专利名称：一种适用于高Tg玻璃布板、无卤素板和高CTICEM-1板的电解铜箔的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种适用于高Tg玻璃布板、无卤素板和高CTICEM-I板的电解铜箔，以及该电解铜箔的制备方法，属于电解铜箔领域。
背景技术：
针对高Tg型CCL的高耐热性树脂由于一般有聚合度高、交连密度大的特点通常一般电解铜箔与基材在连接强度方面偏低，耐化学性差；针对无卤化CCL及低膨胀系数性CCL由于树脂组成物中有大量无机填料的存在，造成树脂实际含量低，一般铜箔与基材连接强度偏低，耐化学性差。
发明内容
本发明的目的是一种适用于高Tg玻璃布板、无卤素板和高CTICEM-I板的电解铜箔，以及该电解铜箔的制备方法，通过本发明的电解液组合以及电沉积工艺参数的合理的配置，并通过添加合理添加剂，生成低峰值铜箔，并经过特殊粗化工艺来增强其粗化镀层，以提高铜箔与特殊板材的结合力和耐化学性。本发明的技术方案通过电解液组合以及电沉积工艺参数的合理配置，并在电沉积过程中添加添加剂来实现，其工艺如下一种适用于高Tg玻璃布板、无卤素环保板和高CTICEM-I板的电解铜箔的其制备方法包括，电解液中铜含量60 90g/L，硫酸含量100 160g/L，温度40 60°C的参数配合，并向电解液中添加添加剂，使电解液流量为50 90m3/h，电流密度4500 10000A/m2条件下进行电沉积，该电解液添加的添加剂包括C1-和明胶，添加剂流量为lOOmL/min 10OOmT ,/mi n。所述的电解后的铜还要进行粗化工艺，所述粗化工艺首先将电解后的生箔，依次通过酸洗、粗化、固化、弱粗化、水洗、耐热层处理、水洗、防氧化处理、水洗、涂硅烷偶联剂及烘烤，最后得到粗化铜箔。酸洗槽中硫酸浓度为140-160g/l，温度为25-50°C，酸洗时间2_4秒。粗化槽中Cu2+浓度为18-22g/l，硫酸浓度为140-160g/l，温度为30_60°C，粗化所用电流为2000-2200A，粗化时间4-8秒。固化槽中Cu2+浓度为77_83g/l，硫酸浓度为120_140g/1，温度为25-45°C，固化所用电流为1800-2000A，固化时间4_8秒。弱粗化槽中Cu2+浓度为14-16g/l，硫酸浓度为110-130g/l，温度为25-45°C，弱粗化所用电流为500-800A，弱粗化时间2-4秒。耐热性处理槽中Zn2+浓度为8-12g/l，添加剂浓度为40_60g/l，PH值控制在10-14，温度为25-45°C，耐热层处理所用电流为100-200A，所用时间2_4秒。防氧化处理槽中Cr6+浓度为8-12g/l，PH值控制在10-14，温度为20_45°C，防氧化处理所用电流为100-200A，所用时间2-4秒。偶联剂处理采用浓度5-15g/l 的氨基硅烷偶联剂水溶液。通过本发明的电解液组合以及电沉积工艺参数的合理的配置，并通过添加合理添加剂，生成低峰值铜箔，并经过特殊粗化工艺来增强其粗化镀层，以提高铜箔与特殊板材的结合力和耐化学性。
图I为本发明工艺流程。
具体实施例方式实施例I :12 ii适用于高Tg玻璃布板、无卤素板和高CTICEM-I板的电解铜箔，采用电解液中铜含量60 90g/L，硫酸含量100 160g/L，温度40 60°C的参数配合，并向电解液中添加添加剂，使电解液流量为50 90m3/h，电流密度6500A/m2条件下进行电沉积，该电解液添加的添加剂包括C1-和明胶，添加剂流量为lOOmL/min 300mL/min。由以上工艺参数可得12 U低峰值生箔，再按附图I的粗化工艺流程和条件进行粗化各流程的电解参数如下
权利要求
1.一种适用于高Tg玻璃布板、无卤素环保板和高CTICEM-I板的电解铜箔的制备方法，其特征在于所述的制备方法包括，电解液中铜含量60 90g/L，硫酸含量100 160g/L，温度40 60°C的参数配合，并向电解液中添加添加剂，使电解液流量为50 90m3/h，电流密度4500 10000A/m2条件下进行电沉积，该电解液添加的添加剂包括C1_和明胶，添加剂流量为 10OmT ,/mi n 10OOmT ,/mi n。
2.根据权利要求I所述的适用于高Tg玻璃布板、无卤素环保板和高CTICEM-I板的电解铜箔的制备方法，其特征在于所述的电解后的铜还要进行粗化工艺，所述粗化工艺首先将电解后的生箔，依次通过酸洗、粗化、固化、弱粗化、水洗、耐热层处理、水洗、防氧化处理、水洗、涂硅烷偶联剂及烘烤，最后得到粗化铜箔；酸洗槽中硫酸浓度为140-160g/l，温度为25-50°C，酸洗时间2-4秒；粗化槽中Cu2+浓度为18_22g/l，硫酸浓度为140_160g/l，温度为30-60°C，粗化所用电流为2000-2200A，粗化时间4_8秒；固化槽中Cu2+浓度为77_83g/I，硫酸浓度为120-140g/l，温度为25-45°C，固化所用电流为1800-2000A，固化时间4-8秒；弱粗化槽中Cu2+浓度为14-16g/l，硫酸浓度为110-130g/l，温度为25-45°C，弱粗化所用电流为500-800A，弱粗化时间2-4秒；耐热性处理槽中Zn2+浓度为8_12g/l，添加剂浓度为40-60g/l，PH值控制在10-14，温度为25-45°C，耐热层处理所用电流为100-200A，所用时间2-4秒；防氧化处理槽中Cr6+浓度为8-12g/l，PH值控制在10-14，温度为20_45°C，防氧化处理所用电流为100-200A，所用时间2-4秒；偶联剂处理采用浓度5-15g/l的氨基硅烷偶联剂水溶液。
全文摘要
本发明涉及一种适用于高Tg玻璃布板、无卤素板和高CTICEM-1板的电解铜箔，以及该电解铜箔的制备方法，包括，电解液中铜含量60～90g/L，硫酸含量100～160g/L，温度40～60℃的参数配合，并向电解液中添加添加剂，使电解液流量为50～90m3/h，电流密度4500～10000A/m2条件下进行电沉积，该电解液添加的添加剂包括Cl-和明胶，添加剂流量为100mL/min～1000mL/min。通过本发明的电解液组合以及电沉积工艺参数的合理的配置，并通过添加合理添加剂，生成低峰值铜箔，并经过特殊粗化工艺来增强其粗化镀层，以提高铜箔与特殊板材的结合力和耐化学性。
文档编号C25D3/38GK102797021SQ20111013548
公开日2012年11月28日 申请日期2011年5月23日 优先权日2011年5月23日
发明者郭伟, 黄文荣, 吴伟安 申请人:建滔(连州)铜箔有限公司