一层任选具有染料的η-半导电金属氧化物层， 和至少一层固体有机P-半导体层。该层结构可嵌入电极之间。另外，光电元件可包含一层或多层其它层。例如，一层或多层其它层可引入第一电极与η-半导电金属氧化物之间，例如一层或多层缓冲层，例如金属氧化物层。尽管缓冲层优选为不透的，但η-半导电金属氧化物可以尤其是多孔的和/或颗粒。更特别地，如下文中详细描述的η-半导电金属氧化物可配 置成纳米颗粒层。另外，在η-半导电金属氧化物与固体有机P-半导体之间提供一层或多层其它层，以及在P-半导体与第二电极之间提供一层或多层其它层。
P-半导体尤其可被金属氧化物P-掺杂。这意指P-半导体的P-导电性能通过金属氧化物得到或增强。更特别地，可建立金属氧化物以掺杂P-半导体或该P-半导体中存在的基体材料。例如，P-半导体可包含至少一种有机基体材料，在这种情况下，将金属氧化物混入基体材料中。该混入尤其可以以分散体的形式进行。作为选择或者另外，也可将金属氧化物溶于基体材料中，这同样应包括在术语“混合”中。金属氧化物可以以尤其O. 1-15%的比，尤其是以O. 5-5%的比，尤其是以1-5%的比，更优选以2-3%，例如2. 5%的比存在于ρ-半导体中。这些比基于基体材料的重量比。金属氧化物优选均匀或至少基本均匀地分布于基体材料中。基本均匀分布可理解例如意指金属氧化物的分布，其中P-半导体的不同区域具有彼此相差不大于50%，尤其是不大于30%，更优选不大于10%的金属氧化物浓度。换言之， 金属氧化物在基体材料中的均匀分布应优选具有不超过所述浓度变化的变化。
基体材料原则上可包含一种或多种P-半导电单体、低聚或聚合有机材料。更特别地，基体材料可具有至少一种低分子量有机P-半导体。低分子量材料通常应当理解意指以单体、非聚合或非低聚形式存在。例如低分子量物质可具有500-2000g/mol的分子量。这些低分子量有机P-半导体尤其可形成上述基体材料并可固有地具有P-半导电性能。通常，在本发明上下文中，P-半导电性能应当理解意指材料，尤其是有机分子形成空穴并传输这些空穴和使它们至相邻分子上的性能。更特别地，这些分子的稳定氧化应是可能的。另外，所述低分子量有机P-半导体尤其可具有广泛的H-电子体系。更特别地，至少一种低分子量P-半导体可由溶液加工。低分子量P-半导体尤其可包含至少一种三苯胺。低分子量有机P-半导体包含至少一种螺环化合物是特别优选的。螺环化合物应当理解意指其环仅在一个原子处连接的多环有机化合物，所述原子也称为螺原子。更特别地，螺原子可以为 SP3-混杂的，使得借助螺原子相互连接的螺环化合物的组分例如排列在相对于彼此不同的平面中。
特别优选低分子量有机P-半导体或其基体材料包含至少一种螺环化合物，例如 spiro-MeOTAD和/或至少一种螺环衍生物。作为选择或者另外，也可使用其它p_半导电化合物，尤其是低分子量和/或低聚和/或聚合P-半导电化合物，例如一种或多种如下化合物
10522
再者作为选择或者另外，低分子量有机P-半导体或基体材料可包含一种或多种通式I的化合物，为此参考例如在本申请的优先权日期之后公布的PCT申请号PCT/ EP2010/051826
权利要求
1.一种用于将电磁辐射转化成电能的光电元件(110)，尤其是染料太阳能电池(112)，其中光电元件(110)包含至少一个第一电极(116)、至少一种η-半导电金属氧化物(120)、至少一种电磁辐射吸收染料(122)、至少一种固体有机P-半导体(126)和至少一个第二电极(132)，其中P-半导体(126)包含至少一种金属氧化物(130)。
2.根据权利要求1的光电兀件(110),其中ρ-半导体(126)包含至少一种有机基体材料(128)，其中将金属氧化物(130)混入，尤其是分散在基体材料(128)中。
