专利名称：点式电镀三极管引线框架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体分立器件，特别是一种制作三极管用的引线框架。
背景技术：
引线框架是制作生产半导体元件的基本部件，还需在其表面大部分地方电镀非铁磁金属层，再利用树脂塑封芯片固定成一整体的半导体元件。
现有的TO-251引线框架如图3所示，根据装芯片和焊接连接线的需要，其电镀区域L覆盖了散热部1、芯片部2和小焊点3′的全部面积，电镀成本高。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种点式电镀三极管引线框架，既在满足原有封装要求的同时，又增强引线框架与塑封料间的结合力和密封强度，并降低电镀成本和减少电镀排放时对环境的污染。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为点式电镀三极管引线框架，包括由散热部、芯片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成，所述的电镀层在引线框架上呈点状分布。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于，因引线框架上还需电镀非铁磁金属层及用塑封料封装，且引线框架、电镀层、塑封料分别由不同的材料制作，各材料的热物理性能、热膨胀系数都不相同，尤其电镀层与塑封料的结合力不理想，与其这样干脆缩小电镀区域的范围，相对就增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度，所以采用点式电镀引线框架，仅在封装芯片和连接线处进行点状电镀，既满足封装要求又大面积减少了电镀层，减少金属镀层材料的消耗，降低了生产成本又减少了电镀时带来的有害物质排放污染。
图1、本实用新型结构及点式电镀示意图。
图2、本实用新型第二方案结构及点式电镀示意图。
图3、现有技术结构及电镀层覆盖示意图(电镀区间L)。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步描述。
主体由上端的散热部1和下端芯片部2，与散热部1、芯片部2连成整体的中间管脚5和两带小焊点3′且与中间管脚5连接在一起的侧管脚4所组成。
电镀非铁磁金属层，在芯片部2中间需要封装芯片的位置处电镀，电镀层为方形电镀点6，边长在1.8～2.2mm区域内。
在两侧管脚4上端小焊点3′全部区域内进行电镀，电镀层为电镀点3与小焊点3′形状相匹配，如图1所示。
在芯片部2上需要焊接连接线的边缘部分进行电镀，电镀层为圆形电镀点7。
在两侧管脚4上端小焊点3′中间位置进行电镀，电镀层为圆形电镀点8，电镀点8大于电镀点7，如图2所示。
权利要求1.一种点式电镀三极管引线框架，包括由散热部(1)、芯片部(2)、小焊点(3′)、中间管脚(5)、侧管脚(4)构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成，其特征在于所述的电镀层在引线框架上呈点状分布。
2.根据权利要求1所述的点式电镀三极管引线框架，其特征在于在芯片部(2)上需要封装芯片位置处电镀，电镀层为方形电镀点(6)，边长在1.8～2.2mm区域内。
3.根据权利要求1所述的点式电镀三极管引线框架，其特征在于在两侧管脚(4)上端的小焊点(3′)上全部区域进行电镀，电镀层为电镀点(3)与小焊点(3′)形状相匹配。
4.根据权利要求1所述的点式电镀三极管引线框架，其特征在于在芯片部(2)上需要焊接连接线的边缘部分进行电镀，电镀层为圆形电镀点(7)。
5.根据权利要求1或4所述的点式电镀三极管引线框架，其特征在于在两侧管脚(4)上端的小焊点(3′)中间位置进行电镀，电镀层为圆形电镀点(8)，电镀点(8)大于电镀点(7)。
专利摘要一种点式电镀三极管引线框架，包括由散热部、芯片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成，所述的电镀层在引线框架上呈点状分布。因引线框架上还需电镀非铁磁金属层及用塑封料封装，且引线框架、电镀层、塑封料由不同的材料制作，材料的热物理性能、热膨胀系数都不相同，尤其电镀层与塑封料的结合力不理想。现采用点式电镀引线框架，仅在封装芯片和连接线处进行点状电镀，既满足封装要求又大面积减少了金属电镀层材料的消耗，降低了生产成本又减少了电镀时带来的有害物质排放污染，且增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度。
文档编号H01L23/48GK2909528SQ20062010275
公开日2007年6月6日 申请日期2006年4月14日 优先权日2006年4月14日
发明者冯小龙, 裘佩明, 马叶军 申请人:宁波康强电子股份有限公司