一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺及其应用的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，采用多波形电镀电源，通过调整多波形电镀电源的电流波形、电流密度，将不同电流波形、电流密度的电源输送至电镀槽，在同一电镀槽内使同一镀镍液按不同晶粒结晶度、不同镀层厚度完成多层镀镍。其工艺简单、节约成本、电镀质量受控且质量好。均匀性、耐蚀性、硬度、可焊性、磁性、装饰性上具有很大的优越性。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种镀镍工艺，具体说是一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，具体是 电子电镀与防腐电镀的多层镍应用。 一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺及其应用
【背景技术】
[0002] 电子元器件和一般工业金属零部件镀镍时，为了提高其防腐能力，国内外一般采 用三槽法配以三种不同的镀镍液和不同的电流密度来获得三层含硫量不同的镀镍层，利用 其含硫量不同，则腐蚀电极电位不同的原理来提高金属件的防腐能力。多设备、多镀镍液工 艺复杂、电镀成本高，且电镀工艺不易控制，电镀质量差。
【发明内容】
[0003] 针对现有技术中多设备、多镀镍液的镀镍工艺的不组，本发明提供了一种工艺简 单、节约成本、电镀质量受控且质量好的晶振盖板单槽法镀多层镍工艺及其应用。
[0004] 本发明采用的技术方案是：一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于采用 多波形电镀电源，通过调整多波形电镀电源的电流波形、电流密度，将不同电流波形、电流 密度的电源输送至电镀槽，在同一电镀槽内使同一镀镍液按不同晶粒结晶度、不同镀层厚 度完成多层镀镍。
[0005] 本发明的优选方案为：所述电流波形包括直流、脉冲电流和换向脉冲电流。
[0006] 本发明的优选方案为：所述电流密度为0. l-10A/dm2。
[0007] 本发明的优选方案为：所述电流密度优选为0. 5-lA/dm2。
[0008] 本发明的优选方案为：所述直流电镀时间为ls-30min ;所述脉冲电流工作比为 0. 1-1. 0:0. 5-5,工作时间为50-70 :30-50ms，电镀时间为ls-30min ;所述换向脉冲电流工 作比为0. 1-1. 〇:〇. 5-3,换向时间为140-800ms，电镀时间为ls-20min。
[0009] 本发明的优选方案为：所述直流电镀时间优选5s-10min ;所述脉冲电流工作比优 选0. 1-0. 5:0. 5-2,工作时间为50-70 :30-50ms，电镀时间优选2s-10min ;所述换向脉冲电 流工作比优选0. 1-0. 4:0. 6-1，换向时间为140-800ms，电镀时间优选2s-10min。
[0010] 本发明的优选方案为：所述直流电镀时间优选l〇s-5min ;所述脉冲电流工作比优 选0. 1-0. 2:0. 8-0. 9,工作时间为50-70 :30-50ms，电镀时间优选6s-3min ;所述换向脉冲 电流工作比优选〇. 1-0. 4:0. 6-1，换向时间为140-800ms，电镀时间优选4s-2min。
[0011] 本发明的优选方案为：所述镀镍液为瓦特镀镍液、半光亮镀镍液或光亮镀镍液。
[0012] 本发明的优选方案为：所述每升镀镍液含硫酸镍0.9-1. 14mol，氯化镍 0· 15-0. 21mol,硼酸 0· 6-0. 8mol,光亮剂 0-0· 012mol,表面活性剂 10-50ppm ;PH 值为 3. 5-4. 1，温度 40-45 °C。
[0013] 一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺的应用，在微电子、半导体器件和电子元件及 金属零件的镀镍中应用。均匀性、耐蚀性、硬度、可焊性、磁性、装饰性上具有很大的优越性。
[0014] 本发明采用一台电流波形可自动转换、电流密度可跟踪调整的多波形电镀电源，
【权利要求】
1. 一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：采用多波形电镀电源，通过调整 多波形电镀电源的电流波形、电流密度，将不同电流波形、电流密度的电源输送至电镀槽， 在同一电镀槽内使同一镀镍液按不同晶粒结晶度、不同镀层厚度完成多层镀镍。
2. 根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述电流 波形包括直流、脉冲电流和换向脉冲电流。
3. 根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述电流 密度为 〇. l-l〇A/dm2。
4. 根据权利要求3所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述电流 密度优选为〇. 5-lA/dm2。
5. 根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述直 流电镀时间为1 s_30min ;所述脉冲电流工作比为0. 1-1. 0:0. 5-5,工作时间为50-70 : 30-50ms，电镀时间为ls-30min ;所述换向脉冲电流工作比为0. 1-1. 0:0. 5-3,换向时间为 140-800ms，电镀时间为 ls-20min。
6. 根据权利要求5所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述直流 电镀时间优选5s-10min ;所述脉冲电流工作比优选0. 1-0. 5:0. 5-2,工作时间为50-70 : 30-50ms，电镀时间优选2s-10min ;所述换向脉冲电流工作比优选0. 1-0. 4:0. 6-1，换向时 间为140-800ms，电镀时间优选2s-10min。
7. 根据权利要求6所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述直流 电镀时间优选l〇s_5min ;所述脉冲电流工作比优选0. 1-0. 2:0. 8-0. 9,工作时间为50-70 : 30-50ms，电镀时间优选6s-3min ;所述换向脉冲电流工作比优选0. 1-0. 4:0. 6-1，换向时间 为140-800ms，电镀时间优选4s-2min。
8. 根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述镀镍 液为瓦特镀镍液、半光亮镀镍液或光亮镀镍液。
9. 根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于：所述 每升镀镍液含硫酸镍0.9-1. 14mol，氯化镍0.15-0. 21mol，硼酸0.6-0. 8mol，光亮剂 0-0· 012mol，表面活性剂 10-50ppm ;PH 值为 3. 5-4. 1，温度 40-45°C。
10. -种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺的应用，在微电子、半导体器件和电子元件及金 属零件的镀镍中应用。
【文档编号】C25D5/18GK104047039SQ201410296419
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月27日 优先权日:2014年6月27日
【发明者】杨海蓉 申请人:杨海蓉