1.一种角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，制备步骤如下：
(1)微纳线条结构的制作
a、以带有氮化硅掩膜的110晶向硅片为基底，首先对基底清洗干燥；
b、旋涂正型光刻胶于基底上，前烘以去除光刻胶中的溶剂；
c、确定110晶向硅片的晶向，采用全息法制作光刻胶的光栅图形；
d、利用四氟化碳等离子体干法刻蚀，将光刻胶线条结构转移到氮化硅上；
e、利用氮化硅线条结构作为掩模，对110晶向硅片进行湿法腐蚀，经过湿法腐蚀，110晶向硅片形成了硅光栅图形及氮化硅光栅掩模结构；最后利用四氟化碳气体等离子体对氮化硅层进行干法刻蚀，去除多余的氮化硅，获得线条光滑均匀的硅压印模板；
(2)纳米压印转移纳米线条结构
a、采用脱模剂对硅压印模板表面改性；
b、压印及紫外固化：将经表面改性的硅压印模板压在表面具有负性光刻胶的玻璃基底上，加热使负性光刻胶受热软化，加压使得压印模板压入负性光刻胶，然后冷却、紫外曝光、后烘使得负性光刻胶会发生改性固化；
c、脱模；
(3)微纳通道的密封
通过一定的镀膜角度将薄膜沉积到线条顶部形成密封。
2.根据权利要求1所述的角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，使用质量百分浓度为45～55％的强碱溶液在温度为70～88℃的条件下对110晶向硅片进行湿法腐蚀。
3.根据权利要求1所述的角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，所述脱模剂为道康宁有机硅脱模剂dc-20与异丙醇的混合溶液，按体积比dc20：异丙醇＝1：100～200。
4.根据权利要求3所述的角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，采用脱模剂改性的具体方法为，硅压印模板清洁处理及干燥后，以2000～3000rpm的转速旋涂脱模剂，脱模剂会在模板表面形成单分子层。
5.根据权利要求1所述的角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，所述加压过程为保持90℃压印温度及2mpa压印100分钟。
6.根据权利要求1所述的角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，所述曝光剂量为200～300mj/cm2。
7.根据权利要求1所述的角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，在镀膜之前，利用氧气等离子体处理压印后的带负性光刻胶的玻璃基底。
8.根据权利要求1所述的角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法，其特征在于，所述镀膜材料为sio2。