3.根据权利要求2的光电元件(110)，其中金属氧化物(130)基于基体材料(128)的重量比以O. 1-15%的比例，尤其是以O. 5-5%的比例，更优选以2. 5%的比例存在于ρ-半导体(126)中。
4.根据权利要求2或3的光电元件(110)，其中金属氧化物(130)基本均匀地分布于基体材料(128)中。
5.根据权利要求2-4中任一项的光电兀件(110),其中基体材料(128)包含至少一种低分子量有机P-半导体(126)。
6.根据权利要求5的光电兀件(110),其中低分子量有机ρ-半导体(126)包含至少一种螺环化合物。
7.根据权利要求5或6的光电兀件(110),其中低分子量有机ρ-半导体(126)选自螺环化合物，尤其是spiro-MeOTAD ;具有以下结构式的化合物
8.根据权利要求1-7中任一项的光电元件(110)，其中金属氧化物(130)选自=V2O5；Nb2O5 ；Mo03 ；Mo02 ；Mo0x ；V0x ；W03 ；Re03 ;至少一种过渡族金属的氧化物，尤其是ReOx ；W0X ；WO3 ；Ce02 ;Ce2O3 ； Ce3O4 ;C4CeF12O12S4 ；Ce02/Gd ；Ce02/Y ；Cr03 ； Ta2O5 ；CeZr 氧化物；叔丁 醇Ce(IV) ；Ce (MO4)3 ；Ce04C10H36 ；C4CeF12O12S4 ；CeVO4 ;Ce04Zr。
9.根据权利要求1-8中任一项的光电元件(110)，其进一步包含至少一种包封，其中设计包封用来保护光电元件(110)，尤其是电极(116、132)和/或P-半导体(126)以防周围气氛。
10.一种生产用于有机组件，尤其是根据权利要求1-9中任一项的光电元件(110)中的固体有机P-半导体(126)的方法，其中将至少一种P-导电有机基体材料(128)和作为P-掺杂剂的至少一种金属氧化物(130) —起由至少一种液相施用于至少一种载体元件上。
11.根据权利要求10的方法，其中基体材料(128)包含至少一种低分子量有机ρ-半导体(126)。
12.根据方法权利要求10或11的方法，其中所述液相进一步包含至少一种溶剂，尤其是有机溶剂，尤其是选自环己酮；氯苯；苯并呋喃；环戊酮的溶剂。
13.根据方法权利要求10-12中任一项的方法，其中所述方法至少部分地在低氧气氛中进行。
14.一种生产光电元件(110)，尤其是根据涉及光电元件(110)的权利要求1-9中任一项的方法，其中在所述方法中，提供至少一个第一电极(116)、至少一种η-半导电金属氧化物(120)、至少一种电磁辐射吸收染料(122)、至少一种固体有机ρ-半导体(126)和至少一个第二电极(132)，其中配置ρ-半导体(126)使得它包含至少一种金属氧化物(130)。
15.根据权利要求14的方法，其中ρ-半导体(126)通过选自如下的方法生产 -湿化学方法，其中将至少一种P-导电有机基体材料(128)和作为ρ-掺杂剂的至少一种金属氧化物(130) —起由至少一种液相施用于至少一种载体元件上； -渗透方法，其中在渗透方法中，将至少一种P-导电有机基体材料(128)施用于载体元件上，并且其中然后将金属氧化物(130)施用于P-导电有机基体材料(128)上并至少部分地透过它。
全文摘要
本发明涉及一种用于将电磁辐射转化成电能的光电元件(110)。该光电元件(110)尤其可以为染料太阳能电池(112)。光电元件(110)具有至少一个第一电极(116)、至少一种n-半导电金属氧化物(120)、至少一种电磁辐射吸收染料(122)、至少一种固体有机p-半导体(126)和至少一个第二电极(132)。该p-半导体(126)包含至少一种金属氧化物(130)。
文档编号H01G9/20GK103026438SQ201180035997
公开日2013年4月3日 申请日期2011年7月13日 优先权日2010年7月23日
发明者N·G·普希雷尔, I·布鲁德, R·森斯, P·埃尔克 申请人:巴斯夫欧洲公司