一种低粘度高热导率碳化硅切割液的制作方法

文档序号:9627877阅读:253来源:国知局
一种低粘度高热导率碳化硅切割液的制作方法
【专利说明】一种低粘度高热导率碳化硅切割液
[0001]
技术领域
[0002]本发明属于化学化工技术领域,尤其涉及用于单晶硅和碳化硅切片的金属丝切割液。
【背景技术】
[0003]在硅片切割生产过程中,作为金属丝切割的负责耗材,硅片切割液并不可少。切割液在悬浮能力、冷却性能、润滑性能和砂浆分散性能的好坏,很大程度上决定了硅片切割的精度和效率。目前市场上普通的硅片切割液在散热冷却性能还有所欠缺,尤其是在高频率切割下难以达到尤其。而且随着切割的进行,金属丝如果磨损到一定程度后,且润滑性能会降低,导致切割精度下降,有的抗杂质能力较差,当切割硅、铁、极氧化合物等杂质的产生,还会导致切割液性能明显下降。

【发明内容】

[0004]发明目的:针对上述现有存在的问题和不足,本发明的目的是提供一种低粘度高热导率碳化硅切割液,具有更优秀的润滑性能,能提高硅片的切割精度,并降低切割液的使用成本。
[0005]技术方案:为实现上述发明目的,本发明采用以下技术方案:一种低粘度高热导率碳化硅切割液,按质量份数计包括以下组份:
去离子水100份;
聚乙二醇70?120份;
甘油2?20份;
表面活性剂1?5份;
娃酸盐0.5?2份;
邻苯二甲酸胺二乙酯5?20份;
环氧大豆油5?40份。
[0006]作为优选,所述聚乙二醇的聚合度为600?800。
[0007]作为优选,所述表面活性剂为环烷酸锌盐、十二烷基磺酸钠、烷基酚聚氧乙烯醚或十二烷基硬脂酸盐。
[0008]作为优选,所述各组分质量分数如下:
去离子水100份;
聚乙二醇100份;
甘油12份;
表面活性剂2份;
硅酸盐0.8份;(增稠剂) 邻苯二甲酸胺二乙酯10份;
环氧大豆油12份。
[0009]有益效果:与现有技术相比,本发明切割液具有较强的碳化硅悬浮分散能力,能有效提高磨料在金属丝上的携带量,且具有较低的旋转粘度利于超薄硅片的切割;同时具有较高的润滑效果,且成本低廉,易于聚乙二醇的回收。
【具体实施方式】
[0010]下面结合具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0011]实施例1
在100L的去离子水中,依次加入聚合度为800的100L聚乙二醇、10L甘油、5L的环烷酸锌盐,并搅拌均匀,接着加入1L的硅酸盐、10份邻苯二甲酸胺二乙酯和12份环氧大豆油,搅匀备用。得到切割液为无色透明液体,在25°C下的粘度为27.5?32.0,比重为1.15?1.28,5%的水溶液Ph值范围为5?7,旋转粘度随温度上升而降低,45°C的旋转粘度相对于20°C的旋转粘度下降55.5%。
[0012]实施例2
在100L的去离子水中,依次加入聚合度为800的100L聚乙二醇、5L甘油、5L的十二烷基磺酸钠,并搅拌均匀,接着加入0.8L的硅酸盐、10份邻苯二甲酸胺二乙酯和10份环氧大豆油,搅匀备用。得到切割液为无色透明液体,在25°C下的粘度为27.5?32.0,比重为
1.15?1.28,5%的水溶液Ph值范围为5?7,旋转粘度随温度上升而降低,45°C的旋转粘度相对于20°C的旋转粘度下降60.5%。
【主权项】
1.一种低粘度高热导率碳化硅切割液,其特征在于,按质量份数计包括以下组份: 去离子水100份; 聚乙二醇70?120份; 甘油2?20份; 表面活性剂1?5份; 娃酸盐0.5?2份; 邻苯二甲酸胺二乙酯5?20份; 环氧大豆油5?40份。2.根据权利要求1所述低粘度高热导率碳化硅切割液,其特征在于:所述聚乙二醇的聚合度为600?800。3.根据权利要求1所述低粘度高热导率碳化硅切割液,其特征在于:所述表面活性剂为环烷酸锌盐、十二烷基磺酸钠、烷基酚聚氧乙烯醚或十二烷基硬脂酸盐。4.根据权利要求1所述低粘度高热导率碳化硅切割液,其特征在于:所述各组分质量分数如下: 去离子水100份; 聚乙二醇100份; 甘油12份; 表面活性剂2份; 硅酸盐0.8份; 邻苯二甲酸胺二乙酯10份; 环氧大豆油12份。
【专利摘要】本发明公开了一种低粘度高热导率碳化硅切割液,按质量份数计包括以下组份:去离子水100份;聚乙二醇70~120份;甘油2~20份;表面活性剂1~5份;硅酸盐0.5~2份;邻苯二甲酸胺二乙酯5~20份;环氧大豆油5~40份。本发明具有更优秀的润滑性能,能提高硅片的切割精度,并降低切割液的使用成本。
【IPC分类】C10N30/06, C10M173/02
【公开号】CN105385491
【申请号】CN201510787921
【发明人】陈斌
【申请人】江苏金晖光伏有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月17日
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