技术特征：
1.一种ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底，其特征在于，所述ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底包括硬质基底，所述硬质基底上自组装有呈六角密排阵列结构的聚苯乙烯球阵列，所述聚苯乙烯球阵列远离所述硬质基底的一侧表面具有ag/ag2o/ag层。2.根据权利要求1所述的ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底，其特征在于，所述硬质基底为硅片。3.根据权利要求1所述的ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底，其特征在于，所述聚苯乙烯球的直径为600nm。4.根据权利要求1所述的ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底，其特征在于，所述ag/ag2o/ag层中，ag2o层由底层ag层在25℃环境下氧化24h形成。5.根据权利要求1所述的ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底，其特征在于，所述ag/ag2o/ag层中，外层ag层的厚度为30-120nm。6.一种ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.在硬质基底表面，自组装形成单层的呈六角密排阵列结构的聚苯乙烯球阵列；s2.在所述聚苯乙烯球阵列远离所述硬质基底一侧表面沉积ag层，得到具有底层ag层的聚苯乙烯球阵列；s3.将所述具有底层ag层的聚苯乙烯球阵列进行氧化处理以在底层ag层表面形成ag2o层；s4.在所述ag2o层表面沉积ag层，得到ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方式为真空热沉积蒸镀。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氧化处理为在25℃的自然环境中放置24h。9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述真空热沉积的速率为0.3a/s。10.权利要求1-5任一项所述的ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底或权利要求6-9任一项所述的制备方法制备得到的ag/ag2o/ag纳米球阵列sers基底在检测芯片中的应用，所述检测芯片用于检测单分子水平和/或生物分子水平。
技术总结
本发明属于拉曼光谱检测技术领域，公开了一种Ag/Ag2O/Ag纳米球阵列SERS基底、制备方法及应用。本发明在硅片上自组装排列出六角密排的聚苯乙烯(PS)球，蒸镀银，暴露在空气中自然氧化生成氧化层，再蒸镀银，形成均匀的三层纳米球阵列，得到Ag/Ag2O/Ag纳米球阵列SERS基底。通过对银层沉积厚度和底层银氧化时间的调控，可得到不同性能SERS基底。本发明提供的SERS基底可应用于检测芯片，实验结果表明，当R6G浓度低至10-9
技术研发人员：方靖淮 沈金祎 吴静
受保护的技术使用者：南通大学
技术研发日：2022.11.21
技术公布日：2023/3/21