专利名称：半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺的制作方法
技术领域：
本发明公开一种半导体集成电路的引线框架一次性电镀工艺，按国际专利分类表 (IPC)划分属于集成电路芯片加工制造技术领域，尤其是涉及一种半导体集成电路引线框架(例如QFN-四侧无引脚扁平封装)的电镀方法。
背景技术：
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到和外部导线连接的桥梁作用，是电子信息产业中重要的基础材料。为了满足制造集成电路半导体元件的导电性能，集成电路的引线框架往往要在其表面局部点位区域进行电镀金属银或其他金属。目前，半导体集成电路引线框架(包括QFN封装)多排化是行业的一个发展趋势，尤其对于QFN封装的引线框架，其电极触点近，电镀要求高，而多排化框架产品进一步增加了电镀难度。申请人:的在先申请案CN101864586A公开一种引线框架的电镀方法，是将引线框架拼版的所有单元窗口的分为交错排列的2组，分别进行电镀银层，即将多排引线框架采用跳镀进行两次电镀工艺，这种电镀工艺解决了目前引线框架多排电镀的难题，但其具有以下不足
1、由于同一引线框架产品需要两次电镀才能完成，生产效率低；
2、两次电镀转换过程中容易造成污染，影响到引线框架的电镀质量；
3、电镀过程需要两块掩膜板，成本较高，其中一块掩膜板的成本价就有几千元。发明人经过进一步研究及总结经验，创作出引线框架多排产品一次电镀方法，故才有本发明的提出。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，解决了目前引线框架多排化产品的电镀难题，并且本发明可一次性电镀完成引线框架的多排分布的电镀点位区域。为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的
一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。进一步，所述镀头的喷射流道是由喷射板、阳极板、基板及掩膜板依次叠加为一体其上的通孔构成，且基板和掩膜板的通孔大于喷射板和阳极板上的喷孔。进一步，所述镀头的回路流道是由掩膜板通孔、基板通孔及阳极板上的回流孔及喷射板的导流槽构成，喷射时从掩膜板及基板通孔的中心进入，而倒流时从上述通孔的四周回流进入阳极板上的回流孔。
进一步，所述阳极板的每个喷孔周围设有四个回流孔，且回流孔孔径大于喷孔孔径，各喷孔位于位于基板及掩膜底板通孔中心位置，而回流孔位于基板相邻四个通孔的连接部且向通孔口延伸，喷孔喷射的电镀液经弓丨线框架电镀后余液通过掩膜底板通孔的周边回路流道倒流而收集，不影响电镀液的喷射路径。本发明可以作为QFN封装结构的引线框架的一次性电镀操作，镀头安装于电镀机的机械臂压板下方，本发明的阳极板与电镀机的阳极电联接。使用时，电镀机控制机械臂压板向下动作，盖板覆盖于引线框架上方，此时电镀机由下而上通过本发明的喷射板、阳极板、基板及掩膜底板的对应通孔向引线框架上的多排化分布的各电镀点位进行电镀液冲击，通电进行电镀金属(银)作业；电镀余液通过各电镀点位区的四角并由电镀液回路流道倒流入喷射板上的倒流槽而流出。本发明具有如下有益效果
1、由于同一引线框架产品只需要一次电镀就能完成所有电镀点位区域，效率高；
2、本发明解决了两次电镀污染的问题，并且引线框架的电镀质量高、镀层均勻性好；
3、本发明电镀过程只需要一块掩膜板，节约成本。
图1是本发明镀头示意图。图2是本发明镀头阳板板示图。图3是本发明镀头俯视图。图4是图3局部放大图。图5是本发明镀头组装图。图6是本发明镀头分解图。图7是本发明喷射板及阳极板组装图。图8是本发明喷射板、阳极板及基板组装图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步说明
实施例一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，将引线框架的各电镀单元区正对着镀头A的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。请参阅图1至图8，镀头的喷射流道是由喷射板1、阳极板2、基板3及掩膜板4依次叠加为一体其上的通孔构成，且基板和掩膜板的通孔30、40为四方形，与引线框架的电镀区配合，且上述四方通孔大于喷射板喷孔11和阳极板喷孔21。镀头的回路流道是由掩膜板通孔、基板通孔及阳极板上的回流孔22及喷射板的导流槽12构成，回路流道中掩膜板通孔与基板通孔与喷射流道中的掩膜板通孔、基板通孔指代相同，喷射时从上述通孔的中心进入，而倒流时从上述通孔的四周回流进入阳极板上的回流孔，请参阅图3及图4、图5，图 4中· IN表示电镀液进入的流道， Out表示电镀液回流的通道。请参阅图2及图6、图7、图8，阳极板2的每个喷孔21周围设有四个回流孔22，且回流孔孔22径大于喷孔21孔径，各喷孔位于位于基板及掩膜底板通孔中心位置，而回流孔 22位于基板相邻四个通孔的连接部且向通孔口延伸，如图8所示，喷孔喷射的电镀液经引线框架电镀后余液通过掩膜底板通孔的周边回路流道倒流而收集，不影响电镀液的喷射路径，图1及图6中，喷射板向上形成突台10用于支撑阳极板2。本发明可以作为QFN封装结构的引线框架的一次性电镀操作，镀头安装于电镀机的机械臂压板下方，本发明的阳极板与电镀机的阳极电联接。使用时，电镀机控制机械臂压板向下动作，盖板覆盖于引线框架上方，此时电镀机由下而上通过本发明的喷射板、阳极板、基板及掩膜底板的对应通孔向引线框架上的多排化分布的各电镀点位进行电镀液冲击，通电进行电镀金属(银)作业；电镀余液通过各电镀点位区的四角并由电镀液回路流道倒流入喷射板上的倒流槽而流出。现有技术中两次电镀工艺实质上电镀液回路没有解决好，对于多排化引线框架， 相邻电镀区近，所以才采用更换两块掩膜板进行两次电镀，两块掩膜板上的窗口交错排列， 而本发明采用合理的回液流道，一次性电镀引线框架的所有电镀点位。以上所记载，仅为利用本创作技术内容的实施例，任何熟悉本项技艺者运用本创作所做的修饰、变化，皆属本创作主张的专利范围，而不限于实施例所揭示者。
权利要求
1.一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于所述镀头的喷射流道是由喷射板、阳极板、基板及掩膜板依次叠加为一体其上的通孔构成，且基板和掩膜板的通孔大于喷射板和阳极板上的喷孔。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于所述镀头的回路流道是由掩膜板通孔、基板通孔及阳极板上的回流孔及喷射板的导流槽构成，喷射时从掩膜板及基板通孔的中心进入，而倒流时从上述通孔的四周回流进入阳极板上的回流孔。
4.根据权利要求2或3所述的半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于 所述阳极板的每个喷孔周围设有四个回流孔，且回流孔孔径大于喷孔孔径，各喷孔位于位于基板及掩膜底板通孔中心位置，而回流孔位于基板相邻四个通孔的连接部且向通孔口延伸，喷孔喷射的电镀液经引线框架电镀后余液通过掩膜底板通孔的周边回路流道倒流而收集。
全文摘要
本发明公开一种半导体集成电路的引线框架一次性电镀工艺，将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。本发明工艺适用于多排化引线框架电镀作业，具有效率高、镀层均匀、电镀质量高等优点。
文档编号C25D5/02GK102181895SQ201110134379
公开日2011年9月14日 申请日期2011年5月24日 优先权日2011年5月24日
发明者李南生, 林桂贤, 王锋涛, 罗壮, 苏月来 申请人:厦门永红科技有限公司