技术特征：
1.一种soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，包括如下步骤：s1、应变计制备，使用soi晶圆制备应变计；所述soi晶圆包括紧密结合的衬底体硅(1)、二氧化硅中间层(2)和顶层硅(3)；所述应变计包括底层的soi晶圆、侧壁保护层(5)、填充在所述soi晶圆和所述侧壁保护层(5)中间的功能层(4)及贯穿侧壁保护层(5)与功能层(4)的具有良好接触的电极(6)，所述侧壁保护层(5)与所述soi晶圆的二氧化硅中间层(2)相互紧密结合，构成封闭的空间结构，所述soi晶圆的顶层硅(3)位于封闭空间内部，所述功能层(4)位于所述soi晶圆的顶层硅(3)的上方，所述电极(6)两端分别连接功能层(4)和外部，所述侧壁保护层(5)高度大于5um；s2、在应变计的电极(6)的表面镀抗腐蚀保护层(7)；s3、腐蚀soi晶圆的二氧化硅中间层(2)，使衬底硅(1)脱去，分离得到芯片。2.根据权利要求1所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述顶层硅(3)为单晶硅或多晶硅。3.根据权力要求1所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述侧壁保护层(5)为氮化硅，所述氮化硅厚度不低于10nm，氮化硅由lpcvd或ald设备生长；优选地，所述氮化硅厚度为30～200nm。4.根据权利要求1所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述电极(6)由铝硅合金材料制成，所述铝硅合金在高温合金化后与所述功能层(4)形成欧姆接触。5.根据权利要求1所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述步骤s3中的电极(6)表面镀抗腐蚀保护层具体包括以下步骤：1)保护层匀胶：采用匀胶显影设备按“涂胶-静置-匀胶”的步骤使光刻胶均匀覆盖整个晶圆表面；所述“涂胶”是采用普通匀胶显影机多次喷胶或采用手动倒胶的方式，让光刻胶覆盖到整个晶圆表面；所述“静置”是晶圆在匀胶显影机上放置一段时间以便光刻胶渗入每个深沟槽；所述“匀胶”是静置完成后，设备按照程序设定旋转，此时光刻胶便可均匀覆盖到整个表面；2)进行曝光、显影，去除电极(6)处的光刻胶；3)电极(6)表面镀抗腐蚀金属层，然后超声剥离掉电极以外的多余金属。6.根据权利要求5所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述步骤1)中的保护层为铝保护层。7.根据权利要求5所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述步骤3)中的抗腐蚀金属层材料为pt、au及cr中的任一种。8.根据权利要求7所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述抗腐蚀金属层的厚度不小于50nm。9.优选地，所述抗腐蚀金属层的厚度为100nm～1um。根据权利要求1所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述步骤s3中分离芯片的方法为：1)将镀抗腐蚀保护层的样品放入boe溶液中进行湿法腐蚀，使soi晶圆的中间层氧化硅被完全刻蚀；
2)刻蚀完成后，用大量纯水进行清洗干净，分拣获得芯片。10.根据权利要求1所述的soi晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述二氧化硅中间层的厚度为0.5um～2um。
技术总结
本发明公开了一种SOI晶圆芯片的分离方法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底硅，分离得到芯片。本发明的SOI晶圆芯片分离方法通过在芯片上建立了一种“侧壁保护层Si3N
技术研发人员：张宾 李若朋 陈新准 庄磊 朱瑞 陈善任 程元红 肖钧尹 钟文兵
受保护的技术使用者：广州奥松电子股份有限公司
技术研发日：2022.10.27
技术公布日：2023/3/21