技术特征：
技术总结
本发明公开了一种MEMS流量传感器的制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面形成第二氧化硅层；在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层；在所述图形化导电金属层的上表面形成钝化保护层；在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘窗口；在所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中形成背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层对应。本发明能够增大MEMS流量传感器支撑膜薄厚度，提高器件可靠性。
技术研发人员：张旭辉;徐爱东;卞玉民;杨拥军
受保护的技术使用者：河北美泰电子科技有限公司
技术研发日：2017.08.15
技术公布日：2017.12.22